JP2862750B2 - ガーネット単結晶膜の製造方法 - Google Patents
ガーネット単結晶膜の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を示すセ
リウム置換イットリウム鉄ガーネット単結晶膜の製造方
法に関するものである。
リウム置換イットリウム鉄ガーネット単結晶膜の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】イットリウム鉄ガーネットは、比較的大
きな磁気光学効果を示す材料である。このイットリウム
鉄ガーネットの希土類サイトをセリウムで置換したガー
ネット（Ｙ3-X ＣｅX Ｆｅ5 Ｏ12）膜が知られている。
このセリウム置換イットリウム鉄ガーネットは、光通信
用の光アイソレータ、光サーキュレータに応用できる非
相反素子に対して、有用な材料として期待されている。
きな磁気光学効果を示す材料である。このイットリウム
鉄ガーネットの希土類サイトをセリウムで置換したガー
ネット（Ｙ3-X ＣｅX Ｆｅ5 Ｏ12）膜が知られている。
このセリウム置換イットリウム鉄ガーネットは、光通信
用の光アイソレータ、光サーキュレータに応用できる非
相反素子に対して、有用な材料として期待されている。
【０００３】セリウム置換イットリウム鉄ガーネット
は、ＬＰＥ法によっても作製されるが、セリウムの置換
量（ｘ）は、０．０６以下と微量である。本発明者は、
このセリウム置換イットリウム鉄ガーネット単結晶を、
スパッタ法によってガドリニウムガリウムガーネット
（Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12）単結晶基板上にエピタキシャル成
長させ、セリウムの置換量が０．５以上のファラデー回
転の大きい単結晶膜を得ることに成功している。
は、ＬＰＥ法によっても作製されるが、セリウムの置換
量（ｘ）は、０．０６以下と微量である。本発明者は、
このセリウム置換イットリウム鉄ガーネット単結晶を、
スパッタ法によってガドリニウムガリウムガーネット
（Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12）単結晶基板上にエピタキシャル成
長させ、セリウムの置換量が０．５以上のファラデー回
転の大きい単結晶膜を得ることに成功している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特に、セリウム置換イ
ットリウム鉄ガーネットは、セリウムの置換量が変化す
ると磁気光学特性が変化することを、本発明者は確認し
ている。従って、磁気光学素子の用途に応じてセリウム
の置換量を変化させる必要がある。ところが、セリウム
の置換量が異なるガーネット単結晶膜をスパッタ法で作
製する際に、膜質が劣化することが多く、特に、単結晶
膜のファラデー回転角が大きく劣化することが多くなっ
た。
ットリウム鉄ガーネットは、セリウムの置換量が変化す
ると磁気光学特性が変化することを、本発明者は確認し
ている。従って、磁気光学素子の用途に応じてセリウム
の置換量を変化させる必要がある。ところが、セリウム
の置換量が異なるガーネット単結晶膜をスパッタ法で作
製する際に、膜質が劣化することが多く、特に、単結晶
膜のファラデー回転角が大きく劣化することが多くなっ
た。
【０００５】特に、このセリウム置換イットリウム鉄ガ
ーネット膜については、通信に使用する波長との関係
で、厚さを１０μｍ以上とすることが必要である。これ
と共に、膜厚を１０μｍ以上としても、ファラデー回転
角の値が劣化しないことが必要である。しかし、このよ
うに膜厚が大きくなってくると、単結晶膜のファラデー
回転角の劣化が更に大きくなる場合が頻発した。
ーネット膜については、通信に使用する波長との関係
で、厚さを１０μｍ以上とすることが必要である。これ
と共に、膜厚を１０μｍ以上としても、ファラデー回転
角の値が劣化しないことが必要である。しかし、このよ
うに膜厚が大きくなってくると、単結晶膜のファラデー
回転角の劣化が更に大きくなる場合が頻発した。
【０００６】本発明の課題は、セリウム及び鉄を含有す
るガーネット単結晶膜をスパッタ法によって製造するに
際し、単結晶膜のファラデー回転角の劣化を防止できる
ようにすることである。
るガーネット単結晶膜をスパッタ法によって製造するに
際し、単結晶膜のファラデー回転角の劣化を防止できる
ようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、セリウム及び
鉄を含有するガーネット単結晶膜をスパッタ法によって
製造する方法において、セリウムの置換量をＸ（０．１
≦Ｘ≦３．０）とし、基板温度をＹ（℃）としたとき、
次式を満足する条件下で前記ガーネット単結晶膜を形成
することを特徴とする、ガーネット単結晶膜の製造方法
に係るものである。
鉄を含有するガーネット単結晶膜をスパッタ法によって
製造する方法において、セリウムの置換量をＸ（０．１
≦Ｘ≦３．０）とし、基板温度をＹ（℃）としたとき、
次式を満足する条件下で前記ガーネット単結晶膜を形成
することを特徴とする、ガーネット単結晶膜の製造方法
に係るものである。
【数２】９０Ｘ＋５１０≦Ｙ≦９０Ｘ＋５６０
【０００８】
【作用】本発明者は、上記のガーネット単結晶膜をスパ
ッタ法によって製造するのに際し、一定のスパッタ条件
下でガーネット単結晶膜を作製すると、ファラデー回転
角がほぼ理論値に近くなることもあるが、大幅に劣化す
る場合も多いことを発見した。そして、この原因につい
て研究を重ねる過程で、ガーネット単結晶膜におけるセ
リウムの置換量と、基板温度との相関が、得られたガー
ネット単結晶膜のファラデー回転角を決定づけることを
発見し、本発明に到った。
ッタ法によって製造するのに際し、一定のスパッタ条件
下でガーネット単結晶膜を作製すると、ファラデー回転
角がほぼ理論値に近くなることもあるが、大幅に劣化す
る場合も多いことを発見した。そして、この原因につい
て研究を重ねる過程で、ガーネット単結晶膜におけるセ
リウムの置換量と、基板温度との相関が、得られたガー
ネット単結晶膜のファラデー回転角を決定づけることを
発見し、本発明に到った。
【０００９】具体的には、図１に示すように、セリウム
の置換量をＸとし、基板温度をＹ（℃）としたとき、９
０Ｘ＋５１０≦Ｙ≦９０Ｘ＋５６０とすれば、得られる
ガーネット単結晶膜のファラデー回転角が顕著に大きく
なるし、また厚さ１０μｍ以上のガーネット単結晶膜
を、膜質の劣化なしに形成することができる。Ｙ＜９０
Ｘ＋５１０の場合も、Ｙ＞９０Ｘ＋５６０の場合も、急
激にファラデー回転角の劣化が見られた。
の置換量をＸとし、基板温度をＹ（℃）としたとき、９
０Ｘ＋５１０≦Ｙ≦９０Ｘ＋５６０とすれば、得られる
ガーネット単結晶膜のファラデー回転角が顕著に大きく
なるし、また厚さ１０μｍ以上のガーネット単結晶膜
を、膜質の劣化なしに形成することができる。Ｙ＜９０
Ｘ＋５１０の場合も、Ｙ＞９０Ｘ＋５６０の場合も、急
激にファラデー回転角の劣化が見られた。
【００１０】本発明によって製造できる、セリウム及び
鉄を含有するガーネット単結晶膜としては、下記の組成
を有するものが好ましい。
鉄を含有するガーネット単結晶膜としては、下記の組成
を有するものが好ましい。
【００１１】
【化１】Ｃｅx Ｒｅz Ｙ3-x-z Ｆｅ5 Ｏ12
【００１２】ただし、ここでＲｅは、ガドリニウム、サ
マリウム、テルビウム、ユーロピウム、イッテルビウム
及びルテチウムからなる群より選ばれる一種以上の希土
類元素を示す。また、０．３≦Ｘとするのが好ましい。
マリウム、テルビウム、ユーロピウム、イッテルビウム
及びルテチウムからなる群より選ばれる一種以上の希土
類元素を示す。また、０．３≦Ｘとするのが好ましい。
【００１３】更に、９０Ｘ＋５３０≦Ｙ≦９０Ｘ＋５４
０の範囲内に基板温度Ｙ（℃）を設定すると、ほぼ理論
値に近いファラデー回転角を有するガーネット単結晶膜
が得られることが判明した。
０の範囲内に基板温度Ｙ（℃）を設定すると、ほぼ理論
値に近いファラデー回転角を有するガーネット単結晶膜
が得られることが判明した。
【００１４】
【実施例】以下、具体的な実験結果について述べる。
【００１５】（実験１）ｒｆマグネトロンスパッタ法に
より、セリウム置換イットリウム鉄ガーネット単結晶膜
の作製を行った。基板には、ネオジムガリウムガーネッ
ト（以下、ＮＧＧと略記する）単結晶の２インチウエハ
ーを使用した。
より、セリウム置換イットリウム鉄ガーネット単結晶膜
の作製を行った。基板には、ネオジムガリウムガーネッ
ト（以下、ＮＧＧと略記する）単結晶の２インチウエハ
ーを使用した。
【００１６】ターゲットを作製する際には、Ｙ2 Ｏ3 粉
末を２２．５８００ｇ、ＣｅＯ2 粉末を３４．４２３６
ｇ、Ｇｄ2 Ｏ3 粉末を３６．２４７９ｇ、Ｆｅ2 Ｏ3 粉
末を７９．８４５５ｇを混合し、この混合物を１１５０
℃で４時間仮焼し、２００ｋｇ／ｃｍ2 のプレス圧力で
プレス成形し、直径１２０ｍｍの円盤状成形体を得、こ
れを１２００℃で５時間焼成した。この焼結物を加工し
て、直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状のターゲット
を得た。
末を２２．５８００ｇ、ＣｅＯ2 粉末を３４．４２３６
ｇ、Ｇｄ2 Ｏ3 粉末を３６．２４７９ｇ、Ｆｅ2 Ｏ3 粉
末を７９．８４５５ｇを混合し、この混合物を１１５０
℃で４時間仮焼し、２００ｋｇ／ｃｍ2 のプレス圧力で
プレス成形し、直径１２０ｍｍの円盤状成形体を得、こ
れを１２００℃で５時間焼成した。この焼結物を加工し
て、直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状のターゲット
を得た。
【００１７】このターゲットの組成は、Ｃｅ1.0 Ｇｄ
1.0 Ｙ1.0 Ｆｅ5 Ｏ12であった。スパッタ装置の真空チ
ャンバー内部の陰極電極上に上記のターゲットを固定
し、スパッタアップ方式で単結晶膜の形成を行った。
1.0 Ｙ1.0 Ｆｅ5 Ｏ12であった。スパッタ装置の真空チ
ャンバー内部の陰極電極上に上記のターゲットを固定
し、スパッタアップ方式で単結晶膜の形成を行った。
【００１８】基板表面は、抵抗加熱基板ヒーターにより
６３０℃まで加熱し、６３０℃に保持した。装置のチャ
ンバー内部を２×１０-7Ｔｏｒｒまで真空引きを行った
後、スパッタガスを導入した。スパッタガスとしては、
純アルゴンガスを使用した。ガス導入後、チャンバー内
部の圧力を１×１０-2Ｔｏｒｒに調節し、投入電力密度
４．４６Ｗ／ｃｍ2 で放電させ、スパッタを行った。成
長速度約３０ｎｍ／分で５００分間、膜の作製を行い、
厚さ１５μｍの膜を得た。
６３０℃まで加熱し、６３０℃に保持した。装置のチャ
ンバー内部を２×１０-7Ｔｏｒｒまで真空引きを行った
後、スパッタガスを導入した。スパッタガスとしては、
純アルゴンガスを使用した。ガス導入後、チャンバー内
部の圧力を１×１０-2Ｔｏｒｒに調節し、投入電力密度
４．４６Ｗ／ｃｍ2 で放電させ、スパッタを行った。成
長速度約３０ｎｍ／分で５００分間、膜の作製を行い、
厚さ１５μｍの膜を得た。
【００１９】ここで、セリウムの置換量Ｘは１．０であ
り、Ｙ＝６３０℃である。そして、９０Ｘ＋５１０＝６
００であり、９０Ｘ＋５６０＝６５０℃である。
り、Ｙ＝６３０℃である。そして、９０Ｘ＋５１０＝６
００であり、９０Ｘ＋５６０＝６５０℃である。
【００２０】作製したセリウム置換イットリウム鉄ガー
ネット単結晶膜の、２インチウエハー内での膜厚分布、
組成分布を測定した。その結果、膜厚の変動は５％以内
で、また組成のずれは、装置の測定精度以下であった。
ネット単結晶膜の、２インチウエハー内での膜厚分布、
組成分布を測定した。その結果、膜厚の変動は５％以内
で、また組成のずれは、装置の測定精度以下であった。
【００２１】また、波長６３３ｎｍのレーザーを使用
し、上記の単結晶膜についてファラデー回転角を測定し
たところ、２．３×１０4 ｄｅｇ．／ｃｍであった。こ
れは、膜厚１μｍの単結晶膜のファラデー回転角（報告
値）と一致した。従って、膜厚１５μｍであっても、磁
気光学特性が劣化していないことが確認された。また、
ファラデー回転角の面内分布は、検出されなかった。
し、上記の単結晶膜についてファラデー回転角を測定し
たところ、２．３×１０4 ｄｅｇ．／ｃｍであった。こ
れは、膜厚１μｍの単結晶膜のファラデー回転角（報告
値）と一致した。従って、膜厚１５μｍであっても、磁
気光学特性が劣化していないことが確認された。また、
ファラデー回転角の面内分布は、検出されなかった。
【００２２】（実験２）ターゲットにＣｅ0.5 Ｅｕ2.0
Ｙ0.5 Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表１の
ように変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板
の（１１１）方向にＣｅ0.5 Ｅｕ2.0 Ｙ0.5 Ｆｅ5.0 Ｏ
12で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μ
ｍの膜を作製し、この各膜のファラデー回転を測定し
た。その結果を表１に示した。その他の作製条件は実験
１で示した条件と同一であった。
Ｙ0.5 Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表１の
ように変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板
の（１１１）方向にＣｅ0.5 Ｅｕ2.0 Ｙ0.5 Ｆｅ5.0 Ｏ
12で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μ
ｍの膜を作製し、この各膜のファラデー回転を測定し
た。その結果を表１に示した。その他の作製条件は実験
１で示した条件と同一であった。
【００２３】
【表１】
【００２４】本例ではセリウム置換量Ｘは０．５であ
り、９０Ｘ＋５１０＝５５５、９０Ｘ＋５６０＝６０５
である。表１から解るように、５５５≦Ｙ≦６０５の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
り、９０Ｘ＋５１０＝５５５、９０Ｘ＋５６０＝６０５
である。表１から解るように、５５５≦Ｙ≦６０５の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
【００２５】（実験３）ターゲットにＣｅ0.7 Ｓｍ1.3
Ｙ1.0 Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表２の
ように変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板
の（１１１）方向にＣｅ0.7 Ｓｍ1.3 Ｙ1.0 Ｆｅ5.0 Ｏ
12で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μ
ｍの膜を作製し、この各膜のファラデー回転を測定し
た。その結果を表２に示した。その他の作製条件は実験
１で示した条件と同一であった。
Ｙ1.0 Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表２の
ように変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板
の（１１１）方向にＣｅ0.7 Ｓｍ1.3 Ｙ1.0 Ｆｅ5.0 Ｏ
12で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μ
ｍの膜を作製し、この各膜のファラデー回転を測定し
た。その結果を表２に示した。その他の作製条件は実験
１で示した条件と同一であった。
【００２６】
【表２】
【００２７】本例ではセリウム置換量Ｘは０．７であ
り、９０Ｘ＋５１０＝５７３、９０Ｘ＋５６０＝６２３
である。表２から解るように、５７３≦Ｙ≦６２３の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
り、９０Ｘ＋５１０＝５７３、９０Ｘ＋５６０＝６２３
である。表２から解るように、５７３≦Ｙ≦６２３の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
【００２８】（実験４）ターゲットにＣｅ1.0 Ｇｄ1.0
Ｙ1.0 Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表３の
ように変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板
の（１１１）方向にＣｅ1.0 Ｇｄ1.0 Ｙ1.0 Ｆｅ5.0 Ｏ
12で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μ
ｍの膜を作製し、この各膜のファラデー回転を測定し
た。その結果を表３に示した。その他の作製条件は実験
１で示した条件と同一であった。
Ｙ1.0 Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表３の
ように変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板
の（１１１）方向にＣｅ1.0 Ｇｄ1.0 Ｙ1.0 Ｆｅ5.0 Ｏ
12で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μ
ｍの膜を作製し、この各膜のファラデー回転を測定し
た。その結果を表３に示した。その他の作製条件は実験
１で示した条件と同一であった。
【００２９】
【表３】
【００３０】本例ではセリウム置換量Ｘは１．０であ
り、９０Ｘ＋５１０＝６００、９０Ｘ＋５６０＝６５０
である。表３から解るように、６００≦Ｙ≦６５０の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
り、９０Ｘ＋５１０＝６００、９０Ｘ＋５６０＝６５０
である。表３から解るように、６００≦Ｙ≦６５０の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
【００３１】（実験５）ターゲットにＣｅ1.3 Ｔｂ0.4
Ｙ1.3 Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表４の
ように変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板
の（１１１）方向にＣｅ1.3 Ｔｂ0.4 Ｙ1.3 Ｆｅ5.0 Ｏ
12で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μ
ｍの膜を作製し、この各膜のファラデー回転を測定し
た。その結果を表４に示した。その他の作製条件は実験
１で示した条件と同一であった。
Ｙ1.3 Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表４の
ように変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板
の（１１１）方向にＣｅ1.3 Ｔｂ0.4 Ｙ1.3 Ｆｅ5.0 Ｏ
12で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μ
ｍの膜を作製し、この各膜のファラデー回転を測定し
た。その結果を表４に示した。その他の作製条件は実験
１で示した条件と同一であった。
【００３２】
【表４】
【００３３】本例ではセリウム置換量Ｘは１．３であ
り、９０Ｘ＋５１０＝６２７、９０Ｘ＋５６０＝６７７
である。表４から解るように、６２７≦Ｙ≦６７７の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
り、９０Ｘ＋５１０＝６２７、９０Ｘ＋５６０＝６７７
である。表４から解るように、６２７≦Ｙ≦６７７の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
【００３４】（実験６）ターゲットにＣｅ1.6 Ｌｕ0.7
Ｙ0.7 Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表５の
ように変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板
の（１１１）方向にＣｅ1.6 Ｌｕ0.7 Ｙ0.7 Ｆｅ5.0 Ｏ
12で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μ
ｍの膜を作製し、この各膜のファラデー回転を測定し
た。その結果を表５に示した。その他の作製条件は実験
１で示した条件と同一であった。
Ｙ0.7 Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表５の
ように変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板
の（１１１）方向にＣｅ1.6 Ｌｕ0.7 Ｙ0.7 Ｆｅ5.0 Ｏ
12で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μ
ｍの膜を作製し、この各膜のファラデー回転を測定し
た。その結果を表５に示した。その他の作製条件は実験
１で示した条件と同一であった。
【００３５】
【表５】
【００３６】本例ではセリウム置換量Ｘは１．６であ
り、９０Ｘ＋５１０＝６５４、９０Ｘ＋５６０＝７０４
である。表５から解るように、６５４≦Ｙ≦７０４の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
り、９０Ｘ＋５１０＝６５４、９０Ｘ＋５６０＝７０４
である。表５から解るように、６５４≦Ｙ≦７０４の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
【００３７】（実験７）ターゲットにＣｅ2.0 Ｙｂ1.0
Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表６のように
変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板の（１
１１）方向にＣｅ2.0 Ｙｂ1.0 Ｆｅ5.0 Ｏ12で示される
エピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μｍの膜を作製
し、この各膜のファラデー回転を測定した。その結果を
表６に示した。その他の作製条件は実験１で示した条件
と同一であった。
Ｆｅ5.0 Ｏ12焼結体を使用し、基板温度を表６のように
変化させた条件で、ＮＧＧ２インチウエハー基板の（１
１１）方向にＣｅ2.0 Ｙｂ1.0 Ｆｅ5.0 Ｏ12で示される
エピタキシャル膜を成長させ、厚さ１０μｍの膜を作製
し、この各膜のファラデー回転を測定した。その結果を
表６に示した。その他の作製条件は実験１で示した条件
と同一であった。
【００３８】
【表６】
【００３９】本例ではセリウム置換量Ｘは２．０であ
り、９０Ｘ＋５１０＝６９０、９０Ｘ＋５６０＝７４０
である。表６から解るように、６９０≦Ｙ≦７４０の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
り、９０Ｘ＋５１０＝６９０、９０Ｘ＋５６０＝７４０
である。表６から解るように、６９０≦Ｙ≦７４０の範
囲内でファラデー回転角が理論値に近い値を示してお
り、また膜も完全に結晶化していた。
【００４０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、少
なくともセリウム及び鉄を含有するガーネット単結晶膜
をスパッタ法によって製造するのに際し、膜質の劣化、
単結晶膜のファラデー回転角の劣化の発生を防止でき
る。
なくともセリウム及び鉄を含有するガーネット単結晶膜
をスパッタ法によって製造するのに際し、膜質の劣化、
単結晶膜のファラデー回転角の劣化の発生を防止でき
る。
【図１】セリウムの置換量Ｘと基板温度Ｙとの関係を示
すグラフである。
すグラフである。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−61355（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−82001（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−82003（ＪＰ，Ａ) Ｍａｎａｂｕ Ｇｏｍｉ ｅｔ ａ ｌ．，”Ｇｉａｎｔ Ｆａｒａｄａｙ Ｒｏｔａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｅ−Ｓｕｂ ｓｔｉｔｕｔｅｄ ＹＩＧ Ｆｉｌｍｓ Ｅｐｉｔａｘｉａｌｌｙ Ｇｒｏｗｎ ｂｙ ＲＦ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎ ｇ，”Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａ ｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ ｃｓ，Ａｕｇ．1988，Ｖｏｌ．27，Ｎ ｏ．８，ｐｐ．Ｌ1536−1538 Ｍａｎａｂｕ Ｇｏｍｉ ｅｔ ａ ｌ．，”Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ Ｆａｒａｄａｙ Ｅｆｆｅｃｔ ｉｎ Ｈｉｇｈｌｙ Ｃｅ−Ｓｕｂｓｔｉｔ ｕｔｅｄ ＹＩＧ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｆｉｌｍｓ ｂｙ ＲＦ Ｓｐｕｔｔ ｅｒｉｎｇ，”Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ ｈｙｓｉｃｓ，Ｊａｎ．1990，Ｖｏｌ. 29，Ｎｏ．１，ｐｐ．Ｌ99−100 Ｍ．Ｇｏｍｉ ｅｔ ａｌ．，”Ｓｔ ｒｏｎｇ ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃ ａｌ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｉｎ ｈｉｇｈｌｙ Ｃｅ−Ｓｕｂｓｔｉｔｕ ｔｅｄ ｉｒｏｎ ｇａｒｎｅｔ ｆｉ ｌｍｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｓｐ ｕｔｔｅｒｉｎｇ，”Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ ｓ，Ｄｅｃ．1991，Ｖｏｌ．70，Ｎｏ. 11，ｐｐ．7065−7067 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 28/00 - 35/00 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 セリウム及び鉄を含有するガーネット単
結晶膜をスパッタ法によって製造する方法において、セ
リウムの置換量をＸ（０．１≦Ｘ≦３．０）とし、基板
温度をＹ（℃）としたとき、次式を満足する条件下で前
記ガーネット単結晶膜を形成することを特徴とする、ガ
ーネット単結晶膜の製造方法。 【数１】９０Ｘ＋５１０≦Ｙ≦９０Ｘ＋５６０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6543593A JP2862750B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6543593A JP2862750B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06279197A JPH06279197A (ja) | 1994-10-04 |
| JP2862750B2 true JP2862750B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=13287040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6543593A Expired - Lifetime JP2862750B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2862750B2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP6543593A patent/JP2862750B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｍ．Ｇｏｍｉ ｅｔ ａｌ．，"Ｓｔｒｏｎｇ ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｉｎ ｈｉｇｈｌｙ Ｃｅ−Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ ｉｒｏｎ ｇａｒｎｅｔ ｆｉｌｍｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ，"Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｄｅｃ．１９９１，Ｖｏｌ．７０，Ｎｏ．１１，ｐｐ．７０６５−７０６７ |
| Ｍａｎａｂｕ Ｇｏｍｉ ｅｔ ａｌ．，"Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｏｆ Ｆａｒａｄａｙ Ｅｆｆｅｃｔ ｉｎ Ｈｉｇｈｌｙ Ｃｅ−Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ ＹＩＧ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｆｉｌｍｓ ｂｙ ＲＦ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ，"Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｊａｎ．１９９０，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．１，ｐｐ．Ｌ９９−１００ |
| Ｍａｎａｂｕ Ｇｏｍｉ ｅｔ ａｌ．，"Ｇｉａｎｔ Ｆａｒａｄａｙ Ｒｏｔａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｅ−Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ ＹＩＧ Ｆｉｌｍｓ Ｅｐｉｔａｘｉａｌｌｙ Ｇｒｏｗｎ ｂｙ ＲＦ Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ，"Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ａｕｇ．１９８８，Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．８，ｐｐ．Ｌ１５３６−１５３８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06279197A (ja) | 1994-10-04 |
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| JPH0457637B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981110 |