JPS6014054B2 - 螢光体 - Google Patents
螢光体Info
- Publication number
- JPS6014054B2 JPS6014054B2 JP21467082A JP21467082A JPS6014054B2 JP S6014054 B2 JPS6014054 B2 JP S6014054B2 JP 21467082 A JP21467082 A JP 21467082A JP 21467082 A JP21467082 A JP 21467082A JP S6014054 B2 JPS6014054 B2 JP S6014054B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crab
- layer
- phosphor
- water
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蟹光体に係り、特に表面保護層を形成したアル
カリ士類カルコゲナィド蟹光体に関する。
カリ士類カルコゲナィド蟹光体に関する。
ＯＡ族とのＡ族との化合物であるアルカリ士類カルコゲ
ナィド（アルカリ士類金属カルコゲナィドとも云う）、
とくに硫化カルシウム（以下、化学記号を用いてＣａＳ
と表示する。他のカルコゲナィドについても同機に表示
する）は高い発光効率を示す周知の蟹光体材料である。
しかし、これら材料は、耐水耐酸性が低く、現在使われ
ている塗布工程に馴染まないため、ほとんど実用化され
ないままになっている。この問題点を解決するために、
これまでにいくつかの改良法が提案されてきた。その主
なものに、表面保護法と表面改質法とがある。表面保護
法には、有機物のマイクロカプセルを用いる方法（侍開
昭５０−２６７８２号、東芝）やアルカリ士類硫化物を
硫化亜鉛で被覆する方法（特関昭５５一１２９４８１号
、東芝）などが知られている。また表面教質法には、ア
ルカリ士類金属の弗化物を形成する方法（Ｕ．Ｓ．Ｐ．
３６１７３３２、ウヱスチングハウス社、持関昭５５−
１２３６７５号、東芝）や硫酸塩、炭酸塩を形成する方
法などが知られている。この表面改質法はいずれもカル
コゲナィド表面で化学反応を生ぜしめて、カルコゲナィ
ドをより安定なアルカリ士類化合物に変化させたもので
ある。しかし、上記した改良法はいずれもまだ実用には
結びついていない。その理由について本発明者らが検討
した所、（ｉ）上記表面保護法で形成される保護膜によ
って蟹光体粒子を薄く均一に完全被覆することは技術的
に困難であること、（ｉｉ）上記表面改質法によって改
良した蟹光体表面層はなお化学的に不安定であること、
がわかった。微視的検査法を用いて更に詳しく検討する
と、アルカリ士類カルコゲナィド表面を均一繊密な薄膜
で完全被覆するには、腸イオン又は陰イオンを共通にす
る分子結合を表面全体にわたって形成することが大変有
効であることが確認された。前記表面保護法による膿形
成の過程では、アルカリ士類カルコゲナィドの表面の一
部がアルカリ金属の水酸化物、硫酸塩、炭酸塩などに変
質しており、陽イオン又は陰イオンを共通にする分子結
合が保護膜とカルコゲナィドの間で全面にわたって形成
されることはない。このために保護膜の均一性、強度が
不充分となり、実用化に至らないものと推定される。本
発明の目的は、このような従来技術の欠点を取除き、均
質で安定な薄膜保護層によって被覆されたアルカリ士類
カルコゲナィドを提供することにある。
ナィド（アルカリ士類金属カルコゲナィドとも云う）、
とくに硫化カルシウム（以下、化学記号を用いてＣａＳ
と表示する。他のカルコゲナィドについても同機に表示
する）は高い発光効率を示す周知の蟹光体材料である。
しかし、これら材料は、耐水耐酸性が低く、現在使われ
ている塗布工程に馴染まないため、ほとんど実用化され
ないままになっている。この問題点を解決するために、
これまでにいくつかの改良法が提案されてきた。その主
なものに、表面保護法と表面改質法とがある。表面保護
法には、有機物のマイクロカプセルを用いる方法（侍開
昭５０−２６７８２号、東芝）やアルカリ士類硫化物を
硫化亜鉛で被覆する方法（特関昭５５一１２９４８１号
、東芝）などが知られている。また表面教質法には、ア
ルカリ士類金属の弗化物を形成する方法（Ｕ．Ｓ．Ｐ．
３６１７３３２、ウヱスチングハウス社、持関昭５５−
１２３６７５号、東芝）や硫酸塩、炭酸塩を形成する方
法などが知られている。この表面改質法はいずれもカル
コゲナィド表面で化学反応を生ぜしめて、カルコゲナィ
ドをより安定なアルカリ士類化合物に変化させたもので
ある。しかし、上記した改良法はいずれもまだ実用には
結びついていない。その理由について本発明者らが検討
した所、（ｉ）上記表面保護法で形成される保護膜によ
って蟹光体粒子を薄く均一に完全被覆することは技術的
に困難であること、（ｉｉ）上記表面改質法によって改
良した蟹光体表面層はなお化学的に不安定であること、
がわかった。微視的検査法を用いて更に詳しく検討する
と、アルカリ士類カルコゲナィド表面を均一繊密な薄膜
で完全被覆するには、腸イオン又は陰イオンを共通にす
る分子結合を表面全体にわたって形成することが大変有
効であることが確認された。前記表面保護法による膿形
成の過程では、アルカリ士類カルコゲナィドの表面の一
部がアルカリ金属の水酸化物、硫酸塩、炭酸塩などに変
質しており、陽イオン又は陰イオンを共通にする分子結
合が保護膜とカルコゲナィドの間で全面にわたって形成
されることはない。このために保護膜の均一性、強度が
不充分となり、実用化に至らないものと推定される。本
発明の目的は、このような従来技術の欠点を取除き、均
質で安定な薄膜保護層によって被覆されたアルカリ士類
カルコゲナィドを提供することにある。
前記目的を達成するために本発明では、第１図に示す如
くアルカリ士類カルコゲナィド蟹光体】の表面に接して
該アルカリ士類金属の酸化物薄膜層（ｎａｔｉｖｅｏｘ
ｉｄｅｌａｙｅｒ）２を形成し、該薄膜層２上に安定な
耐水性酸化物層３を形成した。
くアルカリ士類カルコゲナィド蟹光体】の表面に接して
該アルカリ士類金属の酸化物薄膜層（ｎａｔｉｖｅｏｘ
ｉｄｅｌａｙｅｒ）２を形成し、該薄膜層２上に安定な
耐水性酸化物層３を形成した。
即ち、図の如く中心層から２層３層という順に形成して
もよく、一回の処理工程で形成されたものから化学的又
は物理的処理により結果として３層構成となる場合も含
む。薄膜層２は耐水性が非常に低いが、アルカリ士類カ
ルコゲナィド１とは賜イオンを等しくするため化学的結
合力は強固であり、また上記耐水性酸化物層３とは陰イ
オン（酸素イオン）を等しくするため化学的結合力は強
い。すなわち、薄膜層２はアルカリ士類カルコゲナィド
１と耐水性酸化物層３とのバインダーとして作用する。
その結果充分な耐水性を示すアルカリ士類カルコゲナィ
ド蟹光体が得られるのである。以下実施例によって本発
明を詳細に述べる。
もよく、一回の処理工程で形成されたものから化学的又
は物理的処理により結果として３層構成となる場合も含
む。薄膜層２は耐水性が非常に低いが、アルカリ士類カ
ルコゲナィド１とは賜イオンを等しくするため化学的結
合力は強固であり、また上記耐水性酸化物層３とは陰イ
オン（酸素イオン）を等しくするため化学的結合力は強
い。すなわち、薄膜層２はアルカリ士類カルコゲナィド
１と耐水性酸化物層３とのバインダーとして作用する。
その結果充分な耐水性を示すアルカリ士類カルコゲナィ
ド蟹光体が得られるのである。以下実施例によって本発
明を詳細に述べる。
周知のようにセリウム（Ｃｅ）を付活したＣａＳは陰極
線刺戟によって高い発光効率を示す緑色蟹光体である。
炭酸塩と酸化物とを出発原料に用い、これを硫化するこ
とによってＣｅを０．１ｍｏｌ％、ナトリウム（Ｎａ）
を２ｈｏｌ％含むＣａＳを合成した。得られた蟹光体は
直径５及至８ミクロン（山肌）の淡緑色粒子であり、陰
極線または紫外線刺戟によって５０触れに主ピーク、５
５則凧に副次ピークをもつ発光スペクトルの緑色発光が
みられた。この後光体粒子１を乾燥した酸素雰囲気中で
約７５０℃に加熱すると、表面に酸化カルシウム（Ｃａ
○）層２が形成される。Ｃａ○層２の厚みは加熱温度と
加熱時間に依存するが該加熱温度に約５分間保持した場
合０．１〜０．３ミクロンになる。これを直ちに非水性
溶媒で稀釈したシリコンオイル中に分散し、暫時して取
出し乾燥、加熱した。この結果Ｃａ○表面に厚さ０．０
５〜０．１ミクｏンの酸化シリコン（Ｓｉ０２）層３が
形成された。ＣａＳに対する二層の被覆膜Ｃａ０、Ｓｉ
Ｑは膜厚が充分薄いため、陰極線あるいは紫外線刺戟に
対する妨げとはならない。１０ＫＶ、一次電流１０‐９
一１０‐６Ａの陰極線で刺戟した時被覆膜を用いない場
合と比べて発光効率の変化は土５％以内であった。
線刺戟によって高い発光効率を示す緑色蟹光体である。
炭酸塩と酸化物とを出発原料に用い、これを硫化するこ
とによってＣｅを０．１ｍｏｌ％、ナトリウム（Ｎａ）
を２ｈｏｌ％含むＣａＳを合成した。得られた蟹光体は
直径５及至８ミクロン（山肌）の淡緑色粒子であり、陰
極線または紫外線刺戟によって５０触れに主ピーク、５
５則凧に副次ピークをもつ発光スペクトルの緑色発光が
みられた。この後光体粒子１を乾燥した酸素雰囲気中で
約７５０℃に加熱すると、表面に酸化カルシウム（Ｃａ
○）層２が形成される。Ｃａ○層２の厚みは加熱温度と
加熱時間に依存するが該加熱温度に約５分間保持した場
合０．１〜０．３ミクロンになる。これを直ちに非水性
溶媒で稀釈したシリコンオイル中に分散し、暫時して取
出し乾燥、加熱した。この結果Ｃａ○表面に厚さ０．０
５〜０．１ミクｏンの酸化シリコン（Ｓｉ０２）層３が
形成された。ＣａＳに対する二層の被覆膜Ｃａ０、Ｓｉ
Ｑは膜厚が充分薄いため、陰極線あるいは紫外線刺戟に
対する妨げとはならない。１０ＫＶ、一次電流１０‐９
一１０‐６Ａの陰極線で刺戟した時被覆膜を用いない場
合と比べて発光効率の変化は土５％以内であった。
本発明に成るこの三層構造蟹光体（Ｓｉ０２／Ｃａ０／
ＣａＳ：Ｃｅ、Ｎａ）は高電流領域で相対的に高い発光
効率を示す額向にある。２５４ｎｍの水銀線で刺戟した
場合も被覆膜を用いていない場合に比べてとくに輝度低
下は認められなかった。
ＣａＳ：Ｃｅ、Ｎａ）は高電流領域で相対的に高い発光
効率を示す額向にある。２５４ｎｍの水銀線で刺戟した
場合も被覆膜を用いていない場合に比べてとくに輝度低
下は認められなかった。
一方、耐水性には著しい改善がみられた。被覆膜を用い
ない蟹光体（試料Ａ）と本発明に成る三層構造蟹光体（
試料Ｂ）、およびＣａＳ上に上記プロセスを用いて直接
Ｓｉ０２膜を形成した蟹光体（試料Ｃ）のそれぞれ１０
夕を採取し、ｐＨ６．０に調整した弱酸性水溶液１０そ
中に分散させ、約１０分間おいた場合と３０分間おいた
場合のそれぞれにつき陰極線刺戟輝度を測定した。弱酸
性水溶液に浸潰する前の輝度に対する相対値（１０ＫＶ
、１次電流１０‐８Ａの場合）で比較したのが第１表で
ある。
ない蟹光体（試料Ａ）と本発明に成る三層構造蟹光体（
試料Ｂ）、およびＣａＳ上に上記プロセスを用いて直接
Ｓｉ０２膜を形成した蟹光体（試料Ｃ）のそれぞれ１０
夕を採取し、ｐＨ６．０に調整した弱酸性水溶液１０そ
中に分散させ、約１０分間おいた場合と３０分間おいた
場合のそれぞれにつき陰極線刺戟輝度を測定した。弱酸
性水溶液に浸潰する前の輝度に対する相対値（１０ＫＶ
、１次電流１０‐８Ａの場合）で比較したのが第１表で
ある。
輝度は初期値に対する％で表示した。被覆なしの場合は
勿論のこと、耐水性酸化物Ｓｉ０２膜３のみを被覆した
場合（試料Ｃ）に比べても本発明に成る三層構造蟹光体
（試料Ｂ）は、すぐれた耐水性を示していることがわか
る。これはＣａＳ蟹光体１とＳｉ０２膜３との間に形成
されたバインダー層（Ｃａ○膜２）が有効に作用し、こ
の結果耐水性Ｓｉ０２膜３が均質強固にＣａＳ蟹光体を
完全被覆したためと思料される。第１表 耐水テスト結
果 以上の実施例では耐水性酸化物層３としてＳｉ０２を用
いたが、蟹光体粒子１からの鰭射光に対して透明な性質
を有しており、かつ充分な耐水性を有する酸化物であれ
ば、基本的に制約なく本発明の三層構造蟹光体に適用す
ることができる。
勿論のこと、耐水性酸化物Ｓｉ０２膜３のみを被覆した
場合（試料Ｃ）に比べても本発明に成る三層構造蟹光体
（試料Ｂ）は、すぐれた耐水性を示していることがわか
る。これはＣａＳ蟹光体１とＳｉ０２膜３との間に形成
されたバインダー層（Ｃａ○膜２）が有効に作用し、こ
の結果耐水性Ｓｉ０２膜３が均質強固にＣａＳ蟹光体を
完全被覆したためと思料される。第１表 耐水テスト結
果 以上の実施例では耐水性酸化物層３としてＳｉ０２を用
いたが、蟹光体粒子１からの鰭射光に対して透明な性質
を有しており、かつ充分な耐水性を有する酸化物であれ
ば、基本的に制約なく本発明の三層構造蟹光体に適用す
ることができる。
たとえばＳｎ０２を耐水性酸化物として用いた場合を示
す。炭酸塩、酸化物を出発材料とし、周知の方法でＥｕ
を０．０５ｈｏｌ％付活したＣａＳ、ＳｒＳ、Ｍ爺、Ｂ
ａＳをそれぞれ別々に製造した。
す。炭酸塩、酸化物を出発材料とし、周知の方法でＥｕ
を０．０５ｈｏｌ％付活したＣａＳ、ＳｒＳ、Ｍ爺、Ｂ
ａＳをそれぞれ別々に製造した。
陰極線刺戟発光を観察すると、ピーク波長はＣａＳ６５
かの、ＳｒＳ６１か机、ＭｇＳ５９１ｎｍ、母Ｓ５７か
机と変化した。これら各蟹光体の一部を前記の如く乾燥
酸素雰囲気中で短時間熱処理することにより表面に薄膜
層２を形成した。処理温度はそれぞれＣａＳ７５０℃、
ＳｒＳ７５０℃、ＭｇＳ５００３０、ＢａＳ４５０ｑｏ
とした。次に、これら試料表面にＳｎを無電解〆ッキし
た。メッキ液は４５ｑ０に微加熱し、ｐＨｉｌ．２に調
整してある。処理時間の最適化によって各試料表面には
白灰色厚さ０．２−０．３ミクロンのＳｎがほぼ均一に
被着した。水洗浄して乾燥後、これら試料を再び乾燥酸
素雰囲気中で熱処理した。熱処理温度は８５０午０、短
時間とした。このプロセスでＳｎ薄膜は透明なＳｎ０２
膜３に変化した。上記４個の蟹光体のそれぞれの膜の彼
着力はすぐれており、６００℃に急熱後直ちに急冷して
もは〈離は全くみられなかった。前記例同様ｐＨを６．
０に調整した弱酸性水溶液中で耐水テストを行なったが
、８時間を経てもＰＨの上昇はほとんど観察されず、ア
ルカリ士類硫化物蟹光体１は安定に被覆されていること
が確かめられた。また、これら三層構造蟹光体の酸化物
被覆による輝度低下は１０ＫＶ陰極線刺戟の場合１０％
以内で、耐水テスト後も全く変らないことがわかった。
Ｓｎ０２は導電性が高く、したがってこれを被覆した三
層構造蟹光体は低速電子線用姿光体としても用いうる。
別に、周知の方法で別々に合成したＣａＳとＣａｓｅに
それぞれＥｕＳおよびＣｅ２Ｓ３を加えて両者を混合し
、真空中で加熱してＥｕｏ．０９ｈｏｌ％、Ｃｅｏ．０
０５ｍｏｌ％付活ＣａＳｏ．６ＳｅＭ髭晶受光体を焼成
した。
かの、ＳｒＳ６１か机、ＭｇＳ５９１ｎｍ、母Ｓ５７か
机と変化した。これら各蟹光体の一部を前記の如く乾燥
酸素雰囲気中で短時間熱処理することにより表面に薄膜
層２を形成した。処理温度はそれぞれＣａＳ７５０℃、
ＳｒＳ７５０℃、ＭｇＳ５００３０、ＢａＳ４５０ｑｏ
とした。次に、これら試料表面にＳｎを無電解〆ッキし
た。メッキ液は４５ｑ０に微加熱し、ｐＨｉｌ．２に調
整してある。処理時間の最適化によって各試料表面には
白灰色厚さ０．２−０．３ミクロンのＳｎがほぼ均一に
被着した。水洗浄して乾燥後、これら試料を再び乾燥酸
素雰囲気中で熱処理した。熱処理温度は８５０午０、短
時間とした。このプロセスでＳｎ薄膜は透明なＳｎ０２
膜３に変化した。上記４個の蟹光体のそれぞれの膜の彼
着力はすぐれており、６００℃に急熱後直ちに急冷して
もは〈離は全くみられなかった。前記例同様ｐＨを６．
０に調整した弱酸性水溶液中で耐水テストを行なったが
、８時間を経てもＰＨの上昇はほとんど観察されず、ア
ルカリ士類硫化物蟹光体１は安定に被覆されていること
が確かめられた。また、これら三層構造蟹光体の酸化物
被覆による輝度低下は１０ＫＶ陰極線刺戟の場合１０％
以内で、耐水テスト後も全く変らないことがわかった。
Ｓｎ０２は導電性が高く、したがってこれを被覆した三
層構造蟹光体は低速電子線用姿光体としても用いうる。
別に、周知の方法で別々に合成したＣａＳとＣａｓｅに
それぞれＥｕＳおよびＣｅ２Ｓ３を加えて両者を混合し
、真空中で加熱してＥｕｏ．０９ｈｏｌ％、Ｃｅｏ．０
０５ｍｏｌ％付活ＣａＳｏ．６ＳｅＭ髭晶受光体を焼成
した。
この蟹光体は陰極線刺戟発光で成れｍにピークを示し、
赤色後光体として高い輝度を示す。この鞍光体を５０ｑ
ｏの温水中の短時間分散し、乾燥後空気中で５００ｏｏ
に加熱すると表面にＣａ○薄膜２が形成される。直ちに
直空容器に収納し、周知のプラズマＣＶＤを行った。振
動を与えながらＣａＳ船ＳｅＭを少しずつ落下させ酸素
、アルゴン、有機アルミニウムの混合プラズマ中を通過
させることにより粉末表面にＡＩ２０×（２＜×＜３）
薄膜３を形成した。又、比較のためにＣａ○が形成され
ていないＥｕ、Ｃｅ付活ＣａＳ小６Ｓｅｏ．４上に直接
山２０羽膜被覆も行なった。ＡＩ２０湖陵厚は非常に薄
くＥＳＣＡ測定結果に基づいて１〜１仇机程度と推定さ
れた。この三層構造蟹光体を更に乾燥酸素中で４５０℃
に加熱しＡＩ２０×膜の安定化（山２０ｘ→山２０３）
をはかった。山２０３を直接に被覆しても同じである。
酸化物膜無被覆のＥｕ、Ｃｅ付活ＣａＳｏ．６Ｓｅｏ．
４蟹光体、本発明に成る三層構造蟹光体、硫セレン化物
上に直接ＡＩ２Ｑ膜を形成した蟹光体をそれぞれ試料Ｄ
、Ｅ、Ｆとする。
赤色後光体として高い輝度を示す。この鞍光体を５０ｑ
ｏの温水中の短時間分散し、乾燥後空気中で５００ｏｏ
に加熱すると表面にＣａ○薄膜２が形成される。直ちに
直空容器に収納し、周知のプラズマＣＶＤを行った。振
動を与えながらＣａＳ船ＳｅＭを少しずつ落下させ酸素
、アルゴン、有機アルミニウムの混合プラズマ中を通過
させることにより粉末表面にＡＩ２０×（２＜×＜３）
薄膜３を形成した。又、比較のためにＣａ○が形成され
ていないＥｕ、Ｃｅ付活ＣａＳ小６Ｓｅｏ．４上に直接
山２０羽膜被覆も行なった。ＡＩ２０湖陵厚は非常に薄
くＥＳＣＡ測定結果に基づいて１〜１仇机程度と推定さ
れた。この三層構造蟹光体を更に乾燥酸素中で４５０℃
に加熱しＡＩ２０×膜の安定化（山２０ｘ→山２０３）
をはかった。山２０３を直接に被覆しても同じである。
酸化物膜無被覆のＥｕ、Ｃｅ付活ＣａＳｏ．６Ｓｅｏ．
４蟹光体、本発明に成る三層構造蟹光体、硫セレン化物
上に直接ＡＩ２Ｑ膜を形成した蟹光体をそれぞれ試料Ｄ
、Ｅ、Ｆとする。
試料○、Ｅ、Ｆの一部をそれぞれ上記した耐水性試験液
（ｐＨ６．０）に分散させ、１■ご後に取出して乾燥し
た。耐水テスト前後で陰極線刺戟による発光の輝度を比
較すると第２表に示す結果が得られた。前実施例同様薄
膜層２を省略して直接ＡＩ２０３膜３を形成した場合（
試料Ｆ）は、ＡＩ２０３膜が不均一に被着し、また被着
強度も不充分であると推定される。したがって耐水性も
不充分であった。しかるに、本発明に成る三層構造蟹光
体（試料Ｅ）は良好な耐水性を示しており、所期の目標
が達成されたといえる。第２表 耐水テスト結果 同機の二層酸化物被覆による耐水効果はＣａＴｅやＭが
ｅでも観察された。
（ｐＨ６．０）に分散させ、１■ご後に取出して乾燥し
た。耐水テスト前後で陰極線刺戟による発光の輝度を比
較すると第２表に示す結果が得られた。前実施例同様薄
膜層２を省略して直接ＡＩ２０３膜３を形成した場合（
試料Ｆ）は、ＡＩ２０３膜が不均一に被着し、また被着
強度も不充分であると推定される。したがって耐水性も
不充分であった。しかるに、本発明に成る三層構造蟹光
体（試料Ｅ）は良好な耐水性を示しており、所期の目標
が達成されたといえる。第２表 耐水テスト結果 同機の二層酸化物被覆による耐水効果はＣａＴｅやＭが
ｅでも観察された。
したがって、アルカリ士類カルコゲナィドの性質上、他
の化合物及びこれらの化合物相互の混合物でも同じ効果
が得られることは自明である。本特許では耐水性酸化物
例としてＳｉ０２、Ｓｎ０２、ＡＩ２０３の場合をあげ
たが、その他ＡＩ２０戊（但し、ｘ±３）、Ｔｉ○×（
１ミｘミ２）、Ｙ２０Ｋ（２＜×ミ３）、Ｔａ２０×（
４＜×ミ５）、ｌｎ２０３、ＺＮＯでも同じ効果が認め
られた。更にこれらの実施例から明らかなように、本発
明をこれ以外の耐水性酸化物に拡張しうろことは自明で
ある。本発明によってアルカリ士類カルコゲナイド蟹光
体の耐水性、化学的安定性は著しく向上し、本来のすぐ
れた機能を生かした実用性の高い蟹光体を具現すること
ができた。
の化合物及びこれらの化合物相互の混合物でも同じ効果
が得られることは自明である。本特許では耐水性酸化物
例としてＳｉ０２、Ｓｎ０２、ＡＩ２０３の場合をあげ
たが、その他ＡＩ２０戊（但し、ｘ±３）、Ｔｉ○×（
１ミｘミ２）、Ｙ２０Ｋ（２＜×ミ３）、Ｔａ２０×（
４＜×ミ５）、ｌｎ２０３、ＺＮＯでも同じ効果が認め
られた。更にこれらの実施例から明らかなように、本発
明をこれ以外の耐水性酸化物に拡張しうろことは自明で
ある。本発明によってアルカリ士類カルコゲナイド蟹光
体の耐水性、化学的安定性は著しく向上し、本来のすぐ
れた機能を生かした実用性の高い蟹光体を具現すること
ができた。
第１図は本発明に成る三層構造蟹光体の構成を漠式的に
示す断面図である。 図において１はアルカリ士類カルコゲナィド蟹光体、２
は１とアルカリ士類金属イオンを共通にする酸化物層、
３は耐水性酸化物層を示す。第１図
示す断面図である。 図において１はアルカリ士類カルコゲナィド蟹光体、２
は１とアルカリ士類金属イオンを共通にする酸化物層、
３は耐水性酸化物層を示す。第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルカリ土類カルコゲナイド螢光体の表面に接して
該アルカリ土類金属の酸化物層、該アルカリ土類金属の
酸化物層に接して耐水性酸化物層をこの順に形成した三
層構造螢光体。 ２ アルカリ土類カルコゲナイドとしてＣａＳ、ＳｒＳ
、ＢａＳ、ＭｇＳ、ＣａＳｅ、ＳｒＳｅ、ＢａＳｅ、Ｍ
ｇＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＴｅ、ＭｇＴｅおよ
びこれらの混晶、混合物から成る群から少なくとも１種
類の材料を選んだことを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の螢光体。 ３ 耐水性酸化物層は、ＳｉＯ＿２、Ｓｌ＿２Ｏｘ（２
＜ｘ≦３）、ＴｉＯｘ（１≦ｘ≦２）、Ｙ＿２Ｏｘ（２
＜ｘ≦３）、Ｔａ＿２Ｏｘ（４＜ｘ≦５）、ＳｎＯ＿２
、Ｉｎ＿２Ｏ＿３、ＺｎＯから成る群から選ばれた少な
くとも１種類の酸化物の層であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の螢光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21467082A JPS6014054B2 (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 螢光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21467082A JPS6014054B2 (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 螢光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105074A JPS59105074A (ja) | 1984-06-18 |
| JPS6014054B2 true JPS6014054B2 (ja) | 1985-04-11 |
Family
ID=16659620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21467082A Expired JPS6014054B2 (ja) | 1982-12-09 | 1982-12-09 | 螢光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014054B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6279285A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Ricoh Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
| DE3913182C2 (de) * | 1988-06-10 | 1999-10-21 | Gte Prod Corp | Beschichteter elektrolumineszenter Leuchtstoff |
| JP2003064357A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Futaba Corp | 蛍光体、蛍光体層の製造方法及び蛍光表示管 |
| WO2012077656A1 (ja) | 2010-12-09 | 2012-06-14 | 三井金属鉱業株式会社 | ＺｎＯ化合物被覆硫黄含有蛍光体 |
| US10253257B2 (en) * | 2015-11-25 | 2019-04-09 | Intematix Corporation | Coated narrow band red phosphor |
-
1982
- 1982-12-09 JP JP21467082A patent/JPS6014054B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59105074A (ja) | 1984-06-18 |
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