JPS60134616A - ダイヤフラム型圧電共振子 - Google Patents
ダイヤフラム型圧電共振子Info
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- JPS60134616A JPS60134616A JP24353283A JP24353283A JPS60134616A JP S60134616 A JPS60134616 A JP S60134616A JP 24353283 A JP24353283 A JP 24353283A JP 24353283 A JP24353283 A JP 24353283A JP S60134616 A JPS60134616 A JP S60134616A
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- substrate
- piezoelectric resonator
- electrodes
- electrode
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は組立て作業性の向上を図り得るダイヤフラム型
圧電共振子に関する。
圧電共振子に関する。
Zn0等の圧電体の厚み方向の振動を利用した圧電共振
子は、各種電子回路装置に幅広く用いられている。従来
、この種の圧電共振子は、圧電体の厚みを数十銅以下に
することが困難であったことから、百MHz程度の動作
周波数特性を有するものしかなかったが、近年、百MH
z以上の高い周波数で動作する圧電共振子が開発される
ようになった。
子は、各種電子回路装置に幅広く用いられている。従来
、この種の圧電共振子は、圧電体の厚みを数十銅以下に
することが困難であったことから、百MHz程度の動作
周波数特性を有するものしかなかったが、近年、百MH
z以上の高い周波数で動作する圧電共振子が開発される
ようになった。
この圧電共振子は、例えば第1図(a) 、 (b)K
その基本構造を示すように、肉薄ダイヤフラムを形成し
た基板1上に、薄膜形成技術を利用して圧電体2を形成
した構造を有するもので、ダイヤフラム型圧電共振子と
称されている。このよう表構造の共振子は、例えば(1
00)面を主面とするシリコン基板1を鏡面研磨したの
ち、その両面を熱酸化処理して5102膜3を形成する
。
その基本構造を示すように、肉薄ダイヤフラムを形成し
た基板1上に、薄膜形成技術を利用して圧電体2を形成
した構造を有するもので、ダイヤフラム型圧電共振子と
称されている。このよう表構造の共振子は、例えば(1
00)面を主面とするシリコン基板1を鏡面研磨したの
ち、その両面を熱酸化処理して5102膜3を形成する
。
しかるのち、その−面の8102膜3に(100)面に
平行表窓を形成したのち、5102膜3をマスクとして
前記シリコン基板1を異方性エツチングし、8102/
8iからなる肉薄ダイヤフラム部4を形成する。その後
、該肉薄ダイヤフラム部4にAA等からなる下部電極5
.圧電体2.上部電極6を順にパメーニングし乍ら薄膜
形成することKよって、ダイヤフラム型圧電共振子が製
作される・ しかして、このようにして簡易に製作される圧電共振子
の大きさは、圧電体2の動作を妨げることのない基板1
0大きさとして、前記電極5.6のパターンの外周と同
程度の大きさに定められる。具体的には、600MHz
帯のダイヤ口 フラム型圧電共振子の場合、約0.5 tanの基板1
が用いられる。
平行表窓を形成したのち、5102膜3をマスクとして
前記シリコン基板1を異方性エツチングし、8102/
8iからなる肉薄ダイヤフラム部4を形成する。その後
、該肉薄ダイヤフラム部4にAA等からなる下部電極5
.圧電体2.上部電極6を順にパメーニングし乍ら薄膜
形成することKよって、ダイヤフラム型圧電共振子が製
作される・ しかして、このようにして簡易に製作される圧電共振子
の大きさは、圧電体2の動作を妨げることのない基板1
0大きさとして、前記電極5.6のパターンの外周と同
程度の大きさに定められる。具体的には、600MHz
帯のダイヤ口 フラム型圧電共振子の場合、約0.5 tanの基板1
が用いられる。
ところが、上述したようにダイヤフラム型圧電共振子の
基板1は、数百μm角と非常に小さく、またその電極5
.6のノ母ターンの大きさも、これに増して小さい。こ
の為、該共振子をパッケージにマウントしてゼンディン
グワイヤ等によシミ極配線を施す場合、ノ9ツケージに
マウントされる共振子の向きが不揃いKなシ易く、ワイ
ヤポンディングの作業性が著しく悪くなると云う問題が
あった。
基板1は、数百μm角と非常に小さく、またその電極5
.6のノ母ターンの大きさも、これに増して小さい。こ
の為、該共振子をパッケージにマウントしてゼンディン
グワイヤ等によシミ極配線を施す場合、ノ9ツケージに
マウントされる共振子の向きが不揃いKなシ易く、ワイ
ヤポンディングの作業性が著しく悪くなると云う問題が
あった。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、そ
の目的とするところは、微小形状の圧電共振子の電極パ
ターンの向きを容易に判別でき、そのマウントやワイヤ
ポンディング等の作業性の向上を図ることのできる実用
性の高いダイヤフラム型圧電共振子を提供することにあ
るO 〔発明の概要〕 本発明は、基板の肉薄ダイヤフラム部に、少くとも一対
の電極に挾まれた圧電体を形成してなるダイヤフラム型
圧電共振子において、その電極導出部の向きを示すべく
、例えば基板の縦横の長さを異らせたシ、或いは上記基
板表面に電極以外のノリーンを形成するよう圧したもの
である。
の目的とするところは、微小形状の圧電共振子の電極パ
ターンの向きを容易に判別でき、そのマウントやワイヤ
ポンディング等の作業性の向上を図ることのできる実用
性の高いダイヤフラム型圧電共振子を提供することにあ
るO 〔発明の概要〕 本発明は、基板の肉薄ダイヤフラム部に、少くとも一対
の電極に挾まれた圧電体を形成してなるダイヤフラム型
圧電共振子において、その電極導出部の向きを示すべく
、例えば基板の縦横の長さを異らせたシ、或いは上記基
板表面に電極以外のノリーンを形成するよう圧したもの
である。
かくして本発明によれば、例えば基板の形状や電極以外
のノリーンを目印として、その電極導出部の向きを判別
できるので、圧電共振子を向きを揃えてノfツケージ忙
マウントし、その向きに応じてワイヤがンディングを整
然と行うことが可能となる。従って、その作業性の飛躍
的な向上を図ることができる。また圧電共振子自体の特
性を阻害する虞れもない等の実用上多大なる効果が奏せ
られる。
のノリーンを目印として、その電極導出部の向きを判別
できるので、圧電共振子を向きを揃えてノfツケージ忙
マウントし、その向きに応じてワイヤがンディングを整
然と行うことが可能となる。従って、その作業性の飛躍
的な向上を図ることができる。また圧電共振子自体の特
性を阻害する虞れもない等の実用上多大なる効果が奏せ
られる。
以下、図面を参照して本発明の実施例につき説明する。
第2図は第1の実施例を示すもので、図中11は本発明
に係るダイヤフラム型圧電共振子である。この圧電共振
子11は、第1図に示す従来のものと同様な構成を有す
るものであるが、5一 基板1の一辺に、前記電極5.6のパターンとは独立な
目印用のノ母ターン12を形成した点を異にしている。
に係るダイヤフラム型圧電共振子である。この圧電共振
子11は、第1図に示す従来のものと同様な構成を有す
るものであるが、5一 基板1の一辺に、前記電極5.6のパターンとは独立な
目印用のノ母ターン12を形成した点を異にしている。
このノ譬ターン12は、側光ば電極5.6と同時1/C
AL等によって形成されるものであるが、印刷インク等
を用いて印刷形成したものであっても良い。またこのツ
リー712を、例えば第3図に示すように文字パターン
とし、これKよって、圧電共振子のロフト番号や製品番
号等を同時に表わすよう忙しても良い。
AL等によって形成されるものであるが、印刷インク等
を用いて印刷形成したものであっても良い。またこのツ
リー712を、例えば第3図に示すように文字パターン
とし、これKよって、圧電共振子のロフト番号や製品番
号等を同時に表わすよう忙しても良い。
しかして圧電共振子11は、前記パターン12を目印と
して、ノ々ツケージ13上に向きを規制されてマウント
されたのチ、ノクツヶージ13の電極リード14a、1
4bとその電極引出部との間を、ワイヤ15m、15b
を用いてがン・ディング接続される。
して、ノ々ツケージ13上に向きを規制されてマウント
されたのチ、ノクツヶージ13の電極リード14a、1
4bとその電極引出部との間を、ワイヤ15m、15b
を用いてがン・ディング接続される。
尚、上記の如くパターン12を形成することに代えて、
例えば第4図に示すように、電極5゜6の電極引出し部
の向きに合せて、基板J自体の縦横の長さL Hr L
Hを相互に異ならせるよう圧しても良い。
例えば第4図に示すように、電極5゜6の電極引出し部
の向きに合せて、基板J自体の縦横の長さL Hr L
Hを相互に異ならせるよう圧しても良い。
6−
かくして本発明によれば、基板1の縦横の長さ、或いは
電極5,6とは異なるノ4メーンを目印として、圧電共
振子11の電極5,6の引出し方向を確認した上で、そ
の向きを揃えて圧電共振子11をパッケージ13にマウ
ントすることができる。しかも、目視による確認によっ
て極めて容易に圧電共振子11の向きを揃えることがで
きる。その上で、ワイヤボンディングを行つので、がン
ディングパッド位置の確認や、その位置決め等を簡易に
行うことができるので、その作業性が非常に良く、微小
な圧電共振子11を効果的に取扱うことができる。しか
も、上記パターン12や、基板1の形状変更は、圧電共
振子11の特性自体には何等悪影響を及はさないので、
その実用的利点は絶大である。
電極5,6とは異なるノ4メーンを目印として、圧電共
振子11の電極5,6の引出し方向を確認した上で、そ
の向きを揃えて圧電共振子11をパッケージ13にマウ
ントすることができる。しかも、目視による確認によっ
て極めて容易に圧電共振子11の向きを揃えることがで
きる。その上で、ワイヤボンディングを行つので、がン
ディングパッド位置の確認や、その位置決め等を簡易に
行うことができるので、その作業性が非常に良く、微小
な圧電共振子11を効果的に取扱うことができる。しか
も、上記パターン12や、基板1の形状変更は、圧電共
振子11の特性自体には何等悪影響を及はさないので、
その実用的利点は絶大である。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例
えばパターン12は電極等に悪影響を及はさない範囲で
任意に作ることができる。
えばパターン12は電極等に悪影響を及はさない範囲で
任意に作ることができる。
また基板10寸法比も、その仕様に応じて、且ツ電極5
.6のパターン外周部を囲むような大きさで任意に定め
ることができる。さらにまた、圧電体を励振する電極を
1.5対や2対とすることもできる。その他、本発明は
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。
.6のパターン外周部を囲むような大きさで任意に定め
ることができる。さらにまた、圧電体を励振する電極を
1.5対や2対とすることもできる。その他、本発明は
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。
第1図(a) 、 (b)はダイヤフラム型圧電共振子
の基本構造を示す図、第2図は本発明の一実施例に係る
圧電共振子の構造を示す図、第3図および第4図はそれ
ぞれ本発明の他の実施例を示す図である。 1・・・基板、2・・・圧電体、4・・・肉薄ダイヤフ
ラム部、5.6・・・電極、11・・・ダイヤフラム型
圧電共振子、12・・・パターン。
の基本構造を示す図、第2図は本発明の一実施例に係る
圧電共振子の構造を示す図、第3図および第4図はそれ
ぞれ本発明の他の実施例を示す図である。 1・・・基板、2・・・圧電体、4・・・肉薄ダイヤフ
ラム部、5.6・・・電極、11・・・ダイヤフラム型
圧電共振子、12・・・パターン。
Claims (3)
- (1)基板に形成された肉薄ダイヤフラム部に少なくと
も一対の電極パターンで挾まれた圧電体を形成すると共
に、前記基板に上記一対の電極パターンの電極導出部の
向きを示す為の手段を設けてなることを特徴とするダイ
ヤフラム型圧電共振子。 - (2)電極導出部の向きを示す為の手段は、電極パター
ンとは独立に基板上に形成されたA?ターンからなるも
のである特許請求の範囲第1項記載のダイヤフラム型圧
電共振子。 - (3)電極導出部の向きを示す為の手段は、基板の縦横
の長さを異ならせたものである特許請求の範囲第1項記
載のダイヤフラム型圧電共振子O
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24353283A JPS60134616A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | ダイヤフラム型圧電共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24353283A JPS60134616A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | ダイヤフラム型圧電共振子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60134616A true JPS60134616A (ja) | 1985-07-17 |
Family
ID=17105291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24353283A Pending JPS60134616A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | ダイヤフラム型圧電共振子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60134616A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5138969A (ja) * | 1974-09-30 | 1976-03-31 | Hitachi Ltd | |
JPS52112284A (en) * | 1976-03-17 | 1977-09-20 | Nippon Chemical Ind | Position detector |
JPS5646257B2 (ja) * | 1977-06-29 | 1981-10-31 |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP24353283A patent/JPS60134616A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5138969A (ja) * | 1974-09-30 | 1976-03-31 | Hitachi Ltd | |
JPS52112284A (en) * | 1976-03-17 | 1977-09-20 | Nippon Chemical Ind | Position detector |
JPS5646257B2 (ja) * | 1977-06-29 | 1981-10-31 |
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