JPS60138068A - 低抵抗性金属酸化物含有フイルムの形成法 - Google Patents
低抵抗性金属酸化物含有フイルムの形成法Info
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- JPS60138068A JPS60138068A JP59253899A JP25389984A JPS60138068A JP S60138068 A JPS60138068 A JP S60138068A JP 59253899 A JP59253899 A JP 59253899A JP 25389984 A JP25389984 A JP 25389984A JP S60138068 A JPS60138068 A JP S60138068A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、一般的にカン−トスバッタリング法により基
材をコーティングする方法、さらに詳しくは磁場をかけ
て高められたカソードスパッタリング法により酸化イン
ジウムフィルムを基材に付着形成させる方法に関する。
材をコーティングする方法、さらに詳しくは磁場をかけ
て高められたカソードスパッタリング法により酸化イン
ジウムフィルムを基材に付着形成させる方法に関する。
［従来の技術］
ギラリ−（Ｇｉｌｌｅｒｙ）の米国特許第３９０７６６
０Ｑ明細書およびギラリーら（Ｇｉｌｌｅｒｙ ｅｔ
ａｌ）の米国特許第４０９４７６３号明細書には、２０
４℃（４００’ Ｆ）から基材が通常有害な影響を受け
る３１６℃（６００’ ））の間の調度範囲の調節され
た基材温度において、調節された最の酸素を含む低圧雰
囲気下に、スズやインジウムなどの金属を使ったカソー
ドスパッタリング法によって透明で耐火性の基材を電気
伝導性のフィルムでコーティングする方法と装置が記載
されている。
０Ｑ明細書およびギラリーら（Ｇｉｌｌｅｒｙ ｅｔ
ａｌ）の米国特許第４０９４７６３号明細書には、２０
４℃（４００’ Ｆ）から基材が通常有害な影響を受け
る３１６℃（６００’ ））の間の調度範囲の調節され
た基材温度において、調節された最の酸素を含む低圧雰
囲気下に、スズやインジウムなどの金属を使ったカソー
ドスパッタリング法によって透明で耐火性の基材を電気
伝導性のフィルムでコーティングする方法と装置が記載
されている。
チルピン（ｃｌ＋ａｐｉｎ）の米国特許第４１６６０１
８号明ｍ書には１磁場がスパッタリングする平坦な面に
隣接して形成され、スパッタリングする面のの閉環状の
ｇ蝕領域（Ｃ１ｏｓｅｄ １ｏｏｐ ｅｒｏｓｉｏｎｒ
ｅｇｉｏｎ）にわたる磁束のアーヂングラインがら構成
されているスパッタリング装置が記載されている。
８号明ｍ書には１磁場がスパッタリングする平坦な面に
隣接して形成され、スパッタリングする面のの閉環状の
ｇ蝕領域（Ｃ１ｏｓｅｄ １ｏｏｐ ｅｒｏｓｉｏｎｒ
ｅｇｉｏｎ）にわたる磁束のアーヂングラインがら構成
されているスパッタリング装置が記載されている。
ＥＢ明がＷＩ−決しようとする問題点コ本発明は、マグ
ネトロンスパッタリングｔｍａｕｎｅｔｒｏｎ ＳＤＵ
ｔｔｅｒｉｎｇ）によって付着させられた酸化インジウ
ムフィルムの抵抗を低下させる方法を提供することを目
的とする。
ネトロンスパッタリングｔｍａｕｎｅｔｒｏｎ ＳＤＵ
ｔｔｅｒｉｎｇ）によって付着させられた酸化インジウ
ムフィルムの抵抗を低下させる方法を提供することを目
的とする。
［問題を解決するための手段］
本発明の方法に従えば、マグネトロンスパッタリングに
よって付春さＵられた酸化インジウムフィルムの抵抗は
、マグネトロンスパッタリングする問に基材の温度を上
げることによって低下させられる。
よって付春さＵられた酸化インジウムフィルムの抵抗は
、マグネトロンスパッタリングする問に基材の温度を上
げることによって低下させられる。
［作用および実施例１
低抵抗性酸化インジウムフィルムは、本発明に従ってマ
グネトロンスパッタリングの技術と基材の高温化とを結
びつけることによって比較的迅速な付着率でえられる。
グネトロンスパッタリングの技術と基材の高温化とを結
びつけることによって比較的迅速な付着率でえられる。
インジウム９０％およびスズ１０％の合金カソードを用
いた公知の直流ダイオードスパッタリング法によって、
第４オーダーの赤色の干渉効果（典型的には約６５０９
オングストローム）を示すフィルムの厚さにむいて５Ω
／′口の抵抗を有する酸化インジウムのコーティングか
えられている。このカソードスパッタリング法は大苗の
熱を発生し、基材の温度は一般的に約２０４℃（４００
’ Ｆ）から基材の融点の間になる。カソードと基材の
ためにさまざまな冷却技術を用いることができる。しか
しこれらのカソードスパッタリング法は非常に長時間を
要し、前記のにうな低い抵抗で必要な厚さのフィルムを
付着させることは実際上において経済的ではない。
いた公知の直流ダイオードスパッタリング法によって、
第４オーダーの赤色の干渉効果（典型的には約６５０９
オングストローム）を示すフィルムの厚さにむいて５Ω
／′口の抵抗を有する酸化インジウムのコーティングか
えられている。このカソードスパッタリング法は大苗の
熱を発生し、基材の温度は一般的に約２０４℃（４００
’ Ｆ）から基材の融点の間になる。カソードと基材の
ためにさまざまな冷却技術を用いることができる。しか
しこれらのカソードスパッタリング法は非常に長時間を
要し、前記のにうな低い抵抗で必要な厚さのフィルムを
付着させることは実際上において経済的ではない。
最新のマグネトロンスパッタリング法は迅速かつ効率的
になり、コーティングされる基材に認められるほどの熱
を発生しないので冷却技術は必要なくなり、より低い融
点を有する基材をもコーティングできる。インジウム９
０％とスズ１０％の合金カソードを使ったマグネトロン
スパッタリング法によって、周囲温度のガラス上に、第
４オーダーの赤色の干渉効果を示す厚さにおいて１５Ω
／口の抵抗を有する酸化インジウムフィルムが形成され
る。
になり、コーティングされる基材に認められるほどの熱
を発生しないので冷却技術は必要なくなり、より低い融
点を有する基材をもコーティングできる。インジウム９
０％とスズ１０％の合金カソードを使ったマグネトロン
スパッタリング法によって、周囲温度のガラス上に、第
４オーダーの赤色の干渉効果を示す厚さにおいて１５Ω
／口の抵抗を有する酸化インジウムフィルムが形成され
る。
本発明に従って、マグネトロンスパッタリング法によっ
て形成された酸化インジウムフィルムの抵抗は、基材を
より高温の基材温度でコーティングすることによって低
下させられる。たとえば基材温度が約９３℃（２００°
Ｆ）のばあい、酸化インジウムフィルムは、第４オーダ
ーの赤色の干渉効果を示す厚さにおいて１０Ω／口の抵
抗を有するフィルムとして（＝Ｊ着する。また基材温度
が約２０４℃（４００’ Ｆ）のばあいは第４オーダー
の赤色の干渉効果を示す厚さにおいて、５Ω／口の抵抗
を有するフィルムとして付着する。
て形成された酸化インジウムフィルムの抵抗は、基材を
より高温の基材温度でコーティングすることによって低
下させられる。たとえば基材温度が約９３℃（２００°
Ｆ）のばあい、酸化インジウムフィルムは、第４オーダ
ーの赤色の干渉効果を示す厚さにおいて１０Ω／口の抵
抗を有するフィルムとして（＝Ｊ着する。また基材温度
が約２０４℃（４００’ Ｆ）のばあいは第４オーダー
の赤色の干渉効果を示す厚さにおいて、５Ω／口の抵抗
を有するフィルムとして付着する。
基材温度が約２０４℃（４００’ Ｆ）以上になるとそ
れ以上低抵抗性とはならずに、スパッタリングガスの組
成がそれほど重大でなくなるのでマグネトロンスパッタ
リングをよりコントロールしやすくなるという利点がで
てくる。
れ以上低抵抗性とはならずに、スパッタリングガスの組
成がそれほど重大でなくなるのでマグネトロンスパッタ
リングをよりコントロールしやすくなるという利点がで
てくる。
つぎに本発明を実施例をあげてより詳しく説明するが、
本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
実施例１
約９０％の初ｗＪｎ感透過率（ｉｎｉｔｉａｌ ｌｕｍ
ｉｎｏｕｓｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）を有する約６
１ ｃｍ四方で厚さ３ｍｍ（２フイート四方で厚さ１７
８インチ）の透明なフロートガラス板をマグネトロンス
パッタリングによってコーティングした。インジウム９
０％およびスズ１０％からなるカソードを３５０ポル１
−１１５アンペアでスパッタリングした。アルゴンガス
と酸素ガスが、それぞれ毎分５００ｃｍ３と３５０ｃｍ
３の流量で送られるコーテイング室を、圧力（３ｘｌＯ
−４トールに保った。ガラスは約３１５℃（６００’
Ｆ）の温度で、毎分約３メートル（１２０インチ）のス
キャニングカソードのシングルパス（ｓｉｎｇｌｅ ｐ
ａｓｓ）でコーティングされた。
ｉｎｏｕｓｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）を有する約６
１ ｃｍ四方で厚さ３ｍｍ（２フイート四方で厚さ１７
８インチ）の透明なフロートガラス板をマグネトロンス
パッタリングによってコーティングした。インジウム９
０％およびスズ１０％からなるカソードを３５０ポル１
−１１５アンペアでスパッタリングした。アルゴンガス
と酸素ガスが、それぞれ毎分５００ｃｍ３と３５０ｃｍ
３の流量で送られるコーテイング室を、圧力（３ｘｌＯ
−４トールに保った。ガラスは約３１５℃（６００’
Ｆ）の温度で、毎分約３メートル（１２０インチ）のス
キャニングカソードのシングルパス（ｓｉｎｇｌｅ ｐ
ａｓｓ）でコーティングされた。
最終視感透過率が８６％である無色のフィルムが形成さ
れた。周囲温度でコーティングされた同じ厚さのフィル
ムの抵抗が約２３７Ω／口であったのに比べて、本発明
の酸化インジウム含有コーティングの抵抗は約１００Ω
／口であった。
れた。周囲温度でコーティングされた同じ厚さのフィル
ムの抵抗が約２３７Ω／口であったのに比べて、本発明
の酸化インジウム含有コーティングの抵抗は約１００Ω
／口であった。
実施例２
大きざが約７６ｘ６９ｘ Ｏ，３ｃｍ （３０ｘ２７ｘ
ｌ／８インヂ）である透明なガラス板を実施例１と同様
の方法を用いて、３４０ポルｌ〜、１５アンペア、コー
テイング室の圧力が８ｘｌＯ−４トール、アルゴンガス
ど酸素ガスのそれぞれの流量が毎分６５０ＣｆＲ３およ
び２５０ｃｍ３である条件下でコーティングした。ガラ
スの温度が約２３２℃（４５０°Ｆ）、カソードの毎秒
的２０ｃｍ（８インチ）のスキャニングで酸化インジウ
ム含有フィルムがイ」ムされ、視感透過率は８４％であ
った。フィルムは厚さが約１４００オングストロームで
、第１オーダーの赤色の干渉効果を示した。周囲温度で
コーディングされた同じ厚さのフィルムの抵抗が約４０
０／口であったのに比べて、本発明の酸化−Ｃンジウム
含有のコーティングの抵抗は約１８Ω／口てあっ１こ。
ｌ／８インヂ）である透明なガラス板を実施例１と同様
の方法を用いて、３４０ポルｌ〜、１５アンペア、コー
テイング室の圧力が８ｘｌＯ−４トール、アルゴンガス
ど酸素ガスのそれぞれの流量が毎分６５０ＣｆＲ３およ
び２５０ｃｍ３である条件下でコーティングした。ガラ
スの温度が約２３２℃（４５０°Ｆ）、カソードの毎秒
的２０ｃｍ（８インチ）のスキャニングで酸化インジウ
ム含有フィルムがイ」ムされ、視感透過率は８４％であ
った。フィルムは厚さが約１４００オングストロームで
、第１オーダーの赤色の干渉効果を示した。周囲温度で
コーディングされた同じ厚さのフィルムの抵抗が約４０
０／口であったのに比べて、本発明の酸化−Ｃンジウム
含有のコーティングの抵抗は約１８Ω／口てあっ１こ。
実施例３
カソードのスキャニングを毎秒的１０ｃｍ（４インチ）
にしたほかは実施例２と同様の方法を用いて、透明なガ
ラス板をコーティングした。酸化インジウム含有フィル
ムが付むされ、視感透過率は８３％でめった。フィルム
の厚さは約２８００オングストロームで、第２オーダー
の赤色の干渉効果を示した。周ＩＩｔｌ温度でコーディ
ングされた同じ厚さのフィルムの抵抗が約２５Ω／口で
あつだのに比べて、本発明の酸化インジウム含有コーテ
ィングの抵抗は約１３Ω／口であった。
にしたほかは実施例２と同様の方法を用いて、透明なガ
ラス板をコーティングした。酸化インジウム含有フィル
ムが付むされ、視感透過率は８３％でめった。フィルム
の厚さは約２８００オングストロームで、第２オーダー
の赤色の干渉効果を示した。周ＩＩｔｌ温度でコーディ
ングされた同じ厚さのフィルムの抵抗が約２５Ω／口で
あつだのに比べて、本発明の酸化インジウム含有コーテ
ィングの抵抗は約１３Ω／口であった。
実施例４
大きさが約７９Ｘ４１Ｘ Ｏ，３ｃｍ （３１Ｘ１６Ｘ
１／８インヂ）である透明なガラス板を前記の実施例と
同様の方法を用いて、３４０ボルト、５アンペア、スキ
レニングのスピード毎分約３メートル（１２０インチ）
でコーティングした。コーテイング室の圧力を６．８Ｘ
１０−４トールに、アルゴンガスと酸素ガスの流量をそ
れぞれ毎分６６０ｃｍ”および２ＧＯｃｍ’に保った。
１／８インヂ）である透明なガラス板を前記の実施例と
同様の方法を用いて、３４０ボルト、５アンペア、スキ
レニングのスピード毎分約３メートル（１２０インチ）
でコーティングした。コーテイング室の圧力を６．８Ｘ
１０−４トールに、アルゴンガスと酸素ガスの流量をそ
れぞれ毎分６６０ｃｍ”および２ＧＯｃｍ’に保った。
ガラスの温度が約１７９℃（３５５°Ｆ）で酸化インジ
ウム含有のコーティングが付着し、視感透過率は約８１
％であった。酸化インジウム含有フィルムの厚さは約５
６００オンゲスｉ−ロームで、第４オーダーの赤色の干
渉効果を示した。周囲温度でコーティングされた同じ厚
さのフィルムの抵抗が約１０〜２０Ω／口でありたのに
比べて、本発明の酸化インジウム含有フィルムの抵抗は
約５Ω／口であった。
ウム含有のコーティングが付着し、視感透過率は約８１
％であった。酸化インジウム含有フィルムの厚さは約５
６００オンゲスｉ−ロームで、第４オーダーの赤色の干
渉効果を示した。周囲温度でコーティングされた同じ厚
さのフィルムの抵抗が約１０〜２０Ω／口でありたのに
比べて、本発明の酸化インジウム含有フィルムの抵抗は
約５Ω／口であった。
以上の実施例では、インジウムとガラス板を用いたが、
ガラス以外のたとえばプラスチックのような基材やその
他の材質（とくにスズ）のカソードを用いても同様の結
果かえられ、温度や他のパラメータに種々の変更を加え
ても同様の結果かえられた。基材の加熱には、導電、対
流および放射加熱（とくにギラリーの米国特許第３９０
７６６０号明ｌｌＩ書に記載されている放射加熱）のど
の方法を用いてもよい。
ガラス以外のたとえばプラスチックのような基材やその
他の材質（とくにスズ）のカソードを用いても同様の結
果かえられ、温度や他のパラメータに種々の変更を加え
ても同様の結果かえられた。基材の加熱には、導電、対
流および放射加熱（とくにギラリーの米国特許第３９０
７６６０号明ｌｌＩ書に記載されている放射加熱）のど
の方法を用いてもよい。
特許出願人 ピーピージー・インダストリー手続ン巾正
書（自発） 昭和６０年２月７日 １事件の表示 昭和５９年特許願第２５３８９９号 ２発明の名称 低抵抗性金属酸化物含有フィルムの形成法３補正をする
者 事件との関係 特許出願人 任 所 アメリカ合衆国、１５２２２ペンシルベニア州
、ピッツバーグ、ワン ゲートウェイ センター（番地
なし） ５補正の対象 （１） 明細書の「特許請求の範囲」の欄６補正の内容 （１） 明１１Ｂの「特許請求の範囲」の欄を別紙［補
正された特許請求の範囲］のとおり補正１゛る。
書（自発） 昭和６０年２月７日 １事件の表示 昭和５９年特許願第２５３８９９号 ２発明の名称 低抵抗性金属酸化物含有フィルムの形成法３補正をする
者 事件との関係 特許出願人 任 所 アメリカ合衆国、１５２２２ペンシルベニア州
、ピッツバーグ、ワン ゲートウェイ センター（番地
なし） ５補正の対象 （１） 明細書の「特許請求の範囲」の欄６補正の内容 （１） 明１１Ｂの「特許請求の範囲」の欄を別紙［補
正された特許請求の範囲］のとおり補正１゛る。
７添付書類の目録
（１）補正された特許請求の範囲 １通補正された特許
請求の範囲 「１ インジウム、スズおよびそれらの混合物よりなる
群から選ばれる金属からなるカソードのスパッタリング
表面に隣接して磁場を形成し、該カソードから基材の表
面に金属酸化物含有フィルムをスパッタリングにより形
成する方法において、スパッタリングするあいだ基材の
温度を周囲温度より充分高く保つことを特徴とする、周
囲温度で基材上に同じように付着されたフィルムよりも
はるかに低い抵抗を有する金属酸化物含有のフィルムを
基材上に形成する方法。
請求の範囲 「１ インジウム、スズおよびそれらの混合物よりなる
群から選ばれる金属からなるカソードのスパッタリング
表面に隣接して磁場を形成し、該カソードから基材の表
面に金属酸化物含有フィルムをスパッタリングにより形
成する方法において、スパッタリングするあいだ基材の
温度を周囲温度より充分高く保つことを特徴とする、周
囲温度で基材上に同じように付着されたフィルムよりも
はるかに低い抵抗を有する金属酸化物含有のフィルムを
基材上に形成する方法。
２ 基材のｍ度が少なくとも約９０℃に保たれる特許請
求の範囲第１項記載の方法。
求の範囲第１項記載の方法。
３ 基材の温度が少なくとも約２００℃に保たれる特許
請求の範囲第２項記載の方法。
請求の範囲第２項記載の方法。
゛ ４ 基材がガラスである特許請求の範囲第３項記載
の方法。
の方法。
５ カソードが約９０％のインジウムと約１０％のスズ
とからなる合金である特許請求の範囲第４項記載の方法
。
とからなる合金である特許請求の範囲第４項記載の方法
。
６ 製造されたフィルムの厚さが約３００オングストロ
ームで約１００Ω／口の抵抗を有する特許請求の範囲第
５項記載の方法。
ームで約１００Ω／口の抵抗を有する特許請求の範囲第
５項記載の方法。
７ 製造されたフィルムが第１オーダーの赤色の干渉効
果を示す厚さであり、約２０Ω／口未満の抵抗を有する
特許請求の範囲第５項記載の方法。
果を示す厚さであり、約２０Ω／口未満の抵抗を有する
特許請求の範囲第５項記載の方法。
８ 製造されたフィルムが第４オーダーの赤色の干渉効
果を示す厚さであり、約１０Ω／口未渦の抵抗を有する
特許請求の範囲第５項記載の方法。
果を示す厚さであり、約１０Ω／口未渦の抵抗を有する
特許請求の範囲第５項記載の方法。
９ 製造されたフィルムが約５Ω／口の抵抗を有する特
許請求の範囲第８項記載の方法。」以 上
許請求の範囲第８項記載の方法。」以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ インジウム、スズおよびそれらの混合物よりなる群
から選ばれた金属からなるカソードのスパッタリング表
面に隣接してｉｔ場を形成し、該カソードから基材の表
面に金属酸化物含有フィルムをスパッタリングにより形
成する方法において、スパッタリングするあいだ基材の
温度を周囲温度より充分高く保つことを特徴とする、周
囲温度で基材上に同じように付着されたフィルムよりも
はるかに低い抵抗を有する金属酸化物含有フィルムを基
材上に形成する方法。 ２ 基材の温度が少なくとも約９０℃に保たれる特許請
求の範囲第１項記載の方法。 ３ 基材の温度が少なくとも約２００ ℃に保たれる特
許請求の範囲第２項記載の方法。 ４ 基材がガラスである特許請求の範囲第３項記載の方
法。 ５ カソードが約９０％のインジウムと約１（）％のス
ズとからなる合金である特許請求の範１ｆ１１第４項記
載の方法。 ６ 製造されたフィルムの厚さが約３００オングストロ
ームで約１０００／口の抵抗を有する特許請求の範囲第
５項記載の方法。 ７ 製造されたフィルムが第１オーダーの赤色の干渉効
果を示す厚さであり、約２０Ω／口未滴の抵抗を有する
特許請求の範囲第５項記載の方法。 ８ 製造されたフィルムが第４オーダーの赤色の干渉効
果を示す厚さでのり、約１ｏΩ／口未満の抵抗を有する
特許請求の範囲第５項記載の方法。 ９ 製造されたフィルムが約５０／口の抵抗を有する特
許請求の範囲第１項記載の方法。 １０ インジウム、スズおよびそれらの混合物よりなる
群から選ばれた金属からなるカソードのスパッタリング
表面に隣接して磁場を形成し、該カソードから基材の表
面に金属酸化物含有フィルムをスパッタリングにより形
成する際に、スパッタリングするあいだ基材の温度を周
囲温度より充分高く保つことにより製造される、周囲温
度で基材上に同じように付着されられたフィルムよりも
はるかに低い抵抗を１ｉＴする金属酸化物含有フィルム
を基材上に有する製品。 １１ 基材の温度が少なくとも約９０℃に保たれる特許
請求の範囲第１０項記載の製品。 １２ 基材の温度が少なくとも約２００℃に保たれる特
許請求の範囲第１１項記載の製品。 １３ 基材がガラスである特許請求の範囲第１２項記戦
の製品。 １４ カソードが約９０％のインジウムと約１０％のス
ズどからなる合金である特許請求の範囲第１３項記載の
製品。 １５ フィルムの厚さが約３００オングストロームで約
１００Ω／口の抵抗を有する特許請求の範囲第１４項記
載の製品。 １６ フィルムが第１オーダーの赤色の干渉効果を示す
厚さであり、約２０Ω／口未満の抵抗を有する特許請求
の範囲第１４項記載の製品。 １７ フィルムが第４オーダーの赤色の干渉効果を示す
厚さであり、約１０Ω／口未満の抵抗を有する特許請求
の範囲第１４項記載の製品。 １８ フィルムが約５Ω／口の抵抗を有する特許請求の
範囲第１７項記載の製品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/556,657 US4512864A (en) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Low resistance indium oxide films |
| US556657 | 1983-11-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138068A true JPS60138068A (ja) | 1985-07-22 |
Family
ID=24222281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59253899A Pending JPS60138068A (ja) | 1983-11-30 | 1984-11-29 | 低抵抗性金属酸化物含有フイルムの形成法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4512864A (ja) |
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Also Published As
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| GB2150599B (en) | 1987-08-12 |
| US4512864A (en) | 1985-04-23 |
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