JPS60132334A - フイルムキヤリアボンデイング装置 - Google Patents
フイルムキヤリアボンデイング装置Info
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- JPS60132334A JPS60132334A JP58240226A JP24022683A JPS60132334A JP S60132334 A JPS60132334 A JP S60132334A JP 58240226 A JP58240226 A JP 58240226A JP 24022683 A JP24022683 A JP 24022683A JP S60132334 A JPS60132334 A JP S60132334A
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- bump
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- film
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はあらかじめメノギエ法により形成されたバンプ
をバンプ基板と称されるものに形成し、またガラス板上
で樹脂層を介してフルカットダイシングされた半導体ウ
ェハー基板を用い、フィルムキャリアフィンガーへのバ
ンプの転写と半導体素子の接合とを認識装置を用いて連
続自助で行なうフィルムキャリアボンディング装置に関
するものである。
をバンプ基板と称されるものに形成し、またガラス板上
で樹脂層を介してフルカットダイシングされた半導体ウ
ェハー基板を用い、フィルムキャリアフィンガーへのバ
ンプの転写と半導体素子の接合とを認識装置を用いて連
続自助で行なうフィルムキャリアボンディング装置に関
するものである。
従来例の構成とその問題点
従来のフィルムキャリアボンディング装置ば完全自動で
運転できるものがなく、オだフィルムキャリアフィンガ
ーと半導体素子との接合においてもＸＹｅ三方向の位置
合せが自動釣に行なえるものがなかった。さらに、フィ
ルムキャリアフィンガーと接合される半導体素子の一極
部にはポンプ形成が必要であり汎用半導体素子を用いる
ことができず半導体素子の汎用兜か低いばかりか、実装
。
運転できるものがなく、オだフィルムキャリアフィンガ
ーと半導体素子との接合においてもＸＹｅ三方向の位置
合せが自動釣に行なえるものがなかった。さらに、フィ
ルムキャリアフィンガーと接合される半導体素子の一極
部にはポンプ形成が必要であり汎用半導体素子を用いる
ことができず半導体素子の汎用兜か低いばかりか、実装
。
コスト面でもかなり高価なものになるといった矢面を有
していた。
していた。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、バンプ形成さり、たバンプ基
板」二の所定バンプとフィルムキャリア・フィンガーの
所定の位置とを認識装置と位置決め手段によりＸＹＱ三
方向に位置合わせをし、重ね合わせた状態で、バンプを
ヒートノールを介してフィルムキャリアフィンガーへ転
写させ、その後フィルムキャリアフィンガーへ転写され
たバンプと電極上にバンプ形成されていない汎用半導体
素子の電極部とを前記同様にＸＹｅ三方向位置合わぜし
、重ね合わした状態でヒートツールを介して連続自動で
行なうフィルムキャリアボンディング装置を堤供するも
のである。
板」二の所定バンプとフィルムキャリア・フィンガーの
所定の位置とを認識装置と位置決め手段によりＸＹＱ三
方向に位置合わせをし、重ね合わせた状態で、バンプを
ヒートノールを介してフィルムキャリアフィンガーへ転
写させ、その後フィルムキャリアフィンガーへ転写され
たバンプと電極上にバンプ形成されていない汎用半導体
素子の電極部とを前記同様にＸＹｅ三方向位置合わぜし
、重ね合わした状態でヒートツールを介して連続自動で
行なうフィルムキャリアボンディング装置を堤供するも
のである。
発明の構成
本発明は、フィルムギヤリア、バンプおよび半導体素子
の形状、位置を画像処理により知る認識４Ｉ ｉｔと、
フィルムキャリアを固定保持しＸＹ二方向にモータ、１
駆動により水平移動可能なガイドＸＹ駆動部と、バンプ
基板および半導体ウェノ・一基板を搭載し、直交する二
方向および回動可能なＸＹｅ駆動部と、フィルムキャリ
アフィンガーとバンプおよび汎用半導体素子の成極とを
接合する接合装置とから構成されており、外部で単独に
メッキ法により形成されたバンプをフィルムキャリアフ
ィンガーへ認識装置を用い位置決め転写し、かつ同時に
電極上にバンプのない汎用半導体素子を前記フィンガー
」二に転写さ′ｈ、たバンプを介してフィルムキャリア
フィンガーへ接合−トることで、これまで目視に頼って
いたフィルムキャリアボンディングのアライメント作業
お」：びボンディング作聚が連続自動で生産性高くかつ
信頼性高く実現できる。寸だ、バンプ転写方式の装置の
具現化により汎用半導体素子が使用できるため半導体素
子の汎用性および半導体素費用を含めてのボンディング
総コストも大きく低減できるといったＩ口′有の効果を
有している。
の形状、位置を画像処理により知る認識４Ｉ ｉｔと、
フィルムキャリアを固定保持しＸＹ二方向にモータ、１
駆動により水平移動可能なガイドＸＹ駆動部と、バンプ
基板および半導体ウェノ・一基板を搭載し、直交する二
方向および回動可能なＸＹｅ駆動部と、フィルムキャリ
アフィンガーとバンプおよび汎用半導体素子の成極とを
接合する接合装置とから構成されており、外部で単独に
メッキ法により形成されたバンプをフィルムキャリアフ
ィンガーへ認識装置を用い位置決め転写し、かつ同時に
電極上にバンプのない汎用半導体素子を前記フィンガー
」二に転写さ′ｈ、たバンプを介してフィルムキャリア
フィンガーへ接合−トることで、これまで目視に頼って
いたフィルムキャリアボンディングのアライメント作業
お」：びボンディング作聚が連続自動で生産性高くかつ
信頼性高く実現できる。寸だ、バンプ転写方式の装置の
具現化により汎用半導体素子が使用できるため半導体素
子の汎用性および半導体素費用を含めてのボンディング
総コストも大きく低減できるといったＩ口′有の効果を
有している。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照にしながら
説明する。
説明する。
１はフィルムキャリアであり、２ば貼絵されるフィルム
ギヤリア１を巻き取っている供、拾リールである。３は
ボンディングされた後のフィルムキャリア１を巻き取る
巻き取りリールであり、４はフィルムギヤリア１のフィ
ンガーブハからみ合わないように才るためにフィルムキ
ャリア１の間にテープ状に装入されているスペーサーで
ある。５はフィルムキャリア１、バンプ基板６および半
導体ウェハー基板７の形状、位、進認識を行なう認識カ
メラである。８は認識カメラ５の先端部に固定されたレ
ンズ系である。９はフィルムキャリア１を所定ピッチご
とコマ送りするスプロケットであり、１○はフィルムキ
ャリア１が常にスプロケット９に付勢されるように設け
られた押えローラである。
ギヤリア１を巻き取っている供、拾リールである。３は
ボンディングされた後のフィルムキャリア１を巻き取る
巻き取りリールであり、４はフィルムギヤリア１のフィ
ンガーブハからみ合わないように才るためにフィルムキ
ャリア１の間にテープ状に装入されているスペーサーで
ある。５はフィルムキャリア１、バンプ基板６および半
導体ウェハー基板７の形状、位、進認識を行なう認識カ
メラである。８は認識カメラ５の先端部に固定されたレ
ンズ系である。９はフィルムキャリア１を所定ピッチご
とコマ送りするスプロケットであり、１○はフィルムキ
ャリア１が常にスプロケット９に付勢されるように設け
られた押えローラである。
１１および１２はアイドルローラである。１３はフィル
ムキャリア１の送り方向と逆方向に常に一定張力を力え
るテンションスブロケリトであり、１４はフィルムキャ
リア１が常にテンンヨンスプロケノト１３に旧都される
ように設けられた押えローラである。１５はボンディン
グされるフィルムキャリア１を保持するフィルムキャリ
アガイドである。１６は前後動および上下動し、フィル
ムキャリア１にバンプ転写および半導体素子を１名合す
るヒートツールである。１７はバンプ基板６および半導
体ウェハー基板７を搭載し、直交する二方向ならびに回
動可能に絹み合わされたＸＹｅ駆動部である。
ムキャリア１の送り方向と逆方向に常に一定張力を力え
るテンションスブロケリトであり、１４はフィルムキャ
リア１が常にテンンヨンスプロケノト１３に旧都される
ように設けられた押えローラである。１５はボンディン
グされるフィルムキャリア１を保持するフィルムキャリ
アガイドである。１６は前後動および上下動し、フィル
ムキャリア１にバンプ転写および半導体素子を１名合す
るヒートツールである。１７はバンプ基板６および半導
体ウェハー基板７を搭載し、直交する二方向ならびに回
動可能に絹み合わされたＸＹｅ駆動部である。
１８はＸＹｅ駆動部１７のＸＹニ方向の移動位置表示を
する表示器であり、１９は認識カメラ５により得られた
画像を二値化処理し映しだすモニターテレビである。２
ｏおよび２１（ｄヒートツ−ル１６の温度制御をする温
度制御装置である。
する表示器であり、１９は認識カメラ５により得られた
画像を二値化処理し映しだすモニターテレビである。２
ｏおよび２１（ｄヒートツ−ル１６の温度制御をする温
度制御装置である。
２２は認識カメラ５より得られた画像を二値化処理する
認識装置４であり、２３１ｄアクチユエータのシーケン
ス動作等を指示するマイクロコンピュータ、２４はＮＣ
ｌ−ライバーである。２５は操作盤であり、２６は本体
フレームである。
認識装置４であり、２３１ｄアクチユエータのシーケン
ス動作等を指示するマイクロコンピュータ、２４はＮＣ
ｌ−ライバーである。２５は操作盤であり、２６は本体
フレームである。
以上のように構成さノｔたフィルムギヤリアボンディン
グ装置において、以下その動作を説明する。
グ装置において、以下その動作を説明する。
供給リール２に巻かれているフィルムキャリア１はスプ
ロケット９を接続さね、ているモータ２７の矢印Ｂ方向
への所定回転により矢印入方向へ所定ヒツチ送り出され
る。この時スプロケット９の送りバラツキを最小におさ
えるため、テンノヨンスプロケノト１３はトルクモータ
２８と接続され矢印Ｃ方向に常に一定張力を加えるよう
になっており、フィルムギヤリア１はＡｆＪ記張力によ
りフィルムギヤリアガイド１６に／１１つて保持されて
いる。
ロケット９を接続さね、ているモータ２７の矢印Ｂ方向
への所定回転により矢印入方向へ所定ヒツチ送り出され
る。この時スプロケット９の送りバラツキを最小におさ
えるため、テンノヨンスプロケノト１３はトルクモータ
２８と接続され矢印Ｃ方向に常に一定張力を加えるよう
になっており、フィルムギヤリア１はＡｆＪ記張力によ
りフィルムギヤリアガイド１６に／１１つて保持されて
いる。
２９．３０はトルク七−夕であり、それぞれ矢印り方向
および矢印Ｅツノ向に常に回転しようとし、フィルムキ
ャリア１の巻きたるみを防土している。
および矢印Ｅツノ向に常に回転しようとし、フィルムキ
ャリア１の巻きたるみを防土している。
認識カメラ５の認識軸Ｚ１−２２の下に配置さｌｔ・た
フィルムキャリア１の１コマ３１は、フィルムキャリア
ガイド１５を直交する二方向に移動させるモータ３２．
３３の回転動作によりボールネジ３４．３５を介して矢
印に方向、矢印り方向に水平移動し、認識カメラ５の視
野内に捷ず視野Ｓ１を採り込み、次に再度フィルムキャ
リアガイド１５を水平移動させ視！ｌｊＪ、 ３２を採
り込まぜる。この二つの視野８１．３２を画像処理し、
第一の視野Ｓ１のフィルムキャリア１のフィンガー３６
の先端部位置Ｔ１．Ｔ２．Ｔ３．Ｔ４からその平均座標
ポイントＴＡを得て、第二の視野Ｓ２のフィンガー３６
の先端部位置Ｔ５．Ｔ６．Ｔ７．Ｔ８からも同様にその
平均座標ポイントＴＢを得る。この二点ＴＡ、ＴＢより
認識カメラ５の下に配置されている１コマ３１のＸ方向
、Ｙ方向および回転方向の位置ズレおよびフィンガー３
６の形状確認を行なう。
フィルムキャリア１の１コマ３１は、フィルムキャリア
ガイド１５を直交する二方向に移動させるモータ３２．
３３の回転動作によりボールネジ３４．３５を介して矢
印に方向、矢印り方向に水平移動し、認識カメラ５の視
野内に捷ず視野Ｓ１を採り込み、次に再度フィルムキャ
リアガイド１５を水平移動させ視！ｌｊＪ、 ３２を採
り込まぜる。この二つの視野８１．３２を画像処理し、
第一の視野Ｓ１のフィルムキャリア１のフィンガー３６
の先端部位置Ｔ１．Ｔ２．Ｔ３．Ｔ４からその平均座標
ポイントＴＡを得て、第二の視野Ｓ２のフィンガー３６
の先端部位置Ｔ５．Ｔ６．Ｔ７．Ｔ８からも同様にその
平均座標ポイントＴＢを得る。この二点ＴＡ、ＴＢより
認識カメラ５の下に配置されている１コマ３１のＸ方向
、Ｙ方向および回転方向の位置ズレおよびフィンガー３
６の形状確認を行なう。
第４図において、ｔＡ、ｔＢはフィルムキャリア１の１
コマ３１のセンターが認識軸２１−２２上のセンター〇
と一致し、かつＸＹ両認識座標軸に対し傾きがない場合
の基準平均座標ポイントである。この基準平均座標ポイ
ン）ｔＡ、ｔＢと実際に視野Ｓ１．Ｓ２に採り込まノｔ
た画像から得られた平均座標ポイントＴＡ、ＴＢとから
配置された１コマ３１のＸ方向、Ｙ方向および回転方向
の位置ズレデータを得る。
コマ３１のセンターが認識軸２１−２２上のセンター〇
と一致し、かつＸＹ両認識座標軸に対し傾きがない場合
の基準平均座標ポイントである。この基準平均座標ポイ
ン）ｔＡ、ｔＢと実際に視野Ｓ１．Ｓ２に採り込まノｔ
た画像から得られた平均座標ポイントＴＡ、ＴＢとから
配置された１コマ３１のＸ方向、Ｙ方向および回転方向
の位置ズレデータを得る。
Ｏ′は実際に画像より得らり、た１コマ３１のセンター
であり、Δθニｅ、ｒ−ｅｏとすると、前記１コマ３１
をＸ方向にΔＸ、Ｙ方向にΔＹ、回転方向にΔｅだけ位
置補正すればよいことになる。フ４）レムキャリア１を
保持移動させるフィルムキャリアガイド１５ばＸ方向、
Ｙ方向のみ移動可能なので、ここでは前記直交する二方
向の位置補１Ｅのみをモータ３２，３３により行ない、
回転方向の補＋’Ｅ分Δθはバンプ基板６、および半導
１木ウエノ・−清（板７側で行なう。４６は認識カメラ
５を丹ζ−ルネジ４７を介して矢印Ｆ方向に」ニ下可能
にしたモータであり、モータ４６の上下動により、フィ
ンガー３６に認識カメラ５の焦点を合わせる。
であり、Δθニｅ、ｒ−ｅｏとすると、前記１コマ３１
をＸ方向にΔＸ、Ｙ方向にΔＹ、回転方向にΔｅだけ位
置補正すればよいことになる。フ４）レムキャリア１を
保持移動させるフィルムキャリアガイド１５ばＸ方向、
Ｙ方向のみ移動可能なので、ここでは前記直交する二方
向の位置補１Ｅのみをモータ３２，３３により行ない、
回転方向の補＋’Ｅ分Δθはバンプ基板６、および半導
１木ウエノ・−清（板７側で行なう。４６は認識カメラ
５を丹ζ−ルネジ４７を介して矢印Ｆ方向に」ニ下可能
にしたモータであり、モータ４６の上下動により、フィ
ンガー３６に認識カメラ５の焦点を合わせる。
次にバンプ基板６について第５１閾、第６図において説
明する。バンプ基板６は絶縁物よりなり、その上にメッ
キ電極層３７があり、さらにその上には開孔部３８を有
したレジストが形成されている。このバンプ基板６を用
いメノキエ去により開孔部３８に金バンプ４Ｏを形成す
る。）くンプ４Ｏは接合される半導体素子の電極部に対
応するように第６図のように配置形成されている。
明する。バンプ基板６は絶縁物よりなり、その上にメッ
キ電極層３７があり、さらにその上には開孔部３８を有
したレジストが形成されている。このバンプ基板６を用
いメノキエ去により開孔部３８に金バンプ４Ｏを形成す
る。）くンプ４Ｏは接合される半導体素子の電極部に対
応するように第６図のように配置形成されている。
バンプ基板６はＸＹｅ駆動部１７上に設けられたバンプ
基板ステージ４１の上に吸着固定され、リニアスケール
４２ａ、４２ｂで読み取りを行ないながらモータ４４．
４５．４６の駆＠蹟より前記フィルムキャリア１の配置
された１コマ３１の下へ矢印Ｇ方向、矢印Ｈ方向への水
平移動およびＩ方向回動を行ないフィンガー３６とノく
ンプ４ｏの重ね合わせを行なう。４８はバンプ４ｏの形
成ラインｘＢと認識軸Ｘとを一致させるようにノくンプ
基板ステージ４１を矢印Ｊ方向に回転させるモータであ
る。４９はボールネジでありモータ４５と接続され、認
識軸２１−２２と一致する回転中心に対しｅテーブル６
Ｏを回動させる。
基板ステージ４１の上に吸着固定され、リニアスケール
４２ａ、４２ｂで読み取りを行ないながらモータ４４．
４５．４６の駆＠蹟より前記フィルムキャリア１の配置
された１コマ３１の下へ矢印Ｇ方向、矢印Ｈ方向への水
平移動およびＩ方向回動を行ないフィンガー３６とノく
ンプ４ｏの重ね合わせを行なう。４８はバンプ４ｏの形
成ラインｘＢと認識軸Ｘとを一致させるようにノくンプ
基板ステージ４１を矢印Ｊ方向に回転させるモータであ
る。４９はボールネジでありモータ４５と接続され、認
識軸２１−２２と一致する回転中心に対しｅテーブル６
Ｏを回動させる。
フィンガー３６とバンプ基板６上のノくンプ４Ｏが位置
合わせされた状態で、第７図（ａ） 、 （ｂ）図に示
すようにバンプ基板ステージ４１は矢印Ｍ方向に接合高
さ１で」ニ昇し、高温に保持されたヒートツール１６の
矢印Ｎ方向の下降動作によりバンプ基板６の上に形成さ
れた複数のバンプ４ｏはフィンガー３６に転写される。
合わせされた状態で、第７図（ａ） 、 （ｂ）図に示
すようにバンプ基板ステージ４１は矢印Ｍ方向に接合高
さ１で」ニ昇し、高温に保持されたヒートツール１６の
矢印Ｎ方向の下降動作によりバンプ基板６の上に形成さ
れた複数のバンプ４ｏはフィンガー３６に転写される。
転写完了後ヒートツール１６は初期位置へ上昇し、バン
プ基板ステージ４１は初期位置へ下降する。
プ基板ステージ４１は初期位置へ下降する。
バンプ４ｏの転写後ＸＹ○駆動部１了上に設けられた半
導体ウエノ・一基板７を吸着固定しているウェハー基板
ステージ５１はリニアスケール４２ａ。
導体ウエノ・一基板７を吸着固定しているウェハー基板
ステージ５１はリニアスケール４２ａ。
４２ｂ で読み取りを行ないながらモータ４４．．４６
゜４６の駆動により前記フィルムキャリア１のバンプ４
０の転写された１コマ３１の下へ矢印Ｇ方向。
゜４６の駆動により前記フィルムキャリア１のバンプ４
０の転写された１コマ３１の下へ矢印Ｇ方向。
矢印Ｈ方向への水平移動および二方向回動を行ないフィ
ンガー３６に転写されたバンプ４Ｏと重ね合わをれる。
ンガー３６に転写されたバンプ４Ｏと重ね合わをれる。
半導体ウェノ・一基板７は第８１要、第９図に示すよう
に構成されている。６２は樹脂フィルム５３ヲ半導体ウ
ェハー基板γに固定するための接着剤であり、５４は前
記初詣フィルム５３の−」二に半導体素子６５を固定す
るための熱り塑性接着剤である。５６は半導体素子＋５
５上の電極である。５Ｙはダイシング溝であり樹脂フ５
イルム５３の途中捷で設けられており、前記ダイシング
溝５Ｙにより半導体素子５５は個々に分離固定されてい
る。
に構成されている。６２は樹脂フィルム５３ヲ半導体ウ
ェハー基板γに固定するための接着剤であり、５４は前
記初詣フィルム５３の−」二に半導体素子６５を固定す
るための熱り塑性接着剤である。５６は半導体素子＋５
５上の電極である。５Ｙはダイシング溝であり樹脂フ５
イルム５３の途中捷で設けられており、前記ダイシング
溝５Ｙにより半導体素子５５は個々に分離固定されてい
る。
５８は半導体素子５５」二の電極５６を結ぶラインＸｃ
と認識軸Ｚ１−２２とを一致させるようにウェハー基板
ステージ５１を矢印Ｐ方向に回転さぜるモータである。
と認識軸Ｚ１−２２とを一致させるようにウェハー基板
ステージ５１を矢印Ｐ方向に回転さぜるモータである。
フィンガー３６に転写されたバンプ４○と前記半導体素
子６５の電極６６が位置合わされた状態で第１０図（ａ
） 、 （ｂ） ：２に示すようにウェハー基板ステー
ジ６１は矢印Ｑ方向に接合高さまで」二月し、高温に保
持されたヒートツール１６の矢印Ｎ方向の下降動作によ
りフィンガー３６と半導体素子５５はバンプ４ｏを介し
て接合される。
子６５の電極６６が位置合わされた状態で第１０図（ａ
） 、 （ｂ） ：２に示すようにウェハー基板ステー
ジ６１は矢印Ｑ方向に接合高さまで」二月し、高温に保
持されたヒートツール１６の矢印Ｎ方向の下降動作によ
りフィンガー３６と半導体素子５５はバンプ４ｏを介し
て接合される。
接合完了後ヒートツール１６は初期位１１ｔへ」ニ昇し
、ウェハー基板ステージ６１は下降する。この時点で熱
可塑性樹脂５４はヒートツール１６の熱により溶け、ヒ
ートツール１６の下側の半導体素子５５のみが半導体ウ
ェハー基鈑７より分離されフィンガー３６に接合される
。連続自・助運転は」ニ記の燥返しにより行なわれる。
、ウェハー基板ステージ６１は下降する。この時点で熱
可塑性樹脂５４はヒートツール１６の熱により溶け、ヒ
ートツール１６の下側の半導体素子５５のみが半導体ウ
ェハー基鈑７より分離されフィンガー３６に接合される
。連続自・助運転は」ニ記の燥返しにより行なわれる。
第１１図はボンディング以前のフィルムギヤリア１であ
り、第１２図、第１３図はそり、ぞれバンプ４０の転写
後およびバンプ４ｏを介しての半導体素子５６の接合後
を示した図である。
り、第１２図、第１３図はそり、ぞれバンプ４０の転写
後およびバンプ４ｏを介しての半導体素子５６の接合後
を示した図である。
以上のように本実施例によれば、認識装置によりフィン
ガー３６の位置を読み敗り、被接合側の対象物を直交す
る二方向および回転方向に自動的に動かすことにより連
続的にフィンガー３６に半導体素子６５を正確にしかも
生産性高く実装・することかり能である。捷た、ＸＹｅ
駆動部１了の」二に、バンプ基板ステージ４１とウェハ
ー基板ステジ５１を設けることにより、バンプ４Ｏの転
写方式によるバンプを有さない汎用半導体素子５５の接
合が可能である。
ガー３６の位置を読み敗り、被接合側の対象物を直交す
る二方向および回転方向に自動的に動かすことにより連
続的にフィンガー３６に半導体素子６５を正確にしかも
生産性高く実装・することかり能である。捷た、ＸＹｅ
駆動部１了の」二に、バンプ基板ステージ４１とウェハ
ー基板ステジ５１を設けることにより、バンプ４Ｏの転
写方式によるバンプを有さない汎用半導体素子５５の接
合が可能である。
発明の効果
以上のように本発明は、バンプ形成さＪｔたバンプ基板
上の所定バンプとフィルムキャリアフィンガーの所定の
位置とを認識装置と位置決め手段によりＸＹＧ三方向に
位置合わせをし、重ね合わせた状態で、バンプをヒート
ツールを介してフィルムキャリアへ転写させ、その後フ
ィルムキャリアフィンガーへ転写されたバンプと電極」
二にバンプ形成されていない汎用半導体素子の電極部と
を前記同様にＸＹθ三方向位置合わせし接合することで
、バンプを電極上に有する半導体素子を４」いるこれま
でのフィルムキャリア実装に比紋し、その接合上の信頼
性の大幅な向上と半導体素子の汎用性およびトータル実
装コストの低減かり能と在る。
上の所定バンプとフィルムキャリアフィンガーの所定の
位置とを認識装置と位置決め手段によりＸＹＧ三方向に
位置合わせをし、重ね合わせた状態で、バンプをヒート
ツールを介してフィルムキャリアへ転写させ、その後フ
ィルムキャリアフィンガーへ転写されたバンプと電極」
二にバンプ形成されていない汎用半導体素子の電極部と
を前記同様にＸＹθ三方向位置合わせし接合することで
、バンプを電極上に有する半導体素子を４」いるこれま
でのフィルムキャリア実装に比紋し、その接合上の信頼
性の大幅な向上と半導体素子の汎用性およびトータル実
装コストの低減かり能と在る。
さらに、認識装置と自動位置合わせ手段の具現化により
、こ力、ｔで目視を主とした半導体素子接合作業が連続
自動で行なうことができ生産性の面からも大きく向」二
がはかれることができ、その実用的幼果は大きいものが
ある。
、こ力、ｔで目視を主とした半導体素子接合作業が連続
自動で行なうことができ生産性の面からも大きく向」二
がはかれることができ、その実用的幼果は大きいものが
ある。
第１図は本発明の一実施例におけるフィルムキャリアボ
ンディング装置の全体斜視図、第２図は本装置の駆動系
の分解斜視図、第３図はフィルムキャリアの認識視野を
示す認識視野の説明図、第４図は認識による補正量を示
す認識補正の説明図、第５図はバンプ基板の断面図、第
６図はバンプ基板部分の斜視図、第７図（、） 、 （
ｂ）は各々バンプ転写工程を示すヒートツールの正面図
、第８図は半導体ウェハー基板の断面図、第９図は半導
体ウェハー基板部分の斜視図、第１０図（ａ）、［有］
）図は半導体素子接合工程を示すヒートツールの正面図
、第１１図は生フイルムキャリア部分の斜視図、第１２
図はバンプ転写後のフィルムキャリア部分の斜視図、第
１３図は半導体素子接合後のフィルムキャリア部分の斜
視図である。 １ ・−・・フィルムキャリア、５・・・’ ｉｔ ｉ
ｉｍカメラ、６ ・・バンプ基板、７・・・・・・半導
体ウェノ・一基板、１５ ・−・フィルムキャリアガイ
ド、１６・・・・・・ヒートツール、１了 ・・・・ｘ
ｙｅ駆動部、３６−・・・・フィンガー、４０ ・・バ
ンプ、４１・・・・・バンプ基板ステージ、５１・−・
・−・ウェハー基板ステージ、６６・・・半導体素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図 ？ 第３図 第６図 ＸＱ 第７図 （α）（ｂ） 第９図 第１０図 （α）（ｂ） 第１１図 第１２図
ンディング装置の全体斜視図、第２図は本装置の駆動系
の分解斜視図、第３図はフィルムキャリアの認識視野を
示す認識視野の説明図、第４図は認識による補正量を示
す認識補正の説明図、第５図はバンプ基板の断面図、第
６図はバンプ基板部分の斜視図、第７図（、） 、 （
ｂ）は各々バンプ転写工程を示すヒートツールの正面図
、第８図は半導体ウェハー基板の断面図、第９図は半導
体ウェハー基板部分の斜視図、第１０図（ａ）、［有］
）図は半導体素子接合工程を示すヒートツールの正面図
、第１１図は生フイルムキャリア部分の斜視図、第１２
図はバンプ転写後のフィルムキャリア部分の斜視図、第
１３図は半導体素子接合後のフィルムキャリア部分の斜
視図である。 １ ・−・・フィルムキャリア、５・・・’ ｉｔ ｉ
ｉｍカメラ、６ ・・バンプ基板、７・・・・・・半導
体ウェノ・一基板、１５ ・−・フィルムキャリアガイ
ド、１６・・・・・・ヒートツール、１了 ・・・・ｘ
ｙｅ駆動部、３６−・・・・フィンガー、４０ ・・バ
ンプ、４１・・・・・バンプ基板ステージ、５１・−・
・−・ウェハー基板ステージ、６６・・・半導体素子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図 ？ 第３図 第６図 ＸＱ 第７図 （α）（ｂ） 第９図 第１０図 （α）（ｂ） 第１１図 第１２図
Claims (1)
- モータ駆動により直交する二方向に水平移動可能なＸＹ
駆動部と、前記ＸＹ駆動部を搭載しモータ駆動により水
平回動可能なＯ駆動部と、前記ＸＹ駆動部上に設けられ
独立した回転中心をそれぞれ有し、個々のモータにより
水平回動可能かつ上下動可能な二つの上下動ステージ部
と、フィルムキャリアの両縁部に一定ピノチで設けられ
たパーフォレーション孔に係合するスプロケットと、前
記スプロケットと接続され所定角度づつの回転全力える
フィルムキャリアフィードモータと、前記フィルムギヤ
リアフィードモータによるフィルムキャリアフィード方
向と逆方向に一定張力をフィルムキャリアに与えるテン
ションモータと、作業位置でのフィルムキャリアをガイ
ドするフィルムキャリアガイド部と、前記フィルムキャ
リアガイド部内に設けられ作業位置前後のフィルムキャ
リアを固定保持する固定具と、前記フィルムギヤリアガ
イド部をモータ駆動により直交する二方向に水平移動可
能なガイドＸＹ駆動部と、作業位置のフィルムキャリア
上部に位置し、モータ駆動により上下動ｌ■能なカメラ
部と、前記カメラ部と接続し画像処哩を行なう認識装置
と、フィルムキャリアフィンガーと被接合物とを接合す
る接合装置とを備えたフィルムキャリアボンディング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58240226A JPS60132334A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | フイルムキヤリアボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58240226A JPS60132334A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | フイルムキヤリアボンデイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60132334A true JPS60132334A (ja) | 1985-07-15 |
| JPH0572752B2 JPH0572752B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=17056321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58240226A Granted JPS60132334A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | フイルムキヤリアボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60132334A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0358440A (ja) * | 1989-07-26 | 1991-03-13 | Nec Corp | インナーリードボンディング方法及び装置 |
| JP2005229006A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Bondotekku:Kk | 個別アライメント方法及び装置 |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP58240226A patent/JPS60132334A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0358440A (ja) * | 1989-07-26 | 1991-03-13 | Nec Corp | インナーリードボンディング方法及び装置 |
| JP2005229006A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Bondotekku:Kk | 個別アライメント方法及び装置 |
| JP4681241B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2011-05-11 | ボンドテック株式会社 | アライメント方法、この方法を用いた接合方法、接合装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572752B2 (ja) | 1993-10-12 |
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