JPS6012555A - バリヤ層を含む電子写真要素 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子写真要素用のバリヤ層に関する。

更に具体的に言えば、本発明はバリヤ層の組成物に関す
る。

〔従来の技術〕

電子写真の像形成要素、方法及び技術については、従来
から、特許文献及び他の文献に広く記載がある。一般に
電子写真法では、電磁照射の像様露光によシ静電電荷潜
像を形成することによって応答する電子写真要素を使用
する。当業界において今や周知の種々の操作を続いて行
なうことによって、前記の像の永久記録を作ることがで
きる。

電子写真法において特に有用な電子写真要素の１つの型
は、多層構造から成っている。その要素は、予め導電性
材料層でオーバーコーチングしたフィルム支持体上に光
導電性組成物層をコーチングすることによって調製する
。更に、前記の導電性層と光導電性層との間に、絶縁層
又はバリヤ層を挿入する。

前記のバリヤ層は、電子写真要素において種々の機能を
発揮する。バリヤ層は主に、活性化照射の不在下におけ
る電子写真要素の電荷漏れの現象を減少させる。この現
象は、一般に暗減衰と呼ばれているものである。

電子写真による微小像形成の用途に対しては、あるいは
非常に高品位の１対１の電子写真再製を行なうためには
、光導電性層が、局在する絶縁破壊に抵抗性を示すこと
が重要である。光導電性層に絶縁破壊が起こると、その
層の表面上に直径約５〜３０μｍの小さな独立領域が生
成し、感光済み（ライトストラック又は白スポット）と
して表われる。前記の独立領域は、表面電荷を保持する
ことができない。光放電感度が高い光導電性層のほとん
どのものは、非常に高密度の絶縁破壊スポットの被害を
うける。

〔発明が解決しようとする問題点〕　□従来知られてい
た、電子写真要素用の前記バリヤ層は、酸化アルミニウ
ム、ｄｅリスチレン及び硝酸セルロースを含んでいる。

これらのバリヤ層においては、微小像形成又は高品位電
子写真再製用の高感度（スピード及びセンシティビティ
）光導電性層中の絶縁破壊の密度を最小にすることに成
功していないという問題点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の目的は、絶縁破壊スポットの密度を減少する電
子写真要素用のバリヤ層を提供することにある。

本発明は、電子写真要素の導電性層と光導電性層との間
の改良されたバリヤ層を提供する。そのバリヤ層は、α
、β−エチレン系不飽和のカルボニル基含有置換基少な
くとも１個を含む脂肪族又は芳香族基１個又はそれ以上
を含む重合架橋したモノマーを含んで成る。好ましい態
様においては、本発明の電子写真要素は、アクリレート
又はメタクリレートカルゲニル置換基少なくとも１個を
有する脂肪族又は芳香族基を含む重合架橋したモノマー
を含むバリヤ層を含んでいる。

本発明による電子写真要素のバリヤ層によυ、光放電感
度が高く、電荷暗減衰が少なく、シかも絶縁破壊スポッ
ト密度の低い電子写真要素がもたらされる。更に、前記
バリヤ層は、バリヤ層をコーチングし、そして電子写真
要素の光導電性層及び他の層をコーチングするのに使う
通常の有機溶媒例えばジクロロメタン及びトルエンに不
溶性であシ、これら溶媒によって影響を受けない。

前記したとおり、本発明の電子写真要素は、導電性層、
光導電性層、及び前記導電性層と光導電性層との間にあ
るバリヤ層を含んで成るものである。これらの３層はす
べて、種々の公知のコーチング技術例えば、スプレーコ
ーチング、スワールコーチング、真空蒸着、押出ホラ・
やコーチング１ハンドコーチング及びエアナイフコーチ
ングによってコーチングすることができる。導電性層は
、通常、支持体上にコーチングされる。乾燥するだめの
時間が経過してから、重合性及び架橋性モノマーを溶媒
からコーチングすることによって／９リヤ層を製造する
。溶媒を除去した後、放射線エネルギーを使ってモノマ
ーフィルムを架橋させる。

次に、光導電性層を前記バリヤ層の上にコーチングする
。

前記のバリヤ層は、α、β−エチレン系不飽和カルがニ
ル置換基含有芳香族又は脂肪族基を有する選ばれたモノ
マーと、好ましくは光重合開始剤組成物とを、溶媒例え
ばジクロロメタン、２−エトキシエタノール、トルエン
、へブタン、及び他の適当な溶媒中に溶解して含んで成
るコーチング組成物から、適宜コーチングする。溶媒を
留去させ、α、β−エチレン系不飽和カルデニル置換さ
れた脂肪族又は芳香族基を、輻射エネルギー例えば紫外
光の照射によって重合及び架橋させる。場合によっては
、光重合開始剤組成物を使用せずに、熱又は電子ビーム
エネルギーを使うことによシ、α、β−エチレン系不飽
和カルゲニル置換脂肪族又は芳香族基の重合及び架橋を
誘発することができる。重合性架橋性モノマーのコーチ
ングは、溶媒を使用せず、グラビア印刷等の技術を使う
ことによって行なうとともできる。モノマーの重合及び
架橋を促進するのに有用な温度範囲は、４０〜１２０℃
である。

本明細書において「脂肪族」とは、炭素原子１〜２０個
の、並びに１価、２価、３価及び４価のアルカン、アル
ケン、アルカジエン及びアルキンを意味する。それらの
基は、環式、直鎖又は分枝状であシ、そして、炭化水素
、カルボン酸、アルコール、エーテル、アルデヒド又は
ケトン官能基を含んでいる。脂環式基は、アルキレン基
例えばイソプロピレン基及びイソブチレン基によって互
いに融着又は結合した２個以上の脂環式基から成るもの
も含むものでおる。

本明細書において「芳香族」とは、ベンゼンと同じ型の
置換反応を行なう、１価、２価、３価及び４価の基を意
味する。ベンゼンにおいては、置換反応が付加反応よシ
優先する。これらの基は、核原子６〜約４０個を含むも
のが好ましく、単環式及び多環式のものである。芳香族
基の例としてハ、フェニル基、ナフチル基、ビスフェニ
ル基、アントリル基、並びにこれらの２価、３価及び４
価の相当する基を挙げることができる。これらの芳香族
基には、互いに融着した２個以上の猿から成るもの例え
ばナフチル基及びアントリル基、又はアルキレン基例え
ばイソプロピレン基及びインブチレン基を介して互いに
結合した２個以上の芳香族基から成るものも含む。

本明細書において「アルキル」とは、置換又は非置換の
１価の脂肪族基を意味し、例えば炭素原子１〜約１２個
の直鎖又は分校飽和炭化水素基、例えばメチル基、グロ
ビル基、エチル基、オクチル基、ノニル基及びネオイン
チル基である。アルキレン基とは、アルキル基の相当す
る２価の基を意味する。シクロアルキル基とは、環状の
アルキル基を意味する。

電気絶縁性ポリマーバインダの一定の限られた量を、バ
リヤ層コーチング組成物中に加えることが望ましい場合
がある。例えば、コーチング組成物にほとんど粘性がな
く、従って場合によシコーチングが困難なことがある。

本発明者は、コーチング層の電気的性質に悪影響を与え
ることなく、電気絶縁性ポリマーをコーチング組成物に
加え、粘度を上昇し、コーチングを容易にすることがで
きることを見い出した。しかしながら、加えるポリマー
の量は、モノマーとｄ９リマーとの合計重量に対して２
０チ未満好ましくは１０ｔｉ６未満とし、コーチングし
たバリヤ層の溶媒浸透を最少限にすることが好ましい。

前記の絶縁性列？リマーは、電子写真の業界で周知のも
のである。

有用なα、β−エチレン系不飽和モノマーは以下の化合
物から誘導される。

１、多官能性芳香族又は脂肪族酸例えば１，３゜５−ベ
ンゼントリカルｄ（ン４１．４−ベンゼンシカルぎンＬ
ｌ、３−ベンゼンジカルがン酸、１．３−ナツタレンジ
カルはン酸、１−２−４−ベンゼントリカルがン酸、１
，２−ベンゼンジカル？ン酸、１，２．３−ベンゼント
リカルざン酸、１．２，４．５−ペンゼ／テトラカルゴ
ン酸、１゜２．３．５−ベンゼントリオルゲン酸、１．
４−シクロヘキサンジカルゲン酸、１，３−シクロヘキ
サンジカルデン酸、１−３−５−シクロヘキサントリカ
ルがン酸、１，２−シクロヘキサンジカルざン酸、１，
２．４−シクロヘキサントリカルがンＬｌ、２．３−シ
クロヘキサントリカルゲン酸、１，２，４．５−シフ四
ヘキサンテトラカルがン酸、１，２，３．５−シクロヘ
キサンテトラカルボン酸、１，２，４．５−シクロヘキ
サンテトラカルボン酸、及びそれらの誘導体。

２、多官能性芳香族又は脂肪族アルコール例えば、１．
２．３−ベンゼントリオール、１，２．４−ベンゼント
リオール、１，３．５−ベンゼントリオール、１，２−
ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、■、４
−ベンゼンゾオール、１゜２．３−シクロヘキサントリ
オール、１，２．４−シクロヘキサントリオール、１，
３．５−シクロヘキサントリオール、１，２−シクロヘ
キサンジオール、１，４−シクロヘキサンジオール。

３、多官能性多核芳香族又はｎｉｌ肪族アルコール例え
ば水素化ビスフェノールＡ１長鎖架橋員例えばブチレン
、ヘゾチレン、ヘキシレン、オクタデシレン等ヲもつビ
スフェノール。

４、多官能性多核芳香族又は脂肪族酸例えばフェニルイ
ンダンジカル？ン酸、水床化フェニルインダンジカルが
ン酸、４　＊　４−’−イソグロビリデンジ安息香酸、
４．４’−イソグロピリデンジシクロヘキサン酸。

５、溶媒と共に又は溶媒なしでコーチングすることがで
き、更に架橋化されてバリヤ層として使うのに適した電
気的性質をもつ不溶性フィルムを生成する、他の重合性
架橋性モノマー。

前記の多官能性核化合物から誘導した重合性架橋性モノ
マーを単官能性重合性モノマーと一定割合で混合して、
一定の物性例えば粘性、可撓性、硬化速度及び接着性を
制御することができる。

有用なα、β−エチレン系不飽和単官能性モノマーとし
ては、ベンゾイルオキシエチルアクリレート、ペンツイ
ルオキシプロビルアクリレート、ペンツイルオキシイン
チルアクリレート、ベンゾイルオキシブチルアクリレー
ト、ベンゾイルオキシへキシルアクリレート、ベンゾイ
ルオキシエチルメタクリレート、ペンツイルオキシプロ
ビルアクリレート、ベンゾイルオキシエチルメタクリレ
ート、ベンゾイルオキシペンチルメタクリレート、ベン
ゾイルオキシへキシルメタクリレート、フェニルアクリ
レート、フェニルメタクリレート、シクロヘキシルアク
リレート、シクロヘキシルメタクリレート、シクロヘキ
シロイルオキシエチルアクリレート、シクロヘキシロイ
ルオキシプロビルアクリレート、シクロヘキシロイルオ
キシへキシルアクリレート、及び前記モノマーの組合せ
が含まれる。

前記モノマーは、米国特許第４，３２２，４９０号明細
書（１９８２年３月３０日、Ｍｏ１ａｉｒｓに対して付
与）に記載の方法によって調製する。

任意の光重合開始剤組成物が本発明には有用である。ミ
ヒラー（Ｍｉｃｈｌｅｒ）　クトンとベンゾフェノンと
の混合物は有用である。アミン活性剤と３−ケトクマリ
ン光重合開始剤とから成る他の組成物はＩＲｓａｅａｒ
ｃｈ　］）ｉｓｃｌｏｓｕｒｓ　＋　１９８０年１２月
、Ｉｔｅｍ　２００３６　ＪＰｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ
ｉｚａｂｌｅＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓ　Ｆｅａｔｕｒ
ｉｎｇ　ＮＯＶ＠Ｉ　Ｃｏ−Ｉｎ１目ａ−ｔｏｒｓ、Ｊ
に記載がある。光重合開始剤組成物の景は臨界的なもの
ではないと考えられる。乾燥固体成分の約０．０００２
〜０．２　ｍモル／９の量が有効である。

好ましい量は、約０．００１〜約０．０１　ｍ　モＡｙ
／　ｆｊである。

光重合開始剤組成物の１成分として極めて有用な代表的
クマリン光重合増感剤を以下に列挙する。

３−（２−ベンゾフロイル）−７−ジエチルアミノクマ
リン、３−（２−ベンゾフロイル）−７−（１−ピロリ
ジニル）−クマリン、３−ベンゾイル−７−シエチルア
ミノークマリン、３−（。

−メトキシベンゾイル）−７−ジエチルアミノクマリン
、３−（ｐ−ジメチルアミノベンゾイル）−７−ジエチ
ルアミノクマリン、３．３’−カルボニルビス（５，７
−ジーｎ−プロプキシクマリン）、３．３′−力ルゴニ
ルピス（７−ジエチルアミノクマリン）、３−ベンゾイ
ル−７−メドキシクマリン、７−ジメチルアニンー３−
［：３−（２−チェニル）アクリロイルコクマリン、３
−（２−フロイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３
−（ｐ−ジエチルアミノシンナモイル）−７−ジエチル
アミノクマリン、７−メドキシー３−（３−ピリジルカ
ルゲニル）クマリｙ、及ヒ３−ベンゾイルー５，７−シ
グロポキシクマリン。

前記アミン活性剤の有用な代表的なものとしては、エチ
ルｐ−ジメチルアミノベンゾエート、及びｐ−ジメチル
アミノ安息香酸エステル例えばｎ−ジチルｐ−ジメチル
アミノベンゾエート、フェネチルｐ−ジメチルアミノベ
ンゾエート、２−７タルイミドエチルｐ−ジメチルアミ
ノ（ンゾエート、２−メタクリロイルオキシエチルｐ−
ｔメチルアミノベンゾエート、ペンタメチレンビス（ｐ
−ジメチルアミノ）ベンゾニー）、４．４’−ビス（ジ
メチルアミノ）ベンゾフェノン１ｍ−ジメチルアミノ安
息香酸の７エネチル及びインタメチレンエステル、ｐ−
ジメチルアミノベンズアルデヒド、２−クロロ−４−ツ
メチルアミノベンズアルデヒド、ｐ−ジメチルアミノア
セトフェノン、ｐ−）Ｉｆルアミノ々ンジルアルコール
、エチル（ｐ−ジメチルアミノ）ベンゾイルアセテート
、ｐ−Ｎ−ビイリジノアセトフェノンＸ　４−ジメチル
アミノベンゾイン、Ｎ、Ｎ−ジメチル−ｐ−）ルイゾン
、Ｎ、Ｎ−ジエチル−ｍ−７エネチジン、トリヘンシル
アミン、ジベンジルフェニルアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−
フェニルベンジルアミン％　ｐ−ゾロモーＮ　、　Ｎ−
ジメチルアニリン、トリ１３デシルアミン、及び４　、
４’、　４’−メチリジントリス（Ｎ、Ｎ−ジメチルア
ニリン）〔クリスタルバイオレット、ロイコ塩基〕が含
まれる。

α、β−エチレン系不飽和カルがニル含有置換基をもつ
有用なモノマーは、式 〔式中、Ｒは脂環式基又は芳香族基であり、Ｒ４は水素
原子又はアルキル基であ）、Ｒ２は炭素原子１〜２０個
のアルキレン基又は−（ＪＩ２Ｃ）（２（ＯＣＨ２ＣＨ
２）ｎ基であシ、ｐは０又は１であシ、ｎは１〜２０で
あシ、ｍは１〜６である〕 で表わされる。

上記の構造をもつモノマーは、６×１０５ｖ／ｃＩＬ以
上の電界強さを支持することのできるバリヤ層を形成し
、これによって、本発明の電子写真要素を静電荷電した
ときに絶縁破壊を起こさない。前記（１５） ？−ｉ　ｄ　祠 （１６） ０　ド　ω 本発明の電子写真要素は種々の導電性支持体例えば相互
支持体、酢酸セルロース、硝酸セルロース、ポリスチレ
ン、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（ビニルア
セタール）、ポリカーがネート、及び導電性表面をもつ
関連するフィルムを含むことができる。

電子写真要素用の光導電性層は、種々の有機光導電性化
合物及び増感性化合物によって調製し、光導電性化合物
の分散液又は溶液を、必要によシ又は所望によシ、電気
絶縁性フィルム形成性樹脂バインダと共にブレンドし、
そして光導電性組成物によシ自己支持層をコーチング又
は形成することによって調製する〇 一般に、適当な量の増感性化合物を光導電性コーチング
組成物と混合し、充分に混合した後で、コーチングされ
た要素の所望の層中に、増感性化合物を均一に分散する
。電子写真要素を作る方法及び手段は当業界において広
く知られている。

光導電性組成物を生成するのに有用なバインダ材料には
、電子写真業界において既に記載されている、広い範囲
の周知のフィルム形成性樹脂状材料が含まれる。

本発明の要素は、任意の周知電子写真法において使用す
ることができる。これらの方法において、電子写真要素
を暗い状態に保持し、これをコロナ放電下に置くことに
よシ、ブランケット静電電荷を与える。次に、光導定性
層表面に形成された静電電荷を、通常の露光手段の光線
に像様露光することによシ前記層表面から選択的に散逸
させ、光、ｉ、１電性層中に静電潜像を形成する。

次に、露光により形成された電荷パターンを、光学４度
をもつ静電応答性粒子から成るトナーで処理することに
よシ、その場で現像するか、あるい（・」、別の表面に
転写してから現像する。

〔実施例〕

新規バリヤ層を含んで成る本発明の電子写真要素の調製
方法を以下の実ｈＩｌｉ例及び比較例に示す。

１、−、（Ｔの実施例に）いて、「暗減衰」は、コロナ
放電直後で、暗部における電圧減衰の前のフィルム表面
の近辺に設けた電気計プローグによって測定した。

光放電感度は、電気計プローゾによって測定した場合に
、表面電位が成る初期電圧ＶＯに達するまで、電子写真
要素をコロナ源下で静電的に荷電させることによって決
定した。次に、荷電された要素を３０００’にタングス
テン光源に、グレースケールを通して露光させた。その
露光によって、グレースケールの各階段の下で要素の表
面電位が初期電位Ｖｏから若干低下した電位Ｖにまで低
下する。低下電位Ｖの正確な値は要素が受けた実際の露
光量に依存する。

例１　（対照用） ソクロロメタン２１．１　ｍｔとへキサフルオロイソプ
ロ・９ノール０．８　ＷＬｔとの混合物に、４−［（２
゜６−ジフェニル−４Ｈ−チオビラン−４−イリデン）
−メチル］−２，６−シフエニルチオピリリウムペルク
ロレー）０．１０５．Ｆを、１時間かきまぜることによ
って溶解させ、光導電性化合物を調製した。この時点で
、前記溶液中に、）ＩＪ−ｐ−トリルアミ７１．５７ｊ
ｉとＬｅｘａｎ　ｌ　４５ポリカーがネー）　（Ｇｅｎ
ｅｒａｌ　ＥｌｅｃｔｒｉＣＣｏｍｐａｎｙ）　２．５
０　、ｌｉ’とを加えた。１０分間かきまぜた後、トル
エン７、７　ｍｌを加えた。この溶液を絶縁性ポリエス
テル支持体上にハンドコーチングした。なお、前記の絶
縁性；Ｊ？リエステル支持体は、１５０μｍコーチング
ナイフを使い沃化第一銅の導電性層を予めコーチングし
ておいたものでオシ、その上に光導電性層を１０１１ｍ
の厚さく乾燥後）で提供した。

絶縁破壊スポットの密度は、像を４２倍に拡大するＴ（
ｏｄａｋ　Ｅｋｔａｌ　ｌｔｅ　１２０　Ｒｅａｄｅｒ
内に１像形成されたフィルムを置くことによって測定し
た。

寸法が５〜２５μｍの絶縁破壊スポットの数を計数し、
１Ｃｒｎ２当シの絶縁破壊スポット数として表示した。

前記の光導電性剤を一５ｏｏｓルトに荷電し、−２００
がルトに−、ラドバイアスされた液体現像剤から、正電
荷トナーによシ現像した。正電荷トナー粒子はフィルム
表面に引きつけられた。直径５〜２５μｍの絶縁破壊ス
Ｉヮトと称する黒くない円形スポットが、表面電荷の不
足領域に現われ、トナー粒子を引き寄せなかった。この
スポットを計数したところ、約３０００７ａｎ２であっ
た。−５００ゴルトに荷電した光導電性剤は、１ｖ／秒
の暗減衰を示した。−５００ｄζルト〜−２５０ボルト
の光放電感度は６４０　ｎｍの入射光１ｃ１ｎ２あたシ
、４．５ｅｒｇを必要とした。

例２ ２−エトキシエタノール１２．９６．９中に、前記表１
のモノマー（１）８．１（ｌとエチルｐ−ジメチルアミ
ノベンゾエート活性剤（ＥＤＡＢ）　０．３２４１と３
−ベンゾイル−５，７−ジプロポキシクマリン増感剤（
ＢＤＳ）　０．１６２　＆とを含む溶液を調製した。

この溶液を、可撓性の絶縁性ポリエステル支持体上にコ
ーチングした。前記支持体は、沃化第一銅の導電性層で
予めコーチングされたものであった◎前記のコーチング
は、２５μｍコーチングナイフを使用し、手で行なった
。溶媒を留去した後で、２００Ｗ水銀ランプによる紫外
線照射によシ、モノマーを架橋さぜた。こうして形成さ
れたバリヤ層の厚さは３μｍであった。コロナ放頚、下
で、前記層を横切って施こすことのできる最大電場強さ
は１．６　Ｘ　１０　Ｖ／ｃｍであった。

前記のバリヤ層の上に、例１の光導電性層をコーチング
した。この層の厚さは１０μｍとした。

−５００メルトにおいて、絶縁破壊スポットの密度は、
前記対照用の例における３０００／ｃＩｎ　と比較して
、光導電性層の面積あたり約５０／ｃｎＬ２に減少した
。スポットの寸法は約５〜２０μｍで変化した。−６０
０はルト〜−４００がルトの光放電では、６４０ｎｍの
入射光の’　Ｃｍ　”４　ｊｌ）　、７．８　ｅｒｇが
必要であった。

例３ ２−エトキシエタノール１１．７１１中に、前記表１の
モノマー（１）６．３６１１とＥＤＡＢ　Ｏ，２５ｇと
ＢＤＳＯ，１２６＃とを含む溶液を、沃化第一鋼の可撓
性絶縁性ポリエステル層上にコーチングした。溶媒を留
去した後で、２００Ｗ水銀ランプによる紫外線照射によ
）、モノマーを硬化させた。こうして形成されたバリヤ
層の厚さは２μｍであった。コロナ放電下で、前記層を
横切って施とすことのできる最大電場強さは、１．３Ｘ
１０　Ｖ／ｃＴｎであった。

前記のバリヤ層の上に、Ｄｏｗ　ＣｏｒｎｉｎｇからＤ
Ｃ５１０として得られる表面活性剤ｏ、ｏｔｏ、ｐを更
に加えたこと以外は前記例１の光導電性層と同じ層をコ
ーチングした。この層の厚さは１０μｍとシタ。−５０
０ボルトにおいて、絶縁破壊スポットの密度は、光４を
柱層の面積あたり約１００／ｃｒｎ２であった。力ｊ？
アット寸法は約５〜２０μｍで変化した。この要素は２
ｖ／秒の暗減衰を示した。

−５００がルト〜−２５０ｄＰシルト光放電感度では、
６４０　ｎｍの入射光の１ＣＩｎ２当ｐ、ｌｏｅｒｇが
必要であった。

例４ 前記ｆｆｌ　１　ト同様に、２−エトキシエタノール１
１．７１１中に、前記表１のモノマー（１）　６．３．
９とＥＤＡＢ　Ｏ，２５，９とＢＤＳ　Ｏ，１２６Ｉｉ
と３Ｍ社からＦＣ−４３１として得られる表面活性剤ｏ
、ｏｉｓＩｉとを含む溶液を調製し、沃化第一銅導電性
層上にコーチングし、乾かした。この・マリャ層の厚さ
は４μｍであった。最大ｎ場強さは１．５Ｘ１０　Ｖ／
ｃｍ。

絶縁破壊スポットは−６００がルトにおいて光導電性剤
１６ｍ２あたシ約１００であった。光導電性剤層の厚さ
は１２μｍであシ、他は例１と同様であった。−６００
デルト〜−４００ボルトの光放電感度は６．７　ｅｒｇ
／ｃｍ２であった。暗減衰は２，５ｖ／秒であった。

例５ ジクロロメタン１６．５ｇ中に、前記表１のモノマー（
２）　６．３　＃とＥＤＡＢ　０．２５　ｇとＢＤＳ　
Ｏ，１２６，９とを含む溶液を調製し、例１の導電性層
上にコーチングした。このバリヤ層の厚さは８μｍであ
った。

との上に例１の光導電性剤層を厚さ１２μｍで設けた。

前記バリヤ層の最大電場強さは１．４Ｘ１０６Ｖ／釧、
絶縁破壊スポットは−６００がルトにおいて約１００／
Ｇｒｎ２で’Ｉ＝ッた。−６００ｄＰルト〜−４００が
ルトの光放電感度は１４．９　ｅｒｇ／ａｍ２であった
。

暗減衰は２，５ｖ／秒であった。

例６ 前記例１と同様に、ジクロロメタン１６．５．Ｆ中に、
前記表１のモノマー（３）　６．３１とＥＤＡＢ　０．
２５　ｇとＢＤＳｏ、１２６１Ｉとを含む溶液を調製し
、コーチングした。このバリヤ層の厚さは７μｍであっ
た。

最大電場強さは一６００ボルトにおいて１．５Ｘ１０６
ｖ／Ｃ！ｎであった１例１の光導電性剤層を厚さ１２μ
ｍで設けた。絶縁破壊スポットは−６００ｄ？ルトにお
いて約１００／ｃＩｎ２であった。−６００ポルト〜−
４００がルトの光放電感度は１２．５　ｅｒｇ／ｃｒｎ
２であった。暗減衰は２ｖ／秒であった。

例７　（比較例） 本例は、従来技術の硝酸セルロースバリヤ層による、比
較的高密度の絶縁破壊を示すものである。

電子写真用コーチング組成物を以下のようにして調製し
た。２，６−ソフエニルー４−（２，６−ジフェニル−
（４Ｈ）−チオビラン−４−イリデンメチル）チオピリ
リウムベルクロレート１．２８１とジクロロメタン１１
５８ｍＪとへキサフルオロイソ２０口・ヤノールｌ　ｍ
ｌとから成る溶液を、２時間かきまぜることによって調
製した。１時間かけて、ＬｅｘａｎビスフェノールＡポ
リカーがネート１６８Ｉを加えた。次にトリーｐ−トリ
ルアミン９１．８ｙを１時間かけて加え、続いてトルエ
ン４２２ｍ１を加えた。この混合物を暗中で約１６時間
かきまぜ、１５０４ｍコーチングナイフを使って導電性
支持体上にハンド＝１−チングし、厚さ９μｍ（乾燥後
）の光導電性層を形成した。

前記の層を施こした導電性支持体はポリ（エチレンテレ
フタレート）フィルム支持体でアシ、（１）乾燥被覆約
２５〜３０ダ／ｆｔ２（約２６９〜３２３（ビニルホル
マール）８重量％との第１の層、及ヒ（２）約２０／８
０容量比のメタノール／ブタノール溶媒から乾燥被覆約
２μｍにコーチングされた、Ｈｅｒｃｕｌｅｓ　ＳＳ　
５／６秒粘度の硝酸セルロースの第２の層をもつものを
使用した。光導電性層は、硝酸セルロースバリヤ層上に
コーチングした。

−５００＆ルトにおいて、絶縁破壊スポット密度は光導
電性剤の面積当シ、約１０００／Ｃｍ２であった。スポ
ットの寸法は５〜２５μｍであった。光導電性剤は、２
ｖ／秒の暗減衰で−５００がルトに荷電された。−５０
０がルト〜−２５０がルトの光放電は６４０　ｎｍの入
射光に対し、１０ｅｒｇ／ｃＩｎ２を必要とした。

前記の各実施例は、本発明の電子写真要素中に使用する
バリヤ層が、その要素の暗減衰速度又は光放電感度に何
ら有害な作用を及ぼすことなく、絶縁破壊スポットを著
るしく減少させることを示している。

特許出願人 イーストマン　コダック　カンパニー 特許出願代理人 弁理士　青　木　朗 弁理士西舘和之 弁理士　森　１）憲　− 弁理士　山　口　昭　之 弁理士　西　山　雅　也

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、　α、β−エチレン系不飽和のカルボニル基含有置
   換基少なくとも１個を含む脂肪族又は芳香族基１個又は
   それ以上を含有する重合架橋したモノマーを含むバリヤ
   層を含んで成る電子写真要素。