JPS60138951A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
- Publication number
- JPS60138951A JPS60138951A JP24712583A JP24712583A JPS60138951A JP S60138951 A JPS60138951 A JP S60138951A JP 24712583 A JP24712583 A JP 24712583A JP 24712583 A JP24712583 A JP 24712583A JP S60138951 A JPS60138951 A JP S60138951A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- shielding
- conductor
- conductor pattern
- reactor
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕 （
本発明はりアクドルを含む回路を有し、電磁遮）蔽され
る混成集積回路に関する。
る混成集積回路に関する。
リアクトルを含む電子回路を混成集積回路とし ：□ｙ
Ｚ ｉ−６、、、従、６よ、ア２，２（よｆｆ１□８．
１て基板上に搭載されていた。第１図はそのような ｊ
■ 混成集積回路を示し、セラミックからなる絶縁基 ′［
・） 板１の上に銀ペーストの印刷などにより回路配線 ：２
が形成され、配線２に接続してリアクトル３お ・ｌ□
、） よび半導体部品４．コンデンサまたは抵抗体５な ＩＩ
＃ −ｍｂ Ｉ ＊ Ｆ Ｉｙ Ｎ ｍ ＆ Ｍ ＃
、、、ａ＊ 、ｔ ４．９−ツー１ Ｆ７ ｉ。
Ｚ ｉ−６、、、従、６よ、ア２，２（よｆｆ１□８．
１て基板上に搭載されていた。第１図はそのような ｊ
■ 混成集積回路を示し、セラミックからなる絶縁基 ′［
・） 板１の上に銀ペーストの印刷などにより回路配線 ：２
が形成され、配線２に接続してリアクトル３お ・ｌ□
、） よび半導体部品４．コンデンサまたは抵抗体５な ＩＩ
＃ −ｍｂ Ｉ ＊ Ｆ Ｉｙ Ｎ ｍ ＆ Ｍ ＃
、、、ａ＊ 、ｔ ４．９−ツー１ Ｆ７ ｉ。
−ルドケース６およびシールドキャップ７で包囲したも
のである。外部接続用リード線８は基板１上の回路配線
２からケース６を絶縁して貫通して引き出される。しか
しこのような混成集積回路の製造原価の低減のためには
、部品点数および組立工数の減少がつねに要望されてい
た。
のである。外部接続用リード線８は基板１上の回路配線
２からケース６を絶縁して貫通して引き出される。しか
しこのような混成集積回路の製造原価の低減のためには
、部品点数および組立工数の減少がつねに要望されてい
た。
本発明はそのような要望に応じてリアクトルを含む回路
が電磁遮蔽された混成集積回路の部品点数および組立工
数を減少させることを目的とする◇〔発明の要点〕 本発明による混成集積回路は基板が高抵抗磁性材料より
なり、その基板の面上に回路配線を構成する主として直
線状の導体層と、リアクトルを構成するらせん状導体層
を有することにより上記の目的を：ｉ成する。導体層と
しては基体面上に固着された薄膜導体、厚膜導体あるい
は金属箔などを用いることができる。
が電磁遮蔽された混成集積回路の部品点数および組立工
数を減少させることを目的とする◇〔発明の要点〕 本発明による混成集積回路は基板が高抵抗磁性材料より
なり、その基板の面上に回路配線を構成する主として直
線状の導体層と、リアクトルを構成するらせん状導体層
を有することにより上記の目的を：ｉ成する。導体層と
しては基体面上に固着された薄膜導体、厚膜導体あるい
は金属箔などを用いることができる。
筺２図セよび筑３ＵｇｌＪは本発明の一実施例を示し、
基板１１は、例えばマンガン・亜鉛フェライトのような
フェライトからなり、その上に厚膜導体の印刷により導
体パターン１２が形成され、さらに同様な導体によって
らせん状のりアクドル部分１３が形成されている。導体
パターン１２には第１図の場合と同様に半導体部品４ま
たはコンデンサ５などが搭載され、あるいは厚膜抵抗１
４が印刷により付加されている。基板１１は下側に対す
る遮蔽効果を持つため従来のシールドケース６は不要で
シールドキャップ７のみでよい。また基板１１の下面に
町、波３μｓ蔽を目的さした導体層１５を設けてもよく
、あるいは［而にも回路配線を形成して県績度を向上さ
せでもよい。上方に対する遮蔽が不要の場合にはシール
ドキャップ７を省略することができる。導体パターン１
２は薄膜導体によって形成しＣもよく、あるいは銅箔の
接層によって様であるが、引き出しの際シールドケース
との絶縁の手数が除かれる。このように構成することに
より第１図の場合と比較して個別リアクトル３およびシ
ールドケース６が省略でき、それたけ部品点数１組立工
数が減少する。
基板１１は、例えばマンガン・亜鉛フェライトのような
フェライトからなり、その上に厚膜導体の印刷により導
体パターン１２が形成され、さらに同様な導体によって
らせん状のりアクドル部分１３が形成されている。導体
パターン１２には第１図の場合と同様に半導体部品４ま
たはコンデンサ５などが搭載され、あるいは厚膜抵抗１
４が印刷により付加されている。基板１１は下側に対す
る遮蔽効果を持つため従来のシールドケース６は不要で
シールドキャップ７のみでよい。また基板１１の下面に
町、波３μｓ蔽を目的さした導体層１５を設けてもよく
、あるいは［而にも回路配線を形成して県績度を向上さ
せでもよい。上方に対する遮蔽が不要の場合にはシール
ドキャップ７を省略することができる。導体パターン１
２は薄膜導体によって形成しＣもよく、あるいは銅箔の
接層によって様であるが、引き出しの際シールドケース
との絶縁の手数が除かれる。このように構成することに
より第１図の場合と比較して個別リアクトル３およびシ
ールドケース６が省略でき、それたけ部品点数１組立工
数が減少する。
さらに大きなインダクタンスを有するリアクトルを必要
とする場合の実施例を第４図、８ｇ５図に示す。この場
合は２枚のフェライト基板２１．２２によりらせん状導
体層１３をはさみ込むことにより大きなインダクタンス
を有するリアクトルを形成し、基板２１の上には回路配
＃１２とそれに接続される半導体部品４．コンデンサオ
たは抵抗体５等を搭載する。リアクトルの導体１３は下
面図の第５図が示すようにド面上の導体層１６によりリ
ード線１７を介して基板上面の回路配線１２き接続され
る。このようにして形成されたりアクドルは３ （ｌ
ｍｍ Ｘ ３ （１目の基板面積で故山マイクロヘンリ
ーのインタフタンスを有し、基板の厚さは叔咽であるか
ら１（）隅程度の尚さを有する個別リアクトルに比して
著しく薄形きなり混成集積回路の高さの減少に役立つ。
とする場合の実施例を第４図、８ｇ５図に示す。この場
合は２枚のフェライト基板２１．２２によりらせん状導
体層１３をはさみ込むことにより大きなインダクタンス
を有するリアクトルを形成し、基板２１の上には回路配
＃１２とそれに接続される半導体部品４．コンデンサオ
たは抵抗体５等を搭載する。リアクトルの導体１３は下
面図の第５図が示すようにド面上の導体層１６によりリ
ード線１７を介して基板上面の回路配線１２き接続され
る。このようにして形成されたりアクドルは３ （ｌ
ｍｍ Ｘ ３ （１目の基板面積で故山マイクロヘンリ
ーのインタフタンスを有し、基板の厚さは叔咽であるか
ら１（）隅程度の尚さを有する個別リアクトルに比して
著しく薄形きなり混成集積回路の高さの減少に役立つ。
本発明は混成集積回路の基板にフェライトのような高抵
抗磁性体の平板を利用し、外部に向けての電磁遮蔽効果
を持たせると共にその上にらせん状導体層を形成してリ
アクトルを構成するもので、混成集積回路の小形、軽量
化が可能になり、かつ部品点数、直材費１組立工数の減
少をもたらすので安価な混成集積回路が得られるので、
Ｄｏ−ＤＯコンバーターなどに極めて有効に適用される
０
抗磁性体の平板を利用し、外部に向けての電磁遮蔽効果
を持たせると共にその上にらせん状導体層を形成してリ
アクトルを構成するもので、混成集積回路の小形、軽量
化が可能になり、かつ部品点数、直材費１組立工数の減
少をもたらすので安価な混成集積回路が得られるので、
Ｄｏ−ＤＯコンバーターなどに極めて有効に適用される
０
第１図は従来の混成集積回路の断面図、第２図は本発明
の一実施例の断面図、第３図は第２図に示した実施例の
シールドキャップを除いての上面図、第４図は別の実施
例の断面図、第５図は第４図に示した実施例の下面図で
ある。
の一実施例の断面図、第３図は第２図に示した実施例の
シールドキャップを除いての上面図、第４図は別の実施
例の断面図、第５図は第４図に示した実施例の下面図で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板が高抵抗磁性材料よりなり、該基板の面上に回
路配線を構成する主として直線状の導体層 □と、リア
クトルを構成するらせん状導体層を有す １□ ることを特徴とする混成集積回路。 １
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24712583A JPS60138951A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24712583A JPS60138951A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138951A true JPS60138951A (ja) | 1985-07-23 |
Family
ID=17158798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24712583A Pending JPS60138951A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138951A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382829A (en) * | 1992-07-21 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Packaged microwave semiconductor device |
| WO2003034494A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module component |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP24712583A patent/JPS60138951A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5382829A (en) * | 1992-07-21 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Packaged microwave semiconductor device |
| US5534727A (en) * | 1992-07-21 | 1996-07-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| WO2003034494A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module component |
| US6828670B2 (en) | 2001-10-15 | 2004-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module component |
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