JPH04111336A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPH04111336A JPH04111336A JP22928890A JP22928890A JPH04111336A JP H04111336 A JPH04111336 A JP H04111336A JP 22928890 A JP22928890 A JP 22928890A JP 22928890 A JP22928890 A JP 22928890A JP H04111336 A JPH04111336 A JP H04111336A
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- Japan
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- light
- semiconductor
- semiconductor elements
- reflecting rays
- reflected light
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- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 4
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は欠陥検査装置に関し、周波数安定化レーザー光
による欠陥検査装置に関する。
による欠陥検査装置に関する。
従来のこの種の欠陥検査装置は、第３図に示すように光
源１６からのガラス板２を介し可変倍率レンズ１７を通
して半導体基板９上の半導体素子パターンに照射し、半
導体パターンからの反射光をガラス板２を介して、オー
トフォーカスコントローラ１８およびカメラ１９に入射
する。
源１６からのガラス板２を介し可変倍率レンズ１７を通
して半導体基板９上の半導体素子パターンに照射し、半
導体パターンからの反射光をガラス板２を介して、オー
トフォーカスコントローラ１８およびカメラ１９に入射
する。
オートフォーカスコントローラ１８は半導体素子パター
ン上に焦点が合うようにステージコントローラー７によ
りステージ１ｏをコントロールし、焦点があった時の反
射光をカメラ１９に介して、高速イメージコンピュータ
２１で反射光を微細領域に等分し各領域の光強度を記憶
し、次に異なる半導体素子の同一パターン上にステージ
９を移動して同機の操作により各領域の光強度を測定し
、２つの半導体素子パターンの同一微細領域間の光強度
の差により、欠陥位置および欠陥の大きさを検査してい
た。
ン上に焦点が合うようにステージコントローラー７によ
りステージ１ｏをコントロールし、焦点があった時の反
射光をカメラ１９に介して、高速イメージコンピュータ
２１で反射光を微細領域に等分し各領域の光強度を記憶
し、次に異なる半導体素子の同一パターン上にステージ
９を移動して同機の操作により各領域の光強度を測定し
、２つの半導体素子パターンの同一微細領域間の光強度
の差により、欠陥位置および欠陥の大きさを検査してい
た。
この従来の欠陥検査装置は、半導体基板上の比較する２
つの半導体素子パターンを交互に移動し、光が照射させ
る半導体素子パターンからの反射光強度を比較して、欠
陥検査を行なっている為に２つの半導体素子の測定箇所
の移動時間および微細加工に伴ない１度に検査する領域
が小さくなり測定時間が長くなるという問題があった。
つの半導体素子パターンを交互に移動し、光が照射させ
る半導体素子パターンからの反射光強度を比較して、欠
陥検査を行なっている為に２つの半導体素子の測定箇所
の移動時間および微細加工に伴ない１度に検査する領域
が小さくなり測定時間が長くなるという問題があった。
本発明の欠陥検査装置は、半導体素子製造過程中で半導
体基板上の欠陥を検査する欠陥検査袋！において、レー
ザー発生器から発生した周波数安定化レーザー光をビー
ム・エキスパンダを介してビーム束を広げ、前記半導体
基板上の測定領域と同一となる可変マスクおよびガラス
板を介して前記半導体基板上の２つの半導体素子の同一
領域に照射し、前記２つの半導体素子からの反射光のう
ち１つの反射光を位相板を通し半波をづらして２つの反
射光を合成した合成反射光を光の強度を検出できるフォ
トセンサに照射し、前記合成反射光の明部の箇所で欠陥
箇所および大きさを検査して構成されている。
体基板上の欠陥を検査する欠陥検査袋！において、レー
ザー発生器から発生した周波数安定化レーザー光をビー
ム・エキスパンダを介してビーム束を広げ、前記半導体
基板上の測定領域と同一となる可変マスクおよびガラス
板を介して前記半導体基板上の２つの半導体素子の同一
領域に照射し、前記２つの半導体素子からの反射光のう
ち１つの反射光を位相板を通し半波をづらして２つの反
射光を合成した合成反射光を光の強度を検出できるフォ
トセンサに照射し、前記合成反射光の明部の箇所で欠陥
箇所および大きさを検査して構成されている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の模式図である。
レーザー発生器１より周波数安定化レーザーを発生させ
、ビームエキスパンダ１１を介してビーム束を広げ半導
体基板９上の測定領域と同一となる可変マスク１２およ
びガラス板２を介して半導体基板９上の２つの半導体素
子の同一領域に照射し、２つの半導体素子からの反射光
のうち１つの反射光を位相板５を通し、２つの反射光を
合成し、可変倍率レンズ５を通して合成した反射光を光
の強度に検出できる高画素のフォトセンサ６に照射し、
合成した反射光の明部の箇所で欠陥箇所および大きさを
検査する。
、ビームエキスパンダ１１を介してビーム束を広げ半導
体基板９上の測定領域と同一となる可変マスク１２およ
びガラス板２を介して半導体基板９上の２つの半導体素
子の同一領域に照射し、２つの半導体素子からの反射光
のうち１つの反射光を位相板５を通し、２つの反射光を
合成し、可変倍率レンズ５を通して合成した反射光を光
の強度に検出できる高画素のフォトセンサ６に照射し、
合成した反射光の明部の箇所で欠陥箇所および大きさを
検査する。
２つの半導体素子に照射されるレーザー光Ａおよび反射
光Ｂ１の光路差はｎ＾（ｎ：整数）で、欠陥がなければ
第２図＜ａ）のＣ１のようにすべて暗部となり、１方の
半導体素子上の異物等により反射光Ｂ２か弱くなると第
２図（ｂ）のＣ２のように明部が現われ、又、一方の半
導体素子上にパターンくずれ等により反射光Ｂ３に光路
差が生じた場合は、第２図（ｃ）のＣ３のように明部が
現われる。
光Ｂ１の光路差はｎ＾（ｎ：整数）で、欠陥がなければ
第２図＜ａ）のＣ１のようにすべて暗部となり、１方の
半導体素子上の異物等により反射光Ｂ２か弱くなると第
２図（ｂ）のＣ２のように明部が現われ、又、一方の半
導体素子上にパターンくずれ等により反射光Ｂ３に光路
差が生じた場合は、第２図（ｃ）のＣ３のように明部が
現われる。
このようにして、合成された反射光の光強度を高画素の
フォトセンサ６により検出することで欠陥箇所および大
きさが検出できる。
フォトセンサ６により検出することで欠陥箇所および大
きさが検出できる。
又、欠陥箇所は位置を記憶させており欠陥モートを見分
けるために光学謬微鏡で見れるようなモニタ１４を設け
ている。
けるために光学謬微鏡で見れるようなモニタ１４を設け
ている。
以上説明したように本発明は、周波数安定化レーザー光
を半導体基板上の２つの半導体素子に照射し、２つの反
射光のうち１つを位相板にて位相を（λ／２）だけずら
して２つの反射波を合成し、合成した反射光の明部の箇
所で欠陥箇所および大きさを検査する方式を取っている
為、１度に２つの半導体素子を比較する事ができ、又１
度に半導体素子１個分の反射光を高画素のフォトセンサ
を用いて光強度を測定するので検査時間を短縮できると
いう効果がある。
を半導体基板上の２つの半導体素子に照射し、２つの反
射光のうち１つを位相板にて位相を（λ／２）だけずら
して２つの反射波を合成し、合成した反射光の明部の箇
所で欠陥箇所および大きさを検査する方式を取っている
為、１度に２つの半導体素子を比較する事ができ、又１
度に半導体素子１個分の反射光を高画素のフォトセンサ
を用いて光強度を測定するので検査時間を短縮できると
いう効果がある。
第１図は本発明の一実施例の模式図、第２図（ａ）〜（
ｃ）は本発明の詳細な説明するために示すそれぞれ、２
つの半導体素子上に欠陥がない時の反射光および合成さ
れた反射光の波形図、１方の半導体素子に異物がある場
合の反射光および合成された反射光の波形図及び１方の
半導体素子にパターンくずれがある場合の反射光と合成
された反射光の波形図、第３図は従来の欠陥検査装置の
一例の模式図である。 １・・・レーザ発生器、２・・・ガラス板、３・・・ハ
ーフミラ−１４・・・反射板、５・・・位相板、６・・
・フォトセンサ、７・・・ステージコントローラ、８・
・・計算機、９・・・半導体基板、１０・・・ステージ
、１１・・・ビームエキスパンダ、１２・・・可変マス
ク、１３・・・対物しンズ、１４・・・モニタ、１５・
・・可変倍率レンズ、１６・・・光源、１７・・・可変
高倍率レンズ、１８−１．オートフォーカスコントロー
ラ、１９・・・カメラ、２０・・・高速イメージコンピ
ュータ、２１・・・システムコントローラ、２２・・・
フォトセンサーステージ、２３・・・フォトセンサース
テージコントローラ。
ｃ）は本発明の詳細な説明するために示すそれぞれ、２
つの半導体素子上に欠陥がない時の反射光および合成さ
れた反射光の波形図、１方の半導体素子に異物がある場
合の反射光および合成された反射光の波形図及び１方の
半導体素子にパターンくずれがある場合の反射光と合成
された反射光の波形図、第３図は従来の欠陥検査装置の
一例の模式図である。 １・・・レーザ発生器、２・・・ガラス板、３・・・ハ
ーフミラ−１４・・・反射板、５・・・位相板、６・・
・フォトセンサ、７・・・ステージコントローラ、８・
・・計算機、９・・・半導体基板、１０・・・ステージ
、１１・・・ビームエキスパンダ、１２・・・可変マス
ク、１３・・・対物しンズ、１４・・・モニタ、１５・
・・可変倍率レンズ、１６・・・光源、１７・・・可変
高倍率レンズ、１８−１．オートフォーカスコントロー
ラ、１９・・・カメラ、２０・・・高速イメージコンピ
ュータ、２１・・・システムコントローラ、２２・・・
フォトセンサーステージ、２３・・・フォトセンサース
テージコントローラ。
Claims (1)
- 半導体素子製造過程中で半導体基板上の欠陥を検査する
欠陥検査装置において、レーザー発生器から発生した周
波数安定化レーザー光をビーム・エキスパンダを介して
ビーム束を広げ、前記半導体基板上の測定領域と同一と
なる可変マスクおよびガラス板を介して前記半導体基板
上の２つの半導体素子の同一領域に照射し、前記２つの
半導体素子からの反射光のうち１つの反射光を位相板を
通し半波をづらして２つの反射光を合成した合成反射光
を光の強度を検出できるフォトセンサに照射し、前記合
成反射光の明部の箇所で欠陥箇所および大きさを検査す
る事を特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22928890A JPH04111336A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22928890A JPH04111336A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111336A true JPH04111336A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16889775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22928890A Pending JPH04111336A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04111336A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5430548A (en) * | 1992-02-06 | 1995-07-04 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for pattern detection |
| US6762831B2 (en) * | 2001-10-29 | 2004-07-13 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting defects |
| JP2011085569A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-04-28 | Toshiba Corp | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
| JP2011117934A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 表面検査装置、その表面検査方法及びそれを備えるスリットコータ |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP22928890A patent/JPH04111336A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5430548A (en) * | 1992-02-06 | 1995-07-04 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for pattern detection |
| US6762831B2 (en) * | 2001-10-29 | 2004-07-13 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting defects |
| US7161671B2 (en) | 2001-10-29 | 2007-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting defects |
| US7299147B2 (en) | 2001-10-29 | 2007-11-20 | Hitachi, Ltd. | Systems for managing production information |
| JP2011085569A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-04-28 | Toshiba Corp | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
| US8502988B2 (en) | 2009-09-15 | 2013-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern inspection apparatus and pattern inspection method |
| JP2011117934A (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-16 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 表面検査装置、その表面検査方法及びそれを備えるスリットコータ |
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