JPS60142532A - 故障セルの電気的診断方法 - Google Patents

故障セルの電気的診断方法

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JPS60142532A
JPS60142532A JP59219408A JP21940884A JPS60142532A JP S60142532 A JPS60142532 A JP S60142532A JP 59219408 A JP59219408 A JP 59219408A JP 21940884 A JP21940884 A JP 21940884A JP S60142532 A JPS60142532 A JP S60142532A
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test
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/3185Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning
    • G01R31/318533Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning using scanning techniques, e.g. LSSD, Boundary Scan, JTAG
    • G01R31/318577AC testing, e.g. current testing, burn-in

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、集積回路をテストするために用いられる技術
に係り、更に具体的に云えば、各々一対の結合されたラ
ッチより成り、機能素子に於てシフト・レジスタを形成
しているセルのチェインに於ける故障セルを識別するた
めの電気的診断方法に係る。
[従来技術] 周知の如く、所与の機能素子(チップ、モジュール、ボ
ード又はシステム)に於ける集積回路、特にLSI回路
をテストする場合の大きな問題は、内部信号、特に回路
網のノードにアクセスできないことである。過去のテス
ト技術に於ては、全ての内部回路を働かせ、その結果を
機能素子の出力ピンに転送して観察するために、複雑な
順次パターンが用いられた。
しかしながら、今日の極めて複雑な機能素子に対しては
、それらのテスト技術は、多大な時間及びコストを要す
るだけでなく、概して効率が低いために、不満足なもの
となった。
従って、1970年代に於ては、例えば米国特許第37
83254号、第3784907号及び第396125
2号の明細書に記載されている如く、レベル・センシテ
ィブ・スキャン・デザイン(L S S D)と呼ばれ
る方法に基く新しいテスト技術が開発された。
LSSD技術は、パッケージングの全てのレベルに於け
るテストの問題を解決することができる。
この技術は、全ての機能素子が完全にテストされること
を可能にし、更には複雑なシステムがフィールドに於て
診断されることを可能にする。
本明細書に於て用いられている用語゛機能素子″は、本
質的にはチップ又はモジュールを意味するが、ボード又
はシステムであってもよい。
集積回路をテストするために用いられるLSSD技術の
原理については、Electronics、 ’に 9
79年3月15日、第108頁乃至第110頁に於ける
Ne1l C,Berglundによる“Level−
3ensitiveScan Design Te5t
 Chips、 Boards、 Systems”と
題する文献に於て記載されている。
パッケージングの最も低いレベルはチップである。周知
の如く、チップは、所望の論理機能を行うことができる
数百側の回路を形成するために相互接続された、トラン
ジスタ、ダイオード及び抵抗の如き、数予測の基本的構
成素子を含むシリコン・スライスである。
外部との間に電気的接続を設けるための入出力ピンを設
けられているセラミック基板上に、幾つかのチップが組
立てられる。基板が封入されて、モジュールが形成され
る。
幾つかのモジ−ニールがプリント回路板に装着される。
最後に、パッケージングの最も高いレベルに於て、シス
テムを形成するために、幾つかのボードを相互接続する
ことができる。
LSSDに於ては、チップは幾つかの組合せ論理ブロッ
クを含み、各組合せ論理ブロックはシフト・レジスタ・
ラッチ(SRL)と称されるラッチより成るメモリ・セ
ルに関連している。”LSSDチェイン”と呼ばれる単
一の長いシフト・レジスタは、多数のそのようなセル即
ちSRLを相互に連鎖させることによって形成される。
各SRLは、実際に於ては1対の双安定ラッチL1及び
L2であり、シフト・レジスタの単一の段を形成する。
ラッチL1は、クロック人力A及びCに加えられる2つ
の異なるクロック信号A及びCにより、2つの源から設
定することができ、クロック人力Cはシステム・クロッ
ク信号を受取る。ラッチL1は又、データ・イ;(DI
)と称せられるデータ入力、及びスキャン・データ・イ
ン(SDI)と称されるテスト入力を有している。2進
ワードより成るテスト・パターンがチップのSDIピン
に加えられる。ラッチL2は、関連するラッチL1の出
力の1つに接続されたデータ入力、及びラッチL1から
の出力データをラッチL2に転送させるクロック信号B
を受取る入力を有している。
上記の長いシフト・レジスタは、該レジスタの第1段を
形成する第1SRLに於けるラッチL2の出力を、次の
SRLに於けるラッチL1の入力に接続し、同様にして
最後のSRL迄接続させることによって形成される。第
1SRLに於けるラッチL1のテスト入力SDIは、チ
ップのSDIピン又は主要人力に接続されており、最−
後のSRLに於けるラッチL2の出力は、該チップのス
キャン・データ・アウト(SDO)と称される出力ピン
又は主要出力に接続されている。各SRLのクロック人
力A、B及びCは、チップの各々の入力ピンに接続され
ている。
上記“チェイン”の概念は、同じ型又は異なる一型の機
能素子にも適用可能なことは明らかである。
それらのLSSDチェインを構成しているラッチは論理
チップの表面積の40%にも達する場合があるが、それ
らの多くは通常のシステム機能を行うために用いられて
いる。
ビットは、SRLを経て2つの段階で転送される。ラッ
チL1のテスト入力SDIに加えられたビットは、クロ
ック・パルスAにより、該ラッチL1にロードされ、ク
ロック・パルスBが加えられたときに、ラッチL2の出
力に於て、同一のビットが得られる。機能素子の入力S
DIに加えられた信号をその出力SDO迄転送させるた
めには。
SRLの数に等しい数の組合せのクロック・パルスA及
びBが必要である。この動作モードに於ては、システム
・クロック・パルスCは加えられない。
機能素子をテストするためには、フラッシュ・テストと
称される静的テストが初めに行われる。
そのために、活性電位、例えば高論理レベルがクロック
人力A及びBに加えられ(A=B=1)、クロック入力
Cは低論理レベルを受取る(C=O)。
テストされるべきLSSDチェインの入力SDIに矩形
パルスが加えられ、所定の時間間隔が経過した後に、出
力SDOに於て検策される。このテストは、LSSDチ
ェインに於ける全てのラッチがインバータとして働き、
従って該チェインがシフト・レジスタとしてよりも一連
のインバータとして動作する、組合せ型の静的テストで
ある。その結果、入力SDIに加えられた上記データ・
パルスが、該チェインに於ける全てのSRLの累積応答
時間に等しい時間が経過した後に、該チェインの出力S
DOに於て得られる。このフラッシュ・テストは、伝播
時間に関して有用な情報を与える他、上記LSSDチェ
インが適切に機能するか否かを決定することを可能にす
る。
次に、スキャン・テストと称される動的テストが行われ
る。クロック人力Cが低論理レベルに維持され、クロッ
ク・パルスA及びBが加えられる(それらは同時には活
性化されない。)そのとき、該LSSDチェインはシフ
ト・レジスタとして働く。このテストは、入力SDIに
加えられたデータ・パルスが、クロック入力′A及びB
にクロック・パルスが加えられたときに、出力SDOに
転送されなかった場合には、該チェインが適切に動作し
ていないことを決定するために役立つ。
最後に、機能テストがスキャン・モードで行われるa簡
単に云えば、テスト・パターン(一連の2進データ)が
入力SDIに加えられ、該テスト・パターンをSRL中
に転送させるために、クロック・パルスA及びBが加え
られる。機能素子に於ける全てのラッチがこのようにし
て初期設定されたとき、該素子の並列な出力ピン上に論
理データが存在する。該素子の並列な入力ピンに刺激を
加えそしてクロック・パルスCを加えることにより、該
組合せ論理の成る特定の状態を反映する2進ワードが該
LSSDチェインにロードされる。それから、該組合せ
論理が適切に機能するか否かを決定するために上記出力
ピンがwt察され、その結果が、コンピュータ・シミュ
レーション・モデル(前述のNa1l C,Bergl
undによる文献の第2図を参照)により決定される、
予測されるSRLの状態と比較される。このようにして
、該機能素子に於ける論理が、プログラムにより発生さ
れたテスト・データを用いて、典型的には全てのDC故
障の98乃至100%に関してテストされる。
実際に於ては、電流消費、漏洩電流等の如きアナログ値
を決定するパラメータ・テストが、上記フラッシュ・テ
ストの前に行われる。
フラッシュ・テスト及びスキャン・テストの目的は、L
SSDチェインが適切に機能するか否かを決定すること
である。LSSDチェインが適切に機能する場合、即ち
ラッチ間の相互接続体又はクロック・パルス分配回路中
に短絡回路又は開放回路が何ら存在していない場合には
、次に組合せ論理自体の機能テストが行われる。
前述の如く、LSSDチェインはチップの表面積の40
%もの面積を占めることがあり、典型的なチェインは2
0乃至250個のセル即ちSRLより成る場合があるの
で、1つのチェインに於て少くとも1つの故障が発生す
る可能性が極めて大きい。又、SRLは通常チップ表面
上に分散しているために、製造中に又はフィールドに於
て、故障を有するSRLを迅速に識別して、修復措置を
施すことは実際上不可能である。
従って、知られているフラッシュ型又はスキャン型のテ
ストは、” L S S Dチェインは適切に(又は、
不適切に)機能する″の如き一般的な性質の情報しか提
供することができない。LSSDチェインが不適切に機
能した場合に、該チェインに於ける故障セルを識別する
方法はこれ迄存在しておらず、機能素子全体が破棄され
ねばならなかった。
従って、LSSD回路の製造に於ては、上記フラッシュ
・テスト又はスキャン・テストのいずれよりも優れてお
り、処理工程中に修復措置を施すことができるように故
障セルを正確に識別することを可能にするテスト技術が
必要とされている。
例えば、異なるウェハからのチップの全てが同一の故障
セルを有することが解った場合には、その故障は恐らく
それらのウェハを製造するために用いられたりソグラフ
ィ・マスクに存在する何らかの欠陥によるものと考えら
れる。
更に、所望のテスト技術は、用いられている機能素子の
種類(チップ、モジュール等)に関係なく、故障セルの
識別を可能にするべきである。又、そのテスト技術は、
簡単で、正確で、比較的安価であるべきである。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明の目的は、従来技術に於ける欠陥及び精度の低さ
を除くために、少くとも2つのクロック入力を有し、又
は前述のフラッシュ・モードで動作することのできるラ
ッチより成るシフト・レジスタに於ける故障セルを識別
する電気的診断方法を提供することである。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、シフト・レジスタ即ちLSSDチェインを形
成しているN個のセルのチェインに於ける故障セルのラ
ンクPを識別する電気的診断方法を提供する。各セルは
ラッチより成り、該ラッチは実際に於てはマスク・スレ
ーブ・メモリ素子として働く1対の結合されたラッチL
1及びL2より成る。マスタ・ラッチL1はデータ入力
’DI及びSDI並びにクロック人力A及びCを有し、
スレーブ・ランチL2は単一のクロック人力Bを有して
いる。上記チェインは、LSSDSS上よる組合せ論理
ブロックに関連し、所与の機能素子に集積化されている
。基本的には、本発明の方法は、上記機能素子が下記の
如くクロックに関して静的動作モードに配置されたとき
に該機能素子に供給された電流Iddの変動を分析する
ことに基いている。本発明の方法は次のステップを含む
(a)上記クロック入力A、B及びCの各々に1.1及
びOの論理レベルが加えられ、データ・ビットを表わす
矩形パルスが上記データ入力SDIに加えられる、フラ
ッシュ・モードの如き静的動作モードに上記機能素子を
配置し、(b)上記矩形パルスが上記チェインを経て該
チェインの最後のセルのスレーブ・ラッチL2の出力S
DOに到達する迄伝播される間に生じる、上記機能素子
に供給された電流Iddの変動を表わす波形(以下に於
て、゛′シグナチュア′″と称する)を観察し、 (C)上記データ・ビットを丁度ロードされたセルが故
障状態にあることを示す上記変動の不在(■dd=一定
)を検出し、 (d)上記チェインに於ける上記故障セルのランクPを
決定する。
一好実施例に於ては、上記故障セルは、上記シグナチュ
アを、先にテストされそして適切に機能することが決定
された参照用機能素子に関して得られたシグナチュアと
比較することによって検出される。
もう1つの好実施例に於ては、上記故障セルは、該セル
のランクPが表示装置のスクリーン上に表示されるテス
ト機構によって検出される。
[実施例] テストされるべき機能素子に於ける各LSSDチェイン
が、上記クロック入力A、B及びCの各々に1,1及び
Oの論理レベルが加えられ、データ・ビットを表わす矩
形パルスが上記データ入力SDIに加えられる、フラッ
シュ・モードに配置される。上記パルスは、上記チェイ
ンを構成するN個のセルのための伝播時間の合計に等し
い時間間隔の後に、出力SDOに到達する。このパルス
の伝播は、後続のセル及び関連する組合せ論理ブロック
を変化させる。
オシロスコープのスクリーン上に時間の関数として表示
された、機能素子に供給された電流Iddを観察したと
き、時間t。に於て入力SDIに加えられたパルスの前
縁が時間t1に於て出力SDOに到達する迄、即ちΔ1
=11−1oの時間の間、軌跡の迅速な変動が観察され
ることが解った。これは、種々のパルスのタイミングを
示し、特に電流Iddの変動を表わす波形、即ち″シグ
ナチュア′″を示す第2図に於て示されている。第2図
に示されている如く1時間tz(入力SDIに加えられ
たパルスの下降遷移)と時間t4(該パルスの後縁が出
力SEOに到達するとき)との間、即ち上Δtと同一の
時間間隔の間に於て得られたシグナチュアは、時間t0
と時間℃1との間に於て得られたシグナチュアの逆にな
っていることに留意されたい。
スジロスコープのスクリーン上で観察されたピークの振
幅は、本質的には、チェインに於て用いられている種々
の型のラッチ及びその出力の容量性負荷に依存すること
が解った。それらのピークは、該チェインの後続のセル
に於て生じる論理状態の変化によって生じる。
任意のチェインに於て、データ・パルスの前縁が故障セ
ルに到達すると、そのパルスは上記セルを越えて伝播せ
ず、電流Iddは一定のままで、該セルへ供給される直
前に到達した値に等しく保たれて、シグナチュアが直線
的になる。第3図は、2つの同じ機能素子し゛こ於ける
同じチェインに各々フラッシュ・テストを施したときに
生じた電流Iddの変動を表わしている、2つの波形即
ちシグナチュアE及びFを示している。シグナチュアE
が直線的部分を何ら含んでいないということは、入力パ
ルスが該チェインの出力に到達し、従って該チェインが
適切に機能したことを示す。後述される如く、シグナチ
ュアEは、テストのための参照用に用いることができる
。時間t。に於ける最初のピーク及び時間t□に於ける
最後のピークは各々論理状態の最初の変化及び最後の変
化を示していることに留意されたい。両方の波形上に示
されている参照番号(21,26,34等)は、後述さ
れる如く、故障セルを見つけ易くするために参照用に用
いられる特定のセルの位置即ちランクを示している。図
示されている如く、シグナチュアFは、パルスが時間t
2に於てランク21のセルに加えられた後に、直線状に
なっており、これはそのセルが故障状態にあることを示
す。
実施例1 第1図に於て示されている如く、本実施例に於て用い−
られるテスト機構10は極めて簡単である。
そのテスト機構は、科学計算用インターフェースIEE
E488 (商品名)を設けられたTextronix
 Model 7854 (商品名)の如き、ディジタ
ル・メモリ・オシロスコープ11を含む。
オシロスコープ11は、テストされるべき種々の型の機
能素子のための参照用波形を、後の表示のために、ディ
スケット中に記憶している、IBM5120 (商品名
)の如き、コンピュータ12に接続されている。例えば
、入出力ピンを設けられたモジュール13である機能素
子が、適当な支持体上に装着され、入力ピンVddに結
合された直列接続の抵抗R(数オームの値を有する)を
経3て電源14から電流を供給される。テスト機構によ
り発生されるノイズを減少させるために、キャパシタ(
100μFのオーダーの値を有する)が上記電源と並列
に接続されている。モジュール13のクロック入力A、
B及びCのピンが、フラッシュ・モードの動作が可能に
なるように、適切にバイアスされる。該モジュールの全
てのLSSDチェインが連続的にテストされる。約20
 K Hzの周波数で動作し、上記オシロスコープと同
期する(同期出力)矩形パルス発生器15に、S’DI
ピンが接続されている。入力ピンVddは又、電流のピ
ークにより生じる減衰を減少させるために出来る限り短
かくされるべきである同軸ケーブルによって、上記オシ
ロスコープのY増幅器の端子に接続されている。一般的
には、シールド・ケーブルが全ての接続体に用いられる
べきであり、接地用接続体は出来る限り大きくされるべ
きである。駆動装置により生じるスイッチング・ノイズ
がシダナチュアに影響を与えることを防ぐために、モジ
ュールの出力ピンはフローティング状態にあるが(FE
Tの開放ドレイン領域に相当する場合)、又は高インピ
ーダンスを示すが(3状態論理回路に相当する場合)の
いずれかであるべきである。所与のチェインをテストす
るためには、該チェインに関して得られたシグナチュア
と、それに対応する参照用シグナチュアとが、オシロス
コープのスクリーン上に同時に表示されて(第3図参照
)、比較される。
故障セルのランクPは、時間間隔t27t、の間に生じ
た電流Iddのピークの数をカウントすることにより、
容易に決定することができる。そのためには、初めに、
参照用シグナチュアを分析し。
チェインに於けるセルの型又は機能(例えば、大きな容
量性負荷を有するセル、又は電流ピークの他に電流Id
dの値に大きな変化を生じるセル)に応じて、故障セル
の位置をより容易に見出すために役立つ、特性波形を生
じるセルを決定する。
故障セルのランクPは又、次式によって決定することが
できる。
上記式に於て、Nはチェインに於けるセルの総数であり
、11=10はデータ・パルスが該チェインの出力迄伝
播するために要した時間であり、t2はオシロスコープ
11により決定される。故障セルが検出された時間であ
る。
実際に於ては、チェインを構成する種々のセルにより導
入される遅延はそれらのセルの特性、入力の配線、負荷
等に依存するので全く同一ではないことによって、故障
セルの位置が1つ又は2つのセルの範囲内に決定される
。しかしながら、それらの遅延を正態に決定することが
でき、ランクPを正確に決定するためにコンピュータ・
プログラムを用いることができる。
本発明の方法は、成る条件の下では、特にテストされて
いる機能素子がチップである場合には、故障の性質に関
して、特に2つの導体間の短絡回路又は成る導体に於け
る開放回路が含ま九でいるかについて、正確な情報を直
ちに供給することができる。それらの2種類の故障は、
経験された故障の殆どの原因となっている。
マスク・スレーブ素子として働く1対の従来のFETラ
ッチより成るLSSDチェインに関して、故障が2つの
ラッチ間の開放回路である場合には、シグナチュアが故
障セルの位置に於て直線状になるが、LSSDチェイン
に用いられている導体と他の導体との間の短絡回路であ
る場合には、シグナチュアが直線状になる前に電流のピ
ークが生じることが観察された。これは、LSSDチェ
インに於ける導体が、O及び1の論理レベルの間でため
らっている電位を有する導体に接続されて、データ・パ
ルスの前縁の前後で葛藤が生じ(0→1)電流がその時
点で急激に減少又は増加するためである。クロック信号
が送られている導体に故障(開放回路又は短絡回路)が
生じた場合には、関連するラッチがあたかも短絡回路を
生じているかの様に動作して、シグナチュアが直線状に
なった。
上記の如く、故障セル及び故障の種類が識別されれば、
その故障は、短絡回路の場合には顕微鏡を用いて、又は
開放回路の場合には、LSSDチェイン全体及びクロッ
ク信号経路を調べるために電子顕微鏡を用いて、容易に
観察することができる。
実施例2 この実施例に於ては、パルス発生器15の代りに、後述
する如く、自動表示装置に関連する、より複雑なパルス
発生器16が用いられる他は、実施例1に関連して既に
述べたものと同一のテスト機構が用いられる。
モジュール13に於ける所与のセルのチェインが適切に
機能するかを決定するために、フラッシユ・テストが前
述の如く行われる。該チェインが適切に機能しない場合
には、その故障チェインに関して得られたジグナチュア
をオシロスコープ11に記憶させる。故障モジュール1
3を外し、先にテストされて適切に機能することが解っ
ている同一のモジュール13′を配置する。オシロスコ
ープ11のスクリーン上に未だ表示されている、上記の
記憶されたシグナチュアを、モジュール13′に於ける
対応するチェインに関して得られたシグナチュアと比較
する。そのために、モジュール13′をフラッシュ・モ
ードに配置する。第4図に示されている如く、時間t′
oから、連続的な高レベルのクロック入力A及びBが供
給され、晴間j 、’1. b−於て、矩形パルスが対
応するチェインの入力SDIに加えられる。時間間隔Δ
t′が経過した後、時間1/2に於て、該矩形パルスの
前縁(下降遷移)が出力SDOに到達する。第4図は、
適切に機能するチェインの特性波形が、電流Iddの測
定される出力端子上に、時間t/、zと時間tI2との
間に於て得られる事を示している。
このプロセスが完了すると、全てのセルはO論−環レベ
ルになる。
時間tI3は入力SDIに加えられた矩形パルスの後縁
に対応する。モジュール13′が時間t′3の後もフラ
ッシュ・モードに保たれた場合には、そのシグナチュア
は、第2図に示されている如く、時間間隔Δ1 / =
= 17 、 1 /、の間に得られたものと逆になり
、出力SDO上のパルスの論理レベルの通常の変化に対
応する時間tI、に於て後了し、同一の時間間隔Δt 
/ ’ = t / 5−t’ /3の後にルベルにな
る。
上記オシロスコープは、そのシグナチュアが、スクリー
ン上に於て、故障チェインに関して得られたシグナチュ
ア上に重畳されるように、較正されている。
次に、故障モジュールのシグナチュアと同一である、良
好な即ち参照用モジュールのシグナチュアの部分が表示
されるに充分な長さの間だけ、該参照用モジュールがフ
ラッシュ・モードに維持されるように、クロック・パル
スA及びBの幅が修正される。第4図に示される如く、
参照用モジュールは、時間t′3と時間1/4どの間だ
け、即ちデータ・パルスが故障セルと同一のランクPを
有するセルに到達する迄、フラッシュ・モードに維持さ
れる。従って、時間間隔T=t’、−t’3は異なる長
さく1<P<N)のチェインを収容するように可変でな
ければならない。
それから、クロック・パルスA及びBを禁止して、参照
用モジュールのセルのチェインに於けるデータ・パルス
の伝播が、故障モジュールに於ける故障セルの位置に厳
密に対応する点で防げられるようにすることにより、時
間t′4に於て、スキャン・モードが開始される。
それから、上記データ・パルスを再び伝播させるために
クロック・パルスA及びBが加えられる。
該データ・パルスを出力SDOに到達させて状態を変化
させるために必要とされたクロック・パルスA及びBの
組合せの数が、第4図に示されている如く、故障セルを
チェインの終りから離隔させている段の数(N−P)を
示す。理解される如く、参照用モジュールは、時間t′
。迄、フラッシュ・モードに維持され、時間′t′3と
時間t′、どの間に於て、スクリーン上に重畳している
2つのシグナチュアは同一である。フラッシュ・モード
が時間t1.の後も維持されたものと仮定すると、破線
で示されているシグナチュエが得られ、出力S゛Do上
に於ける予測されるパルスのレベルに変化(破線で示さ
れている)は時間tL5に於て生じることになる。しか
しながら、時間t′4に於て、スキャン・モードが開始
されたので、第4図に於て実線で示されているシグナチ
ュアが得られる。
図に示されている如く、データ・パルスが出力SDo上
にルベルを生せしめる為には、時間t′。
の後に、7対のクロック・パルスA及びBが必要である
。このときに、参照用モジュールに於ける該チェインの
全てのセルに1が書込まれる。従って、故障セルは、チ
ェインの終りから逆に数えて、7つめのセルである。
第4図に示されている電圧及び電流のレベルは、標準的
なTTL論理回路に於て用いられているものである。
以上に於て示したものと異なるテスト機構を用いること
も可能である。例えば、第4図に示されているクロック
・パルスの順序を制御するために、マイクロプロセッサ
を用いることができる。
第5図は、本発明の方法の第2実施例に於けるテスト機
構を示すブロック図である。ζ−の機構は、オシロスコ
ープ11を同期させるために要する時期信号、クロック
・パルスA及びB(フラッシュ・モード又はスキャン・
モードのいずれに於ても。
システム・クロック・パルスCは発生されない)、並び
にテスト中に入力SDIに加えられる矩形パルスを供給
する、パルス発生器16を含む。カウンタ17は、スキ
ャン・モードが開始されてから、出力SDO上のパルス
の論理レベルの変化が生じる迄のクロック・パルスA及
びBの組合せの数をカウントし、そのようにして得られ
たカウントが16進法方式による装置18上に表示され
る。比較器19が、出力SDO上の論理レベルの変化を
検出し、パルス発生器16に5TOP信号を送る。
パルス発生器16は、その信号を受取ると、カウント動
作を禁止する。
上記テスト機構が、第6図に於て、より詳細に示されて
いる。4 K Hzの周波数に於てパルスを発生するマ
スク・クロック20が、テスト機構全体を制御し、シン
グル・ショット21(8μ秒)を駆動し、シングル・シ
ョット21の出力Q及びQはスイッチ22により選択す
ることができる。
このスイッチは又、入力SDIに加えられる信号の論理
レベルを選択する。もう1つのスイッチ23は、該チェ
インに於けるセルの数が偶数であるか又は奇数であるか
に応じて、信号を反転させるために又は反転させないた
めに用いられる。
スイッチ23の共通接点上に得られる信号IN(入力S
DIに加えられる入力信号又はその反転信号に対応する
)が比較器19(実際に於ては、XOR回路である)の
第1人力に加えられ、その第2人力は出力SDO上に得
られる信号を受取る。
比較器19は、5TOP信号を供給して、出力SDO上
に於ける信号の論理レベルの変化を検出するために、入
力SDI及び出力SD’O上の信号を比較する。2 M
 Hzのクロック24(実際に於ては、シュミット・ト
リガ)は、クロック2oから直接に又はシングル・ショ
ット25を経てクロック・パルスを受取り、又5TOP
信号を受取る。
クロック24はシングル・ショット26及び27を制御
し、それらの出力はクロック・パルスA及びBを供給す
るためにNANDゲート28及び29に加えられる。ク
ロック24は又、カウンタ17を駆動する。クロック・
パルスA及びBの間には、所与のタイム・ラグが存在し
、両クロック・パルスは、特にスキャン・モードの間(
時間t′。
後)、所定の幅を有している。時間t13と時間tL4
どの間のフラッシュ・モードの期間は、シングル・ショ
ット30に関連する可変抵抗を調節することによって制
御される。従って、オペレータは、参照用モジュールに
於けるチェインに関して得られたシグナチュアと、故障
モジュールに於けるチェインに関して得られたシグナチ
ュアとが同一である部分だけがオシロスコープのスクリ
ーン上に重畳されるように、参照用モジュールに於番す
・るチェインに関して得られたシグデチュアを故障セル
の厳密な位置に於て終了させることができる。フラッシ
ュ・モードからスキャン・モードへの変化又はその逆は
、シングル・ショット25により導入される所定の遅延
が経過した後に、自動的に行われる。シングル・ショッ
ト31は、オシロスコープを同期させるために必要なパ
ルスを発生させる。任意に設けられるゲート32は、ゲ
ッターを補償するために必要な遅延を導入する。シング
ル・ショット33の出力Q上の信号は表示装置18の内
部回路をラッチングし、出力Q上の信号はシングル・シ
ミツト34を駆動させ、シングル・ショット34の出力
信号はカウンタ17を零にリセットする。
[発明の効果] 本発・列によれば、従来技術に於ける欠陥及び精度の低
さを除くために、少くとも2つのクロック入力を有し又
は前述のフラッシュ・モードで動作することのできるラ
ッチより成るシフト・レジスタに於ける故障セルを識別
する電気的診断方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法の第1実施例に従って故障セルの
ランクPを手作業により決定するために用いら九る簡単
なテスト機構を示す図、第2図はフラッシュ・モードに
於て矩形パルスが入力SDIに加えられたときに機能素
子に供給された電流Iddの変動を示すタイミング図、
第3図は一方が適切に機能するLSSDチェインであり
、他方が故障セルを含むLSSDチェインである、2つ
の同一の機能素子に供給された電流Iddの変動を示す
図であり、第4図は本発明の方法の第2実施例に従って
何ら故障セルを含んでいない機能素子の入力ピンに供給
されたパルスを示すタイミング図。 第5図は上記第2実施例に従って故障セルのラングPを
迅速に決定するためのより精巧なテスト機構を示すブロ
ック図、第6図は第5図のテスト機構をより詳細に示す
図である。 10・・・・テスト機構、11・・・・オシロスコープ
。 12°°°°コンピユータ、13・・・・機能素子(モ
ジュール)、14・・・・電源、15.16・・・・パ
ルス発生器、17・・・・カウンタ、18・・・・表示
装置、19・・・・比較器、20・・・・マスタ・クロ
ック、21.25.26.27.30.31.33.3
4パ・・シングル・ショット、22.23・・・・スイ
ッチ、24・・・・クロック、28.29.32・・・
・ANDゲート、SDI・・・・スキャン・データ・イ
ン(テスト入力)、SDO・・・・スキャン・データ・
アウト(出力)、A、BLC・・・・クロック入力(ク
ロック信号)、工dd・・・・機能素子に供給される電
流、Vdd・・・・入力ピン。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・
コーポレーション 代理人 弁理士 岡 1) 次 生 (外1名)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 機能素子に於てシフト・レジスタを形成しているLSS
    Dセルのチェインに於ける故障セルのランクPを識別す
    る電気的診断方法であって、上記チェインの各セルは、
    データ入力DI及びSDI並びにクロック人力A及びC
    を設けられたマスク・ラッチL1と、クロック人力Bを
    設けられたスレーブ・ラッチL2とより成るマスク・ス
    レーブ素子として働らく1対のラッチより成り、LSS
    D技術による組合せ論理ブロックと関連している、上記
    電気的診断方法に於て、 (a)上記クロック人力A、B及びCの各々に1.1及
    び0の論理レベルが加えられ、データ・ビットを表わす
    矩形パルスが上記データ入力SDIに加えられる、フラ
    ッシュ・モードの如き静的動作モードに上記機能素子を
    配置し、 (b)上記矩形パルスが上記チェインを経て該チェイン
    の最後のセルのスレーブ・ラッチL2の出力SDOに到
    達する迄伝播される間に生じる、上記機能素子に供給さ
    れた電流Iddの変動を表わす波形を観察し、 (c)上記データ・ビットを丁度ロードされたセルが故
    障状態にあることを示す上記変動の不在を検出し、 (d)上記チェイン゛に於ける上記故障セルのラングP
    を決定することを含む、 故障セルの電気的診断方法。
JP59219408A 1983-12-28 1984-10-20 故障セルの電気的診断方法 Granted JPS60142532A (ja)

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EP83430043A EP0146661B1 (fr) 1983-12-28 1983-12-28 Procédé de diagnostic électrique pour identifier une cellule défectueuse dans une chaîne de cellules formant un registre à décalage

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