JPS60124344A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS60124344A JPS60124344A JP23185483A JP23185483A JPS60124344A JP S60124344 A JPS60124344 A JP S60124344A JP 23185483 A JP23185483 A JP 23185483A JP 23185483 A JP23185483 A JP 23185483A JP S60124344 A JPS60124344 A JP S60124344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disk
- ion implantation
- ion beam
- center
- pore
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は回転ディスク型ウェーハ保持具を備えたイオン
注入装置であって、イオン注入均一性を評価することの
できるものに関する。
注入装置であって、イオン注入均一性を評価することの
できるものに関する。
従来技術
イオン注入法による半導体製造装置は、その生産性を高
めるため、直径１メートル前後のディスクに半導体ウェ
ーハを多数ならべて回転して作業を行なう。イオン注入
作業においては、ディスクを回転しながらイオン源ある
いは回転円板を移動してイオン注入走斉を行なうが、デ
ィスクの径が大きいことまた回転数が毎分９００回転前
後と早いことから、イオンビームをディスク全面に一様
に照射す石ことは、機械的にかなり難しい。またイオン
源、裟散内の真空度などが不αＩｌｊの事故により変動
することもおるので、常にディスク全面に一様にイオン
ビームが照射されるように、何らかの方法でイオン注入
の均一性を評価して、装置の調整・保守をしなければな
らない。
めるため、直径１メートル前後のディスクに半導体ウェ
ーハを多数ならべて回転して作業を行なう。イオン注入
作業においては、ディスクを回転しながらイオン源ある
いは回転円板を移動してイオン注入走斉を行なうが、デ
ィスクの径が大きいことまた回転数が毎分９００回転前
後と早いことから、イオンビームをディスク全面に一様
に照射す石ことは、機械的にかなり難しい。またイオン
源、裟散内の真空度などが不αＩｌｊの事故により変動
することもおるので、常にディスク全面に一様にイオン
ビームが照射されるように、何らかの方法でイオン注入
の均一性を評価して、装置の調整・保守をしなければな
らない。
いままでは、イオン注入を行在ったウェーハの層抵抗を
測り、均一性評価の目安とする間接的方法によっていた
。
測り、均一性評価の目安とする間接的方法によっていた
。
しかし、この方法では、イオン注入以外のさまざまの半
＞；Ｂ７．体の処理、たとえばアニール条件による層抵
抗のバラツキ、抵抗測定の誤差が入り、データに信頼性
がおけなかった。またアニールに時間がかがシ短時間の
評価ができないため、測定結果を同ちにフィードバック
して装置の＋、！、９整を行なうことができないという
重大な欠点があった。
＞；Ｂ７．体の処理、たとえばアニール条件による層抵
抗のバラツキ、抵抗測定の誤差が入り、データに信頼性
がおけなかった。またアニールに時間がかがシ短時間の
評価ができないため、測定結果を同ちにフィードバック
して装置の＋、！、９整を行なうことができないという
重大な欠点があった。
発明の目的
本発明の目的は、上記の欠点を除去し、短時間にイオン
注入の均一性を評価することのできるイオン注入装置を
提供することにある。本装隋ではイオン注入作業と同時
にその均一性を評価することができるものとする。
注入の均一性を評価することのできるイオン注入装置を
提供することにある。本装隋ではイオン注入作業と同時
にその均一性を評価することができるものとする。
発明の構成
本発明の回転ディスク型のイオン注入装置は、ディスク
の定められた基準半径方向に対して任意の角度を有する
複数の各半径線上に、ディスクの中心からの距離がそれ
ぞれ異なる細孔をただ１個設けたディスクと、ディスク
背面に配置され、前記の各細孔がディスク回転に際した
だ１個のみ対向する開口面を有するファラデイカツブと
、該ファラデイカツブの測定電流を電圧に変換する電流
・電圧変換器と、前記ディスクの基準半径が回転により
一定点ｔよぎる時点を確定する手段と、前記時点にもと
づき各細孔のおのおのが前記ファラデイカツブ前面をよ
ぎる時点に合わせて前記電流・電圧変換器の出方を時分
割的に抽出し、積分する手段とを設けたことを特徴とす
るものである。
の定められた基準半径方向に対して任意の角度を有する
複数の各半径線上に、ディスクの中心からの距離がそれ
ぞれ異なる細孔をただ１個設けたディスクと、ディスク
背面に配置され、前記の各細孔がディスク回転に際した
だ１個のみ対向する開口面を有するファラデイカツブと
、該ファラデイカツブの測定電流を電圧に変換する電流
・電圧変換器と、前記ディスクの基準半径が回転により
一定点ｔよぎる時点を確定する手段と、前記時点にもと
づき各細孔のおのおのが前記ファラデイカツブ前面をよ
ぎる時点に合わせて前記電流・電圧変換器の出方を時分
割的に抽出し、積分する手段とを設けたことを特徴とす
るものである。
実施例
以下、本発明の実施例を図面にもとづいて詳しく説明す
る。
る。
記１図は本発明の第１の実施例を示す図である。イオン
源からのイオンビーム１をディスク２の一面に同って照
射すると、ディスク２の背面に配置したファラデイカツ
ブ５が細孔４を透過した分のイオンビーム１ａを受けい
れる。この例では、ディスク２の一定位１６にある半径
Ｃ以下、基準半径という）にスリット３が刻まれてあり
、また複数個の細孔４が中心からの放射状の半径線上に
、各半径線上にはただ１個のみ存在し、かつ中心からの
距離がすべて異なるように設けである。
源からのイオンビーム１をディスク２の一面に同って照
射すると、ディスク２の背面に配置したファラデイカツ
ブ５が細孔４を透過した分のイオンビーム１ａを受けい
れる。この例では、ディスク２の一定位１６にある半径
Ｃ以下、基準半径という）にスリット３が刻まれてあり
、また複数個の細孔４が中心からの放射状の半径線上に
、各半径線上にはただ１個のみ存在し、かつ中心からの
距離がすべて異なるように設けである。
ファラデイカツブ５は矩形断面の開口面を有し、その長
手方向をディスク２の半径方向になるように配置されて
いる。ファラデイカツブ５の開口面の長平方向に直角方
向の長さは、ファラデイカツブ５が２つ以上の細孔４に
同時に対面することのないように寸法を定めることで、
ファラデイカツブ５は時間的に常に１個の細孔４の透過
イオンビーム１ａのみを受けいれる。
手方向をディスク２の半径方向になるように配置されて
いる。ファラデイカツブ５の開口面の長平方向に直角方
向の長さは、ファラデイカツブ５が２つ以上の細孔４に
同時に対面することのないように寸法を定めることで、
ファラデイカツブ５は時間的に常に１個の細孔４の透過
イオンビーム１ａのみを受けいれる。
各細孔４はディスク２の中心より距離を異にしているか
ら、ディスク２を回転し、かつイオンビーム１を一方向
に移動するかあるいはイオンビーム１を固定し、ディス
ク２を移動することで、ファラデイカツブ５の測定−流
は各細孔４を透過するイオンビーム１ａの大きさに応じ
て時間的に変動する。この時間的変動の各極大値はディ
スク２に照射されるイオンビーム１の量すなわちイオン
注入量の半径方向の分布に対応するものである。
ら、ディスク２を回転し、かつイオンビーム１を一方向
に移動するかあるいはイオンビーム１を固定し、ディス
ク２を移動することで、ファラデイカツブ５の測定−流
は各細孔４を透過するイオンビーム１ａの大きさに応じ
て時間的に変動する。この時間的変動の各極大値はディ
スク２に照射されるイオンビーム１の量すなわちイオン
注入量の半径方向の分布に対応するものである。
次にファラデイカツブ５の測定電流の時間的変動極太値
のおのおのを分離して測定することにつき説明する。
のおのおのを分離して測定することにつき説明する。
ディスク２の基準半径にあるスリット３は１発光器７か
らの直進光を、ディスク２の回転とともに一回転ごとに
透過させるから、受光器８は回転周期の基準パルス信号
８ａを制御部１０に入力する。この制御部１０からの制
御信号１０ａ（１１〜１０ ａ （ｎｌによって、ファ
ラデイカツブ５の測定電流５ａを電流・電圧変換器６に
より電圧に変換した電圧信号６ａから各細孔４に相応す
る時間的変動極太値を分離抽出する。この信号分離手段
９は、本実施例では、制御部１０．スイッチ群１１゜お
よび積分器群１２からなっている。ディスク２０基準半
径（スリット３が設けられている半径）が発光器７．受
光器８を結ぶ線と交差した位置から右廻りに回転し、最
初にファラデイカツブ５に対面する細孔４１から番号を
１，２．・・・ｎと追って各＃、ｌｌＩ孔につけておく
。細孔群４．スイッチ群１１ 、および積分器群１２の
おのおのに対し、対応するように番号づける。こ〜でス
リット３は前記番号のなかに入れてｉ″香とする。そし
てスイッチ１１１だけはドーズコントロールシステム１
３に接続されているが、他のスイッチ１１１．・・・１
１（ｉ−１） 、 ＩＨｉ＋１ ）、・＝−１１ｎはそ
れぞれ積分器１２１、 ・１２（ｉ−１） 、 １２（
ｉ＋１ ） 、＝−・−・１２ｎに接続される。
らの直進光を、ディスク２の回転とともに一回転ごとに
透過させるから、受光器８は回転周期の基準パルス信号
８ａを制御部１０に入力する。この制御部１０からの制
御信号１０ａ（１１〜１０ ａ （ｎｌによって、ファ
ラデイカツブ５の測定電流５ａを電流・電圧変換器６に
より電圧に変換した電圧信号６ａから各細孔４に相応す
る時間的変動極太値を分離抽出する。この信号分離手段
９は、本実施例では、制御部１０．スイッチ群１１゜お
よび積分器群１２からなっている。ディスク２０基準半
径（スリット３が設けられている半径）が発光器７．受
光器８を結ぶ線と交差した位置から右廻りに回転し、最
初にファラデイカツブ５に対面する細孔４１から番号を
１，２．・・・ｎと追って各＃、ｌｌＩ孔につけておく
。細孔群４．スイッチ群１１ 、および積分器群１２の
おのおのに対し、対応するように番号づける。こ〜でス
リット３は前記番号のなかに入れてｉ″香とする。そし
てスイッチ１１１だけはドーズコントロールシステム１
３に接続されているが、他のスイッチ１１１．・・・１
１（ｉ−１） 、 ＩＨｉ＋１ ）、・＝−１１ｎはそ
れぞれ積分器１２１、 ・１２（ｉ−１） 、 １２（
ｉ＋１ ） 、＝−・−・１２ｎに接続される。
ディスク２が右廻りに回転すると、スリット３が光線を
透過し基準パルス信号８ａが制御部１０に入り、制御信
号１０ａｔｌ＋が出力し、スイッチ１１１をオンとして
、細孔４１を透過したイオンビーム１ａにより生じた電
圧信号６ａを積分器１２１に導き、その出力端（１１に
積分出力が表われる。ディスク２が回転すると、順次に
各細孔４２〜４ｎを透過したイオンビーム１ａに相応す
る積分出力が出力端（２）〜（ｎ）に表われる。各積分
器１２１〜１２ｎの１１η定数′Ｌｉ：適宜きめること
により、ディスク２を回転することで、出力端ｆｉｌ〜
（ｎ）の出力は各細孔４１〜４ｎを透過するイオンビー
ムｌａの平均値に相応する値になる。各細孔４工〜４ｎ
はディスク２の中心からの距離が異なっているから、前
記の出力端＋１１〜＋ｎ）の出力から、ディスク２に照
射さ几るイオン注入量の半径方向の分布を知ることがで
きる。
透過し基準パルス信号８ａが制御部１０に入り、制御信
号１０ａｔｌ＋が出力し、スイッチ１１１をオンとして
、細孔４１を透過したイオンビーム１ａにより生じた電
圧信号６ａを積分器１２１に導き、その出力端（１１に
積分出力が表われる。ディスク２が回転すると、順次に
各細孔４２〜４ｎを透過したイオンビーム１ａに相応す
る積分出力が出力端（２）〜（ｎ）に表われる。各積分
器１２１〜１２ｎの１１η定数′Ｌｉ：適宜きめること
により、ディスク２を回転することで、出力端ｆｉｌ〜
（ｎ）の出力は各細孔４１〜４ｎを透過するイオンビー
ムｌａの平均値に相応する値になる。各細孔４工〜４ｎ
はディスク２の中心からの距離が異なっているから、前
記の出力端＋１１〜＋ｎ）の出力から、ディスク２に照
射さ几るイオン注入量の半径方向の分布を知ることがで
きる。
θ方向の注入均一性については、この測定装動°は測定
できないが、一般に回転ディスク型イオン注入装散はθ
方向のバラツキが殆んどないから、問題にする必要はな
い。
できないが、一般に回転ディスク型イオン注入装散はθ
方向のバラツキが殆んどないから、問題にする必要はな
い。
スリット３を透過するイオンビームｌａによる一７圧信
号６ａはスイッチｌｌｉを経てドーズコントロールシス
テム１３に導かれ、イオンビーム１を定常的に制御する
ために用いられる。
号６ａはスイッチｌｌｉを経てドーズコントロールシス
テム１３に導かれ、イオンビーム１を定常的に制御する
ために用いられる。
制御部１０は、各細孔４１〜４ｎがファラデイカツブ５
の前面をよぎるときに合わせてスイッチ１１１〜１１ｎ
をオン、オフする制御信号１０ａ（１１〜１０ａ（ｎ）
を出力する。この動作はＣＰＩＪ（演算処理装置）によ
り行なうことができる。紀２図（ａ）がその動作のフロ
ーチャートである。そして第２図（ｂ）にスイッチ１１
１〜ｌｌｎのオン・オフの時間的関係を示しである。
の前面をよぎるときに合わせてスイッチ１１１〜１１ｎ
をオン、オフする制御信号１０ａ（１１〜１０ａ（ｎ）
を出力する。この動作はＣＰＩＪ（演算処理装置）によ
り行なうことができる。紀２図（ａ）がその動作のフロ
ーチャートである。そして第２図（ｂ）にスイッチ１１
１〜ｌｌｎのオン・オフの時間的関係を示しである。
スリット３を透過する光による基準パルス信号８ａの入
力（Ｐ＋ステップ）により、細孔番号Ｍの初期化をする
（ Ｐ２ヌテツプ）。すなわち基準パルス信号８ａが生
ずる時点から、最も早くファラデイカツブ５に対面する
細孔４１の細孔番号１Ｍ＝１に設ボする。スイッチ１１
１がオンになる時間はＣＰＵのカウント数ＣＮＴとして
あらかじめきめておく。図ではＮ（［）である。ＣＮＴ
としてＮ（１１を設定し、それをカウントダウンしてＯ
になったときスイッチ１１１はオンとなる（Ｐ３．Ｐ４
ステップ）。スイッチ１１１がオンである時間はすべて
のスイッチで同一としてＮｏのカウント数とする。以下
、各スイッチ１１２〜１１ｎｉＣついて同様にする。Ｍ
？＆のスイッチｌｌｎについては、Ｎｏをカウントして
オフになった後、カウント数は数えず基準パルス信号８
ａの入力を待つことにする。Ｎ（１１〜Ｎ（ｎｌの数値
をあらかじめ算定してＲＯＭＶＣかきこんでテーブルと
しておく。
力（Ｐ＋ステップ）により、細孔番号Ｍの初期化をする
（ Ｐ２ヌテツプ）。すなわち基準パルス信号８ａが生
ずる時点から、最も早くファラデイカツブ５に対面する
細孔４１の細孔番号１Ｍ＝１に設ボする。スイッチ１１
１がオンになる時間はＣＰＵのカウント数ＣＮＴとして
あらかじめきめておく。図ではＮ（［）である。ＣＮＴ
としてＮ（１１を設定し、それをカウントダウンしてＯ
になったときスイッチ１１１はオンとなる（Ｐ３．Ｐ４
ステップ）。スイッチ１１１がオンである時間はすべて
のスイッチで同一としてＮｏのカウント数とする。以下
、各スイッチ１１２〜１１ｎｉＣついて同様にする。Ｍ
？＆のスイッチｌｌｎについては、Ｎｏをカウントして
オフになった後、カウント数は数えず基準パルス信号８
ａの入力を待つことにする。Ｎ（１１〜Ｎ（ｎｌの数値
をあらかじめ算定してＲＯＭＶＣかきこんでテーブルと
しておく。
なお各細孔４１〜４ｎは中心からの距離により、回転に
よる速度が異なり、中心から遠い場合には早く、逆の場
合は遅い。上記のフローチャートで、スイッチ群１１の
各スイッチがオンになるカウント数ヲＮｏと一定にして
いるから、各スイッチの中心からの距離に応じて積分器
１２の各積分短信を変化させて、同一条件で測定するよ
うにする。
よる速度が異なり、中心から遠い場合には早く、逆の場
合は遅い。上記のフローチャートで、スイッチ群１１の
各スイッチがオンになるカウント数ヲＮｏと一定にして
いるから、各スイッチの中心からの距離に応じて積分器
１２の各積分短信を変化させて、同一条件で測定するよ
うにする。
次に第３図に示す第２の実施例について説明する。この
例では、回転ディスク２そのものがファラデイカツブを
形成している場合である。
例では、回転ディスク２そのものがファラデイカツブを
形成している場合である。
ドーズコントロールのためには、回転モータ１２のシャ
フトから摺動子るを介して測定−流をとりだし、′−７
流・電圧変換器列で電圧に笈化し、ドーズコントロール
システム乙に入力させる。
フトから摺動子るを介して測定−流をとりだし、′−７
流・電圧変換器列で電圧に笈化し、ドーズコントロール
システム乙に入力させる。
また基準パルス信号８ａを光学的手段でつくるだめに、
ディスク２のｊｋ準半径方向に周縁より突起したライト
チョッパ２６を設けている。その他の点は第１図の場合
と同じである。ただし第１図のスリット３に相応する部
分ンよなく、スイッチ群２１ハすべて細孔４の各々Ｖこ
対応するものばかりである。
ディスク２のｊｋ準半径方向に周縁より突起したライト
チョッパ２６を設けている。その他の点は第１図の場合
と同じである。ただし第１図のスリット３に相応する部
分ンよなく、スイッチ群２１ハすべて細孔４の各々Ｖこ
対応するものばかりである。
第１．第２の実施例では、信号分離手段９゜２７はスイ
ッチ群１１ 、２１をそれぞれ各細孔あてに設けて、積
分器群１２ 、２２の各出力端に測定値が出力されるよ
５ ＶＣした。しかし、この部分も演算処理装置で行な
い、積分器の代りにディスク回転のたびごとにイηられ
る測ボ値全時系列的に加算して、出力するようにできる
ことはいうまでもない。
ッチ群１１ 、２１をそれぞれ各細孔あてに設けて、積
分器群１２ 、２２の各出力端に測定値が出力されるよ
５ ＶＣした。しかし、この部分も演算処理装置で行な
い、積分器の代りにディスク回転のたびごとにイηられ
る測ボ値全時系列的に加算して、出力するようにできる
ことはいうまでもない。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、運転中のイオン注
入装置から直接に得られるデータによって、直ちにイオ
ン注入均一性の評価を行なうことができる。従来のよう
４な、イオン注入上した後に、半導体素子の特性測定か
ら均一性の評価をするような、手間と時間がかかりかつ
信頼性の乏しい方法に対し極めて優れている。
入装置から直接に得られるデータによって、直ちにイオ
ン注入均一性の評価を行なうことができる。従来のよう
４な、イオン注入上した後に、半導体素子の特性測定か
ら均一性の評価をするような、手間と時間がかかりかつ
信頼性の乏しい方法に対し極めて優れている。
なお、回転ディスクには、ウェーハ保持具が設置され、
半導体ウェーハを保持してイオン注入をするものである
が、単にイオン注入装置の性能テストの意味で、ウェー
ハ保持具をつけず、細孔のみある回転ディスクを用いる
こともある。
半導体ウェーハを保持してイオン注入をするものである
が、単にイオン注入装置の性能テストの意味で、ウェー
ハ保持具をつけず、細孔のみある回転ディスクを用いる
こともある。
この場合は、ウェーハ保持具がつけてないので、寸法の
余裕が生じ半径方向の注入分布をより詳ｌ〜く得るため
細孔の数を多くすることができる。
余裕が生じ半径方向の注入分布をより詳ｌ〜く得るため
細孔の数を多くすることができる。
第１図、第３図は本発明の実施例のブロック図、第２図
は実施例にお＋ｊる制御部の動作を説明するためのフロ
ーチャートである。 １・・・イオンビーム、２・・・ディスク、３・・・ス
リット、 ４．４１〜４ｎ・・・細孔、５・・・ファラ
デイカツブ、 ６．２４・・・電流・電圧変換器、 ７・・・発光器、 ８・・・受光器、 ９．２７・・・信号分離手段、 １０ 、２０・・・制御部、１１．２１・・・スイッチ
群、１２ 、２２・・・積分器４１Ｆ−１ １３、２，５・・・ドーズコントロールシステム、２ら
・・・ライトチョッパ。 特許出願人 日本電気株式会社
は実施例にお＋ｊる制御部の動作を説明するためのフロ
ーチャートである。 １・・・イオンビーム、２・・・ディスク、３・・・ス
リット、 ４．４１〜４ｎ・・・細孔、５・・・ファラ
デイカツブ、 ６．２４・・・電流・電圧変換器、 ７・・・発光器、 ８・・・受光器、 ９．２７・・・信号分離手段、 １０ 、２０・・・制御部、１１．２１・・・スイッチ
群、１２ 、２２・・・積分器４１Ｆ−１ １３、２，５・・・ドーズコントロールシステム、２ら
・・・ライトチョッパ。 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 回転ディスク型イオン注入装置において、ディスクの定
められた基準半径方向に対し【任意の角度を有する複数
の各半径線上に、ディスクの中心からの距離がそれぞれ
異なる細孔をただ１個設けたディスクと、ディスク背面
に配置され、前記の各細孔がディスク回転に際しただ１
個のみ対向する開口面を有するファラデイカツブと、核
ファラデイカツブの測定電流を電圧に変換する電流・電
圧変換器と、前記ディスクの基準半径が回転により一定
点をよぎる時点を確定する手段と、ｔｍ記時点にもとづ
き各細孔のおのおのが前記ファラデイカツブ前面をよぎ
る時点に合わせて前記％流・電圧変換器の出力を時分割
的に抽出し、積分する手段とを設けたことを％徴とする
イオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23185483A JPS60124344A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23185483A JPS60124344A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124344A true JPS60124344A (ja) | 1985-07-03 |
Family
ID=16930054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23185483A Pending JPS60124344A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124344A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01500310A (ja) * | 1986-04-09 | 1989-02-02 | イクリプス・イオン・テクノロジー・インコーポレイテッド | イオンビーム走査方法および装置 |
| US4812663A (en) * | 1986-07-25 | 1989-03-14 | Eaton Corporation | Calorimetric dose monitor for ion implantation equipment |
-
1983
- 1983-12-08 JP JP23185483A patent/JPS60124344A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01500310A (ja) * | 1986-04-09 | 1989-02-02 | イクリプス・イオン・テクノロジー・インコーポレイテッド | イオンビーム走査方法および装置 |
| US4812663A (en) * | 1986-07-25 | 1989-03-14 | Eaton Corporation | Calorimetric dose monitor for ion implantation equipment |
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