JPS60136388A - 発光電子装置 - Google Patents
発光電子装置Info
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- JPS60136388A JPS60136388A JP24389983A JP24389983A JPS60136388A JP S60136388 A JPS60136388 A JP S60136388A JP 24389983 A JP24389983 A JP 24389983A JP 24389983 A JP24389983 A JP 24389983A JP S60136388 A JPS60136388 A JP S60136388A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
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- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は発光電子装置、特に埋込みへテロ形の半導体レ
ーザを有する発光電子装置に関する。
ーザを有する発光電子装置に関する。
オーディオディスク、ビデオディスク、光通信等におけ
る発光源として半導体レーザが使用されている。
る発光源として半導体レーザが使用されている。
従来、光通信発光源として、本出願人は、たとえば、電
子材料、１９７９年１２月号、５８〜６１頁にも記載さ
れているようＫ、ＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＰ系の埋込みへ
テロ構造（Ｂ Ｉ（）型の半導体レーザーを開発してい
る。この半導体Ｖ−ザ素子は第１図に示すようにローＩ
ｎＰ の基板１の主面Ｋｎ−Ｉ ｎＰ （７） ハ、、
７７層２ 、 ＩｎＧａＡｓＰ Ｉ）活性層３゜ｐ−
ｘｎｐ のクラッド層４ 、ｐ −ＩｎＧａＡｓＰのキ
ャップ層５を順次形成した多層成長層がストライプ状に
形成されているとともに、この多層成長層の両側にはｐ
−ＩｎＰ のブロッキング層５．ｎ−ＩｎＰ の埋込層
７ 、ｎ −ＩｎＧａＡｓＰのキャップ層８が積層状態
で埋め込まれている。また、多層成長層のコンタクト領
域を除く基板の主面側は絶縁膜９で被われているうそし
て、基板１の主面側および裏面にはそれぞれ電極１０．
１１が取り付けられている。なお、キャップ層８および
クラッド帰４の表層部分にはＺｎが拡散されてＰ＋型の
コンタクト層１２が設けられている。
子材料、１９７９年１２月号、５８〜６１頁にも記載さ
れているようＫ、ＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＰ系の埋込みへ
テロ構造（Ｂ Ｉ（）型の半導体レーザーを開発してい
る。この半導体Ｖ−ザ素子は第１図に示すようにローＩ
ｎＰ の基板１の主面Ｋｎ−Ｉ ｎＰ （７） ハ、、
７７層２ 、 ＩｎＧａＡｓＰ Ｉ）活性層３゜ｐ−
ｘｎｐ のクラッド層４ 、ｐ −ＩｎＧａＡｓＰのキ
ャップ層５を順次形成した多層成長層がストライプ状に
形成されているとともに、この多層成長層の両側にはｐ
−ＩｎＰ のブロッキング層５．ｎ−ＩｎＰ の埋込層
７ 、ｎ −ＩｎＧａＡｓＰのキャップ層８が積層状態
で埋め込まれている。また、多層成長層のコンタクト領
域を除く基板の主面側は絶縁膜９で被われているうそし
て、基板１の主面側および裏面にはそれぞれ電極１０．
１１が取り付けられている。なお、キャップ層８および
クラッド帰４の表層部分にはＺｎが拡散されてＰ＋型の
コンタクト層１２が設けられている。
この半導体レーザ素子（レーザチップ）１３け１対の電
極に所定の電圧が印加されると、活性層端からレーザ光
を発光する。
極に所定の電圧が印加されると、活性層端からレーザ光
を発光する。
ところで、このレーザチップはクラッド層と埋込層との
間の界面状態が良好ではなく、スクリーニング不良が生
じ易いことが本発明者によってあきらかとされた。
間の界面状態が良好ではなく、スクリーニング不良が生
じ易いことが本発明者によってあきらかとされた。
すなわち、このレーザチップ１３は、第１図の要部断面
図で示すように、多層成長層に順バイアスを印加してレ
ーザ発振させた場合、電流ａはキャップ層８．クラッド
層４．活性層３−、バ、ソフ了層２．基板１と順次流れ
る。しかし、活性層３の側部にはクラッド層４と同導電
型のプロ、ソキング層６が位置し、かつ、このブロッキ
ング層６は異導電型のバヅフ丁層２および基板ｌに接し
ている。
図で示すように、多層成長層に順バイアスを印加してレ
ーザ発振させた場合、電流ａはキャップ層８．クラッド
層４．活性層３−、バ、ソフ了層２．基板１と順次流れ
る。しかし、活性層３の側部にはクラッド層４と同導電
型のプロ、ソキング層６が位置し、かつ、このブロッキ
ング層６は異導電型のバヅフ丁層２および基板ｌに接し
ている。
また、ブロッキング層６と接するバ・ンフ丁層２および
基板１との界面はエツチング面に埋込み成長層を形成さ
せることによって形成されるため、必ずしも良好とは言
えないと思え、たとえば立ち上がり電圧（ＰＮ接合をバ
イアスしたときバイアスに比例した電流が流れ出す最小
電圧は、クラッド層４．活性層３．バッフ丁層２におけ
る立ち上がり電圧の０．９ｖよりもわずかに高い１，３
■となる。
基板１との界面はエツチング面に埋込み成長層を形成さ
せることによって形成されるため、必ずしも良好とは言
えないと思え、たとえば立ち上がり電圧（ＰＮ接合をバ
イアスしたときバイアスに比例した電流が流れ出す最小
電圧は、クラッド層４．活性層３．バッフ丁層２におけ
る立ち上がり電圧の０．９ｖよりもわずかに高い１，３
■となる。
この結果、電流の一部はクラッド層４．プロ・ｙキング
層６．バ、ファ層２と活性層３を迂回するような洩れ電
流すとなって流れる。
層６．バ、ファ層２と活性層３を迂回するような洩れ電
流すとなって流れる。
一方、Ｖ−ザ光出力を一定にするように￥ｆ！、圧（′
＃を流）を調整する場合において、クラッド層４と埋込
層７との界面が劣化し、クラッド層４から埋込層７へ洩
れ電流Ｃが発生することも判明した。
＃を流）を調整する場合において、クラッド層４と埋込
層７との界面が劣化し、クラッド層４から埋込層７へ洩
れ電流Ｃが発生することも判明した。
界面の劣化ＵＥＢＩＣ解析によるダークエリア。
発生として認められた。これは界面がエツチング面上に
埋込層を形成することによって形成された結果であり、
ブロムメタノールによるエツチング後の洗浄岬よっても
イオン等が残留したり１表面が酸化したり、あるいは埋
込層成長時の界面部分での結晶成長状態が良好でないこ
と等によるものと推察される。
埋込層を形成することによって形成された結果であり、
ブロムメタノールによるエツチング後の洗浄岬よっても
イオン等が残留したり１表面が酸化したり、あるいは埋
込層成長時の界面部分での結晶成長状態が良好でないこ
と等によるものと推察される。
このように、活性層３を迂回する洩れ電流す。
卯込層７に流入する洩れ電流Ｃの発生、増大和よって叩
電流値は上昇し、駆動電流は変動（増大）する。また、
洩れ電流の増大忙よりて埋込層７とプロ９キング層６と
の間の耐圧は低下し、最終的にはクラッド層４．埋込層
７．ブロッキング層６゜バッフ丁層２と大きな洩れ電流
ｄが流れ、光出力は急激に低下する。
電流値は上昇し、駆動電流は変動（増大）する。また、
洩れ電流の増大忙よりて埋込層７とプロ９キング層６と
の間の耐圧は低下し、最終的にはクラッド層４．埋込層
７．ブロッキング層６゜バッフ丁層２と大きな洩れ電流
ｄが流れ、光出力は急激に低下する。
また、光出力を一定に維持する場合について考えてみる
と、洩れ電流の発生によって駆動電光が増大し、駆動電
流の増大がさらに発熱量の増大を招き光出力を低下させ
ることになる。そして、所望の光出力に到達させるよう
に駆動電流を増大させていくと、活性層における電流密
度が大ｌＷ！に増大して活性層は劣化してしまう。この
ようなことから、洩れ電流の発生、耐圧の劣化は光出方
向上を阻害することになる。
と、洩れ電流の発生によって駆動電光が増大し、駆動電
流の増大がさらに発熱量の増大を招き光出力を低下させ
ることになる。そして、所望の光出力に到達させるよう
に駆動電流を増大させていくと、活性層における電流密
度が大ｌＷ！に増大して活性層は劣化してしまう。この
ようなことから、洩れ電流の発生、耐圧の劣化は光出方
向上を阻害することになる。
本発明の目的は洩れ電流の発生低減により囲電流値が低
くかつ駆動電流の変動が少ない高光出力の半導体レーザ
および半導体レーザを有する発光電子装置を提供するこ
とにある。
くかつ駆動電流の変動が少ない高光出力の半導体レーザ
および半導体レーザを有する発光電子装置を提供するこ
とにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明はｉ３Ｈ構造の半導体レーザチップの
裂造忙おいて、活性層を含む多層成長層の逆メサエツチ
ング後に、埋込成長層を形成する前に工、チングされた
面にＺｎを拡散させ、ともに１１形どなるバッ７丁層お
よび基板の表層部にｐｎ接合を設けた構造とし、このｐ
ｎ接合における立ち上がり電圧が、活性層の部分におけ
るｐ０接合の立ち上がり電圧の０．９ｖに対して２．５
Ｖと高いことを利用し、活性層を迂回してバク７丁層お
よび基板だ流れ込む洩れ電流の発生の低減（防止）し、
前記目的を達成するものである。
裂造忙おいて、活性層を含む多層成長層の逆メサエツチ
ング後に、埋込成長層を形成する前に工、チングされた
面にＺｎを拡散させ、ともに１１形どなるバッ７丁層お
よび基板の表層部にｐｎ接合を設けた構造とし、このｐ
ｎ接合における立ち上がり電圧が、活性層の部分におけ
るｐ０接合の立ち上がり電圧の０．９ｖに対して２．５
Ｖと高いことを利用し、活性層を迂回してバク７丁層お
よび基板だ流れ込む洩れ電流の発生の低減（防止）し、
前記目的を達成するものである。
第２図〜第９図は本発明の一実施例によるレーザチップ
の各製造段階でのンークの断面図である。
の各製造段階でのンークの断面図である。
また、第１０図−同し−ザチッグを箱型のバック−ジに
組み込んだ例であり、光通信用発信装置の断面図である
。
組み込んだ例であり、光通信用発信装置の断面図である
。
この実施例のレーザチップを製造するには、最初に第２
図に示されるようなウェハ（半導体薄板）１４が用意さ
れる。ウニハエ４は不純物濃度が５ｘ１０１ａａｔｏｍ
ｓ１１ｃｍノｎ形ノＩｎＰカラナル基板１であって、厚
さは２００〜３００μｍ程度となっている。また、一枚
のウェハ１４からは多数のレーザチップ１３が同時に製
造される。
図に示されるようなウェハ（半導体薄板）１４が用意さ
れる。ウニハエ４は不純物濃度が５ｘ１０１ａａｔｏｍ
ｓ１１ｃｍノｎ形ノＩｎＰカラナル基板１であって、厚
さは２００〜３００μｍ程度となっている。また、一枚
のウェハ１４からは多数のレーザチップ１３が同時に製
造される。
つぎに、第３図に示すように、このウェハ１４は基板ｌ
の主面（（１００）結晶面〕上に液相エピタキシャル法
によりてｎ−形（不純物濃度が１０ ａｔｏｍｓ・血以
上となり、基板１よりも低い。）のＩｎＰ のバッフ下
層２ 、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層３．ＩｎＰ か
らなるｐ形のクラッド層４（不純物濃度は１０” ａｔ
ｏｍｓｅｃｍ ）、ＩｎＧａＡｓＰからなるｐ形のキャ
ップ層５が順次積層形成される。
の主面（（１００）結晶面〕上に液相エピタキシャル法
によりてｎ−形（不純物濃度が１０ ａｔｏｍｓ・血以
上となり、基板１よりも低い。）のＩｎＰ のバッフ下
層２ 、ＩｎＧａＡｓＰからなる活性層３．ＩｎＰ か
らなるｐ形のクラッド層４（不純物濃度は１０” ａｔ
ｏｍｓｅｃｍ ）、ＩｎＧａＡｓＰからなるｐ形のキャ
ップ層５が順次積層形成される。
前記活性層３は数百への厚さとなり、他の層は１μｍ前
後の厚さとなっている。
後の厚さとなっている。
つぎに、第４図に示すように、このウェハ１４の主面に
は平行ＫＩｌ’７ｉ（が５〜６μｍ程度の帯状の５ｉｎ
２膜等からなるマスク１５が複数（図では１条のマスク
のみを示す。）形成される。マスク１５から露出する半
導体層（多層成長層）はブロムメタノールによりエツチ
ングされ、マスク１５の下部にけ逆メサ状のストライプ
からなる多層成長層（メサ部）１６が形成される。
は平行ＫＩｌ’７ｉ（が５〜６μｍ程度の帯状の５ｉｎ
２膜等からなるマスク１５が複数（図では１条のマスク
のみを示す。）形成される。マスク１５から露出する半
導体層（多層成長層）はブロムメタノールによりエツチ
ングされ、マスク１５の下部にけ逆メサ状のストライプ
からなる多層成長層（メサ部）１６が形成される。
つぎに、第５図に示すように、ウェハ１４はｐ導電型決
定不純物の一つであるＺｎ（あるいはＳｎ）をアンプル
拡散される。この例では特に限定されないがマスク１５
を除去しないことから、ウェハ１４の主面のエツチング
されたエツチング面ＫＯ，１〜０，３μｍ程度の深さに
Ｚｎが拡散される。このＺｎの拡散領域は洩れ電流抑止
層１７となり、不純物濃度が１０〜１０ａｔＯｍＳ−Ｃ
ｍ′程度のｐ層となる。
定不純物の一つであるＺｎ（あるいはＳｎ）をアンプル
拡散される。この例では特に限定されないがマスク１５
を除去しないことから、ウェハ１４の主面のエツチング
されたエツチング面ＫＯ，１〜０，３μｍ程度の深さに
Ｚｎが拡散される。このＺｎの拡散領域は洩れ電流抑止
層１７となり、不純物濃度が１０〜１０ａｔＯｍＳ−Ｃ
ｍ′程度のｐ層となる。
つぎに％第６図に示すように、ウェハ１４の主面はマス
クエ５を除去された後、エツチングによって窪んだ領域
にｐ形のＩｎＰ からなるブロッキング層６．ｎ形のＩ
ｎＰ からなる埋込層５．ｎ形のＩｎＧａＡｓＰ から
なるキャップ層８が順次埋め込み成長形成される。
クエ５を除去された後、エツチングによって窪んだ領域
にｐ形のＩｎＰ からなるブロッキング層６．ｎ形のＩ
ｎＰ からなる埋込層５．ｎ形のＩｎＧａＡｓＰ から
なるキャップ層８が順次埋め込み成長形成される。
つぎに、第７図に示すように、ウェハ１４の主面はメサ
部１６の上面が露出するようなマスク１８が形成され、
Ｚｎが拡散される。マスク１８は絶縁膜（ＣＶＤ−ＰＳ
Ｇ膜）１９およびこの絶縁膜１９をパターニングするた
めに用いられたホトレジスト膜２０である。この結果、
メサ部１６にはクラッド層４の途中深さに迄達するｐ層
形のコンタクト層１２が形成される。
部１６の上面が露出するようなマスク１８が形成され、
Ｚｎが拡散される。マスク１８は絶縁膜（ＣＶＤ−ＰＳ
Ｇ膜）１９およびこの絶縁膜１９をパターニングするた
めに用いられたホトレジスト膜２０である。この結果、
メサ部１６にはクラッド層４の途中深さに迄達するｐ層
形のコンタクト層１２が形成される。
つぎに１第８図に示すように、マスクのホトレジスト膜
２Ｏが除去された後、ウェハ１４の主面には下層がＣｒ
、上層がＡｕからなる電極１０が設ゆられる。また、ウ
ェハ１４は下面の基板部分がエツチングされ、基板厚さ
が１００μｍとされた後、ＡｕＧｅＮｉ、ｐｃｔ、Ａｕ
、！１．順次蒸着が行なわれてもう一つの電極１１が
形成される。また、ウェハ１４は分断化されて、第９図
に示すようなりＨ構造のレーザチップ１３が製造される
。
２Ｏが除去された後、ウェハ１４の主面には下層がＣｒ
、上層がＡｕからなる電極１０が設ゆられる。また、ウ
ェハ１４は下面の基板部分がエツチングされ、基板厚さ
が１００μｍとされた後、ＡｕＧｅＮｉ、ｐｃｔ、Ａｕ
、！１．順次蒸着が行なわれてもう一つの電極１１が
形成される。また、ウェハ１４は分断化されて、第９図
に示すようなりＨ構造のレーザチップ１３が製造される
。
このようなレーザチップ１３は発光波長が１，３μｍ帯
であるため、第１０図で示すように、光通信用の発信装
置２１に光源として組み込まれる。
であるため、第１０図で示すように、光通信用の発信装
置２１に光源として組み込まれる。
すなわち、発信装置は金属製のステム２２の窪み底中央
の台座部２３にレーザチップ１３をサブマウント２４を
介して固定した構造となっている。
の台座部２３にレーザチップ１３をサブマウント２４を
介して固定した構造となっている。
また、ステム２シの周壁にはファイバーガイド２５が貫
通され鑞材２６によって気密的にステム２２に固定され
ている。このファイバーガイド２５にはファイバケーブ
ル２７が挿入されている。また、ファイバーケーブル２
７の内端部分はジャケットを剥がされてコアとクラッド
からなる光ファイバ２８となり、レーザチップ１３に対
面し、レーザ光を光フアイバ２８１／ｉＫ取り込むよう
になっている。また、光ファイバ２８の先端部分は固定
材２９によってレーザチップ１３に対する位置が変動し
ないようＫなっている。また、光ファイバ２８とファイ
バーガイド２５とは鑞材３ｏで気密封止され、光ファイ
バ２８を伝わって水分がステム２２内に入らないように
配慮されている。
通され鑞材２６によって気密的にステム２２に固定され
ている。このファイバーガイド２５にはファイバケーブ
ル２７が挿入されている。また、ファイバーケーブル２
７の内端部分はジャケットを剥がされてコアとクラッド
からなる光ファイバ２８となり、レーザチップ１３に対
面し、レーザ光を光フアイバ２８１／ｉＫ取り込むよう
になっている。また、光ファイバ２８の先端部分は固定
材２９によってレーザチップ１３に対する位置が変動し
ないようＫなっている。また、光ファイバ２８とファイ
バーガイド２５とは鑞材３ｏで気密封止され、光ファイ
バ２８を伝わって水分がステム２２内に入らないように
配慮されている。
一方、ステム２２の他側壁にはモニタファイバケーブル
３１が貫通固定され、内端の光ファイバ２８、レーザチ
ップ１３の他のレーザ光出射面に対峙させている。この
モニタファイバ・ケーブル３１およびモニタ光７フイバ
３２は鑞材３３，３４によってステム２２内を気密に維
持するようになっている。またステム２２の窪み部分は
金属與のキャップ３５によって気密封止されている。
３１が貫通固定され、内端の光ファイバ２８、レーザチ
ップ１３の他のレーザ光出射面に対峙させている。この
モニタファイバ・ケーブル３１およびモニタ光７フイバ
３２は鑞材３３，３４によってステム２２内を気密に維
持するようになっている。またステム２２の窪み部分は
金属與のキャップ３５によって気密封止されている。
このような発信装置２１は図示しないリード間に所定の
電圧が印加されることにより、レーザチップ１３からレ
ーザ光を発光する。レーザ光は光ファイバを媒体として
所望箇所に伝送される。寸だ、レーザ光の光出力は常時
モニタ光ファイバによってモニタ、おれ、光出力が一定
となるように制御される。
電圧が印加されることにより、レーザチップ１３からレ
ーザ光を発光する。レーザ光は光ファイバを媒体として
所望箇所に伝送される。寸だ、レーザ光の光出力は常時
モニタ光ファイバによってモニタ、おれ、光出力が一定
となるように制御される。
ｔｉｔ 本発明のレーザチップ１３はプロ１．キング層
６の下面にクラッド層４と同じ導電形（ｐ形）からなる
拡散によって形成された洩れ電流抑止層１７が設けられ
ている。この洩れ電流抑止層１７はｎ形のバッフ１層２
および基板１との間に拡散にょるｐｎ接合を生じるが、
このｐｎ接合における立ち上がり電圧は、従来構造のバ
、ソファ層と駈込みによるブロッキング層との間のｐｎ
接合の場合のたとえば１．３ Ｖ Ｋ比較して、たとえ
ば２．５Ｖと遥か九大きい。この結果、本発明のレーザ
チップは洩れ電流が大幅に低減されるため、間型流値が
低くなる。
６の下面にクラッド層４と同じ導電形（ｐ形）からなる
拡散によって形成された洩れ電流抑止層１７が設けられ
ている。この洩れ電流抑止層１７はｎ形のバッフ１層２
および基板１との間に拡散にょるｐｎ接合を生じるが、
このｐｎ接合における立ち上がり電圧は、従来構造のバ
、ソファ層と駈込みによるブロッキング層との間のｐｎ
接合の場合のたとえば１．３ Ｖ Ｋ比較して、たとえ
ば２．５Ｖと遥か九大きい。この結果、本発明のレーザ
チップは洩れ電流が大幅に低減されるため、間型流値が
低くなる。
（２） 上記（１）のように、洩れ電流の発生が少なく
なることから、駆８ｔｈ電流の変動（増大）が起きなく
なり、温度特性も向上するため、素子の劣化が起き難く
なり、素子の長寿命化が達成できる。
なることから、駆８ｔｈ電流の変動（増大）が起きなく
なり、温度特性も向上するため、素子の劣化が起き難く
なり、素子の長寿命化が達成できる。
（３） 上記ｆｌ） 、 ＋２１から間型流値が低く、
駆＃Ｊ電流の低減が図れる結果、光出力の向上が達成で
きる。
駆＃Ｊ電流の低減が図れる結果、光出力の向上が達成で
きる。
＋４１ 上Ｕ己＋１７〜１３）により、レーザチップ゛
のスクリーニング歩留向上が図れるため、レーザチップ
のコスト低減が達成でさる。
のスクリーニング歩留向上が図れるため、レーザチップ
のコスト低減が達成でさる。
（５） 本発明のレーザチップを組み込んだ発信装置は
闘′二流値が低くかつ駆動電流が変動しないため信頼度
が高く安定した通信ができることになる。
闘′二流値が低くかつ駆動電流が変動しないため信頼度
が高く安定した通信ができることになる。
１６】 本発明のレーザチップを組み込んだ発信装置は
間型流値が低いことから駆動電流も小さい。この結果、
光通信の使用−力も小さくでき経済的にも優れたものと
なる。
間型流値が低いことから駆動電流も小さい。この結果、
光通信の使用−力も小さくでき経済的にも優れたものと
なる。
以上本発明者によってなされた発明な実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいう１でもない。たとえば、洩れ電流抑
止層の形成深さがメサ部のキャップ層よりも深くなるよ
うに形成する場合には、洩れ電流抑止層を形成する際、
メサ部上のマスクを除去してオケば、同時にクラッド層
に対するコンタクト層が形成されることになるので、従
来独立して設けられていたコンタクト層形成工程が廃止
でき、コスト軽減化が図れることになる。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいう１でもない。たとえば、洩れ電流抑
止層の形成深さがメサ部のキャップ層よりも深くなるよ
うに形成する場合には、洩れ電流抑止層を形成する際、
メサ部上のマスクを除去してオケば、同時にクラッド層
に対するコンタクト層が形成されることになるので、従
来独立して設けられていたコンタクト層形成工程が廃止
でき、コスト軽減化が図れることになる。
また、第１１図に示すように、ブロッキング層６の下面
に厚さが０．１〜０．５μｍの高抵抗の真性層からなる
洩れ電流抑止層１７を設けてもよい。
に厚さが０．１〜０．５μｍの高抵抗の真性層からなる
洩れ電流抑止層１７を設けてもよい。
この層は、メサエッチング後の埋込み成長工程時に形成
される。
される。
この実施例のレーザチップは、洩れｔ流抑止層１７が高
抵抗であるため、電流が流れ難くなるとともに、洩れ電
流抑止層１７とバッフ１層４との界面におけるバイアス
電圧も、洩れ電流抑止層１７が高抵抗であるため電流と
抵抗の積に相当する電圧降下があることから低くなり、
洩れ電流の大幅な低減が達成できるようになる。さらに
もれ電流を低く押えることにより、Ｖ−ザー発振のため
の開電流を低くでき、電流変化がないため、長期寿命の
レーザ素子が得られる。
抵抗であるため、電流が流れ難くなるとともに、洩れ電
流抑止層１７とバッフ１層４との界面におけるバイアス
電圧も、洩れ電流抑止層１７が高抵抗であるため電流と
抵抗の積に相当する電圧降下があることから低くなり、
洩れ電流の大幅な低減が達成できるようになる。さらに
もれ電流を低く押えることにより、Ｖ−ザー発振のため
の開電流を低くでき、電流変化がないため、長期寿命の
レーザ素子が得られる。
〔オリ用分野〕
以上の説明では主どして本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である長敦長用発光電子装
置技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば、ＧａＡｓ−ＧａＡｌｋ
ｓ系の赤外光レーザ、または発光ダイオード、もしくは
光ＩＣ等細り発光電子装置にも適用できる。
をその背景となった利用分野である長敦長用発光電子装
置技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば、ＧａＡｓ−ＧａＡｌｋ
ｓ系の赤外光レーザ、または発光ダイオード、もしくは
光ＩＣ等細り発光電子装置にも適用できる。
第１図は従来のＢＨし〜ザチップの断面図、第２図は本
発明の一実施例によるＢＨレーザチップの製造に用いる
ウェハの断面図、 第３図は同じく多層成長層を有するウェハの断面図、 第４図は同じく逆メサエツチングを施したウェハの断面
図、 第５図は同じ（Ｚｎ拡散状態を示す断面図、第６図は同
じく埋込み層形成状態を示す断面図、第７図は同じ（Ｚ
ｎ拡散状態を示す断面図、第８図は同じく電極形成状態
を示す断面図、第９図は同じくレーザチップの断面図、
第１０図は本発明による光通信用の発信装置となる発光
電子装置の断面図、 第１１図は他の実施例によるレーザチップの断面図であ
る。 １・・・基板、２・・・バッフ７層、３・・・活性層、
４・・・クラッド層、５・・・キャップ層、６・・・ブ
ロッキング層、７・・・埋込層、８・・・キャップ層、
９・・・絶縁膜、１０．１１・・電極、１２・・・コン
タクト層、１３・・レーザチップ、１４・・・ウェハ、
１５・・・マスク、１６・・・多層成長層（メサ部）、
１７・・・洩れ電流抑止層、１Ｂ・・・マスク、１９・
・絶縁膜、２０・・・ホトレジスト膜、２１・・発信装
置、２２・・・ステム、２３・・・台座部、２４・・サ
ブマウント、２５・・ファイバガイド、２６・・・鑞材
、２７・・・ファイバケーブル、２Ｂ・・・光ファイバ
、２９・・・固定材、３０・・・鑞材、３１・・・モニ
タフ下イバーケーブル、３２・・・モニタ光ファイバ、
３３．３４・・・対談材、３５・・キャップ。 第 １ 図 第 ２ 図 ／ 第 ５ 図 第６図 第 ７ 図 ／２ 第 ９ 図 第１０図
発明の一実施例によるＢＨレーザチップの製造に用いる
ウェハの断面図、 第３図は同じく多層成長層を有するウェハの断面図、 第４図は同じく逆メサエツチングを施したウェハの断面
図、 第５図は同じ（Ｚｎ拡散状態を示す断面図、第６図は同
じく埋込み層形成状態を示す断面図、第７図は同じ（Ｚ
ｎ拡散状態を示す断面図、第８図は同じく電極形成状態
を示す断面図、第９図は同じくレーザチップの断面図、
第１０図は本発明による光通信用の発信装置となる発光
電子装置の断面図、 第１１図は他の実施例によるレーザチップの断面図であ
る。 １・・・基板、２・・・バッフ７層、３・・・活性層、
４・・・クラッド層、５・・・キャップ層、６・・・ブ
ロッキング層、７・・・埋込層、８・・・キャップ層、
９・・・絶縁膜、１０．１１・・電極、１２・・・コン
タクト層、１３・・レーザチップ、１４・・・ウェハ、
１５・・・マスク、１６・・・多層成長層（メサ部）、
１７・・・洩れ電流抑止層、１Ｂ・・・マスク、１９・
・絶縁膜、２０・・・ホトレジスト膜、２１・・発信装
置、２２・・・ステム、２３・・・台座部、２４・・サ
ブマウント、２５・・ファイバガイド、２６・・・鑞材
、２７・・・ファイバケーブル、２Ｂ・・・光ファイバ
、２９・・・固定材、３０・・・鑞材、３１・・・モニ
タフ下イバーケーブル、３２・・・モニタ光ファイバ、
３３．３４・・・対談材、３５・・キャップ。 第 １ 図 第 ２ 図 ／ 第 ５ 図 第６図 第 ７ 図 ／２ 第 ９ 図 第１０図
Claims (1)
- １、半導体の基板と、この基板の主面上にストライブ状
に積層形成されかつ中層に位置する活性層の上下面はそ
れぞれへテロ構造となる多層成長層と、この多層成長層
の側部に埋め込み成長によって形成されたブロッキング
層と、を有する発光電子装置であって、少なくとも前記
ブロッキング層の下面には洩れ電流抑止層が設けられて
いることを特徴とする発光電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24389983A JPS60136388A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 発光電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24389983A JPS60136388A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 発光電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136388A true JPS60136388A (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=17110652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24389983A Pending JPS60136388A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 発光電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136388A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266694A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
| US4849372A (en) * | 1987-02-18 | 1989-07-18 | Mitsubishi Kenki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method of producing same |
| US6011811A (en) * | 1996-02-27 | 2000-01-04 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Buried heterostructure with aluminum-free active layer and method of making same |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP24389983A patent/JPS60136388A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266694A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 |
| US4849372A (en) * | 1987-02-18 | 1989-07-18 | Mitsubishi Kenki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method of producing same |
| US4910745A (en) * | 1987-02-18 | 1990-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US6011811A (en) * | 1996-02-27 | 2000-01-04 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Buried heterostructure with aluminum-free active layer and method of making same |
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