JPS5918189A - 圧電体単結晶の製造方法 - Google Patents
圧電体単結晶の製造方法Info
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- JPS5918189A JPS5918189A JP57125749A JP12574982A JPS5918189A JP S5918189 A JPS5918189 A JP S5918189A JP 57125749 A JP57125749 A JP 57125749A JP 12574982 A JP12574982 A JP 12574982A JP S5918189 A JPS5918189 A JP S5918189A
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- oxide
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- amorphous oxide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
- C30B1/023—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing from solids with amorphous structure
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は圧電体単結晶の製造方法に関し、更に詳しくは
、大面積で且つ組成偏析のない均質な膜状の圧電体単結
晶の製造方法に関する。
、大面積で且つ組成偏析のない均質な膜状の圧電体単結
晶の製造方法に関する。
（Ｂａｉ−ｘＳｒｘｈ Ｔｔ （Ｓｉｔ−ｙＧｅｙ）＋
Ｏｅ なる化学組成の圧電体単結晶は、最近、大き
な電気機械結合係数及び小さな遅延時間の温度係数を有
することが見い出され、弾性表面波デバイスや超音波ト
ランスジユーザなどの圧電材料として有望視されている
。又、この圧電体は、従来の圧電体単結晶、ｆ！１えば
ニオブ酸リチウム（１□１Ｎｂ０３）やタンタル酸リチ
ウム（ＬｉＴＰ、Ｏａ ）のような強誘電体と異なり５
常誘電体であるため分極処理が不要であシ、又安価な材
料から製造できる等の利点がある。以下に。
Ｏｅ なる化学組成の圧電体単結晶は、最近、大き
な電気機械結合係数及び小さな遅延時間の温度係数を有
することが見い出され、弾性表面波デバイスや超音波ト
ランスジユーザなどの圧電材料として有望視されている
。又、この圧電体は、従来の圧電体単結晶、ｆ！１えば
ニオブ酸リチウム（１□１Ｎｂ０３）やタンタル酸リチ
ウム（ＬｉＴＰ、Ｏａ ）のような強誘電体と異なり５
常誘電体であるため分極処理が不要であシ、又安価な材
料から製造できる等の利点がある。以下に。
この圧電体の従来の製造方法について述べる。
通常、上記（Ｂａ１−ｇＳｒ、、）ｚ Ｔｉ（Ｓｉｌ−
ｙＧｅｙ）＊ Ｏｓ圧電体単結晶はチョクラルスキ法に
ょシ溶融体から引き上げられて育成されている。
ｙＧｅｙ）＊ Ｏｓ圧電体単結晶はチョクラルスキ法に
ょシ溶融体から引き上げられて育成されている。
しかし、この方法では、圧電体単結晶が多成分の元素か
ら成るため、単結晶が育成される過程で溶融体の組成と
単結晶の組成とが次第にずれだして組成偏析を生じ、目
的とする組成（溶融体と同組成）の王冠体単結晶の製造
が困難であった。又、得られる圧電体単結晶は直径２ｃ
ｎ１以下であって。
ら成るため、単結晶が育成される過程で溶融体の組成と
単結晶の組成とが次第にずれだして組成偏析を生じ、目
的とする組成（溶融体と同組成）の王冠体単結晶の製造
が困難であった。又、得られる圧電体単結晶は直径２ｃ
ｎ１以下であって。
充分な面積を有してぃなかった。これらの理由から、従
来のＬｉＮｂＯ５やＬ ｉ Ｔａ Ｏｓのような大型単
結晶を育成する上で問題があ°った。
来のＬｉＮｂＯ５やＬ ｉ Ｔａ Ｏｓのような大型単
結晶を育成する上で問題があ°った。
−このため、組成偏析を減少させる方法として、溶融体
の中にスリット状の治具を浸し、その治具の細管よシ単
結晶を育成するＥＴＧ法が試みられている。
の中にスリット状の治具を浸し、その治具の細管よシ単
結晶を育成するＥＴＧ法が試みられている。
しかし、こ′の方法によって、大面積の単結晶を育成す
る罠は、スリット状の細管を長くしなければならず、そ
のだめ育成された単結晶に微細なりラックやザブグレイ
ンが生じ易いという欠点があった。又、得られる単結晶
の大きさは、最大でも幅２〜３ｍであシ、その断面債は
必ずしも大きくない。従って、ＥＴＧ法によっても、大
面積で組織欠陥が少なく且つ組成の均質な圧電体単結晶
を育成する上で問題があった。
る罠は、スリット状の細管を長くしなければならず、そ
のだめ育成された単結晶に微細なりラックやザブグレイ
ンが生じ易いという欠点があった。又、得られる単結晶
の大きさは、最大でも幅２〜３ｍであシ、その断面債は
必ずしも大きくない。従って、ＥＴＧ法によっても、大
面積で組織欠陥が少なく且つ組成の均質な圧電体単結晶
を育成する上で問題があった。
又、ブリッジマン法によれば、単結晶の育成は容易であ
る反面、得られた単結晶にザックレインが生じ易いとい
う欠点があった。
る反面、得られた単結晶にザックレインが生じ易いとい
う欠点があった。
以上のように、溶融体から大型の単結晶を育成する従来
方法にあっては、上記した多成分系の圧電体単結晶を製
造するに際して、ＢａとＳｒの分配係数及びＳｌとＧｅ
の分配係数が異なっているため。
方法にあっては、上記した多成分系の圧電体単結晶を製
造するに際して、ＢａとＳｒの分配係数及びＳｌとＧｅ
の分配係数が異なっているため。
組成偏析を避けることができなかった。
〔発明の目的」
本発明の目的は、前記の問題点を月７決することであっ
て、詳しくは、大面積で組織欠陥が少なく且つ組成偏析
のない均質な膜状の（Ｂａ１−よＳ、ｒ、）２．１ｔ
ｉ（Ｓ ｌ １−ｙ Ｇ ｅ ｙ ）２０８圧電体単結
晶の製造方法を提供することである。
て、詳しくは、大面積で組織欠陥が少なく且つ組成偏析
のない均質な膜状の（Ｂａ１−よＳ、ｒ、）２．１ｔ
ｉ（Ｓ ｌ １−ｙ Ｇ ｅ ｙ ）２０８圧電体単結
晶の製造方法を提供することである。
本発明の圧電体単結晶の製造方法は、上記した組成の非
晶質酸化物を所定の温度勾配下で再結晶化することを特
徴とする。
晶質酸化物を所定の温度勾配下で再結晶化することを特
徴とする。
即ち１本発明方法は、（Ｂａ ｔ−、Ｓｒｍ ）ｚ Ｔ
ｉ （Ｓ ｉ ｔ−、Ｇｅｙ）ｘＯｓ （０≦ｚ、ｙ≦
１）なる組成の酸化物を溶融し。
ｉ （Ｓ ｉ ｔ−、Ｇｅｙ）ｘＯｓ （０≦ｚ、ｙ≦
１）なる組成の酸化物を溶融し。
次に、得られた溶融体を急冷して非晶質酸化物とし、
次いで、この非晶質酸化物を温度勾配下で再結晶化する
ことによって、前記化学組成と同組成の酸化物単結晶を
製造することを特徴とする。
ことによって、前記化学組成と同組成の酸化物単結晶を
製造することを特徴とする。
本発明方法では、まず（Ｂａｔ−ａ、Ｓｒｇ）＊Ｔｉ（
Ｓｌｘ−ｙＧｅｙ）２０Ｂなる組成の均質な溶融体とす
る。用いる酸ｆヒ物は、上記した組成の合金それ自体で
あってもよいし、また上記組成となるように各成分元素
の酸化物を所望量配合して成る混合物であってもよい。
Ｓｌｘ−ｙＧｅｙ）２０Ｂなる組成の均質な溶融体とす
る。用いる酸ｆヒ物は、上記した組成の合金それ自体で
あってもよいし、また上記組成となるように各成分元素
の酸化物を所望量配合して成る混合物であってもよい。
溶融は、例えば白金ルツボ容器に上記酸化物を収容し、
外部から高周波加熱することによシ行なわれる。
外部から高周波加熱することによシ行なわれる。
次に、得られた溶融体を急冷して非晶質酸化物とする。
急冷に際しては、例えば液体急冷法が適用される。
液体急冷法とは、溶融体を熱伝導の良い媒体に接触させ
て急冷する方法である。具体的には、回転する１つの金
属ロール（スチール、ステンレス、銅などから成るロー
ル）を用いて急冷する単ロール法；回転する２つの金属
ロールを互いに接触させ圧延しながら急冷する双ロール
法；高速移動する金属ベルトを用いて急冷する方法があ
げられる。
て急冷する方法である。具体的には、回転する１つの金
属ロール（スチール、ステンレス、銅などから成るロー
ル）を用いて急冷する単ロール法；回転する２つの金属
ロールを互いに接触させ圧延しながら急冷する双ロール
法；高速移動する金属ベルトを用いて急冷する方法があ
げられる。
即ち、所定速度で回転・移動するロール又は金属ベルト
の回転面又は移動面に溶融体を噴出することにより行な
われる。こうして、溶融体は急冷して固化し、広面積を
有する膜状の非晶質酸化物が連続的に製造される。尚、
この際に、非晶質酸化物の膜厚を１語以下とすることが
、後述する再結晶化過程で均質な圧電体単結晶を製造す
る上において好ましいこととなる。
の回転面又は移動面に溶融体を噴出することにより行な
われる。こうして、溶融体は急冷して固化し、広面積を
有する膜状の非晶質酸化物が連続的に製造される。尚、
この際に、非晶質酸化物の膜厚を１語以下とすることが
、後述する再結晶化過程で均質な圧電体単結晶を製造す
る上において好ましいこととなる。
上記した方法で得られた非晶質酸化物は、次に再結晶化
工程に移されるが、これに先立ち、その形状を例えば図
に示したように、先端幅が狭小に加工された羽子板状と
しておくことが望ましい。
工程に移されるが、これに先立ち、その形状を例えば図
に示したように、先端幅が狭小に加工された羽子板状と
しておくことが望ましい。
（−の理由は、１■結晶化にあたυ不要な種結晶を生成
させないようにするためである。
させないようにするためである。
本発明方法において最大の特徴をなす再結晶化は、例え
ば図示したように、平行に配設された２本のヒーター４
によ多形成される温度勾配下に。
ば図示したように、平行に配設された２本のヒーター４
によ多形成される温度勾配下に。
上記羽子板状の非晶質酸化物１をその先端部から矢印方
間に通過させてゆくことにょシ行なわれる。
間に通過させてゆくことにょシ行なわれる。
尚、非晶質酸化物１を固定し、ヒーター４を移動しても
よいことは自明であろう。
よいことは自明であろう。
図示した方法において、非晶質酸化物ｌにはヒーター４
の直下から通過方向にかけて温度勾配が形成されている
。即ち、ヒーター４の直下に位置する単結晶の成長領域
２では最高温度Ｔｍａ、ｘを示し、該位置から通過方向
（送シ込み方向及び送シ出し方向）にかけて順次温度が
低下するような温度勾配である。ここに本発明でいうｍ
贋勾配とは。
の直下から通過方向にかけて温度勾配が形成されている
。即ち、ヒーター４の直下に位置する単結晶の成長領域
２では最高温度Ｔｍａ、ｘを示し、該位置から通過方向
（送シ込み方向及び送シ出し方向）にかけて順次温度が
低下するような温度勾配である。ここに本発明でいうｍ
贋勾配とは。
非晶質酸化物１において、ヒーター４の直下（温度Ｔｍ
ａｘ） から通過方向の距離をＬｌその位置での温度
をＴＬ とすれば、 （Ｔｍａｘ−Ｔｔ、）／Ｌを
意味するものである。
ａｘ） から通過方向の距離をＬｌその位置での温度
をＴＬ とすれば、 （Ｔｍａｘ−Ｔｔ、）／Ｌを
意味するものである。
このように形成された温度勾配下において、非晶質酸化
物１のうち、最初に温度勾配下を通過した部分でまず種
単結晶が生成し、成長領域２の移動と共に、再結晶化が
進み次第に圧１ｂ゛９体単結晶３が形成される。尚、通
過させるに際し、非晶質酸化物の幅狭の部分から処理す
ることが最も好ましい。それは％幅の大きい部分から処
理すると、最初に種々の方向の異なる種単結晶が生成し
、最終的に単一の単結晶から成る圧電体が得られないと
いう可能性が存在するためである。
物１のうち、最初に温度勾配下を通過した部分でまず種
単結晶が生成し、成長領域２の移動と共に、再結晶化が
進み次第に圧１ｂ゛９体単結晶３が形成される。尚、通
過させるに際し、非晶質酸化物の幅狭の部分から処理す
ることが最も好ましい。それは％幅の大きい部分から処
理すると、最初に種々の方向の異なる種単結晶が生成し
、最終的に単一の単結晶から成る圧電体が得られないと
いう可能性が存在するためである。
以下に上記した温度勾配について更に詳細に説明する。
温度勾配下における最高温度（ヒーター直下の温度〕は
、非晶質酸化物の組成によυ墨なる。即ち、当該酸化物
が組成偏析を生じることなく溶融する場合にあっては、
その熱処理最高温度を融点以上融点＋３００℃以下に設
定することが好ましい。融点＋３０００を超えると不要
な種単結晶が生じ易いため、均質な圧電体単結晶が得ら
れない。
、非晶質酸化物の組成によυ墨なる。即ち、当該酸化物
が組成偏析を生じることなく溶融する場合にあっては、
その熱処理最高温度を融点以上融点＋３００℃以下に設
定することが好ましい。融点＋３０００を超えると不要
な種単結晶が生じ易いため、均質な圧電体単結晶が得ら
れない。
又、溶融すると組成偏析を生じる（例えば前記組成式中
、１本ｇ、ｙ≦２となる）当該酸化物にあっては、その
熱処理最高温度を結晶化温度以上融点以下に設定するこ
とが好ましい。この温度域での再結晶化は、非晶質或い
は微細な結晶粒からの粒成長グロセスを通して単結晶が
育成されることとなる。尚、最高温度が融点以上のとき
は、 ５ｒＴｉＯｓ ＊ＳｒＳ １．３などの不要な
酸化物単結晶が析出するので。
、１本ｇ、ｙ≦２となる）当該酸化物にあっては、その
熱処理最高温度を結晶化温度以上融点以下に設定するこ
とが好ましい。この温度域での再結晶化は、非晶質或い
は微細な結晶粒からの粒成長グロセスを通して単結晶が
育成されることとなる。尚、最高温度が融点以上のとき
は、 ５ｒＴｉＯｓ ＊ＳｒＳ １．３などの不要な
酸化物単結晶が析出するので。
目的の組成を有する圧電体単結晶が得られない。
一方、再結晶化するための温度勾配は、通常１０〜１０
００ Ｃ７ｃｍ 、好ましくは５０〜５００ Ｃ７ｃｍ
である。１０ Ｃ／ａｎ未満のときは、多くの不要な
核が発生して多結晶になシ易いため、単結晶に成長する
可能性が少なくなシ、 １００００／ｃｔｎを超える
と、熱膨張の差に耐えられず、クラックが入シ易く、大
面積の単結晶が得られなくなるため好ましくない。
００ Ｃ７ｃｍ 、好ましくは５０〜５００ Ｃ７ｃｍ
である。１０ Ｃ／ａｎ未満のときは、多くの不要な
核が発生して多結晶になシ易いため、単結晶に成長する
可能性が少なくなシ、 １００００／ｃｔｎを超える
と、熱膨張の差に耐えられず、クラックが入シ易く、大
面積の単結晶が得られなくなるため好ましくない。
以上のような方法で得られる圧電体単結晶においては％
ＢａとＳｒとの成分比及びＳｔとＧｅとの成分比が再結
晶化的の非晶質酸化物の夫々の成分比と全く同一になシ
、且つ圧電体単結晶内ｆｆ１ｉにおいても、これらの成
分比の変動がない。又、ザブグレイン、クランク等の組
織欠陥がなく均質、緻密であって且つ５０語角以上の犬
面租を有している。
ＢａとＳｒとの成分比及びＳｔとＧｅとの成分比が再結
晶化的の非晶質酸化物の夫々の成分比と全く同一になシ
、且つ圧電体単結晶内ｆｆ１ｉにおいても、これらの成
分比の変動がない。又、ザブグレイン、クランク等の組
織欠陥がなく均質、緻密であって且つ５０語角以上の犬
面租を有している。
尚、本発明にあっては、基板上に被着された非晶質酸化
物を、基板と共に、前記と同様にして温度勾配下を通過
させることによっても王′ａ体単結晶を製造することが
できる。
物を、基板と共に、前記と同様にして温度勾配下を通過
させることによっても王′ａ体単結晶を製造することが
できる。
この際の基板に被着せしめる方法としては、例えば（Ｉ
３ａｔ−５Ｓｒｘ）２ＴＩ（Ｓｈ−ｙＧｅｙ）２０ｓ
なる組成の非晶質酸化物をターゲットとし、一方基板
として金属基板或いはザファイヤなどの単結晶基板を用
い、この基板を３００Ｃ以下に加熱した扶助下で高周波
スパッタする方法があげられる。又、この方法に限らず
、直流スパッタリング法、マグネトロンスパッタリンク
法、イオンビームスパッタリング法、イオンブレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＩ）法）
なども有効な被着方法である。
３ａｔ−５Ｓｒｘ）２ＴＩ（Ｓｈ−ｙＧｅｙ）２０ｓ
なる組成の非晶質酸化物をターゲットとし、一方基板
として金属基板或いはザファイヤなどの単結晶基板を用
い、この基板を３００Ｃ以下に加熱した扶助下で高周波
スパッタする方法があげられる。又、この方法に限らず
、直流スパッタリング法、マグネトロンスパッタリンク
法、イオンビームスパッタリング法、イオンブレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＩ）法）
なども有効な被着方法である。
更に、再結晶化工程での温度勾配を形成する手段は、ヒ
ーター加熱のみに限定されず、常用される加熱手段であ
ればいかなる方法であってもよい。
ーター加熱のみに限定されず、常用される加熱手段であ
ればいかなる方法であってもよい。
具体的にはレーザー加熱が例示される。
上記したように被着された非晶質酸化物を再結晶化した
場合、及び異なる加熱手段を採用した場合にあっても、
得られる圧電体単結晶には、的記方法で得られた圧電体
単結晶と同様に組成偏析、組織欠陥が生じることはない
。
場合、及び異なる加熱手段を採用した場合にあっても、
得られる圧電体単結晶には、的記方法で得られた圧電体
単結晶と同様に組成偏析、組織欠陥が生じることはない
。
（Ｂａｏ、ｓ Ｓｒｏ、１１）２Ｔｉ （Ｓｉｏ、５Ｇ
ｅｏ、ｓ ）＊ Ｏｓ なる組成の酸化物粉体１００Ｆ
を、白金ルツボ中で、高周波加熱によυ１５５０Ｃ″′
ｃ′溶融した。得られた溶融体を２ｍ／ｓｅｅで移動す
るスチール類のベルト上に帯状に流して急冷し１幅約５
０１Ｅ％長さ約２００ｇ厚さ約２００μｍ の透明な酸
化物を得た。
ｅｏ、ｓ ）＊ Ｏｓ なる組成の酸化物粉体１００Ｆ
を、白金ルツボ中で、高周波加熱によυ１５５０Ｃ″′
ｃ′溶融した。得られた溶融体を２ｍ／ｓｅｅで移動す
るスチール類のベルト上に帯状に流して急冷し１幅約５
０１Ｅ％長さ約２００ｇ厚さ約２００μｍ の透明な酸
化物を得た。
ここで、酸化物の一部を切シ取シ、この構造をＸ線回折
で調べたところ、非晶質であることが確認された。又、
この非晶質酸化物の結晶化温度を示差熱分析（ＤＴＡ）
によυ調べたところ、７２０ｃであった。融点は１３５
０ Ｃであった。
で調べたところ、非晶質であることが確認された。又、
この非晶質酸化物の結晶化温度を示差熱分析（ＤＴＡ）
によυ調べたところ、７２０ｃであった。融点は１３５
０ Ｃであった。
次に、この非晶質酸化物を羽子根状に切り出し、この上
下空間に２本の白金ヒーターを３ ｍ／ｒｒｊｎ の
速さで通過させた（図参照）。
下空間に２本の白金ヒーターを３ ｍ／ｒｒｊｎ の
速さで通過させた（図参照）。
この際、２本の白金ヒーターで形成された温度勾配は、
最高温度が１３００℃、勾配が３００℃７ｃｍであった
。
最高温度が１３００℃、勾配が３００℃７ｃｍであった
。
得られた酸化物の一部について、Ｘ線ラウェ写真を取っ
たところ、膜面が０面の鉱物名フレソナイ） ＢａｚＴ
ｉＳｔＯｓと同一構造の単結晶であることが判明した。
たところ、膜面が０面の鉱物名フレソナイ） ＢａｚＴ
ｉＳｔＯｓと同一構造の単結晶であることが判明した。
又、この酸化物の合金組織を偏光顕微鏡で調べたところ
、全域に亘って単結晶となっていることが確認された。
、全域に亘って単結晶となっていることが確認された。
更に、この単結晶について、Ｘ線マイクロアナライザー
（ＸＭＡ）でＢａ ＋ Ｓｒ 。
（ＸＭＡ）でＢａ ＋ Ｓｒ 。
Ｓｌ、Ｇｅの元素分布を調べだところ、再結晶化前の非
晶質酸化物と比べて全く組成変動のないことが判明した
。
晶質酸化物と比べて全く組成変動のないことが判明した
。
尚、この単結晶の電気機械結合係数（ｋｓ２）は０．０
１５、遅延時間の温度係数は１２Ｘ１０ ／Ｃであった
。
１５、遅延時間の温度係数は１２Ｘ１０ ／Ｃであった
。
以上のことから、大面積で組織欠陥がなく、しかも組成
偏析がなく均質で且つ優れた電気機械結合係数、小さな
遅延時間の温度係数を有する圧電体単結晶が極めて容易
に得られることが判明した。
偏析がなく均質で且つ優れた電気機械結合係数、小さな
遅延時間の温度係数を有する圧電体単結晶が極めて容易
に得られることが判明した。
本発明方法によれば、最初に単一の種単結晶のみを生成
せしめ、この種単結晶を所定の温度勾配下で育成させて
いくことによシ、非晶質酸化物全体を再結晶化すること
が可能になる。従って、得られる圧電体単結晶は、組成
偏析を生じ易い多成分の元素から構成されているにもか
かわらず、組織欠陥、組成不均一性、組成偏析又は成分
比の変動が全く生じていない。しかも、従来方法では得
ることができなかった５０ＭＲ角以上で大１ｌｌｉｌ積
の膜状の単結晶育成が可能となるため、極めて度量性に
優れたものとなる。又、得られる単結晶は、１餌以下の
厚さであるため、スライシングなどの加工を要すること
なく圧電体として実用し得る。加えて、再結晶化過程に
おいて、単結晶の成長領域を極めて狭くすることができ
るので、単結晶製造装置を小型化することが可能となる
。
せしめ、この種単結晶を所定の温度勾配下で育成させて
いくことによシ、非晶質酸化物全体を再結晶化すること
が可能になる。従って、得られる圧電体単結晶は、組成
偏析を生じ易い多成分の元素から構成されているにもか
かわらず、組織欠陥、組成不均一性、組成偏析又は成分
比の変動が全く生じていない。しかも、従来方法では得
ることができなかった５０ＭＲ角以上で大１ｌｌｉｌ積
の膜状の単結晶育成が可能となるため、極めて度量性に
優れたものとなる。又、得られる単結晶は、１餌以下の
厚さであるため、スライシングなどの加工を要すること
なく圧電体として実用し得る。加えて、再結晶化過程に
おいて、単結晶の成長領域を極めて狭くすることができ
るので、単結晶製造装置を小型化することが可能となる
。
更には、従来方法で製造される厚さ１πＩ・以下の（Ｂ
ａ １−ｘｓｒｘ）２Ｔｌ（Ｓｌｌ−ｙＧｅｙ ）２０
８ 大型単結晶にオ？いて、スライシング加工した際
の歩留シは、Ｊｍ常３０％以下でちったのに対し、本発
明方法で得られる単結晶のスライシング加工では歩留り
が７０％に同上しているため、非常に経済的である。
ａ １−ｘｓｒｘ）２Ｔｌ（Ｓｌｌ−ｙＧｅｙ ）２０
８ 大型単結晶にオ？いて、スライシング加工した際
の歩留シは、Ｊｍ常３０％以下でちったのに対し、本発
明方法で得られる単結晶のスライシング加工では歩留り
が７０％に同上しているため、非常に経済的である。
又、本発明方法によれば、組成偏析を生ずることがない
ため、所望通りの組成を有する圧ＴＩＴ、体単結晶を製
造することが可能である。従って、大きな１ｂ；気機械
結合係数、且つ小さな遅延時間の温度係数を有する圧Ｔ
Ｈ，Ｉｔ単結晶が得られることとなシ。
ため、所望通りの組成を有する圧ＴＩＴ、体単結晶を製
造することが可能である。従って、大きな１ｂ；気機械
結合係数、且つ小さな遅延時間の温度係数を有する圧Ｔ
Ｈ，Ｉｔ単結晶が得られることとなシ。
このような特性を有する単結晶は弾性表面波デバイスや
圧電トランスデユーサなどの圧電８料として推賞される
ものである。
圧電トランスデユーサなどの圧電８料として推賞される
ものである。
以上のように１本発明の製造方法は５組成偏析し易い多
成分系の酸化物単結晶を製造するにあたって極めて有効
で、製造技術上量産技術上など、工業的に極めて有益な
製造方法となるものである。
成分系の酸化物単結晶を製造するにあたって極めて有効
で、製造技術上量産技術上など、工業的に極めて有益な
製造方法となるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 、 （１１（Ｂａｘ−、Ｓｒ、）ｘ Ｔｉ（Ｓｉｘ−
ｙＧｅｙ）＊ ０ｓ（０≦ｇ Ｉ ７≦１）なる組成の
酸化物を溶融し。 次に、得られた溶融体を急冷して非晶質酸化物とし。 次いで、この非晶質酸化物を温度勾配下で再結晶化する
ことによって、前記化学組成と同組成の酸化物単結晶を
製造することを特徴とする圧電体単結晶の製造方法。 （２）前記温度勾配の最高温度が、前記非晶質酸化物の
結晶化温度以上で且つその融点＋３００Ｃ以下の温度域
内である特許請求の範囲第１項記載の圧電体単結晶の製
造方法。 ＋３１ 前記温度勾配が１０℃／ｃｍ−１０００６７
ｃｍである特許請求の範囲ｗｃ１項記載の圧電体単結晶
の製造方法。 （４）前記浴融体の急冷を液体急冷法によ９行なう特許
請求の範囲第１項記載の圧電体単結晶の製造方法。 ＋５７ 基板上に被着せしめた前記非晶質酸化物を特
徴とする特許請求の・範囲第１項記載の圧電体単結晶の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125749A JPS5918189A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 圧電体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57125749A JPS5918189A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 圧電体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918189A true JPS5918189A (ja) | 1984-01-30 |
Family
ID=14917850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57125749A Pending JPS5918189A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 圧電体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918189A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335490A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Ngk Insulators Ltd | 単結晶体の製造法 |
| WO2004047193A1 (en) * | 2002-11-16 | 2004-06-03 | Key Sung Metal Co., Ltd. | Piezoelectric ceramics crystal-oriented under electric field and method of manufacturing the same |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57125749A patent/JPS5918189A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335490A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Ngk Insulators Ltd | 単結晶体の製造法 |
| JPH0475879B2 (ja) * | 1986-07-30 | 1992-12-02 | Ngk Insulators Ltd | |
| WO2004047193A1 (en) * | 2002-11-16 | 2004-06-03 | Key Sung Metal Co., Ltd. | Piezoelectric ceramics crystal-oriented under electric field and method of manufacturing the same |
| US7467448B2 (en) | 2002-11-16 | 2008-12-23 | Key Sung Metal Co., Ltd. | Method of manufacturing a piezoelectric ceramic |
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