JPH10228868A

JPH10228868A - プラズマディスプレイの発光効率を改善する方法

Info

Publication number: JPH10228868A
Application number: JP9029298A
Authority: JP
Inventors: Kaisei Rin; 介 ▲清▼ 林; Koryu Sai; 光 ▲隆▼ 蔡; Ryuji Ozawa; ▲隆▼二小澤
Original assignee: Industrial Technology Research Institute ITRI
Current assignee: Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date: 1997-02-13
Filing date: 1997-02-13
Publication date: 1998-08-25

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイの発光効率を改善す
る。【解決手段】発光効率の改善は、蛍光粒子１１、２１
に誘電体層１０、２０を被覆することにより達成され
る。誘電体層は、プラズマから放出される紫外線１４、
２４に対して、蛍光体の屈折率と真空の屈折率との間の
屈折率を有する。誘電体層は、０．５乃至５ミクロンの
厚み範囲で形成されると、蛍光粒子の反射率を減少させ
る。０．１乃至０．５ミクロンの厚みを有する被膜に関
しては、真空／被膜界面及び被膜／蛍光体界面で反射さ
れる光線の間の干渉により、反射率が減少する。そのよ
うな反射防止膜を形成するための幾つかの方法が開示さ
れる。そのような方法は、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、並び
に、蛍光粒子を溶融した誘電体の中に懸濁させ、その
後、接着性又は非接着性の表面の上に静かに注ぐ方法を
含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイとして特に使用される光ルミネッセンス膜の一般的
な分野に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイにおいては、ディ
スプレイのガス放電によって生ずる大部分の光線は、紫
外線（ＵＶ）領域にある。そのような光線の一部は、視
野スクリーンの内側面に設けられる光ルミネッセンス膜
を用いることによって、可視光線に変換される。従来技
術に伴う通常の構成においては、光ルミネッセンス蛍光
粒子に衝突する紫外線の多くは、そのような蛍光粒子の
表面から反射して、ディスプレイに逃げる。従って、現
在のプラズマディスプレイの発光効率は、一般的に、約
０．３％及び３．５％の間にある。

【０００３】図１は、望ましくないＵＶ反射（紫外線反
射）の上記問題を示している。参照符号１で示す如き蛍
光粒子が、視野スクリーン２の内側面の上に層を形成し
ている。気体プラズマ３からの紫外線４が、蛍光粒子５
に衝突する。紫外線の一部は、光線６として反射する。
一方、残りの紫外線は、蛍光粒子に侵入し、そこで光ル
ミネッセンスが生じて、可視光線７が放出される。もし
関係する波長における蛍光粒子の反射率を減少させる方
法を見い出すことができれば、ディスプレイの発光効率
が大きくなることは明らかである。

【０００４】本発明は、蛍光体の紫外線反射率を減少さ
せるための方法として、各々の蛍光粒子に適宜な誘電体
膜を使用することを教示する。本発明者等は、上記問題
に対する本方法を述べている従来技術を見い出していな
いが、蛍光粒子を被覆するということは従来技術におい
て言及されている。

【０００５】Ｂｕｄｄ（米国特許第５，４１８，０５２
号：１９９５年５月）は、その後の使用の間に電子ルミ
ネッセンス蛍光粒子を湿分から保護するために、電子ル
ミネッセンス蛍光粒子を被覆している。そのような蛍光
粒子の反射率に対して存在するであろう効果は議論され
ていない。その理由は、蛍光粒子の反射率は、電子ルミ
ネッセンスにおいては重要でないからである。Ｂｕｄｄ
は、蛍光粒子に約０．１乃至３ミクロンの厚みの酸化物
層を被覆するための好ましい方法として、化学的気相成
長法（２５°Ｃ乃至１７０°Ｃの温度範囲で行われる）
を用いている。被膜の厚みを制御する試みは全く行われ
ていない。蛍光粒子を均一に被覆するために、ＣＶＤの
間に、流動層を用いて蛍光粒子に連続的な攪拌を与えて
いる。

【０００６】Ｏｋａｄａｅｔａｌ．（米国特許第
５，４３３，８８８号：１９９５年７月）は、基本的に
は接着を目的として、蛍光粒子を被覆している。追加の
利益として、接着剤層は、水溶性の稀土類化合物であ
り、この化合物は、光束の状態を改善する。蛍光粒子の
被膜は、蛍光粒子を水溶液の中に懸濁させ、この溶液を
表面に塗布し、次に、乾燥した状態まで焼成する。

【０００７】Ｄｕｔｔａｅｔａｌ．（米国特許第
５，４４１，７７４号：１９９５年８月）は、蛍光粒子
を表面まで搬送するためのビヒクルとして、液体ポリマ
ーを用いている。このポリマーは、その後、その分解温
度よりも高い温度まで加熱することによって、除去され
る。蛍光粒子の上には被膜が全く残らないが、蛍光粒子
は、最終的には上記表面に良好に接着する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、現在
の技術に比較して改善された発光効率を有する、プラズ
マディスプレイ及び蛍光ランプを提供することである。

【０００９】本発明の別の目的は、プラズマディスプレ
イの中で発生した紫外線が、蛍光粒子の表面で反射する
ことにより失われる量を減少させることである。

【００１０】本発明の更に別の目的は、蛍光粒子に効果
的な反射防止膜を被覆するための方法を提供することで
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の目的は、関係する
波長において蛍光体の屈折率と真空の屈折率との間の屈
折率を有する誘電体層で蛍光粒子を被覆することによっ
て達成される。そのような誘電体層は、０．５ミクロン
乃至５ミクロンの厚み範囲で形成されると、蛍光粒子の
反射率を減少させる。その理由は、真空／被膜界面にお
ける反射率が減少すると共に、被膜／真空界面における
内反射も減少するからである。０．１乃至０．５ミクロ
ンの範囲の被膜の厚みに関しては、真空／被膜界面及び
被膜／蛍光体界面において反射する光線の間の干渉によ
り、反射率が減少する。そのような反射防止膜を形成す
るための幾つかの方法を本明細書において説明する。そ
のような方法は、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、及び、溶融誘電
体の中に蛍光粒子を懸濁させてサスペンションを形成
し、その後、そのようなサスペンションを接着性又は非
接着性の表面に静かに注ぐ方法を含む。

【００１２】

【発明の実施の形態】空気又は真空から出た光線が、あ
る物質の表面に直入射（垂直入射）で衝突し、上記物質
が、屈折率ｎを有している場合には、反射率Ｒｕ（ｕ
は、その表面が被覆されていないことを示している）
は、下式で表される。Ｒｕ＝（ｎ−１）²／（ｎ＋１）²

【００１３】その光線の波長が吸収端に近い場合には、
屈折率は非常に高くなる。その様子は、図３に示されて
いる。曲線３２は、波長（正常分散又は常分散）が減少
するに伴って、屈折率が徐々に増大する様子を示してい
る。曲線３１は、吸収端（異常分散）の近傍において、
屈折率が急激に増大し、その後、急激に減少している様
子を示している。従って、例えば、約２，０００オング
ストロームの波長を有するＵＶに関しては、ユーロピウ
ムでドープされた酸化イットリウムの屈折率は、５より
も大きく、従って、Ｒｕの値は、０．５よりも大きくな
る。図１に関連して既に説明したように、そのような高
い反射率は、発光効率をかなり低下させることになる。

【００１４】ここで、蛍光粒子２１を示す図２ａを参照
すると、この蛍光粒子は屈折率ｎ_pを有していて、屈折
率ｎ_cを有する比較的厚い誘電体層２０によって被覆さ
れている。到達した紫外線２４は、被膜２０の外側面に
衝突し、その一部は光線２６として反射し、また、残り
の光線は、被膜／蛍光体界面に進行する。この残りの光
線の一部は光線２２として再び反射し、反射しない光線
は蛍光体に入り、そこで光ルミネッセンスが生ずる。光
線２２の一部は被膜／真空界面で内反射し、減衰した光
線２７として出る。定義によれば、層２０は、十分に厚
く、従って、光線２６と光線２７との間の干渉性が失わ
れており、これら光線の間の干渉は、反射率を決定する
際の要因ではない。

【００１５】従って、被覆された粒子２１の反射率Ｒｃ
は、真空／被膜界面及び被膜／蛍光体界面における反射
率の合計から被膜／真空界面における内反射により内側
に戻った量を引いた値であり、下式によって表される。Ｒｃ＝｛（ｎ_c−１）²／（ｎ_c＋１）²｝＋｛（ｎ_p−ｎ
ｃ）²／（ｎ_p＋ｎ_c）²｝ −［｛（ｎ_c−１）²／（ｎ
_c＋１）²｝×｛（ｎ_p−ｎ_c）²／（ｎ_p＋ｎ_c）²｝］

【００１６】例えば、紫外線の波長が１，４７０オング
ストロームであり、ｎ_c＝２．７５、ｎ_p＝６．７５であ
る場合には、反射率は、０．５５から０．３５まで減少
することになる（直入射において）。

【００１７】図２ｂにおいては、比較的薄い反射防止膜
の場合を考えている。蛍光粒子１１は、誘電体層１０で
被覆されている。粒子に衝突する紫外線１４は、真空／
被膜界面及び被膜／蛍光体界面の両方の界面において反
射する。定義によれば、層１０は十分に薄く、従って、
上記２つの反射した光線は干渉性を有しており、これら
光線の間には干渉が生ずる。そのような干渉が完全に破
壊的な場合には、総ての光線１４は、光線１５として粒
子に入り、従って、反射光線１７は除去される。

【００１８】直入射において完全な干渉（ゼロ反射率）
が生ずるための条件は、下式で示される。（ｎ_c）² ＝ｎ_p、及び、Ｔｃ＝ｗ／４ｎ_c 上式において、Ｔｃは、被膜の厚みであり、また、ｗ
は、波長である。

【００１９】従って、図２ａに示す厚い被膜の場合とは
異なり、この薄い被膜の場合には、被膜の厚みを制御す
ることが重要である。例えば、紫外線の波長が１，４７
０オングストロームであり、ｎｃ＝２．７５、ｎｐ＝
６．７５である場合には、ゼロ反射率（直入射におい
て）を得るためには、１，３３６オングストロームの厚
みが必要であることになる。

【００２０】以下の幾つかの例においては、蛍光粒子を
効果的に被覆するための幾つかの異なる方法を議論する
共に、これら各々の方法に関連する厚み制御の度合いに
ついても言及する。

【００２１】

【実施例】

実施例１ここで図４を参照すると、この実施例の方法は、るつぼ
４４の中に収容されている溶融した誘電体４３の中に参
照符号４１で示す如き蛍光粒子を入れてサスペンション
を形成する工程から始まる。液体のレベルは、参照符号
４２で示す如き少量の粒子が液面４５の上に位置するよ
うに、選択される。ユーロピウムでドープされた酸化イ
ットリウム、又は、マンガンでドープされたケイ酸亜
鉛、あるいは、ユーロピウムでドープされたバリウム−
マグネシウム−アルミニウム酸化物のような蛍光体に関
しては、適宜な誘電体として、酸化ケイ素、リン化イン
ジウム、フッ化鉛、フッ化ナトリウム、塩化カリウム、
砒化インジウム、アンチモン化インジウム、リン化ガリ
ウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、及び、ガラ
スを挙げることができ、溶融した誘電体の温度は、約６
００°Ｃ乃至１，５００°Ｃの範囲になることになる。

【００２２】図５を参照すると、溶融した誘電体５３
が、この誘電体５３に濡れるように選択された基板５１
の上に注がれている。適宜な基板材料の例としては、シ
リカ及びアルミナを挙げることができる。従って、参照
符号４１で示す如き蛍光粒子がその中にサスペンション
の状態で含まれている誘電体の層（約１ミクロン乃至５
ミクロンの厚みを有する）が、基板５１の上に形成され
る。この層をそこで冷却させ、その後、プラズマディス
プレイ用の光ルミネッセンス層として直接使用すること
ができる。

【００２３】この実施例に関しては、各々の蛍光粒子の
周囲の誘電体膜の有効厚みは、広い範囲（約１ミクロン
乃至５ミクロン）で変化することになり、そのような厚
みを正確に制御する試みは全く行われない。しかしなが
ら、総ての粒子を覆うために必要な最小限の液レベルよ
りも若干低い液レベルを維持することにより、参照符号
４２で示す如き幾つかの粒子がるつぼ４４に残る。これ
により、透明な誘電体の非機能層が蛍光粒子の上に形成
される可能性が排除される。

【００２４】実施例２実施例１と同様に、この実施例の方法は、この実施例の
方法は、るつぼ４４の中に収容されている溶融した誘電
体４３の中に参照符号４１で示す如き蛍光粒子を入れて
サスペンションを形成する工程（図４参照）から始まる
が、総ての粒子が覆われるように液体のレベルを選択す
る点において、実施例１と異なっている。ユーロピウム
でドープされた酸化イットリウム、又は、マンガンでド
ープされたケイ酸亜鉛、あるいは、ユーロピウムでドー
プされたバリウム−マグネシウム−アルミニウム酸化物
のような蛍光体に関しては、適宜な誘電体として、酸化
ケイ素、リン化インジウム、フッ化鉛、フッ化ナトリウ
ム、塩化カリウム、砒化インジウム、アンチモン化イン
ジウム、リン化ガリウム、フッ化カルシウム、フッ化バ
リウム、及び、ガラスを挙げることができ、溶融した誘
電体の温度は、約６００°乃至１，５００°Ｃの範囲に
なることになる。

【００２５】図６を参照すると、溶融した誘電体６３
が、この誘電体に濡れないように選択された基板６１の
上に注がれている。適宜な基板材料の例としては、シリ
カ及びアルミナを挙げることができる。濡れが生じない
ので、大部分の液体６３が逃げて、参照符号４１で示す
如き蛍光粒子を基板上に残すが、各々の粒子は、その表
面に誘電体を有している。この実施例の方法の最後の工
程は、基板及び被覆された粒子を室温まで冷却させる工
程である。

【００２６】この実施例に関しては、各々の蛍光粒子の
周囲の誘電体膜の有効厚みが、ある程度（一般的には、
約１ミクロン乃至５ミクロンの範囲で）変化することに
なり、そのような厚みを正確に制御する試みは全く行わ
れていない。

【００２７】実施例３この実施例においては、蛍光粒子は、化学的気相成長法
（ＣＶＤ）によって被覆される。ＣＶＤを実行するため
の通常の手段が準備される。そのような手段は、反応
室、及び、適宜な反応物質を含んでいる。これら適宜な
反応物質は、組み合わされて加熱されると、蛍光粒子を
含む総ての露出された表面の上に所望の誘電材料（例え
ば、フッ化バリウム、フッ化マグネシウム等）の層を形
成する。蛍光粒子の例としては、ユーロピウムでドープ
された酸化イットリウム、マンガンでドープされたケイ
酸亜鉛、又は、ユーロピウムでドープされたバリウム−
マンガン−アルミニウム酸化物を挙げることができる。
蛍光粒子を反応室の中に入れた後に、蒸着プロセスが開
始される。各々の粒子が受け取る被膜が均一になり、ま
た、その厚みの制御が可能になるように、上記蒸着プロ
セス全体を通じて、蛍光粒子を連続的に揺動させる。所
望の厚みを有する誘電体層が粒子に形成された後に、反
応を終了させる。

【００２８】この実施例３を用いた場合の厚み制御は、
極めて正確であり、約０．１ミクロン乃至１ミクロンの
範囲の厚みを有する被膜を形成することができる。

【００２９】実施例４この実施例においては、蛍光粒子は、物理蒸着法（ＰＶ
Ｄ）の１つの形態である真空蒸着によって被覆される。
真空蒸着を実行するための通常の手段が準備される。そ
のような手段は、真空室、及び、ソース（供給源）を含
んでいる。このソースの中で所望の誘電材料（例えば、
酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム等）が加熱さ
れ、そこから、蛍光粒子を含む露出されている総ての表
面の上に蒸発する。蛍光粒子の例としては、ユーロピウ
ムでドープされた酸化イットリウム、マンガンでドープ
されたケイ酸亜鉛、又は、ユーロピウムでドープされた
バリウム−マグネシウム−アルミニウム酸化物を挙げる
ことができる。粒子を真空室の中に入れた後に、蒸着プ
ロセスを開始する。各々の粒子が受け取る被膜が均一に
なり、また、その厚みの制御が可能になるように、上記
蒸着プロセス全体を通じて、蛍光粒子を連続的に揺動さ
せる。所望の厚みを有する誘電体の層が粒子に形成され
た後に、プロセスを終了する。

【００３０】この実施例４を用いた場合の厚み制御は、
極めて正確であり、約０．１ミクロン乃至１ミクロンの
範囲の厚みを有する被膜を形成することができる。

【００３１】実施例５この実施例においては、蛍光粒子は、ＰＶＤの別の形態
であるスパッタリングによって被覆される。スパッタリ
ング（反応スパッタリング、又は、ＲＦスパッタリン
グ、若しくは、これらの組み合わせとすることができ
る）を実行するための通常の手段が準備される。そのよ
うな手段は、真空室と、低圧のガス（例えば、アルゴ
ン）の制御可能なガス源と、適宜なターゲットとを含ん
でいる。このターゲットから、所望の誘電材料（例え
ば、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム等）をスパ
ッタリングさせることができる。スパッタリングされた
材料は、蛍光粒子を含むターゲットの視界にあるほぼ総
ての表面の上に蒸着する。蛍光粒子の例としては、ユー
ロピウムでドープされた酸化イットリウム、マンガンで
ドープされたケイ酸亜鉛、又は、ユーロピウムでドープ
されたバリウム−マグネシウム−アルミニウム酸化物を
挙げることができる。粒子を真空室の中に入れた後に、
蒸着プロセスを開始する。各々の粒子が受け取る被膜が
均一になり、また、その厚みの制御が可能になるよう
に、上記蒸着プロセス全体を通じて、蛍光粒子を連続的
に揺動させる。所望の厚みを有する誘電体の層が粒子に
形成された後に、プロセスを終了する。

【００３２】この実施例５を用いた場合の厚み制御は、
極めて正確であり、約０．１ミクロン乃至１ミクロンの
範囲の厚みを有する被膜を形成することができる。

【００３３】幾つかの好ましい実施例を参照して本発明
を詳細に図示し且つ説明したが、本発明の精神及び範囲
から逸脱することなく、形態及び細部の変更を行えるこ
とは、当業者には理解されよう。

【図面の簡単な説明】

【図１】プラズマからの紫外線が蛍光粒子の表面で反射
し、従って、紫外線のほんの一部しか光ルミネッセンス
に使用することができない様子を示している。

【図２】図２ａは、蛍光粒子上の比較的厚い誘電体の被
膜が蛍光粒子の反射率を減少させることができる様子を
示しており、また、図２ｂは、蛍光粒子上の比較的薄い
誘電体の被膜が蛍光粒子の反射率を減少させることがで
きる様子を示している。

【図３】屈折率とＵＶ（紫外線）及びＩＲ（赤外線）の
異常分散の領域を含む波長との間の関係を示すグラフで
ある。

【図４】蛍光粒子に誘電体の層を被覆する方法における
１工程を示している。

【図５】蛍光粒子に誘電体の層を被覆する方法における
１工程を示している。

【図６】蛍光粒子に誘電体の層を被覆する方法における
１工程を示している。

【符号の説明】

１０誘電体層１１蛍光粒子１４、１５光線１７反射光線２０被膜２１蛍光粒子２４紫外線２２、２６反射光線２７減衰した反射光線４１、４２蛍光粒子４３溶融した誘電体４４るつぼ４５液面５１基板５３溶融した誘電体６０誘電体層６１、基板６３溶融した誘電体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｊ 17/04 Ｈ０１Ｊ 17/04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマディスプレイの発光効率を改善
するための方法であって、紫外線を放出する気体プラズマを発生させる工程と、内側面及び外側面を有する視野スクリーンを準備する工
程と、紫外線の下で光ルミネッセンス効果を発揮する蛍光粒子
を準備する工程と、前記各々の蛍光粒子にある厚み及びある屈折率を有する
反射防止膜を被覆する工程と、前記被覆された粒子を前記内側面に設けて光ルミネッセ
ンススクリーンを形成する工程とを備えることを特徴と
する方法。
【請求項２】請求項１の方法において、前記蛍光粒子
は、ユーロピウムでドープされた酸化イットリウム、マ
ンガンでドープされたケイ酸亜鉛、及び、ユーロピウム
でドープされたバリウム−マグネシウム−アルミニウム
酸化物から成る群から選択されることを特徴とする方
法。
【請求項３】請求項１の方法において、前記反射防止
膜が、酸化ケイ素、リン化インジウム、フッ化鉛、フッ
化ナトリウム、塩化カリウム、砒化インジウム、アンチ
モン化インジウム、リン化ガリウム、フッ化カルシウ
ム、フッ化バリウム、及び、ガラスから成る群から選択
されることを特徴とする方法。
【請求項４】請求項１の方法において、前記反射防止
膜の厚みが、約０．１ミクロンと約５ミクロンとの間で
あることを特徴とする方法。
【請求項５】請求項１の方法において、前記反射防止
膜の屈折率が、約２乃至４であることを特徴とする方
法。
【請求項６】蛍光粒子を被覆するための方法であっ
て、溶融した誘電体の中に蛍光粒子を懸濁させる工程と、前記溶融した誘電体及び粒子を該溶融した誘電体に濡れ
る基板の上に注ぎ、これにより、誘電体の中に懸濁され
た蛍光粒子から成るある厚みを有する層を前記基板の上
に形成する工程と、前記層を室温まで冷却する工程とを備えることを特徴と
する方法。
【請求項７】請求項６の方法において、前記基板は、
シリカ及びアルミナから成る群から選択されることを特
徴とする方法。
【請求項８】請求項６の方法において、前記蛍光粒子
は、ユーロピウムでドープされた酸化イットリウム、マ
ンガンでドープされたケイ酸亜鉛、及び、ユーロピウム
でドープされたバリウム−マグネシウム−アルミニウム
酸化物から成る群から選択されることを特徴とする方
法。
【請求項９】請求項６の方法において、前記誘電体
が、酸化ケイ素、リン化インジウム、フッ化鉛、フッ化
ナトリウム、塩化カリウム、砒化インジウム、アンチモ
ン化インジウム、リン化ガリウム、フッ化カルシウム、
フッ化バリウム、及び、ガラスから成る群から選択され
ることを特徴とする方法。
【請求項１０】請求項６の方法において、前記溶融し
た誘電体の温度が、約６００°Ｃ乃至１，５００°Ｃで
あることを特徴とする方法。
【請求項１１】請求項６の方法において、誘電体の中
で懸濁された蛍光粒子から成る前記層の厚みが、約１ミ
クロン乃至５ミクロンであることを特徴とする方法。
【請求項１２】蛍光粒子を被覆するための方法であっ
て、溶融した誘電体の中に蛍光粒子を懸濁させる工程と、前記溶融した誘電体及び粒子を該溶融した誘電体には濡
れない基板の上に注ぐ工程と、前記溶融した誘電体を前記基板から逃がして、前記誘電
体の層である厚みまで被覆された蛍光粒子を前記基板に
残す工程と、前記被覆された粒子を室温まで冷却する工程とを備える
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】請求項１２の方法において、前記基板
は、シリカ及びアルミナから成る群から選択されること
を特徴とする方法。
【請求項１４】請求項１２の方法において、前記蛍光
粒子は、ユーロピウムでドープされた酸化イットリウ
ム、マンガンでドープされたケイ酸亜鉛、及び、ユーロ
ピウムでドープされたバリウム−マグネシウム−アルミ
ニウム酸化物から成る群から選択されることを特徴とす
る方法。
【請求項１５】請求項１２の方法において、前記誘電
体が、酸化ケイ素、リン化インジウム、フッ化鉛、フッ
化ナトリウム、塩化カリウム、砒化インジウム、アンチ
モン化インジウム、リン化ガリウム、フッ化カルシウ
ム、フッ化バリウム、及び、ガラスから成る群から選択
されることを特徴とする方法。
【請求項１６】請求項１２の方法において、前記溶融
した誘電体の温度が、約６００°Ｃ乃至１，５００°Ｃ
であることを特徴とする方法。
【請求項１７】蛍光粒子に誘電体を均一に被覆するた
めの方法であって、反応室を準備すると共に、前記誘電体を前記反応室の中
の総ての露出された表面に堆積させる化学的気相成長プ
ロセスに適した反応物質を準備する工程と、前記粒子を前記反応室の中に入れる工程と、前記粒子を連続的に揺動させながら、前記成長プロセス
を開始する工程と、所望の厚みを有する誘電体層が前記粒子に形成された時
に、前記成長プロセスを終了させる工程とを備えること
を特徴とする方法。
【請求項１８】請求項１７の方法において、前記蛍光
粒子は、ユーロピウムでドープされた酸化イットリウ
ム、マンガンでドープされたケイ酸亜鉛、及び、ユーロ
ピウムでドープされたバリウム−マグネシウム−アルミ
ニウム酸化物から成る群から選択されることを特徴とす
る方法。
【請求項１９】請求項１７の方法において、前記誘電
体が、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、酸化マグ
ネシウム、リン化インジウム、及び、フッ化カルシウム
から成る群から選択されることを特徴とする方法。
【請求項２０】請求項１７の方法において、前記誘電
体層の厚みが、約０．１ミクロン乃至２ミクロンである
ことを特徴とする方法。
【請求項２１】蛍光粒子に誘電体を均一に被覆するた
めの方法であって、真空室を準備する工程と、物理蒸着を行うのに適した供給源を前記真空室の中に準
備する工程と、前記粒子を前記真空室の中に入れる工程と、前記粒子を連続的に揺動させながら、前記粒子を物理蒸
着によって被覆する工程と、所望の厚みを有する誘電体層が前記粒子に形成された後
に、前記物理蒸着を終了させる工程とを備えることを特
徴とする方法。
【請求項２２】請求項２１の方法において、前記物理
蒸着は、更に、真空蒸着を含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】請求項２１の方法において、前記物理
蒸着は、更に、スパッタリングを含むことを特徴とする
方法。
【請求項２４】請求項２１の方法において、前記蛍光
粒子は、ユーロピウムでドープされた酸化イットリウ
ム、マンガンでドープされたケイ酸亜鉛、及び、ユーロ
ピウムでドープされたバリウム−マグネシウム−アルミ
ニウム酸化物から成る群から選択されることを特徴とす
る方法。
【請求項２５】請求項２１の方法において、前記誘電
体は、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム、酸化マグ
ネシウム、リン化インジウム、及び、フッ化カルシウム
から成る群から選択されることを特徴とする方法。
【請求項２６】請求項２１の方法において、前記誘電
体層の厚みが、約０．１ミクロン乃至２ミクロンである
ことを特徴とする方法。