JPS60140819A - 半導体ウエハの電解メツキ方法 - Google Patents
半導体ウエハの電解メツキ方法Info
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- JPS60140819A JPS60140819A JP24928983A JP24928983A JPS60140819A JP S60140819 A JPS60140819 A JP S60140819A JP 24928983 A JP24928983 A JP 24928983A JP 24928983 A JP24928983 A JP 24928983A JP S60140819 A JPS60140819 A JP S60140819A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体ウェハの電解メッキ方法に関するもの
である。
である。
ｎ型半導体ウェハ上のｐ型領域にｐｎ接合を通して電流
を流すことにより電解メッキを行なう場合、ｎ型半導体
ウェハの裏面を直接メッキ液に接触させないようにする
必要がある。これは、ｐｎ接合に拡散電位が存在するた
め、裏面のｎ型部分に比較してｐ型部分に電流が流れに
（くなるためである。ｐ型半導体ウェハ」−のｎ型領域
に電解メッキを行なう場合も同様に、ｐ型半導体ウェハ
の裏面を直接メッキ液を接触させないようにする必要が
ある。そこで従来、第１図に示すように半導体ウェハ１
の裏面を絶縁性の被膜２で覆っていたが、裏面をくまな
く覆うには多量の被膜形成材が必要でコストが高くなる
だけでなく、被膜にピンホールが形成されて被膜の効果
が失われ易く、不要部分に析出したメッキ層を除去する
ために一定時間ごとに電流の向きを反転してエツチング
を行なわなければならないという繁雑さがあった。
を流すことにより電解メッキを行なう場合、ｎ型半導体
ウェハの裏面を直接メッキ液に接触させないようにする
必要がある。これは、ｐｎ接合に拡散電位が存在するた
め、裏面のｎ型部分に比較してｐ型部分に電流が流れに
（くなるためである。ｐ型半導体ウェハ」−のｎ型領域
に電解メッキを行なう場合も同様に、ｐ型半導体ウェハ
の裏面を直接メッキ液を接触させないようにする必要が
ある。そこで従来、第１図に示すように半導体ウェハ１
の裏面を絶縁性の被膜２で覆っていたが、裏面をくまな
く覆うには多量の被膜形成材が必要でコストが高くなる
だけでなく、被膜にピンホールが形成されて被膜の効果
が失われ易く、不要部分に析出したメッキ層を除去する
ために一定時間ごとに電流の向きを反転してエツチング
を行なわなければならないという繁雑さがあった。
（２）
本発明は上記従来の問題に鑑みてなされたものであり、
その目的は、低コストで歩留りのよい半導体ウェハの電
解メッキ方法を提供することにある。
その目的は、低コストで歩留りのよい半導体ウェハの電
解メッキ方法を提供することにある。
」１記目的を達成する本発明は、メッキしようとする面
を下向きして半導体ウェハを噴流筒の」１方開端部上に
載置し、この半導体ウェハの下面にだけメッキ液の吹上
噴流を接触せしめるるように構成されている。
を下向きして半導体ウェハを噴流筒の」１方開端部上に
載置し、この半導体ウェハの下面にだけメッキ液の吹上
噴流を接触せしめるるように構成されている。
以下１本発明の更に詳細を実施例によって説明する。
第２図は９本発明の一実施例に使用する電解メッキ装置
と半導体ウェハ１の断面図である。この電解メッキ装置
は、メッキ液を容れた容器４中に噴流筒５を直立させ、
この噴流筒５の下部に設けたファン等の送液装置６を駆
動せしめて吹上噴流を生じさせるように構成されている
。噴流筒５の上方開端部上に、メッキしようとする面を
下向きにして半導体ウェハ１を載置する。噴流筒５の径
はメッキしようとする半導体ウェハの径よりも小（３） さな値に設定されている。半導体ウェハ１の下面にｉｈ
突した吹上噴流は噴流筒５の円周方向に対称に偶数個配
置されている排出パイプ７中を通って噴流筒５外部に排
１］」され、送液装置６によって再び噴流筒５内に還流
する。排出パイプ７は、その上方開端部が噴流筒５の上
方開端部よりも僅かに低くなるように噴流筒５の壁面を
貫通してこの壁面に固着される。
と半導体ウェハ１の断面図である。この電解メッキ装置
は、メッキ液を容れた容器４中に噴流筒５を直立させ、
この噴流筒５の下部に設けたファン等の送液装置６を駆
動せしめて吹上噴流を生じさせるように構成されている
。噴流筒５の上方開端部上に、メッキしようとする面を
下向きにして半導体ウェハ１を載置する。噴流筒５の径
はメッキしようとする半導体ウェハの径よりも小（３） さな値に設定されている。半導体ウェハ１の下面にｉｈ
突した吹上噴流は噴流筒５の円周方向に対称に偶数個配
置されている排出パイプ７中を通って噴流筒５外部に排
１］」され、送液装置６によって再び噴流筒５内に還流
する。排出パイプ７は、その上方開端部が噴流筒５の上
方開端部よりも僅かに低くなるように噴流筒５の壁面を
貫通してこの壁面に固着される。
半導体ウェハ１を噴流筒５の上方開端部」二に載置する
前に９送液装置６の出力を高めることにより排出パイプ
７の排出能力を上進る吹」二噴流を生じさせる。この結
果、吹上噴流は噴流筒５の上方開端部から溢れ出る状態
となる。このような状態で、半導体ウェハ１を噴流筒５
の上方開端部」二に載置すれば、メッキ面とメッキ波間
の接触がその間に残留している空気によって妨げられる
ことがなくなり、メッキむらを有効に防止することがで
きる。
前に９送液装置６の出力を高めることにより排出パイプ
７の排出能力を上進る吹」二噴流を生じさせる。この結
果、吹上噴流は噴流筒５の上方開端部から溢れ出る状態
となる。このような状態で、半導体ウェハ１を噴流筒５
の上方開端部」二に載置すれば、メッキ面とメッキ波間
の接触がその間に残留している空気によって妨げられる
ことがなくなり、メッキむらを有効に防止することがで
きる。
半導体ウェハ１の載置後は、噴流筒５の上方開端部と半
導体ウェハ１との隙間からメッキ液が漏（４） れ出さないように、送液装置６の出力が手動によりある
いは自動的に低減され、吹上噴流量と排出パイプ７によ
る排出量の均衡が図られる。吹上噴流量が排出パイプ７
による排出量より不足しても吹上噴流と半導体ウェハと
の間に空隙が形成されるので、吹上噴流量をやや大きめ
の値とし、噴流筒５の上方開端部からメッキ液が僅かに
流れ出る状態を保ってもよい。
導体ウェハ１との隙間からメッキ液が漏（４） れ出さないように、送液装置６の出力が手動によりある
いは自動的に低減され、吹上噴流量と排出パイプ７によ
る排出量の均衡が図られる。吹上噴流量が排出パイプ７
による排出量より不足しても吹上噴流と半導体ウェハと
の間に空隙が形成されるので、吹上噴流量をやや大きめ
の値とし、噴流筒５の上方開端部からメッキ液が僅かに
流れ出る状態を保ってもよい。
本発明は上記のような構成であるから、従来例のように
半導体ウェハの裏面を被膜で覆ったり。
半導体ウェハの裏面を被膜で覆ったり。
不要メッキ層をエツチングによって除去したりする必要
がなくなり、低コストで歩留りのよく半導体ウェハを電
解メッキすることができる。
がなくなり、低コストで歩留りのよく半導体ウェハを電
解メッキすることができる。
第１図は従来方法を説明するための断面図、第２図は本
発明の一実施例を説明するための断面図属板、４・・電
解液の容器、５・・噴流筒、６・・送液装置、７・・排
出パイプ。 （５） 第１図 Ｍ２図
発明の一実施例を説明するための断面図属板、４・・電
解液の容器、５・・噴流筒、６・・送液装置、７・・排
出パイプ。 （５） 第１図 Ｍ２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 メッキ層を形成するためにメッキ液と接触させるべき第
１の面及び該メッキ層形成中に電圧を供給しかつ電解液
から遮蔽すべき第２の面を有する半導体ウェハの電解メ
ッキ方法において。 該半導体ウェハの径よりも小さな径を有しかつ側面から
の排液能力を有する噴流筒の内部に該側面からの排液能
力を越える流量のメッキ液の吹上噴流を生じさせ。 該状態において噴流筒の上方開端部上に前記第１の面を
下向きにして半導体ウェハを載置し。 この載置後に前記吹上噴流の流量を噴流筒の側壁からの
排液能力に均衡する値にまで低減させ。 該状態を保持しつつ前記半導体ウェハの第２の面及び噴
流筒内に設けられた対向電極間に電圧を印加することを
特徴とする半導体ウェハの電解メッキ方法。 （１）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24928983A JPS60140819A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体ウエハの電解メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24928983A JPS60140819A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体ウエハの電解メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140819A true JPS60140819A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17190749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24928983A Pending JPS60140819A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 半導体ウエハの電解メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110318086A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-10-11 | 姜力 | 电镀槽结构 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24928983A patent/JPS60140819A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110318086A (zh) * | 2018-03-28 | 2019-10-11 | 姜力 | 电镀槽结构 |
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