JPS60142518A - ハ−ドマスクのピンホ−ル修正方法 - Google Patents
ハ−ドマスクのピンホ−ル修正方法Info
- Publication number
- JPS60142518A JPS60142518A JP58251195A JP25119583A JPS60142518A JP S60142518 A JPS60142518 A JP S60142518A JP 58251195 A JP58251195 A JP 58251195A JP 25119583 A JP25119583 A JP 25119583A JP S60142518 A JPS60142518 A JP S60142518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- mask
- plating
- photo resist
- catalyst
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
に技術分野〕
本発明はフォトリソグラフィーに用いるハードマスクの
ビ、ンホール修正方法に関するものである・〔従来技術
〕 ハードマスクのピンホール修正方法としては、従来ピン
ホール欠陥部をねらい黒色塗料などを７デ等で修正する
方法、ピンホールの多さに合わせたスリットをもつ金属
マスクを用いて部分蒸着、ス”バッタする方法がとられ
てきた。前者及び後者共にその労力は大変なものであり
、増々大型かつ微細化するハードマスクの修正方法とし
７ては限界に近ずいている。本発明はかかる従来技術の
欠点に鑑みなされたものである。このピンホールの生ま
れる原因解析を行なったところマスターマスクによるも
のは皆無で、マスターマスクからハードマスクヘコピー
する工程でおこる（ｃｒ、Ｎｔ−ｐ、 Ｎ ｉ −Ｂ
、 Ｎｉ −Ｗ−Ｐ 、 Ｔａ 、 Ｔｉ等のブランク
のピンホール、これらの薄膜をエツチングする工程でお
こる７、４トレジストのピンホール）ことが解明され、
本発明によりこのピンホール生成工程の問題点が解決さ
れることを見出すことができた。
ビ、ンホール修正方法に関するものである・〔従来技術
〕 ハードマスクのピンホール修正方法としては、従来ピン
ホール欠陥部をねらい黒色塗料などを７デ等で修正する
方法、ピンホールの多さに合わせたスリットをもつ金属
マスクを用いて部分蒸着、ス”バッタする方法がとられ
てきた。前者及び後者共にその労力は大変なものであり
、増々大型かつ微細化するハードマスクの修正方法とし
７ては限界に近ずいている。本発明はかかる従来技術の
欠点に鑑みなされたものである。このピンホールの生ま
れる原因解析を行なったところマスターマスクによるも
のは皆無で、マスターマスクからハードマスクヘコピー
する工程でおこる（ｃｒ、Ｎｔ−ｐ、 Ｎ ｉ −Ｂ
、 Ｎｉ −Ｗ−Ｐ 、 Ｔａ 、 Ｔｉ等のブランク
のピンホール、これらの薄膜をエツチングする工程でお
こる７、４トレジストのピンホール）ことが解明され、
本発明によりこのピンホール生成工程の問題点が解決さ
れることを見出すことができた。
しかるに本発明の目的は、ピンホール欠陥のないハード
マスクを安価に製造することにある・〔概 要〕 本発明のプロセスを第１図を用いて説明する。
マスクを安価に製造することにある・〔概 要〕 本発明のプロセスを第１図を用いて説明する。
第１図（ａ）において１は透明基板であり、ガラズ（ソ
ーダカラス、石英ガラス等）、プラスチックフィルム（
ポリエステル、ポリカーボネート’Ｄ’ ）である。２
は金属ｋＶ Ｉ’Ｊ５％であり、Ｏｒ、Ｎｊ−−Ｐ。
ーダカラス、石英ガラス等）、プラスチックフィルム（
ポリエステル、ポリカーボネート’Ｄ’ ）である。２
は金属ｋＶ Ｉ’Ｊ５％であり、Ｏｒ、Ｎｊ−−Ｐ。
Ｎ１−Ｂ、Ｎ１−Ｗ−Ｐ、Ｔａ 、Ｔｉ等であり、真空
Ａ ４４法、スパッタリング法、イオンプレイティング
法、無’；＋Ｕｆｎ’メッキ法等により破口される。
Ａ ４４法、スパッタリング法、イオンプレイティング
法、無’；＋Ｕｆｎ’メッキ法等により破口される。
２００ス〜５ｏｏｏＸか用いられる。通常は４０ＵＡ−
〜２ Ｌｌ ＯＯＸであり、７．．４ トリソゲラフイ
ーによりこのような金属薄膜はエツチングされて所定の
パターンを泊する露光用ハードマスクとなる。
〜２ Ｌｌ ＯＯＸであり、７．．４ トリソゲラフイ
ーによりこのような金属薄膜はエツチングされて所定の
パターンを泊する露光用ハードマスクとなる。
今、この鰭光用マスク（ａ）の金−４４パタ一ン部２に
３のようなビンポールか生じた。とするとこのマスクは
不良となってし２まう。本発明はこのようなパターン不
良部３を無１１℃解メッキによりリペア−する方法であ
り（ｂ）〜（ｆ）のプロセスで容易にこれができる。（
ｂ）において４はネカ型の７オトレジストである。スピ
ンコード、ロールコータ−１浸漬等速引上げ法、カーテ
ンコート法等でＨａされる。
３のようなビンポールか生じた。とするとこのマスクは
不良となってし２まう。本発明はこのようなパターン不
良部３を無１１℃解メッキによりリペア−する方法であ
り（ｂ）〜（ｆ）のプロセスで容易にこれができる。（
ｂ）において４はネカ型の７オトレジストである。スピ
ンコード、ロールコータ−１浸漬等速引上げ法、カーテ
ンコート法等でＨａされる。
０１μ〜１０μ厚が通常用いられるｏ（Ｃ）工程はマス
ターマスク５を用い、てＵＶ光を用いて４を露光、スる
。マスターマスク５はエマルジョンマスクが主として用
いられ、フォトプロッター等で非常にクリーンな環境で
、安定した条件で製造されるためにパターン６にはピン
ホールは通常存在しない。
ターマスク５を用い、てＵＶ光を用いて４を露光、スる
。マスターマスク５はエマルジョンマスクが主として用
いられ、フォトプロッター等で非常にクリーンな環境で
、安定した条件で製造されるためにパターン６にはピン
ホールは通常存在しない。
次に現像することにより（ｄ）を得る。このパターニン
グされたフォトレジスト４をメツキレシストとじて（ｇ
Ｊ図のように７なる無電％Ｎメッキを施す。通常Ｓｎ２
＋とＰｄ２＋を用いた無涌、解メッキプロセスによりレ
ジスト上４にはＳｎ、Ｐａは吸着しないで、′２上及び
１上のピンホール部６にはＳｎ。
グされたフォトレジスト４をメツキレシストとじて（ｇ
Ｊ図のように７なる無電％Ｎメッキを施す。通常Ｓｎ２
＋とＰｄ２＋を用いた無涌、解メッキプロセスによりレ
ジスト上４にはＳｎ、Ｐａは吸着しないで、′２上及び
１上のピンホール部６にはＳｎ。
ｐａが吸着しやすいので７のような選択的メッキが可能
となる。場合によっては（ｂ）図の７オトレジスト４の
塗布以前に基板全面にＳｎ 、Ｐａを吸イｉさせておい
ても良い。無電解メッキされる金相としてはＮｊ基合金
（Ｎ ｔ−ｐ 、 Ｎ １−’ｗ−ｐ 。
となる。場合によっては（ｂ）図の７オトレジスト４の
塗布以前に基板全面にＳｎ 、Ｐａを吸イｉさせておい
ても良い。無電解メッキされる金相としてはＮｊ基合金
（Ｎ ｔ−ｐ 、 Ｎ １−’ｗ−ｐ 。
Ｎ ｉ −Ｏｒ −Ｐ 、 Ｎ ｉ −Ｃｏ −Ｐ等）
が砂川、密着性、耐薬品性等の物性上から望まｊ７い。
が砂川、密着性、耐薬品性等の物性上から望まｊ７い。
厚みは２００χ〜５０００χが望まれ、さらに望ましく
は４００父〜２０００χである。４００Ａ以下では光が
透過してしまう（２，２０００％以上では密着性の問題
が生じてくる。なお、ここでは（ｂ）〜（／）工程はフ
ォトレジストとしてネガ型を用いたがポジ型を用いても
良い。ただその場合マスターマスク５は白黒反転してお
かなくてはならないことは言うまでもない。
は４００父〜２０００χである。４００Ａ以下では光が
透過してしまう（２，２０００％以上では密着性の問題
が生じてくる。なお、ここでは（ｂ）〜（／）工程はフ
ォトレジストとしてネガ型を用いたがポジ型を用いても
良い。ただその場合マスターマスク５は白黒反転してお
かなくてはならないことは言うまでもない。
以下実施例を用いて本発明をより詳細に説明するＯ
実施例１
２ 、ｔｔｒｍ、厚のフロートソーダガラス上に６００
ＸのＣｒを真空蒸着しさらにＡｕを５０ス蒸着し７た・
所定の工程を用いマスターマスクから７オトフアブリケ
ーンヨンによりＯｒ −Ａ ｕをエツチング転写を行な
って露光用マスク（第１図（α））を得た。
ＸのＣｒを真空蒸着しさらにＡｕを５０ス蒸着し７た・
所定の工程を用いマスターマスクから７オトフアブリケ
ーンヨンによりＯｒ −Ａ ｕをエツチング転写を行な
って露光用マスク（第１図（α））を得た。
パターン？ＡＩ ２ （Ｏｒ −Ａｕ）には６のような
ピンホール部 Ｏｒ −Ａ ｕブランクにも存在したし、転写中の７オ
トレジストのピンホール れてしまったことがプロセス調査の結果わかった。
ピンホール部 Ｏｒ −Ａ ｕブランクにも存在したし、転写中の７オ
トレジストのピンホール れてしまったことがプロセス調査の結果わかった。
次にネガ型フォトレジストである東京応化製ＯＭＲ−８
３を用いて（ｂ）図のように２μスピンコードした。キ
ーアー後（ｃ）図のように（ａ）図を作るときにＪＵイ
ｆ．＝マスターマスク５を用いてパターン部２々６をア
ライナ−で安全に重なり合うように位置決めしてＵＶ光
を用いて露光を行なった。所定のデベロッパーを用ｔ・
（ｄ）図を得た。次に日立化成社製ＨＳ−１０１Ｂに５
分間浸漬し、４上を除く全面にＳ ｎ − Ｐ ｄ触媒
塗布を行なった・４上はハノ水性であり解触はきわめて
吸着しにくい。多少触媒が吸着し、次に続くメッキプロ
セスでメッキ被膜が析出しても４を（Ｊ）工程において
ストリップする時に簡単にはげ落ちるので問題ない。次
に（ｇ）図のように７を無電解メッキする。日立化成社
製Ｈｓ−１’０１Ｂを用いＮｉ−Ｐを８００大施しまた
。
３を用いて（ｂ）図のように２μスピンコードした。キ
ーアー後（ｃ）図のように（ａ）図を作るときにＪＵイ
ｆ．＝マスターマスク５を用いてパターン部２々６をア
ライナ−で安全に重なり合うように位置決めしてＵＶ光
を用いて露光を行なった。所定のデベロッパーを用ｔ・
（ｄ）図を得た。次に日立化成社製ＨＳ−１０１Ｂに５
分間浸漬し、４上を除く全面にＳ ｎ − Ｐ ｄ触媒
塗布を行なった・４上はハノ水性であり解触はきわめて
吸着しにくい。多少触媒が吸着し、次に続くメッキプロ
セスでメッキ被膜が析出しても４を（Ｊ）工程において
ストリップする時に簡単にはげ落ちるので問題ない。次
に（ｇ）図のように７を無電解メッキする。日立化成社
製Ｈｓ−１’０１Ｂを用いＮｉ−Ｐを８００大施しまた
。
次にレジストリッパ−で（ハのようにレジスト４をハ゛
り離した。次にＮｉ−Ｐの密着性と硬度ｕｐのため２５
０℃で３０分間焼成しハードマスクを得た。この（ａ）
のパターン２部には１０ｏｄ当たり１μ〜１０μ在のピ
ンホールが平均１０個、１０μ径以上（７）ピンホール
が３個存在していたｏしかし／ｌ′発明の（ｂ）〜（１
）工程を経たものは１μ以上のピンホールは１０Ｃ−当
たり皆無であった。露光用マスクは製造設備の大型化に
ともない大型化（例えば３０Ｃ＋ｎ×５０Ｃｒｎ）かつ
微細化（１０〜３０μピッチ部を全面に有する）してい
ることから本発明のようなマスクリペア−技術の工業的
価値は大きい０実施例２ 実施例１において（α）図のマスクをＮ１−Ｐメッキに
よるＮ１ブランクを用いバターニングを行なった。やは
りパターン２部にはビンボールが多数存在していたｏ１
０ｃＪ当たり１〜１０μは平均１５個・１０μ以」二の
ものは平均５個であった０次に（α）図マスク全体を１
ｖ／２の５ｎＣｆｆｉ２ を含む０１％ＨＯＱに５分間
浸漬し、次いで水洗後１７／ＱのＰｄ０ｊ！、２を含む
１％ＨＣｆ）、に５分間浸漬して触媒を塗布し７、さら
憾１５頂℃で６０分間触媒の焼付けを行なった。（６）
〜（ハは実施例とほぼ同様（触Ｕ］−程を除いて）の工
程でハードマスク（ハを得た。ピンホールは１〜１０μ
、１０μ以上共に皆無であった。
り離した。次にＮｉ−Ｐの密着性と硬度ｕｐのため２５
０℃で３０分間焼成しハードマスクを得た。この（ａ）
のパターン２部には１０ｏｄ当たり１μ〜１０μ在のピ
ンホールが平均１０個、１０μ径以上（７）ピンホール
が３個存在していたｏしかし／ｌ′発明の（ｂ）〜（１
）工程を経たものは１μ以上のピンホールは１０Ｃ−当
たり皆無であった。露光用マスクは製造設備の大型化に
ともない大型化（例えば３０Ｃ＋ｎ×５０Ｃｒｎ）かつ
微細化（１０〜３０μピッチ部を全面に有する）してい
ることから本発明のようなマスクリペア−技術の工業的
価値は大きい０実施例２ 実施例１において（α）図のマスクをＮ１−Ｐメッキに
よるＮ１ブランクを用いバターニングを行なった。やは
りパターン２部にはビンボールが多数存在していたｏ１
０ｃＪ当たり１〜１０μは平均１５個・１０μ以」二の
ものは平均５個であった０次に（α）図マスク全体を１
ｖ／２の５ｎＣｆｆｉ２ を含む０１％ＨＯＱに５分間
浸漬し、次いで水洗後１７／ＱのＰｄ０ｊ！、２を含む
１％ＨＣｆ）、に５分間浸漬して触媒を塗布し７、さら
憾１５頂℃で６０分間触媒の焼付けを行なった。（６）
〜（ハは実施例とほぼ同様（触Ｕ］−程を除いて）の工
程でハードマスク（ハを得た。ピンホールは１〜１０μ
、１０μ以上共に皆無であった。
以上本発明を実施例を用いて説明したが、本発明により
完全で大型かつ細密の露光用ハードマスクが安価に製造
可能となった。５０ｃｍＸ５０ｃｍの面積で２０μピツ
チのハードマスクで比較するならば、従来の部分蒸着法
によるもののｉ、／１０のコスト、又何枚も作り完全な
ものの出現を持つといった方法に比較すると１／１００
のコストで製造か可能となった。
完全で大型かつ細密の露光用ハードマスクが安価に製造
可能となった。５０ｃｍＸ５０ｃｍの面積で２０μピツ
チのハードマスクで比較するならば、従来の部分蒸着法
によるもののｉ、／１０のコスト、又何枚も作り完全な
ものの出現を持つといった方法に比較すると１／１００
のコストで製造か可能となった。
本発明により得られたハードマスクは液晶パネル、ＥＣ
，］ＩｃＬ等の電極製造に、１０等のプロセスに、エン
コーダー等のパターン製造に用いられる０
，］ＩｃＬ等の電極製造に、１０等のプロセスに、エン
コーダー等のパターン製造に用いられる０
′第１図（ａ）〜（１）
本発明のプロセス図
以 上
出願人 株式会社諏訪精工舎
代理人 弁理士 最上 籾。
Claims (1)
- 露光用ハードマスクのピンホール修正方法において、バ
ターニングされた金属薄膜を有する透明基板面に７オト
レジストを塗布後・マスターマスクを用いて再度同一パ
ターンを露光、現像し、得られたフォトレジストパター
ンをメンキレジストとして無ｍ解メンキすることを特徴
とするハードマスクのピンホール修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251195A JPS60142518A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | ハ−ドマスクのピンホ−ル修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251195A JPS60142518A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | ハ−ドマスクのピンホ−ル修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142518A true JPS60142518A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17219093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58251195A Pending JPS60142518A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | ハ−ドマスクのピンホ−ル修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142518A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2863772A1 (fr) * | 2003-12-16 | 2005-06-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de reparation d'erreurs de motifs realises dans des couches minces |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58251195A patent/JPS60142518A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2863772A1 (fr) * | 2003-12-16 | 2005-06-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede de reparation d'erreurs de motifs realises dans des couches minces |
| WO2005059651A3 (fr) * | 2003-12-16 | 2006-04-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de reparation d'erreurs de motifs realises dans des couches minces |
| US7767104B2 (en) | 2003-12-16 | 2010-08-03 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for repairing errors of patterns embodied in thin layers |
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