JPS60131898A - 薄いフエリ磁性単結晶ガーネツト層の製造方法 - Google Patents
薄いフエリ磁性単結晶ガーネツト層の製造方法Info
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- JPS60131898A JPS60131898A JP59253928A JP25392884A JPS60131898A JP S60131898 A JPS60131898 A JP S60131898A JP 59253928 A JP59253928 A JP 59253928A JP 25392884 A JP25392884 A JP 25392884A JP S60131898 A JPS60131898 A JP S60131898A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は陰極スパッタによって堆積させたＩ商全焼もど
し処理により結晶化することにより基板上に薄いフェリ
磁性単結晶ガーネット層を製造する方法に関１−るもの
である。
し処理により結晶化することにより基板上に薄いフェリ
磁性単結晶ガーネット層を製造する方法に関１−るもの
である。
かかる方法は、例えば、米国特許第ａ、ａｏ７．ｅ９ｓ
号から既知である。
号から既知である。
薄いフェリ磁性ガーネット層を製造することの重装性は
、かかるガーネット層を磁気分野および磁気光学分野の
それぞれにおいて、例えば、表示装置として、光プリン
タ用に、磁気パル少トメ仙ン装置用に、ジャイロ・レー
ザーにおいてまた光通信分野の構成部品、例えば、″？
Ｉｉ磁放射によってアドレスすることができるメモリー
装置における能動素子用に使用できる可能性があるため
、最近数年間に増大してきた。
、かかるガーネット層を磁気分野および磁気光学分野の
それぞれにおいて、例えば、表示装置として、光プリン
タ用に、磁気パル少トメ仙ン装置用に、ジャイロ・レー
ザーにおいてまた光通信分野の構成部品、例えば、″？
Ｉｉ磁放射によってアドレスすることができるメモリー
装置における能動素子用に使用できる可能性があるため
、最近数年間に増大してきた。
ガーネット層の製造に際し、陰極スパッタ（高周波（Ｈ
Ｆ）プラズマスパッタまたはＲＦダイオードスパッタ）
による堆積法がヱ業的生産において関心が持たれており
、この理由は比較的広い面積にわたる誘電層の均一な堆
積を達成する困難をこの方法によって最も良く克服でき
るからである。
Ｆ）プラズマスパッタまたはＲＦダイオードスパッタ）
による堆積法がヱ業的生産において関心が持たれており
、この理由は比較的広い面積にわたる誘電層の均一な堆
積を達成する困難をこの方法によって最も良く克服でき
るからである。
はぼ適合した格子定数を有する単結晶基板上に液相−エ
ピタキシャル（ＬＰＥ）法によって単結晶ガーネット・
層を堆積させる従来法は費用が高くなるので、再現性の
ある結果が得られるように多量生産を実施することがで
きる程度までは従来開発されていない。難点は例えば単
結晶基板にあり、かかる基板はこれから切出される単結
晶の寸法に左右されるので任意の大きさに製造すること
ができない。
ピタキシャル（ＬＰＥ）法によって単結晶ガーネット・
層を堆積させる従来法は費用が高くなるので、再現性の
ある結果が得られるように多量生産を実施することがで
きる程度までは従来開発されていない。難点は例えば単
結晶基板にあり、かかる基板はこれから切出される単結
晶の寸法に左右されるので任意の大きさに製造すること
ができない。
液相エピタキシャル法と比較すると、ＨＦ７”ラズマス
グツタ法はガーネット層ｔ−製造する場合に一連のオ唄
点を提供し、使用装置に貴金属を８畏とせず、単結晶基
板の製造に伴う大きな工程費用を鳴くことができ、また
連続法も可能である。しかも、ＨＦプラズマスパッタ法
は極めて多方面にわたる利点を提供する。この理由は基
板と層との多種多様の組合せが可能になりかつ寸法の比
較的大きい層を製造できるからである。しかし、今日ま
で、液相エピタキシャル法によるのが有利であることが
知られていたガーネット層を、ＨＦプラズマスパッタ法
によって化学童論的な層が再現できるように生成し、し
かもこの層が例えば変調器用に８装であるような厚いフ
ェリ磁性ガーネット層を工業的製造法にとっても有用で
ある短時間内に堆積させることができるような速いスパ
ッタ速度で得られるように、製造することは不可能であ
った。このことは例えばビスマスで置換された鉄ガネッ
ト層に該当する。
グツタ法はガーネット層ｔ−製造する場合に一連のオ唄
点を提供し、使用装置に貴金属を８畏とせず、単結晶基
板の製造に伴う大きな工程費用を鳴くことができ、また
連続法も可能である。しかも、ＨＦプラズマスパッタ法
は極めて多方面にわたる利点を提供する。この理由は基
板と層との多種多様の組合せが可能になりかつ寸法の比
較的大きい層を製造できるからである。しかし、今日ま
で、液相エピタキシャル法によるのが有利であることが
知られていたガーネット層を、ＨＦプラズマスパッタ法
によって化学童論的な層が再現できるように生成し、し
かもこの層が例えば変調器用に８装であるような厚いフ
ェリ磁性ガーネット層を工業的製造法にとっても有用で
ある短時間内に堆積させることができるような速いスパ
ッタ速度で得られるように、製造することは不可能であ
った。このことは例えばビスマスで置換された鉄ガネッ
ト層に該当する。
本発明の目的は、上述の欠点を回避すると共にビスマス
がドープ嘔れている鉄ガーネツＭｌ幼率よく製造するこ
とができる、陰極スパッタによって堆積させた層を焼も
どし処理によって結晶化することにより基板上に薄いフ
ェリ磁性単結晶ガーネット層を製造する方法を提供する
ことにある０本発明においては、次の一般式： Ｒ８−ｘＢｉＸＦｅ卜ｙＭｙＯ１゜ （式中のＲはＣａおよび少くとも１種の希土類金属から
なる群から選定した少くとも１種の元素、Ｍｌ’ＪＡＪ
、 Ｇａ 、 ３ｉおよびＧｅからなる群から選定し
た少くとも１棟の元素を示し、かつ０≦Ｘ≦１．８およ
びＯ≦ｙ≦１．２である）で表わされる層全堆積させ、
この際前記層の構成に関与する前記元素を酸化物形態に
おいて酸化ビスマスが過剰であるｅｌか所望の層組成に
対応する濃度で含有するターゲット全使用し、−周波電
圧をターゲット電極並びに基板電極に、高周波兄生器か
ら得たスノくツタ処理に必要な尚周波電力の９０％以上
をプラズマに前記ターゲット電極を経由して供給し、前
記スパッタ処理に必要な高周波電力の１０％以下を前記
プラズマに前記基板電極を経由して供給することにより
上述の目的を達成する。
がドープ嘔れている鉄ガーネツＭｌ幼率よく製造するこ
とができる、陰極スパッタによって堆積させた層を焼も
どし処理によって結晶化することにより基板上に薄いフ
ェリ磁性単結晶ガーネット層を製造する方法を提供する
ことにある０本発明においては、次の一般式： Ｒ８−ｘＢｉＸＦｅ卜ｙＭｙＯ１゜ （式中のＲはＣａおよび少くとも１種の希土類金属から
なる群から選定した少くとも１種の元素、Ｍｌ’ＪＡＪ
、 Ｇａ 、 ３ｉおよびＧｅからなる群から選定し
た少くとも１棟の元素を示し、かつ０≦Ｘ≦１．８およ
びＯ≦ｙ≦１．２である）で表わされる層全堆積させ、
この際前記層の構成に関与する前記元素を酸化物形態に
おいて酸化ビスマスが過剰であるｅｌか所望の層組成に
対応する濃度で含有するターゲット全使用し、−周波電
圧をターゲット電極並びに基板電極に、高周波兄生器か
ら得たスノくツタ処理に必要な尚周波電力の９０％以上
をプラズマに前記ターゲット電極を経由して供給し、前
記スパッタ処理に必要な高周波電力の１０％以下を前記
プラズマに前記基板電極を経由して供給することにより
上述の目的を達成する。
陰極スパッタ法によりビスマスで置換された鉄ノｊ−ネ
ット層を堆積させる際の特殊な問題は、酸化物結合をし
ているビスマスのスノ（ツタ収率が層の他の構成成分よ
り著しく大きいことである。従って、普通使用されてい
るパラメーターを用いて従来のＩＦプラズマスパッタ金
行った場合には、パックスバッタ処理および熱的処理、
例えば強力な二次電子による基板の加熱によって、基板
電極に生成した層中においてビスマスの消耗が起る。
ット層を堆積させる際の特殊な問題は、酸化物結合をし
ているビスマスのスノ（ツタ収率が層の他の構成成分よ
り著しく大きいことである。従って、普通使用されてい
るパラメーターを用いて従来のＩＦプラズマスパッタ金
行った場合には、パックスバッタ処理および熱的処理、
例えば強力な二次電子による基板の加熱によって、基板
電極に生成した層中においてビスマスの消耗が起る。
本発明においては、驚くべきことには、先ず過剰の酸化
ビスマスをターゲット中に存在させ、次いでＨＦ％９．
圧（いわゆる基板のバイアス電圧）を基板電極に供給し
た（上述のように）場合に、所望の化学世論的組成の層
を書状０］酢にスパッタできることを見い出した。
ビスマスをターゲット中に存在させ、次いでＨＦ％９．
圧（いわゆる基板のバイアス電圧）を基板電極に供給し
た（上述のように）場合に、所望の化学世論的組成の層
を書状０］酢にスパッタできることを見い出した。
しかも、基板電極の温度はスパッタしようとする層中の
ビスマス濃度に彩管を与えるので、基板電極の温度を絶
えず適当な値に調節することが必要である。
ビスマス濃度に彩管を与えるので、基板電極の温度を絶
えず適当な値に調節することが必要である。
生成した層のビスマス含量は基１ｆｊ、電極における１
（Ｆ電圧によって極めて大きく左右されるので、基板電
極におけるＨＦ電圧を絶えず例えばコンピュータにより
制御する必要がある。
（Ｆ電圧によって極めて大きく左右されるので、基板電
極におけるＨＦ電圧を絶えず例えばコンピュータにより
制御する必要がある。
本発明の他の有利な例では式： Ｇｄ、Ｂ１１Ｆｅ、８
ｋｌ。、、０□２で表わされる組成を有する層を製造す
る。
ｋｌ。、、０□２で表わされる組成を有する層を製造す
る。
本発明方法によって製造される（ Ｇｄ 、 Ｂｉ）。
（Ｆｅ 、 Ａｎ５０□２層は、その光学特注および磁
気光学％性並びに飽和磁化の温度依存性が液相エピタキ
シャル法によって製造される対応する組成を有する層の
値とほば一致しているが、生成する層が液相エビタギシ
ャル法によって製造される層の場合とは異なり層の厚さ
全体にわたって調い均−ｔｉを有している、と、いう利
点を有する。層中のビスマス含量を決める基板のバイア
ス電圧はコンピュータによって極めて正確に制御できる
ので、所望の層組成の良好な調節可能性および１−の％
性の良好な再現性が達成される。他の利点は堆積速度が
比較的大きいことで、これは工業的生産にとって決ｗ的
な利点でおる。以下に本発明を式： Ｇｃ１２Ｂｉ□Ｆ
ｅ４．８”Ｏ，？０□、で表わされる組成を有するガー
ネット層を製造する例について説明する。
気光学％性並びに飽和磁化の温度依存性が液相エピタキ
シャル法によって製造される対応する組成を有する層の
値とほば一致しているが、生成する層が液相エビタギシ
ャル法によって製造される層の場合とは異なり層の厚さ
全体にわたって調い均−ｔｉを有している、と、いう利
点を有する。層中のビスマス含量を決める基板のバイア
ス電圧はコンピュータによって極めて正確に制御できる
ので、所望の層組成の良好な調節可能性および１−の％
性の良好な再現性が達成される。他の利点は堆積速度が
比較的大きいことで、これは工業的生産にとって決ｗ的
な利点でおる。以下に本発明を式： Ｇｃ１２Ｂｉ□Ｆ
ｅ４．８”Ｏ，？０□、で表わされる組成を有するガー
ネット層を製造する例について説明する。
陰極スパッタにＵＩ（Ｆｔ圧によって動作するダイオー
ド装置における市販の陰極スパッタ装置を使用すること
ができ、この装置には必要な補助装置としてターゲット
電極および基＆電極の両方における失効高周波電圧を測
定するための測定装置を設ける必要がある。スパッタ処
理に必要なＨＦ電力を供給して、ＨＦ電力の９０％以上
がプラズマにターゲット電極を経由して与えられ、ＨＦ
電力の１０チ以下がプラズマに基板電極を紅白して与え
られるようにする。基板は基板電極に接続されている。
ド装置における市販の陰極スパッタ装置を使用すること
ができ、この装置には必要な補助装置としてターゲット
電極および基＆電極の両方における失効高周波電圧を測
定するための測定装置を設ける必要がある。スパッタ処
理に必要なＨＦ電力を供給して、ＨＦ電力の９０％以上
がプラズマにターゲット電極を経由して与えられ、ＨＦ
電力の１０チ以下がプラズマに基板電極を紅白して与え
られるようにする。基板は基板電極に接続されている。
電極におけるＨＦ電圧を電極の背面側で測置し、前記Ｈ
Ｆ ′＋１１圧を絶えずコンピュータにより制御する。
Ｆ ′＋１１圧を絶えずコンピュータにより制御する。
製造される層の組成は基板電極に供給された）ＨＦ電圧
によって決定的に左右される。
によって決定的に左右される。
この理由は１−の構成成分のスパッタ収率が異なる・か
らである。特に、製造される層のビスマス含量は基板電
圧によって制御できるが、層の構成に関与する残シの元
素の酸化物の濃度は実質的にターゲットの組成によって
予め決められる筈である。
らである。特に、製造される層のビスマス含量は基板電
圧によって制御できるが、層の構成に関与する残シの元
素の酸化物の濃度は実質的にターゲットの組成によって
予め決められる筈である。
スパッタ装置用エネルギー源としては出力≦２ｋＷ、の
通常のＨＦ発生器を使用する。動作電圧は１Ｌ５６ＭＨ
ｚとする。ターゲット（陰極スパッタ源〕としては、層
の構成に関与する元素の酸化物から熱間押出しによって
製造された次の組成（重量係）：Ｇａ２ｏ８１１１．９ Ｂ１□０８５５．１ Ｆｅ２０８２２．５ Ａ〜０８゛２．５ を有する直径７．６ｃｍ、厚さ５ｍｍ、多孔度０．２％
の部材を使用する。
通常のＨＦ発生器を使用する。動作電圧は１Ｌ５６ＭＨ
ｚとする。ターゲット（陰極スパッタ源〕としては、層
の構成に関与する元素の酸化物から熱間押出しによって
製造された次の組成（重量係）：Ｇａ２ｏ８１１１．９ Ｂ１□０８５５．１ Ｆｅ２０８２２．５ Ａ〜０８゛２．５ を有する直径７．６ｃｍ、厚さ５ｍｍ、多孔度０．２％
の部材を使用する。
ターゲット部材を熱伝導率の優れた接着剤によって支持
体に取付け、次いでこの結合部材をターゲット電極に接
続する。
体に取付け、次いでこの結合部材をターゲット電極に接
続する。
またターゲット部材は層の構成に関与する元素の酸化物
を冷間押出しし、次いで焼結することにより製造するこ
とができる。熱間押出しによって製造されたターゲット
部材と同一組成の冷間押出しターゲット部材は、成形し
た表面（みぞ構造および通路構造）を有する板をキャリ
ヤとして使用してキャリヤに対するターゲット材料の良
好な結合を達成することにより製造される。直径１５．
２４確、厚さ１ ｒｎｍの冷間押出しターゲットを使用
する。
を冷間押出しし、次いで焼結することにより製造するこ
とができる。熱間押出しによって製造されたターゲット
部材と同一組成の冷間押出しターゲット部材は、成形し
た表面（みぞ構造および通路構造）を有する板をキャリ
ヤとして使用してキャリヤに対するターゲット材料の良
好な結合を達成することにより製造される。直径１５．
２４確、厚さ１ ｒｎｍの冷間押出しターゲットを使用
する。
エネルギー損失に起因する熱全回避するには、例えば、
水冷ターゲット電極を使用するのが有効である。
水冷ターゲット電極を使用するのが有効である。
基板電極としては高周波に適した直径１５１ｇ４ｃＩＩ
Ｌの電極を使用し、この電極を３００°０の温度で加熱
する。基板としては（１１１）配向面を有しＯａ／Ｍｇ
／Ｚ ｒで置換されたガドリニウム−ガリウムガーネッ
ト単結晶ディスクまたは高い転移温度および堆積させよ
うとする層の材料に適合した熱膨張係数を有するガラス
板を使用する。基板の選定は製造した層の用途によって
左右きれる。面積の広い層、例えば、表示装置用の層が
必要である場合には、ガラス基板が特に適当である。
Ｌの電極を使用し、この電極を３００°０の温度で加熱
する。基板としては（１１１）配向面を有しＯａ／Ｍｇ
／Ｚ ｒで置換されたガドリニウム−ガリウムガーネッ
ト単結晶ディスクまたは高い転移温度および堆積させよ
うとする層の材料に適合した熱膨張係数を有するガラス
板を使用する。基板の選定は製造した層の用途によって
左右きれる。面積の広い層、例えば、表示装置用の層が
必要である場合には、ガラス基板が特に適当である。
先ずスパッタ装置を真空ボングにより約１０−５ミリバ
ールの圧力１で排気し、次いで純酸素全豹２ Ｘ ］
０− ｊ ミリバールの圧力まで導入する。電極間隔は
８５朋とする。Ｊ＃積速反は冷間押出しターゲット部材
を使用する場合には約０．３μｍ／ｈとし、熱間押出し
ターゲット部材を使用する場合にｎ ０．２ ａｍ／ｈ
とするａｔ極の背面９１１１ ＫおけるＨＦ人口で測定
した高周波電圧はターゲット電極の場合には５００ Ｖ
ｅｆｆで、基板電極の場合には２０Ｖｅｆｆであり、′
電極におけるＨＦ電圧はコンピュータにより絶えず梢［
１％で制−される。かかる条件における層の組成の再現
性における代表的な変動は約１％である。
ールの圧力１で排気し、次いで純酸素全豹２ Ｘ ］
０− ｊ ミリバールの圧力まで導入する。電極間隔は
８５朋とする。Ｊ＃積速反は冷間押出しターゲット部材
を使用する場合には約０．３μｍ／ｈとし、熱間押出し
ターゲット部材を使用する場合にｎ ０．２ ａｍ／ｈ
とするａｔ極の背面９１１１ ＫおけるＨＦ人口で測定
した高周波電圧はターゲット電極の場合には５００ Ｖ
ｅｆｆで、基板電極の場合には２０Ｖｅｆｆであり、′
電極におけるＨＦ電圧はコンピュータにより絶えず梢［
１％で制−される。かかる条件における層の組成の再現
性における代表的な変動は約１％である。
層の堆積前に、ターゲットおよび基板をそれぞれスパッ
タにより１０分間エツチングし、この基板を堆積温度で
約ａｏ分間加熱する。この際前記処理に先立って基板を
リン酸中で１５０°０において２０秒間エツチングし、
脱イオンした流水中で洗浄し、遠心分離機にかける。
タにより１０分間エツチングし、この基板を堆積温度で
約ａｏ分間加熱する。この際前記処理に先立って基板を
リン酸中で１５０°０において２０秒間エツチングし、
脱イオンした流水中で洗浄し、遠心分離機にかける。
陰極スパッタ装置で堆積させｆｃ後、ＩｎはＸ線アモル
ファスである。単相単結晶ビスマス−鉄ガーイ、ット層
への移転は、酸素雰囲気中で、単結晶ガーネット基板を
使用する場合には約７８０℃の温度で、またガラス基板
全使用する場合には約７８００の温度で加熱することに
より起る。結晶相に転移させるための焼もどし処理は次
の温度条件で行うニアＩ０熱速度をガラス基板ではａｏ
−０／時間とし単結晶ガーネット基板では１００℃／時
間とし；最筒温度に１〜２時間維持し；冷却速度をガラ
ス基板ではａ’ｏ−０／時間とし単結晶ガーネット塞板
では１００℃／時間とする。
ファスである。単相単結晶ビスマス−鉄ガーイ、ット層
への移転は、酸素雰囲気中で、単結晶ガーネット基板を
使用する場合には約７８０℃の温度で、またガラス基板
全使用する場合には約７８００の温度で加熱することに
より起る。結晶相に転移させるための焼もどし処理は次
の温度条件で行うニアＩ０熱速度をガラス基板ではａｏ
−０／時間とし単結晶ガーネット基板では１００℃／時
間とし；最筒温度に１〜２時間維持し；冷却速度をガラ
ス基板ではａ’ｏ−０／時間とし単結晶ガーネット塞板
では１００℃／時間とする。
磁気光学分光写真術およびＸ線構造分析によって、（Ｇ
ｄ 、 ＢｉＪ８（Ｆｅ 、 ＡＡ）５０□、が層中に
唯一の相として存在していることを確認した。
ｄ 、 ＢｉＪ８（Ｆｅ 、 ＡＡ）５０□、が層中に
唯一の相として存在していることを確認した。
上述のようにして得た羊結晶層について１ｌｌｌｌ定し
た結果は次の性質を示し′ｆｃニ ー８００Ｋにおける飽和磁化の磁気補償点、−約１×１
０ エルグ／。Ｌ８における単軸磁気異方性 一波長６３３ｎｍｉＣ秒ける屈折率： ２．３４−波長
６８ ：３ ｎｍにおける特定のファラデー回転二層の
厚さに対して１．１’／μｍ −波長６８８ｎｍにおける光吸収係数： １００ ｏ／
、ｎｓ−堆積層の厚で：」〜２μｍ０ 本発明の特殊な利点は、堆積層における酸化ビスマスリ
スパツタ収率が層の他の構成成分より本質的に大きいに
もかかわらず、所定の層組成を再現可能に得ることがで
き、堆積層が層の厚さ全体にわたって商い均一性を示す
ことである。本発明方法において達成できる速い堆積速
度は能率のよい製造に関して極めて有利である。
た結果は次の性質を示し′ｆｃニ ー８００Ｋにおける飽和磁化の磁気補償点、−約１×１
０ エルグ／。Ｌ８における単軸磁気異方性 一波長６３３ｎｍｉＣ秒ける屈折率： ２．３４−波長
６８ ：３ ｎｍにおける特定のファラデー回転二層の
厚さに対して１．１’／μｍ −波長６８８ｎｍにおける光吸収係数： １００ ｏ／
、ｎｓ−堆積層の厚で：」〜２μｍ０ 本発明の特殊な利点は、堆積層における酸化ビスマスリ
スパツタ収率が層の他の構成成分より本質的に大きいに
もかかわらず、所定の層組成を再現可能に得ることがで
き、堆積層が層の厚さ全体にわたって商い均一性を示す
ことである。本発明方法において達成できる速い堆積速
度は能率のよい製造に関して極めて有利である。
特許出願人 エヌ・べ−・フィリップス・フルーイラン
ペンファブリケン
ペンファブリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 陰極スパッタによって堆積させた層を焼もどし処理
によシ結晶化することにより基板上に薄いフェリ磁性単
結晶ガーネット層を製造するに当り、 次の一般式： ％式％ （式中のＲはＧａおよび少くとも］種の希土類金属から
なる群から選定した少くとも１種の元素、ＭはＡｊ？
、 Ｇａ 、 Ｓｉおよびｇｅからなる群から選定した
少くとも１種の元素を示しかつＯ≦Ｘ≦１．８および０
≦ｙ≦１．２である）で表わされる層を堆積させ、この
際前記層の構成に関与する前記元素を酸化物形態におい
て酸化ビスマスが過剰であるほが所望の層組成に対応す
る濃度で含有するターゲットを使用し、 高周波電圧をターゲット電極並びに基板電極に、高周波
発生器から得たスパッタ処理に必要な高周波電力の９０
％以上をプラズマに前記ターゲット電極を経由して供給
し、前記スパッタ処理に必要な高周波′電力の１０％以
下を前記プラズマに前記基板電極を経由して供給するこ
とを特徴とする薄いフェリ磁性単結晶ガーネット層の製
造方法。 λ 前記層の組成が式： Ｇｃｔ、Ｂ１１Ｆｅ、 、
ａＡＪｏ 、 ７０１２に相当する特許請求の範囲第１
項記載の方法〇＆ 前記ターゲットを前記層の構成に関
与する元素の酸化物からの熱間押出しにより製造する特
許請求の範囲第１ｆｊ４記載の方法。 表 前記ターゲットを前記層の構成に関与する元素の酸
化物の冷間押出しおよび焼結により製造する特許請求の
範囲第１項記載の方法。 ５、 前記ターゲットが次の組成（重量％）：Ｇｄ２０
８１９．９ Ｂｉ、０８５５．１ Ｆｅ２０８２２．５ 八１２０． 、 ２．５ を有する特許請求の範囲第２〜４項のいずれか一つの項
に記載の万゛法。 ＩＬ （１１１）配向面で切断した非ａ性単結晶ガーネ
ットディスクを基板として使用する特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ？、 カルシウム／マグネシウム／ジルコニウムで置換
されたガドリ丑つム／ガリウム／ガーネット（（Ｇｄ’
、 Ｏａ）、（Ｇａ 、 Ｍｇ、 Ｚｒ）５０．２）を
基板として使用する特許請求の範囲第６項記載の方法。 ＆ アモルファス基板を使用する特許請求の範囲第１項
記載の方法。 ９、茜いガラス転移温度および堆積させようとする前記
層に適合した熱膨張係数金有するガラスを基板として使
用する特許請求の範囲第８項記載の方法。 １０８ 前記層を堆積させ、次いで純酸素雰囲気中で焼
もどす特許請求の範囲第１項記載の方九、１１Ｌ 焼も
どしを約７３０”Ｃの温度で行う特許請求の範囲第６項
記載の方法。 １２− 焼もどしを約７８０ ’０の温度で行う特許請
求の範囲第９項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3343768.8 | 1983-12-03 | ||
| DE19833343768 DE3343768A1 (de) | 1983-12-03 | 1983-12-03 | Verfahren zur herstellung duenner einkristalliner ferrimagnetischer granatschichten durch kathodenzerstaeubung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131898A true JPS60131898A (ja) | 1985-07-13 |
| JPH0377158B2 JPH0377158B2 (ja) | 1991-12-09 |
Family
ID=6215959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59253928A Granted JPS60131898A (ja) | 1983-12-03 | 1984-11-30 | 薄いフエリ磁性単結晶ガーネツト層の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0146985B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60131898A (ja) |
| DE (2) | DE3343768A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62197395A (ja) * | 1986-02-22 | 1987-09-01 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 基板上における構造化エピタキシヤル層の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3482886D1 (de) * | 1983-11-17 | 1990-09-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Verfahren zur herstellung photothermomagnetischer aufzeichnungsfilme. |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3887451A (en) * | 1972-12-29 | 1975-06-03 | Ibm | Method for sputtering garnet compound layer |
| GB1470965A (en) * | 1973-04-26 | 1977-04-21 | Mullard Ltd | Magneto-optic materials |
-
1983
- 1983-12-03 DE DE19833343768 patent/DE3343768A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-11-28 EP EP84201733A patent/EP0146985B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-28 DE DE8484201733T patent/DE3484100D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-30 JP JP59253928A patent/JPS60131898A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62197395A (ja) * | 1986-02-22 | 1987-09-01 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 基板上における構造化エピタキシヤル層の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3484100D1 (de) | 1991-03-14 |
| DE3343768A1 (de) | 1985-06-13 |
| EP0146985B1 (de) | 1991-02-06 |
| EP0146985A3 (en) | 1987-06-03 |
| EP0146985A2 (de) | 1985-07-03 |
| JPH0377158B2 (ja) | 1991-12-09 |
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