JPS60128678A - 太陽電池モジユ−ル - Google Patents

太陽電池モジユ−ル

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JPS60128678A
JPS60128678A JP58237060A JP23706083A JPS60128678A JP S60128678 A JPS60128678 A JP S60128678A JP 58237060 A JP58237060 A JP 58237060A JP 23706083 A JP23706083 A JP 23706083A JP S60128678 A JPS60128678 A JP S60128678A
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JP
Japan
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solar cell
elements
light
sections
electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP58237060A
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English (en)
Inventor
Shigeru Maruyama
茂 丸山
Noboru Kosho
古庄 昇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd filed Critical Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Publication of JPS60128678A publication Critical patent/JPS60128678A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
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    • Y02E10/52PV systems with concentrators

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  • Sustainable Energy (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の属する技術分野) 本発明は透明基板上に形成された半導体層に基板を通っ
て入射する光によって光電変換を行う太VIg?!池モ
ジュールに関する。
(従来技術とその問題点) 太陽電池においては光電変換を行う半導体に入射した光
のみが発電に寄与する。もし半導体の存在しない所に入
射した光も発電に寄与させるならば光の利用効率が向上
する。これに対して特開昭55−9500号公報には多
数の円形の太陽電池素子間に入射する光を光線散乱面に
当てて反射させ、太陽電池素子を覆う光学媒体の表面で
下方に向けて反射させて素子に入射させる構造を有する
太陽電池モジュールが示されている。しがし太陽電池素
子の保護のために太陽電池素子の裏面側も光を少なくと
も一部は透過する樹脂層を設ける場合、素子間を通過し
た光はこの樹脂層の下の裏面材の面で反射することにな
り、その部分に光線散乱面を設けても素子の側面や、裏
面に当たることが多く、太陽電池モジュールの光電変換
効率向上にはほとんど効果がない。特にアモルファスシ
リコンを用いた薄膜太陽電池のモジュールのように、方
形の素子を配列する場合、素子間の間隙は巾0.5〜2
mmの細長い形状であるため、散乱光線がこの間隙を通
過して再び素子に入射する確率は極めて低い。
(発明の目的) 本発明は上述の欠点を除去し、透明基板に支持される太
陽電池素子の反基板側に保設層が設けられるものにおい
ても素子間入射させる光を素子に入射させて太陽電池モ
ジュールの光電変換効率を向上させることを目的とする
(発明の要点) 本発明による太陽電池モジュールにおいては、透明基板
に支持される太陽電池素子の反基板側の電極は金用膜か
らなり、その電極および素子間の間隙を透明な保詭層お
よび裏面材が覆い、裏面材の保dΦ層側に形成される光
反射面が素子間の間隙に対向する部分においてその間隙
に向って突出し、その突出部の傾斜面は素子面に対して
5〜45 の角度をなすことにより上記の目的が達成さ
れる。
(発明の実施例) 第1図およびそのA−A線断面図である第2図に示され
た太陽電池モジュールは、ガラス基板1上に形成された
複数のアモルファスシリコン(以下α−81と記す)太
陽電池素子2を有し、素子2は制止樹脂3で覆われ、さ
らにその上を裏面材4が覆っている。太陽電池素子2は
第3図に第2図B部拡大して示すように透明電極21.
α−81層22、裏面電極23の積層体であり、裏面電
極23は1μ771.以下の厚さの薄い金属膜からなる
裏面材4は、やはり第3図に示すように基板1の側から
、例えば絶縁用の透明ポリぶつ化ビニールフィルム41
、反射用のアルミニウム箔42、防食用の白色ポリぶつ
化ビニールフィルムでjtlff 成されている。裏面
材4は太陽電池素子2の間隙で、素子間接続用の透明電
極21のみが存在する箇所に対向して断面三角形に形成
されている。この三角形の傾斜面5の太陽電池素子2の
受光面とのなす角θは5%0り45°であり、それ以外
の部分では裏面材4は受光面と平行である。素子2の間
隙で透明電極21を介して傾斜面5の頂上近くに入射し
た光線6はアルミニウム箔42の表面7で反射し、ガラ
ス基板1の両面11.12によって再反射し、経路61
; 62をjjuつてα−3iJ蝉22に入射して光電
変換に寄与する。また同様に素子2の間隙を通って傾斜
面5の裾近くに入射した光線8は、アルミニウム箔42
の表面7で反射され、薄い裏面電極23に当たる。ここ
で大部分の光は裏面電極23によって反射されるか、吸
収されるが、一部の光(約5%)は裏面電軸23を透過
してα−8i層22に入射し光電変換に寄与する。さら
に太陽電池素子2に入射し、光電変換に寄与せず透過し
た光線9(約10%)は裏面材4のアルミニウム箔42
の面で反射され、裏面電極23に達し、ここで一部の光
線(5%)は反射されずに裏面電極23を透過してα−
8i層22 に入射し、光電変換に寄与するようになる
第1表は上記実施例のモジュールを比較例のモジュール
と共に出力特性を測定した結果を示す。
比軸例1では、実施例と同様にガラス基板上にa−3i
太賜宙、池素子が形成され、その反基板側には封止槓[
脂を介して基板側の血が光散乱面に形成されている白色
のポリぶつ化ビニールフィルムである。比較例2では、
実施例と同様に構成されているが、裏面材の面は全面素
子受光面と平行である。
第 1 表 光電変換効率比はモジュール化前の太陽電池素子の効率
を100として示した。
比較例にくらべて本発明の実施例の効率の高い理由は、
比較例1では素子間の間隙部分に入射した光が全方向に
散乱するため再び素子間を逆ってモジュール外に反射さ
nる光が多くなる。また裏面電極へ入射する角度も大き
くなり、裏面?U極での反射(0失が多くなるためと推
定される。比較例2では、太陽7↓℃池素子間に入射し
た光が平面で反!〕・」されて再び素子#l]からモジ
ュール外に出るためと考えられる。
本発明により形成される傾斜面の角度θは、太陽υI池
素子受光面と裏面材の反射面との距離により最適値が異
なるが、通常のモジュールにおけるような2〜0.5m
mの範囲にその距離があるときには、5〜456の範囲
にあるときにモジュールの変換効率が向上する。
本発明における裏面側としては上記のようにプラスチッ
クフィルムをサンドインチ状にはり合わせた反射率の高
いhl、 Mg、 Ni、 Ti、 Ag、 hurな
どの箔あるいは板のほか、それらの金属箔または板ノ片
面をプラスチックフィルム、塗料、金に4’Wl 化物
、無機物などによって防食処理したもの、およびプラス
チックフィルムの片1mに上記金属を蒸着したものを用
いることかできるが、外面に金属を露出させてもよい。
(発明の効果) 本発明によれば透明基板上に形成されたα−81ハi膜
などによる太陽電池素子のモジュールの裏面側に金属反
射面を設けると共に、太陽電池素子間に対向し、光が直
接到達する箇所の反射面に太陽電池に対して5〜456
の傾斜面を有する突出部を設けることにより、裏面材に
入射した光を反射させて太陽電池素子に入射させ、光電
変換に寄与させることによって太陽電池モジュールの光
電変換効率を向上させるものである。また、本発明によ
る突出部によって太陽電池モジュールの裏面側の封止樹
脂と裏面材との接触面積が増加するため裏面材と封止樹
脂との接着力が向上し、さらに反射面を形成する金属層
の防湿効果により太陽電池モジュールの信頼性が向上す
る効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の平面図、第2図は第1図の
A−A線断面図、第3図は第2図のB部の拡大詳細図で
ある。 1ニガラス基板、2二太陽電池素子、3:封止樹脂、4
:裏面材、5:傾斜面、7:反射面、θ:傾斜角。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)複数の太陽電池素子が間隔を置いて透明基板に支持
    −されるものにおいて、太陽電池素子の反基板側の電極
    が金属膜からなり該電極および素子間の間隙が透明な保
    護層および裏面材で覆われ、裏面材の保護層側に形成さ
    れる光反射面が素子間の間隙に対向する部分において該
    間隙に向って突出し、該突出部の傾斜面が素子面に対し
    て5〜45の角度をなすことを特徴とする太陽電池モジ
    ュール。
JP58237060A 1983-12-15 1983-12-15 太陽電池モジユ−ル Pending JPS60128678A (ja)

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