JPS60130121A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS60130121A JPS60130121A JP58237614A JP23761483A JPS60130121A JP S60130121 A JPS60130121 A JP S60130121A JP 58237614 A JP58237614 A JP 58237614A JP 23761483 A JP23761483 A JP 23761483A JP S60130121 A JPS60130121 A JP S60130121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- electron beam
- scanning
- exposure
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は，ラスク走査方式の電子ビーム露光方法に係わ
り，特にドーズ量を可変するようにした電子ビーム露光
方法に関する。
り，特にドーズ量を可変するようにした電子ビーム露光
方法に関する。
近年，半導体ウエハやマスク基数等の試料上に微細パタ
ーンを形成するものとして，各種の電子ビーム露光装置
が開発されている。この装置は，ビームの走査方式とし
てラスク走査方式及びべフタ走査方式との２つに大別さ
れる。２スタ走葺方式はビームの走査範囲（フィールド
）内をパターンの有無に拘らず端から端まで走査し，・
母ターンの部分でビームを照射する方式であり，べフタ
走査方式はパターンのある部分までビームを持っていき
照射する方式である。そして、現状では操作性，信頼性
及び精度の点でラスク走査方式の方が優れていると云わ
れ，実用装置として市販されているものは殆んどこの方
式に限られている。
ーンを形成するものとして，各種の電子ビーム露光装置
が開発されている。この装置は，ビームの走査方式とし
てラスク走査方式及びべフタ走査方式との２つに大別さ
れる。２スタ走葺方式はビームの走査範囲（フィールド
）内をパターンの有無に拘らず端から端まで走査し，・
母ターンの部分でビームを照射する方式であり，べフタ
走査方式はパターンのある部分までビームを持っていき
照射する方式である。そして、現状では操作性，信頼性
及び精度の点でラスク走査方式の方が優れていると云わ
れ，実用装置として市販されているものは殆んどこの方
式に限られている。
しかしながら、ラスク走査方式でパターンを露光する場
合，レジストに与えるドーズ量を変化させるのが比較的
困難であると云う問題がある。すなわち、ドーズ量を狭
い範囲で可変するのはｔ子光学系の調整で容易であるが
，ドーズ量を２倍、３倍と大きく挿すには種々の問題が
あった。例えば、ドーズ量を２倍、３倍に大きくするの
にクロック周波数をｌ／２或いは１／３に下げる方法が
あるが、この場合マスク走査の走査時間が長くなり、波
形の直線性が悪くなる。さらに、走査を行っている途中
ではステージの振動等による露光ずれを補正することが
困難なので、露光／ぞターンにステージ振動の影響が出
てくる等の問題があった。
合，レジストに与えるドーズ量を変化させるのが比較的
困難であると云う問題がある。すなわち、ドーズ量を狭
い範囲で可変するのはｔ子光学系の調整で容易であるが
，ドーズ量を２倍、３倍と大きく挿すには種々の問題が
あった。例えば、ドーズ量を２倍、３倍に大きくするの
にクロック周波数をｌ／２或いは１／３に下げる方法が
あるが、この場合マスク走査の走査時間が長くなり、波
形の直線性が悪くなる。さらに、走査を行っている途中
ではステージの振動等による露光ずれを補正することが
困難なので、露光／ぞターンにステージ振動の影響が出
てくる等の問題があった。
本発明の目的は、露光精度を低下させることなくドーズ
量をｎ（整数）倍に増やすことができ、レジストの種類
等に応じて効果的な露光を行い得る電子ビーム露光方法
を提供することにある。
量をｎ（整数）倍に増やすことができ、レジストの種類
等に応じて効果的な露光を行い得る電子ビーム露光方法
を提供することにある。
本発明の骨子は、タロツク周波数等を変えることなく、
電子ビームの複数回照射によりドーズ量全可変すること
にある。
電子ビームの複数回照射によりドーズ量全可変すること
にある。
すなわち本発明は、電子ビーム露光に供される試料を載
置したステージを一方向に連続移動すると共に、上記移
動方向と直交する方向に電子ビームを走査して試料上に
所望・やターンを露光するラスク走棄方式のｔ子ビーム
蕊光方法において、前記露光すべきノ？ターンをｎｉＪ
記スデステージ方向移動中に複数回露光するようにした
方法である。
置したステージを一方向に連続移動すると共に、上記移
動方向と直交する方向に電子ビームを走査して試料上に
所望・やターンを露光するラスク走棄方式のｔ子ビーム
蕊光方法において、前記露光すべきノ？ターンをｎｉＪ
記スデステージ方向移動中に複数回露光するようにした
方法である。
本発明によれば、電子ビームを同一パターンでｎ回走査
することによυ、ドーズ散をｎ倍に増大することができ
る。そしてこの場合、ステージ移動のオーバヘッドタイ
ムα（実描画時間に対する割合）は１画描画の場合と変
らないから、描画時間は略ｎ（１−α）倍にしか増えな
い。また、走査周期は長くならないので、走査を圧波形
の変動が少なく、ステージ振動の影響もあまり受けない
。したがって、露光精度か低下する等の不都合を招くこ
となく、ドーズ量をｎ倍に増やすことができ、その有用
性は絶大でおる。
することによυ、ドーズ散をｎ倍に増大することができ
る。そしてこの場合、ステージ移動のオーバヘッドタイ
ムα（実描画時間に対する割合）は１画描画の場合と変
らないから、描画時間は略ｎ（１−α）倍にしか増えな
い。また、走査周期は長くならないので、走査を圧波形
の変動が少なく、ステージ振動の影響もあまり受けない
。したがって、露光精度か低下する等の不都合を招くこ
となく、ドーズ量をｎ倍に増やすことができ、その有用
性は絶大でおる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム露
光装置を示す概略構成図である。図中１−９は試料室で
、この試料室１０内には半導体ウェハやマスク基板等の
試料１１を載置した試料ステージＪ２が配置されている
。ステージＩ２は、ステージ駆動系１３によりＸ方向（
紙面左右方向〕及びＹ方向（紙面上下方向）に移動せら
れる。そして、ステージ１２の移動位置は、レーザ測長
系１４により測定されるものとなっている。
光装置を示す概略構成図である。図中１−９は試料室で
、この試料室１０内には半導体ウェハやマスク基板等の
試料１１を載置した試料ステージＪ２が配置されている
。ステージＩ２は、ステージ駆動系１３によりＸ方向（
紙面左右方向〕及びＹ方向（紙面上下方向）に移動せら
れる。そして、ステージ１２の移動位置は、レーザ測長
系１４により測定されるものとなっている。
一方、試料室１０の上方には電子銃２１、各種偏向器２
２，２３，２４．各押レンズ２５゜２６．２７．２８及
びアパーチャマスク２９゜３０等からなる電子光学鏡筒
２ｏが設けられている。電子銃２１から放射された電子
ビームは。
２，２３，２４．各押レンズ２５゜２６．２７．２８及
びアパーチャマスク２９゜３０等からなる電子光学鏡筒
２ｏが設けられている。電子銃２１から放射された電子
ビームは。
１ずブランキング用偏向器２２によりブランキング（Ｏ
Ｎ−ＯＦＦ）制御される。ビームＯＮの場合、上記ビー
ムはビーム寸法可変用偏向器２３及びビーム整形用アノ
Ｊ？−チャマスク２９゜３０により、その寸法が可変側
（財）される。すなわち、偏向器２３によるビーム偏向
によりマスク２９．３０の各アパーチャの１なり状態が
変えられ、これによりビーム寸法が可変制御される。そ
して、寸法制御°されたビームは、ビーム走査用偏向器
２４により試料ｌｌ上で走査されるものとなっている。
Ｎ−ＯＦＦ）制御される。ビームＯＮの場合、上記ビー
ムはビーム寸法可変用偏向器２３及びビーム整形用アノ
Ｊ？−チャマスク２９゜３０により、その寸法が可変側
（財）される。すなわち、偏向器２３によるビーム偏向
によりマスク２９．３０の各アパーチャの１なり状態が
変えられ、これによりビーム寸法が可変制御される。そ
して、寸法制御°されたビームは、ビーム走査用偏向器
２４により試料ｌｌ上で走査されるものとなっている。
なお１図中３１はブランキング制御回路。
３２はビーム寸法制御回路、３３はビーム走食制鉤回路
、３４は電子銃電源、３５はレンズ電源をそれぞれ示し
ている。
、３４は電子銃電源、３５はレンズ電源をそれぞれ示し
ている。
次に、上記構成の装置を用いた総光方法について第２図
を参照して説り」する。１ず、第２区１に示す如く試料
１１を短冊状のフィールド４１ａ、４１ｂ・・・に分割
し、ビームの走査範囲はフィールド幅に設定する。ステ
ージ１２をＹ方向に連続移動すると共に、ビームをＸ方
向に繰フ返し走査し、かつ描くべきパターンか存在する
位置でビームをＯＮする。所謂マスク走査方式による露
光である。ここで、ビームの幅（Ｙ方向幅）は描くべき
・ゼターンの形状に応じて可変制御される。１つのフィ
ールド４１ａの露光が終了したら、ステージ１２を−Ｘ
方向にステップ移動する。その後、ステージ１２を−Ｙ
方向に連続移動しなから、前と同＠なビーム定食により
次のフィールド４１ｂを露光する。
を参照して説り」する。１ず、第２区１に示す如く試料
１１を短冊状のフィールド４１ａ、４１ｂ・・・に分割
し、ビームの走査範囲はフィールド幅に設定する。ステ
ージ１２をＹ方向に連続移動すると共に、ビームをＸ方
向に繰フ返し走査し、かつ描くべきパターンか存在する
位置でビームをＯＮする。所謂マスク走査方式による露
光である。ここで、ビームの幅（Ｙ方向幅）は描くべき
・ゼターンの形状に応じて可変制御される。１つのフィ
ールド４１ａの露光が終了したら、ステージ１２を−Ｘ
方向にステップ移動する。その後、ステージ１２を−Ｙ
方向に連続移動しなから、前と同＠なビーム定食により
次のフィールド４１ｂを露光する。
この操作をｈｐ返すことによって、試料１１全面が露光
されることになる。
されることになる。
こと１での基本的露光方法は従来のラスク方式と同様で
あり１本実施例方法が従来と異なるのは、露光すべきパ
ターンの部分を２回ずつ露光することにある。以下、こ
の露光方法について第３図を参照して説明する。図中５
１は走査視野、５２はパターン５３の部分を描画する際
のビーム形状、５４はパターン５５を、５６はパターン
５７を、５８はパターン５９０部分を描画する際のビー
ム形状でちる。ステージはＹ方向に連続移動していると
する。偏向視野５ノ内に描画すべきｌぐターンが入ると
、ビームを５２の形状に形成し■の走査で／臂ターン５
３を描画する。このとき、ビームの走査方向は大略Ｘ方
向であるが、ステージ１２の移動を考慮しＹ方向の補正
も加えられる。
あり１本実施例方法が従来と異なるのは、露光すべきパ
ターンの部分を２回ずつ露光することにある。以下、こ
の露光方法について第３図を参照して説明する。図中５
１は走査視野、５２はパターン５３の部分を描画する際
のビーム形状、５４はパターン５５を、５６はパターン
５７を、５８はパターン５９０部分を描画する際のビー
ム形状でちる。ステージはＹ方向に連続移動していると
する。偏向視野５ノ内に描画すべきｌぐターンが入ると
、ビームを５２の形状に形成し■の走査で／臂ターン５
３を描画する。このとき、ビームの走査方向は大略Ｘ方
向であるが、ステージ１２の移動を考慮しＹ方向の補正
も加えられる。
従来方法では１次に■の定食を行いパターン５５を描画
し、続いて■、■の走査を行うが。
し、続いて■、■の走査を行うが。
本実施例力法では■の走査の次に■の走査を行う。つま
シ、同−智、所の７１２食を２度行う。パターン５５に
対しては■■の走査を、パターン５７に対しては■■の
走査を、パターン５９に対しては■■の走査を行い、同
一パターンをそれぞれ２回ずつビーム走をして描画する
。なお。
シ、同−智、所の７１２食を２度行う。パターン５５に
対しては■■の走査を、パターン５７に対しては■■の
走査を、パターン５９に対しては■■の走査を行い、同
一パターンをそれぞれ２回ずつビーム走をして描画する
。なお。
ステージ１２は一定速度で移動しているので、２回目の
走置時には１走査中にステージ１２か移動した分をビー
ムのＹ方向偏向により補正する。
走置時には１走査中にステージ１２か移動した分をビー
ムのＹ方向偏向により補正する。
このような方法であれは、同一パターンを２回ずつ繰り
返して描画することになるので、試料Ｉ２上のレノスト
に与えるドーズ血を・通常の２倍に増やすことができる
。そしてこの場合、ステージ移動によるオーバヘッドタ
イムαは１回描画の場合と変わらないので、描画時間は
２（１−α）倍にしか増えない。つまり、２回描画にも
拘らず描画時間を２倍より十分率さい時間に抑えること
が可能である。
返して描画することになるので、試料Ｉ２上のレノスト
に与えるドーズ血を・通常の２倍に増やすことができる
。そしてこの場合、ステージ移動によるオーバヘッドタ
イムαは１回描画の場合と変わらないので、描画時間は
２（１−α）倍にしか増えない。つまり、２回描画にも
拘らず描画時間を２倍より十分率さい時間に抑えること
が可能である。
なお１本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、同一パターンを露光する回数は２回に限る
ものではなく、所望するドーズ鼠に応じてｎ（整数）回
に設定すれはよい。
い。例えば、同一パターンを露光する回数は２回に限る
ものではなく、所望するドーズ鼠に応じてｎ（整数）回
に設定すれはよい。
この場合も描画時間はｎ（１−α〕となり１倍よシは十
分率さいものとなる。また、ビーム寸法を可変しないラ
スク走査方式に適用できるのも勿論のことである。さら
に、露光装置の構成は前記第１図に何ら限定されるもの
ではなく。
分率さいものとなる。また、ビーム寸法を可変しないラ
スク走査方式に適用できるのも勿論のことである。さら
に、露光装置の構成は前記第１図に何ら限定されるもの
ではなく。
ラスク走査可能なものであればよい。その他。
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施する
ことができる。
ことができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム露
光装置を示す概略構成図、第２図及び第３図はそれぞれ
上記装置を使用しｆｃ露光方法を説明するだめの模式図
である。 １１・・・試料、１２・・・試料ステージ、２１・・・
電子銃、２２，２３．２４・・・偏向器、ｚｓ、２ｔ；
、２７，２１３・・・レンズ、２９．３０・・・７ノぐ
一チャマスク、４１ａ、４１ｂ・・・フィールド、５１
・・・走査視野、５２，５４，５６．５８・・・ビーム
形状、５３．５５，５７．５９・・・ノぐター７１１分
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 ４１１） ４１Ｃ
光装置を示す概略構成図、第２図及び第３図はそれぞれ
上記装置を使用しｆｃ露光方法を説明するだめの模式図
である。 １１・・・試料、１２・・・試料ステージ、２１・・・
電子銃、２２，２３．２４・・・偏向器、ｚｓ、２ｔ；
、２７，２１３・・・レンズ、２９．３０・・・７ノぐ
一チャマスク、４１ａ、４１ｂ・・・フィールド、５１
・・・走査視野、５２，５４，５６．５８・・・ビーム
形状、５３．５５，５７．５９・・・ノぐター７１１分
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 ４１１） ４１Ｃ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （υ 電子ビーム露光に供される試料を載置したステー
ジを一方向に連続移動すると共に、上記移動方向と直交
する方向に電子ビームを走査して試料上に所望パターン
を露光するラスク走査方式の電子ビーム露光方法におい
て。 前記露光すべきパターンを前記ステージの一方向移動中
に複数回露光することを特徴とする電子ビーム露光方法
。 （２） 前記電子ビームとして、可変寸法ビームを用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の′電子
ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237614A JPS60130121A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58237614A JPS60130121A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130121A true JPS60130121A (ja) | 1985-07-11 |
Family
ID=17017923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58237614A Pending JPS60130121A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841242A (en) * | 1987-04-10 | 1989-06-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for testing conductor networks |
| JP2017130523A (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748230A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-19 | Jeol Ltd | Electron ray exposure |
| JPS57148346A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Toshiba Corp | Charged beam drawer |
| JPS57211232A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Toshiba Mach Co Ltd | Raster scanning type electron beam exposure |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP58237614A patent/JPS60130121A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748230A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-19 | Jeol Ltd | Electron ray exposure |
| JPS57148346A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Toshiba Corp | Charged beam drawer |
| JPS57211232A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Toshiba Mach Co Ltd | Raster scanning type electron beam exposure |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841242A (en) * | 1987-04-10 | 1989-06-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for testing conductor networks |
| JP2017130523A (ja) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置 |
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