JPS60142236A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPS60142236A JPS60142236A JP25007483A JP25007483A JPS60142236A JP S60142236 A JPS60142236 A JP S60142236A JP 25007483 A JP25007483 A JP 25007483A JP 25007483 A JP25007483 A JP 25007483A JP S60142236 A JPS60142236 A JP S60142236A
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- Japan
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/89—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
- G01N21/8901—Optical details; Scanning details
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、半導体基板の表面の欠陥の検査装置に係り、
殊にコヒーレン）・光を半；、ｔ７体詰装置面に照射す
ることにより半導体装置の保護膜に欠陥を生し半導体基
板力囁出している部分を検出する欠陥検査装置に関する
。
殊にコヒーレン）・光を半；、ｔ７体詰装置面に照射す
ることにより半導体装置の保護膜に欠陥を生し半導体基
板力囁出している部分を検出する欠陥検査装置に関する
。
（２）技術の背景
半導体装置なとにおいて７表面を保護−３−るための保
護膜として、ＰＳＧなとのガラス１模が広く使われてい
る。これらの膜に空隙などの欠陥があってにｌならない
ため、それらを検査するための適りＪな手段に対する要
請がある。
護膜として、ＰＳＧなとのガラス１模が広く使われてい
る。これらの膜に空隙などの欠陥があってにｌならない
ため、それらを検査するための適りＪな手段に対する要
請がある。
（３）従来技術と問題点
従来、そのようなｌ） Ｓ Ｇなとのカラス１漠の空隙
の検査は１人間か顕微鏡なとを用いて、直接肉１１１２
でガラス股の状態を検査するという方法がマｊわれてい
た。しかし、そのような方法においては、透明なカラス
膜の状態を人間の目に頼って検査している為、検査員の
疲労による欠陥の見落しか起こる恐れかあった。
の検査は１人間か顕微鏡なとを用いて、直接肉１１１２
でガラス股の状態を検査するという方法がマｊわれてい
た。しかし、そのような方法においては、透明なカラス
膜の状態を人間の目に頼って検査している為、検査員の
疲労による欠陥の見落しか起こる恐れかあった。
（４）発明の目的
本発明は前記問題点を除く為、検査の自動１ヒを図るこ
とを目的とし、特に偏光された光を、検査面に対し゛（
その半導体基板飼料のブリュスクー角で入射させると、
ガラス膜面でのみ反射光があり。
とを目的とし、特に偏光された光を、検査面に対し゛（
その半導体基板飼料のブリュスクー角で入射させると、
ガラス膜面でのみ反射光があり。
欠陥により半導体基板の露出している部分では。
反射光の強度が零になることを利用して、自動的にガラ
ス■戻の欠陥番検出する欠陥検査装置を提供″］るごと
を目的とする。
ス■戻の欠陥番検出する欠陥検査装置を提供″］るごと
を目的とする。
（５）発明の構成
そしてに記１］的゛は本発明によればコヒーシン１光発
生装置とその光束をＰ偏光とするための偏光器、及び−
に記■〕偏光光束を被検査面にり・Ｉして、入’ＡＪ角
が被検査試料の基板媒体の光層ＩＪｉ率Ｑこよって決る
ブリュスター角になるように投光する光学装置、及び被
検査試料からの反射光を検知する反則光受光装置を有し
、上記反射光受光装置の出力信℃のイ１無を１′す断す
ることによって、 ｉ’＋ｉｊ記基板媒体の欠陥部分を
検出することを特徴とする欠陥検査装置を堤（Ｊ（−１
−ることによって達成される。
生装置とその光束をＰ偏光とするための偏光器、及び−
に記■〕偏光光束を被検査面にり・Ｉして、入’ＡＪ角
が被検査試料の基板媒体の光層ＩＪｉ率Ｑこよって決る
ブリュスター角になるように投光する光学装置、及び被
検査試料からの反射光を検知する反則光受光装置を有し
、上記反射光受光装置の出力信℃のイ１無を１′す断す
ることによって、 ｉ’＋ｉｊ記基板媒体の欠陥部分を
検出することを特徴とする欠陥検査装置を堤（Ｊ（−１
−ることによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明の実施例につい゛（詳細に説明を行）、（う
。
。
まず１本発明の原理についで、第１図及び第２図によっ
て説明する。第１図ｔＪ２１７導体基板の保護膜、及び
その欠陥部分の断面図である。１か保護膜であり、半導
体基板２の表面部分を覆っているが、３の欠陥部分では
半導体基板２か露出し・ている。第２図は欠陥検出の原
理を示した図である。
て説明する。第１図ｔＪ２１７導体基板の保護膜、及び
その欠陥部分の断面図である。１か保護膜であり、半導
体基板２の表面部分を覆っているが、３の欠陥部分では
半導体基板２か露出し・ている。第２図は欠陥検出の原
理を示した図である。
入射光し、〕１及６ Ｉ−、ａ ７はＩ〕偏光光れた〕
１ヒ−し・ント光であり２人ハ・１角度β（半導体基板
２の表面に垂直なρ■にり１する角度とする。ｌｌ＆；
ｌ：、半Ｊη体基板２とのブリュスター角゛ζある。シ
リ１スク角βは例えば半導体基板２かシリ−１ンである
場合。
１ヒ−し・ント光であり２人ハ・１角度β（半導体基板
２の表面に垂直なρ■にり１する角度とする。ｌｌ＆；
ｌ：、半Ｊη体基板２とのブリュスター角゛ζある。シ
リ１スク角βは例えば半導体基板２かシリ−１ンである
場合。
７４度であるか、透過波長範囲にある波長的１．３３μ
ｍの入射光かこの入射角で半ｉｒ！体基扱の表面に入射
した場合、その入射光は半導体ＪＩ！、板表面て反則−
１！ス、は４ｆｆ、１００％透過する。なお半導体基１
にのソリュスクー角と透過波長範囲についての具体的な
データは１文献［物理光学Ｊ、（Ｊ（立出版）１ （＋
１１７７へ−１７８）、及び文献［光学技術パンｌブッ
ク１．（朝倉訂院＞ 、（ｐ ６７６ 、図９．１５２
＞などに掲載されている。に）、」二の性質を用いて
、カラス膜の空隙欠陥を検出することができる。ずなわ
ら第２図におい−で、波長が半導体基板２の透過波長範
囲にあり、Ｐ偏向された入射光Ｌａ＋がブリュスクー角
βの入射角で半導体基板２の−）ラス膜部分に入射した
場合は、１０％程度は反ゎ１光Ｌａｌ〆となり、９０％
程度は透過光Ｌａｄ”となる。ところか半導体基板２か
露出している欠陥部分３に入射した入射光り、ａ ２
（Ｌ、、＋１と同様に波長は半導体基１夕２の透過波ト
範囲にあり ｐ偏向されており。
ｍの入射光かこの入射角で半ｉｒ！体基扱の表面に入射
した場合、その入射光は半導体ＪＩ！、板表面て反則−
１！ス、は４ｆｆ、１００％透過する。なお半導体基１
にのソリュスクー角と透過波長範囲についての具体的な
データは１文献［物理光学Ｊ、（Ｊ（立出版）１ （＋
１１７７へ−１７８）、及び文献［光学技術パンｌブッ
ク１．（朝倉訂院＞ 、（ｐ ６７６ 、図９．１５２
＞などに掲載されている。に）、」二の性質を用いて
、カラス膜の空隙欠陥を検出することができる。ずなわ
ら第２図におい−で、波長が半導体基板２の透過波長範
囲にあり、Ｐ偏向された入射光Ｌａ＋がブリュスクー角
βの入射角で半導体基板２の−）ラス膜部分に入射した
場合は、１０％程度は反ゎ１光Ｌａｌ〆となり、９０％
程度は透過光Ｌａｄ”となる。ところか半導体基板２か
露出している欠陥部分３に入射した入射光り、ａ ２
（Ｌ、、＋１と同様に波長は半導体基１夕２の透過波ト
範囲にあり ｐ偏向されており。
入射角番、１フリーｌ−スター角βである。）は、ばは
１００％か透過光Ｌａ？″となってしまい９反射光１゜
ａ２′は検出されない。従って反則光の台無によって、
ガラス）１臭の空隙欠１４ωを検出することができる。
１００％か透過光Ｌａ？″となってしまい９反射光１゜
ａ２′は検出されない。従って反則光の台無によって、
ガラス）１臭の空隙欠１４ωを検出することができる。
第３図は本発明による欠陥検出装置の一実施例である。
４ ＆；１． Ｉ Ｃ（、又４；Ｉ： Ｌ Ｓ Ｉ ）
チップなどの試料であり、その表面はｐｓａ１ｍ５など
によって保護されている。試料４は特には図示していな
い試１′、１移動装置によっ゛乙矢印６の方向に移すリ
」さ−ｌるごとができる。７１．に＋ヒーレン１−光発
生装置と１）偏光を行なう偏光器からなる［）偏光光発
生装置であり、ここから照射されたＰ偏光光Ｌａ（ｉｊ
、ｌ長し、１試Ｈ４の透過波長範囲の適当な数値を用い
−どおり。
チップなどの試料であり、その表面はｐｓａ１ｍ５など
によって保護されている。試料４は特には図示していな
い試１′、１移動装置によっ゛乙矢印６の方向に移すリ
」さ−ｌるごとができる。７１．に＋ヒーレン１−光発
生装置と１）偏光を行なう偏光器からなる［）偏光光発
生装置であり、ここから照射されたＰ偏光光Ｌａ（ｉｊ
、ｌ長し、１試Ｈ４の透過波長範囲の適当な数値を用い
−どおり。
シリコンの場合１．３μｍ程度である。）は、ミラー８
及び結像レンズ９を介し５回転８１１０で反射される。
及び結像レンズ９を介し５回転８１１０で反射される。
回転鏡１０によってＰ偏光光１． ａは破線１４と１５
の間を移動し、線分ｐｓ上を走査する。なお、ｆ−θレ
ンズ１ｌｔｊ：Ｐ偏光光１− ａが線う］ρＳ上を走査
しても、その焦点が富に狂わないよ・）に補止するため
のし・ンズである。これによって１）偏光光Ｌ ａは入
射角か試４′１４のブリー１−スタ 角β（例えば試料
４がソリ：１ンの場合＆Ｕ：、 １４度である。）で入
射し、同しく反則角βで反則された反射光１゜ａ′は集
光し・ラス１２を介して、フＡ１マル１３によって検知
され電気信号に変換される。以上の装置によっ−ご回転
鏡１０によって直線ｆＩｓ上を走査しなから、試料４を
矢印６の方向へ移動さＵるごとによって、フォトマルＩ
３によって反射光が検知されなかった位置か欠陥部分と
して検出される。尚、各レンズ及び鎖部分及びフォトマ
ル１３などは特に図示し、ない調整装置によって、ソリ
ニスター角βに合わせ−で適すノに七ノドされる。また
Ｐ偏光光Ｌ；１を走査さｌる手段としζは９回転鏡１ｏ
の代わりに１枚の振’ＰＩＪするミラーを用いても実現
できる。第４図は本発明による欠陥検出装置の他の一実
施例である。
の間を移動し、線分ｐｓ上を走査する。なお、ｆ−θレ
ンズ１ｌｔｊ：Ｐ偏光光１− ａが線う］ρＳ上を走査
しても、その焦点が富に狂わないよ・）に補止するため
のし・ンズである。これによって１）偏光光Ｌ ａは入
射角か試４′１４のブリー１−スタ 角β（例えば試料
４がソリ：１ンの場合＆Ｕ：、 １４度である。）で入
射し、同しく反則角βで反則された反射光１゜ａ′は集
光し・ラス１２を介して、フＡ１マル１３によって検知
され電気信号に変換される。以上の装置によっ−ご回転
鏡１０によって直線ｆＩｓ上を走査しなから、試料４を
矢印６の方向へ移動さＵるごとによって、フォトマルＩ
３によって反射光が検知されなかった位置か欠陥部分と
して検出される。尚、各レンズ及び鎖部分及びフォトマ
ル１３などは特に図示し、ない調整装置によって、ソリ
ニスター角βに合わせ−で適すノに七ノドされる。また
Ｐ偏光光Ｌ；１を走査さｌる手段としζは９回転鏡１ｏ
の代わりに１枚の振’ＰＩＪするミラーを用いても実現
できる。第４図は本発明による欠陥検出装置の他の一実
施例である。
第３図の実施例では■）偏光光を回転鏡によって移動さ
１−、試料上を走査させたか、第４図の実施例におい−
Ｕ １．、Ｊ： ＋１偏光光発生装置から照射されたＰ
偏向光１．ａは、光束拡大レンズＩ６及び１７によって
光束か拡大され、さらにシリン１−リカルレンズ１Ｂに
よって、線分１ｓの幅を持つ板状の光束Ｌ ｆに変換さ
れ、線分ｅｓ上を入射角β（ソリニスター角）−ζ１１
，６射する。そしてその板仄の反射光Ｌｆ’は集光レン
ズ１２を介して、ラインＣＣＩ） 累子（ｃｃＤ素子を
ライン状に配置したものである。）によって検知される
。以上の装置によっ”ζ第３図の実施例と１司様にして
、試料４を矢印６の方向に移動さ−けることによっζ、
ライン□ＣＩ）＋γの１１．１″定メ。
１−、試料上を走査させたか、第４図の実施例におい−
Ｕ １．、Ｊ： ＋１偏光光発生装置から照射されたＰ
偏向光１．ａは、光束拡大レンズＩ６及び１７によって
光束か拡大され、さらにシリン１−リカルレンズ１Ｂに
よって、線分１ｓの幅を持つ板状の光束Ｌ ｆに変換さ
れ、線分ｅｓ上を入射角β（ソリニスター角）−ζ１１
，６射する。そしてその板仄の反射光Ｌｆ’は集光レン
ズ１２を介して、ラインＣＣＩ） 累子（ｃｃＤ素子を
ライン状に配置したものである。）によって検知される
。以上の装置によっ”ζ第３図の実施例と１司様にして
、試料４を矢印６の方向に移動さ−けることによっζ、
ライン□ＣＩ）＋γの１１．１″定メ。
了部分で反射光が検知されなかった部分か、欠陥部分と
して検出される。この場合も第；う図の実施例と同様に
、全ての光学系は試料４にターＩする人ｒ、Ｉ・１角及
び反射角が、試１′１４のシリｌメタ 角になるように
調整される。
して検出される。この場合も第；う図の実施例と同様に
、全ての光学系は試料４にターＩする人ｒ、Ｉ・１角及
び反射角が、試１′１４のシリｌメタ 角になるように
調整される。
第５図は第３図又Ｇ、（第４図の欠陥検出装置の。
信号処理回路部分の全体的な構成図である１、ソＡトマ
ル又はラインＣＣＤ素子２０によっ゛（桟出さ４また信
号υコ増幅器２１によって増幅され、同期信号発生器２
２によって発生された同期信号と、ミキサ２３によって
ミックスされ、ＡＩ）変換器２４１．、二よっ゛ζテシ
タル信何に変換される。これによ−、て反射光の有無か
テジクル信弯に変換され、欠陥検出回路２５で論理判断
が行われ欠陥検出される。またＣＦ？′１゛ティスプレ
ィ２にによって反Ｕ・１光の状態を゛ヒニタできる。
ル又はラインＣＣＤ素子２０によっ゛（桟出さ４また信
号υコ増幅器２１によって増幅され、同期信号発生器２
２によって発生された同期信号と、ミキサ２３によって
ミックスされ、ＡＩ）変換器２４１．、二よっ゛ζテシ
タル信何に変換される。これによ−、て反射光の有無か
テジクル信弯に変換され、欠陥検出回路２５で論理判断
が行われ欠陥検出される。またＣＦ？′１゛ティスプレ
ィ２にによって反Ｕ・１光の状態を゛ヒニタできる。
第６図は第３図の実施例におＬＪる。ソＡＩ・マル１３
による反射光検出の際のＳＮ比をトげるノこめの一一実
ｔｒ’ｔ 例である。集光レンズ１２とフＡＩ・マル１
３の間に、ピンボール２７を配置させることによって。
による反射光検出の際のＳＮ比をトげるノこめの一一実
ｔｒ’ｔ 例である。集光レンズ１２とフＡＩ・マル１
３の間に、ピンボール２７を配置させることによって。
周囲の光の影ψ）３を除去し、フォトマル１３による検
出信冒のＳＮ比を上げることができる。
出信冒のＳＮ比を上げることができる。
第７ ｌｅａ （＋Ｉｌ及び（Ｌ＋１は５反射光検出器
２８及び透過光検出器２９０）２つを用いた場合の、欠
陥検出の論理刊１υｉの一実施例である。第７図Ｃ１ｌ
の１− ＋のように光か照射された場合、 （入射ｐ口
Ｊ試料４のソリニスター角である。）反！１４光検出器
２）（によって反射光１７は検出されないか、透過光検
出器２９によって透過光′「が検出されるため、その照
射部分は欠陥部分と判定さ引する（第７図山））の条ｊ
’ｌ Ｌ ＋ ）第７図ｔａ）の１７・・のように光が
照射された場合は１反射光Ｒ及び透過光ともに検出され
る人口め、その１ｊｊｊ 月、１部分は正’、ｆ：面と
判定される。（第７図Ｃ１ｌの条件１．２）まノ、：第
７図Ｃ１ｌのり、３のように、異物３０かある部分に光
が照射された場合は、その部分で光が１１々乱さ１′１
．″（しま・うため１反射光１２及び透過′「ともに検
出されず、−１ミなとかあると１り定される。 （第７
＋７１ （ｂｌの条什１，３） （７）発明のりＪ果 本発明によれば、 ｇｅｔ：材表面に入射角か試イ′１
のソリニスター角であるＰ偏光光を照射し、その反射光
又は透過光の有無を調−・ることによって、試］゛１保
護股の欠陥を自動的に検出することかできイ〕。
２８及び透過光検出器２９０）２つを用いた場合の、欠
陥検出の論理刊１υｉの一実施例である。第７図Ｃ１ｌ
の１− ＋のように光か照射された場合、 （入射ｐ口
Ｊ試料４のソリニスター角である。）反！１４光検出器
２）（によって反射光１７は検出されないか、透過光検
出器２９によって透過光′「が検出されるため、その照
射部分は欠陥部分と判定さ引する（第７図山））の条ｊ
’ｌ Ｌ ＋ ）第７図ｔａ）の１７・・のように光が
照射された場合は１反射光Ｒ及び透過光ともに検出され
る人口め、その１ｊｊｊ 月、１部分は正’、ｆ：面と
判定される。（第７図Ｃ１ｌの条件１．２）まノ、：第
７図Ｃ１ｌのり、３のように、異物３０かある部分に光
が照射された場合は、その部分で光が１１々乱さ１′１
．″（しま・うため１反射光１２及び透過′「ともに検
出されず、−１ミなとかあると１り定される。 （第７
＋７１ （ｂｌの条什１，３） （７）発明のりＪ果 本発明によれば、 ｇｅｔ：材表面に入射角か試イ′１
のソリニスター角であるＰ偏光光を照射し、その反射光
又は透過光の有無を調−・ることによって、試］゛１保
護股の欠陥を自動的に検出することかできイ〕。
また本発明によっ′乙人手の省力化をはかることができ
、欠陥検出の信頼性を高めることかできる。
、欠陥検出の信頼性を高めることかできる。
第１図は半導体基板の保護］模とその欠陥部分の断面図
、第２図は本発明による欠陥検出の原理を説明する断面
図、第３図は欠陥検出装置の構成［ツ（３第４図は欠陥
検出装置の他の実施例のＩＭ構成図第５図は信号処理回
路のゾｌ’、＋ ７クレ１．第６図はＳＮ比向」一手段
の構成図、第７図（Ｊｌ）は欠陥検出のｉｆ：ｉｆ理を
行なうための欠陥部の１０１面図、第７図（ｂ） ４；
ｌ論理’ＩＩＩ ＋折を説明する図表である。 １、 ５・・・保護膜（ＰＳＧＩＩ史）２，４・・・半
導体基板（試料） ３・・・欠陥部分 ７・・・Ｐ偏光光発生装置 １０ ・ 回転鏡 １１・・・ｆ θレンズ １；）・・・フメトマル １８・・・シリン１リカルレ
ンス １９・・・ラインＣＣＩ）素子 ２１ ・・増幅
器 ２２・・・間期信号発生器 ２３・・ ・ミキサ−２４・・・Ａ Ｉ）変換器 ２５ ・欠陥検出回路 ２６・・ ＣＲｉ”ディスプレーイ ２７ ・・ビンポル ２８・
・・・反射光検出器 ２９ ・透過光検出器 ３０・・・異 物 １．、ａ １． ｌ−ａ ２． Ｌａ、Ｌｆ。 １、１． Ｌ ｐ、、ｌ−１・・・Ｐ偏光光Ｌａ １／
、１．ａ ２’、ｌａ’、Ｉ−ｆ’、 Ｒ・・・反射光
Ｉ、８１″、ｌ７ａ２′！５′Ｉ゛・・・透過光 β・
・シリブースクー角 第１図 第２図 第７図 （Ｑ） Ｂ （ｂ）
、第２図は本発明による欠陥検出の原理を説明する断面
図、第３図は欠陥検出装置の構成［ツ（３第４図は欠陥
検出装置の他の実施例のＩＭ構成図第５図は信号処理回
路のゾｌ’、＋ ７クレ１．第６図はＳＮ比向」一手段
の構成図、第７図（Ｊｌ）は欠陥検出のｉｆ：ｉｆ理を
行なうための欠陥部の１０１面図、第７図（ｂ） ４；
ｌ論理’ＩＩＩ ＋折を説明する図表である。 １、 ５・・・保護膜（ＰＳＧＩＩ史）２，４・・・半
導体基板（試料） ３・・・欠陥部分 ７・・・Ｐ偏光光発生装置 １０ ・ 回転鏡 １１・・・ｆ θレンズ １；）・・・フメトマル １８・・・シリン１リカルレ
ンス １９・・・ラインＣＣＩ）素子 ２１ ・・増幅
器 ２２・・・間期信号発生器 ２３・・ ・ミキサ−２４・・・Ａ Ｉ）変換器 ２５ ・欠陥検出回路 ２６・・ ＣＲｉ”ディスプレーイ ２７ ・・ビンポル ２８・
・・・反射光検出器 ２９ ・透過光検出器 ３０・・・異 物 １．、ａ １． ｌ−ａ ２． Ｌａ、Ｌｆ。 １、１． Ｌ ｐ、、ｌ−１・・・Ｐ偏光光Ｌａ １／
、１．ａ ２’、ｌａ’、Ｉ−ｆ’、 Ｒ・・・反射光
Ｉ、８１″、ｌ７ａ２′！５′Ｉ゛・・・透過光 β・
・シリブースクー角 第１図 第２図 第７図 （Ｑ） Ｂ （ｂ）
Claims (2)
- （１）コヒーシン１光発生装置とその光束をＰ偏光とす
るための偏光器、及び上記ｐｌａｌ先光を被検査面に対
して、入射角が被検査試料の基板媒体の光圧１ノ１率に
よって決るブリュスター角になるように投光する光学装
置、及び被検査試料からの反則光を検知する反射光受光
装置を１丁し、上記反射光受光装置の出力信号の有無を
判断することによって、前記基板媒体の欠陥部分を検出
することを特徴と場る欠陥検査装置。 - （２）」−記欠陥検査装置は１反射光受光装置の他に、
透過光を検知する透過光受光装置を有し、上記反射光受
光装置及び」１記透過光受光装置の２つの出力信冒の有
無に基づいて前記基板媒体の欠陥部分を検出することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25007483A JPS60142236A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25007483A JPS60142236A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142236A true JPS60142236A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17202417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25007483A Pending JPS60142236A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6341038A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ異物検査装置 |
| JPH01263540A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | パターン検出装置 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP25007483A patent/JPS60142236A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6341038A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ異物検査装置 |
| JPH01263540A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | パターン検出装置 |
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