JP3052436B2 - イオン処理装置 - Google Patents
イオン処理装置Info
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- JP3052436B2 JP3052436B2 JP3159642A JP15964291A JP3052436B2 JP 3052436 B2 JP3052436 B2 JP 3052436B2 JP 3159642 A JP3159642 A JP 3159642A JP 15964291 A JP15964291 A JP 15964291A JP 3052436 B2 JP3052436 B2 JP 3052436B2
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- disk
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばイオン注入装
置のように、真空中でウェーハにイオンビームを照射し
てそれにイオン注入等の処理を施すイオン処理装置に関
し、特に、そのウェーハの帯電を防止する手段の改良に
関する。
置のように、真空中でウェーハにイオンビームを照射し
てそれにイオン注入等の処理を施すイオン処理装置に関
し、特に、そのウェーハの帯電を防止する手段の改良に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のイオン処理装置の一例を
部分的に示す図である。
部分的に示す図である。
【０００３】この装置は、いわゆるメカニカルスキャン
方式のものであり、基本的には、真空容器（図示省略）
内で例えば矢印Ａのように回転および矢印Ｂのように並
進させられるウェーハディスク４の周縁部に装着された
複数枚のウェーハ６にイオンビーム２を照射してそれに
イオン注入等の処理を施すよう構成されている。８はウ
ェーハディスク４の回転用のモータであり、１０および
１２はウェーハディスク４の並進用のモータおよび回転
軸である。
方式のものであり、基本的には、真空容器（図示省略）
内で例えば矢印Ａのように回転および矢印Ｂのように並
進させられるウェーハディスク４の周縁部に装着された
複数枚のウェーハ６にイオンビーム２を照射してそれに
イオン注入等の処理を施すよう構成されている。８はウ
ェーハディスク４の回転用のモータであり、１０および
１２はウェーハディスク４の並進用のモータおよび回転
軸である。
【０００４】イオンビーム２の経路上であってウェーハ
ディスク４の上流側および下流側に、ファラデー系を構
成するものとして、イオンビーム２がウェーハディスク
４等に当たった際に放出される二次電子を受けてそれの
アースへの逃げを防止するニュートラルカップ１４、お
よび、ウェーハディスク４が外に並進したときにそれの
代わりにイオンビーム２を受けるキャッチプレート１６
がそれぞれ設けられている。
ディスク４の上流側および下流側に、ファラデー系を構
成するものとして、イオンビーム２がウェーハディスク
４等に当たった際に放出される二次電子を受けてそれの
アースへの逃げを防止するニュートラルカップ１４、お
よび、ウェーハディスク４が外に並進したときにそれの
代わりにイオンビーム２を受けるキャッチプレート１６
がそれぞれ設けられている。
【０００５】そして、ウェーハディスク４とキャッチプ
レート１６を並列接続してディスク電流測定抵抗２８を
介して、かつこれにニュートラルカップ１４を並列接続
して、例えばカレントインテグレータのようなビーム電
流計測器３８に接続しており、それによってイオンビー
ム２のビーム電流ＩB の計測を正確に行なえるようにし
ている。
レート１６を並列接続してディスク電流測定抵抗２８を
介して、かつこれにニュートラルカップ１４を並列接続
して、例えばカレントインテグレータのようなビーム電
流計測器３８に接続しており、それによってイオンビー
ム２のビーム電流ＩB の計測を正確に行なえるようにし
ている。
【０００６】また、イオンビーム２の照射に伴ってウェ
ーハ６の表面が、特に当該表面が絶縁物の場合、正に帯
電して放電等の不具合が発生するのを防止するために、
ニュートラルカップ１４の側部に一次電子放出源を構成
するフィラメント１８を設け、これから放出させた一次
電子２１をニュートラルカップ１４の対向面に当ててそ
こから二次電子２２を放出させ、即ちこの例ではニュー
トラルカップ１４を二次電子放出源とし、そしてこの二
次電子２２をウェーハディスク４上のイオンビーム照射
領域におけるウェーハ６に供給してその表面でのイオン
ビーム２による正電荷を中和させるようにしている。２
４はフィラメント１８の加熱用のフィラメント電源、２
６は一次電子２１の引出し用の引出し電源である。
ーハ６の表面が、特に当該表面が絶縁物の場合、正に帯
電して放電等の不具合が発生するのを防止するために、
ニュートラルカップ１４の側部に一次電子放出源を構成
するフィラメント１８を設け、これから放出させた一次
電子２１をニュートラルカップ１４の対向面に当ててそ
こから二次電子２２を放出させ、即ちこの例ではニュー
トラルカップ１４を二次電子放出源とし、そしてこの二
次電子２２をウェーハディスク４上のイオンビーム照射
領域におけるウェーハ６に供給してその表面でのイオン
ビーム２による正電荷を中和させるようにしている。２
４はフィラメント１８の加熱用のフィラメント電源、２
６は一次電子２１の引出し用の引出し電源である。
【０００７】ウェーハ６の処理の際は、ディスク電流測
定抵抗２８には、前記ビーム電流ＩB およびこれと逆向
きの二次電子２２による二次電子電流Ｉ2 を合成した、
即ち次式で表されるディスク電流ＩD が流れる。 ＩD ＝ＩB −Ｉ2 ・・・（１） これによってディスク電流測定抵抗２８の両端にディス
ク電流ＩD に対応する電圧が発生し、これが絶縁アンプ
３０を介して差動増幅回路３２に入力される。またディ
スク電流設定回路３４からも差動増幅回路３２に設定値
が入力される。差動増幅回路３２は両入力の差を求めて
それを制御回路３６に与える。制御回路３６はフィラメ
ント電源２４を制御することによってフィラメント電流
の増減を行い、ディスク電流ＩD が設定値になるように
制御する。これによって、ウェーハディスク４上のウェ
ーハ６に供給する二次電子２２の量を所望のものにする
ことができ、それによってウェーハ６の帯電を抑制する
ことができる。
定抵抗２８には、前記ビーム電流ＩB およびこれと逆向
きの二次電子２２による二次電子電流Ｉ2 を合成した、
即ち次式で表されるディスク電流ＩD が流れる。 ＩD ＝ＩB −Ｉ2 ・・・（１） これによってディスク電流測定抵抗２８の両端にディス
ク電流ＩD に対応する電圧が発生し、これが絶縁アンプ
３０を介して差動増幅回路３２に入力される。またディ
スク電流設定回路３４からも差動増幅回路３２に設定値
が入力される。差動増幅回路３２は両入力の差を求めて
それを制御回路３６に与える。制御回路３６はフィラメ
ント電源２４を制御することによってフィラメント電流
の増減を行い、ディスク電流ＩD が設定値になるように
制御する。これによって、ウェーハディスク４上のウェ
ーハ６に供給する二次電子２２の量を所望のものにする
ことができ、それによってウェーハ６の帯電を抑制する
ことができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記イオン
処理装置においては、ディスク電流ＩD が設定値によっ
て固定されるので、またディスク電流測定抵抗２８に流
れるビーム電流ＩB はウェーハディスク４の位置によら
ず一定なので（例えばウェーハディスク４が外に並進し
てもキャッチプレート１６にビーム電流ＩB が流れ
る）、二次電子２２の量（即ち二次電子電流Ｉ2 ）は一
定に制御される。ところが、イオンビーム２の密度には
その場所により濃淡があるので（一般的には中心部が濃
く外側が淡い）、例えばウェーハディスク４が並進して
ウェーハ６にイオンビーム２が当たり始める位置では二
次電子２２の供給過多となり、ウェーハ６がイオンビー
ム２の中心部に来たときには二次電子２２が不足する
等、ウェーハ６に供給する二次電子２２の過不足が生
じ、ウェーハ６の帯電を確実に防止することができない
という問題がある。
処理装置においては、ディスク電流ＩD が設定値によっ
て固定されるので、またディスク電流測定抵抗２８に流
れるビーム電流ＩB はウェーハディスク４の位置によら
ず一定なので（例えばウェーハディスク４が外に並進し
てもキャッチプレート１６にビーム電流ＩB が流れ
る）、二次電子２２の量（即ち二次電子電流Ｉ2 ）は一
定に制御される。ところが、イオンビーム２の密度には
その場所により濃淡があるので（一般的には中心部が濃
く外側が淡い）、例えばウェーハディスク４が並進して
ウェーハ６にイオンビーム２が当たり始める位置では二
次電子２２の供給過多となり、ウェーハ６がイオンビー
ム２の中心部に来たときには二次電子２２が不足する
等、ウェーハ６に供給する二次電子２２の過不足が生
じ、ウェーハ６の帯電を確実に防止することができない
という問題がある。
【０００９】そこでこの発明は、ウェーハにイオンビー
ムが当たる位置によって二次電子の量を変えることがで
きるようにし、それによってウェーハの帯電をより確実
に防止することができるようにしたイオン処理装置を提
供することを主たる目的とする。
ムが当たる位置によって二次電子の量を変えることがで
きるようにし、それによってウェーハの帯電をより確実
に防止することができるようにしたイオン処理装置を提
供することを主たる目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン処理装置は、前記ウェーハディス
クに流れるディスク電流を計測するディスク電流計測回
路と、前記ウェーハディスクの位置を検出してその位置
に応じたパルス信号を発生するディスク位置検出手段
と、ウェーハディスク上のウェーハへのイオンビームの
当たり始めと当たり終りの位置を検出して当たり始めの
位置でセット信号を発生し当たり終りの位置でリセット
信号を発生するセットリセット手段と、前記ディスク位
置検出手段からのパルス信号をカウントするカウンタ回
路であって前記セットリセット手段からのセット信号に
よってセットされリセット信号によってリセットされる
ものと、このカウンタ回路からの出力信号をアナログ信
号に変換するＤ／Ａ変換器と、このＤ／Ａ変換器からの
出力信号を用いて、ウェーハディスク上のウェーハへの
イオンビームの当たり始めと当たり終りの位置で大きな
値となり両位置の間でそれよりも小さな値となる出力信
号を発生する演算回路と、この演算回路からの出力信号
と前記ディスク電流計測回路で計測したディスク電流と
の差を求める差動増幅回路と、この差動増幅回路で求め
た差が無くなるように前記一次電子放出源を制御してそ
こから放出する一次電子の量を制御する制御回路とを備
えることを特徴とする。
め、この発明のイオン処理装置は、前記ウェーハディス
クに流れるディスク電流を計測するディスク電流計測回
路と、前記ウェーハディスクの位置を検出してその位置
に応じたパルス信号を発生するディスク位置検出手段
と、ウェーハディスク上のウェーハへのイオンビームの
当たり始めと当たり終りの位置を検出して当たり始めの
位置でセット信号を発生し当たり終りの位置でリセット
信号を発生するセットリセット手段と、前記ディスク位
置検出手段からのパルス信号をカウントするカウンタ回
路であって前記セットリセット手段からのセット信号に
よってセットされリセット信号によってリセットされる
ものと、このカウンタ回路からの出力信号をアナログ信
号に変換するＤ／Ａ変換器と、このＤ／Ａ変換器からの
出力信号を用いて、ウェーハディスク上のウェーハへの
イオンビームの当たり始めと当たり終りの位置で大きな
値となり両位置の間でそれよりも小さな値となる出力信
号を発生する演算回路と、この演算回路からの出力信号
と前記ディスク電流計測回路で計測したディスク電流と
の差を求める差動増幅回路と、この差動増幅回路で求め
た差が無くなるように前記一次電子放出源を制御してそ
こから放出する一次電子の量を制御する制御回路とを備
えることを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記構成によれば、ウェーハディスク上のウェ
ーハへのイオンビームの当たり始めの位置と当たり終り
の位置の間でカウンタ回路が動作し、その間で、差動増
幅回路に与えられるディスク電流の設定値が、イオンビ
ームの濃淡と逆の関係になるように変化させられる。そ
の結果、ウェーハにイオンビームの淡い所が当たってい
るときは二次電子の量が少なくなり、濃い所が当たって
いるときには二次電子の量が多くなるので、ウェーハの
帯電をより確実に防止することができる。
ーハへのイオンビームの当たり始めの位置と当たり終り
の位置の間でカウンタ回路が動作し、その間で、差動増
幅回路に与えられるディスク電流の設定値が、イオンビ
ームの濃淡と逆の関係になるように変化させられる。そ
の結果、ウェーハにイオンビームの淡い所が当たってい
るときは二次電子の量が少なくなり、濃い所が当たって
いるときには二次電子の量が多くなるので、ウェーハの
帯電をより確実に防止することができる。
【００１２】
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン処
理装置を部分的に示す図である。図４の従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。
理装置を部分的に示す図である。図４の従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１３】この実施例においては、前述した従来のデ
ィスク電流設定回路３４を用いる代わりに、次のような
構成によって、差動増幅回路３２に対するディスク電流
ＩD の設定値をウェーハディスク４の並進位置によって
変えるようにしている。
ィスク電流設定回路３４を用いる代わりに、次のような
構成によって、差動増幅回路３２に対するディスク電流
ＩD の設定値をウェーハディスク４の並進位置によって
変えるようにしている。
【００１４】即ち、前述したウェーハディスク４の並進
用のモータ１０の回転軸１２の他端部に、図２にも示す
ようにこの例では二つのスリット４２を有する円板４０
を取り付け、そしてこのスリット４２を光センサ４４で
読み取ってそれからパルス信号Ｐを出力するようにし
て、前述したディスク位置検出手段を構成している。こ
の例では、回転軸１２即ち円板４０が１回転するとウェ
ーハディスク４が１ｃｍ並進する構造になっているの
で、０．５ｃｍの並進につき１回の割合で光センサ４４
からパルス信号Ｐが出力される。
用のモータ１０の回転軸１２の他端部に、図２にも示す
ようにこの例では二つのスリット４２を有する円板４０
を取り付け、そしてこのスリット４２を光センサ４４で
読み取ってそれからパルス信号Ｐを出力するようにし
て、前述したディスク位置検出手段を構成している。こ
の例では、回転軸１２即ち円板４０が１回転するとウェ
ーハディスク４が１ｃｍ並進する構造になっているの
で、０．５ｃｍの並進につき１回の割合で光センサ４４
からパルス信号Ｐが出力される。
【００１５】また、ウェーハディスク４と連動して並進
する部分に、例えばモータ８のケースにつながる部分等
に、遮蔽板５０を取り付け、かつこの遮蔽板５０をウェ
ーハディスク４上のウェーハ６へイオンビーム２が当た
り始める位置と当たり終わる位置とでそれぞれ検出する
二つの光センサ４６および４８を設け、かつ光センサ４
６で遮蔽板５０を検出したときにセット信号Ｓを出力
し、光センサ４８で遮蔽板５０を検出したときにリセッ
ト信号Ｒを出力する、あるいはその逆方向にウェーハデ
ィスク４が並進するときはこれとは逆の関係でセット信
号Ｓおよびリセット信号Ｒを出力するセットリセット回
路５２を設けて、前述したセットリセット手段を構成し
ている。
する部分に、例えばモータ８のケースにつながる部分等
に、遮蔽板５０を取り付け、かつこの遮蔽板５０をウェ
ーハディスク４上のウェーハ６へイオンビーム２が当た
り始める位置と当たり終わる位置とでそれぞれ検出する
二つの光センサ４６および４８を設け、かつ光センサ４
６で遮蔽板５０を検出したときにセット信号Ｓを出力
し、光センサ４８で遮蔽板５０を検出したときにリセッ
ト信号Ｒを出力する、あるいはその逆方向にウェーハデ
ィスク４が並進するときはこれとは逆の関係でセット信
号Ｓおよびリセット信号Ｒを出力するセットリセット回
路５２を設けて、前述したセットリセット手段を構成し
ている。
【００１６】上記光センサ４４からのパルス信号Ｐは、
カウンタ回路５４に入力されカウントされる。即ち、こ
こでウェーハディスク４の位置がある値（ディジタル
値）に変換される。但しこのカウンタ回路５４は、前述
したセットリセット回路５２からのセット信号Ｓでセッ
トされリセット信号Ｒでリセットされる。即ち、ウェー
ハ６へのイオンビーム２の当たり始めの位置と当たり終
りの位置の間でだけカウント動作する。
カウンタ回路５４に入力されカウントされる。即ち、こ
こでウェーハディスク４の位置がある値（ディジタル
値）に変換される。但しこのカウンタ回路５４は、前述
したセットリセット回路５２からのセット信号Ｓでセッ
トされリセット信号Ｒでリセットされる。即ち、ウェー
ハ６へのイオンビーム２の当たり始めの位置と当たり終
りの位置の間でだけカウント動作する。
【００１７】カウンタ回路５４からの出力信号はＤ／Ａ
変換器５６に入力され、そこでアナログ信号に変換さ
れ、これが演算回路５８に入力される。
変換器５６に入力され、そこでアナログ信号に変換さ
れ、これが演算回路５８に入力される。
【００１８】演算回路５８は、この例ではａ−ｂｓｉｎ
θという関数を発生する関数発生器を含んでおり、Ｄ／
Ａ変換器５６からのウェーハディスク４の位置を表すア
ナログ信号がこのθとして入力される。即ちこのθは、
ウェーハ６へのイオンビーム２の当たり始めの位置が０
°、当たり終りの位置が１８０°、両位置の中間が９０
°となる。ａ、ｂは定数である。従ってこの演算回路５
８からの出力信号Ｅは、例えば図３に示すような波形と
なる。即ち、ウェーハディスク４上のウェーハ６へのイ
オンビーム２の当たり始めと当たり終りの位置でａとな
り、それから両位置の中心に向かってｓｉｎカーブで減
少し、最小値はａ−ｂとなる。このａ、ａ−ｂの値は、
イオンビーム２による正電荷と二次電子２２による負電
荷を相殺させるためには理論的にはａ＝ＩB 、ａ−ｂ＝
０で良いが、実際上は種々の要因によって必ずしも理論
どおりに行かない場合もあり、上記値に近い値を選ぶ方
が良い場合もある。
θという関数を発生する関数発生器を含んでおり、Ｄ／
Ａ変換器５６からのウェーハディスク４の位置を表すア
ナログ信号がこのθとして入力される。即ちこのθは、
ウェーハ６へのイオンビーム２の当たり始めの位置が０
°、当たり終りの位置が１８０°、両位置の中間が９０
°となる。ａ、ｂは定数である。従ってこの演算回路５
８からの出力信号Ｅは、例えば図３に示すような波形と
なる。即ち、ウェーハディスク４上のウェーハ６へのイ
オンビーム２の当たり始めと当たり終りの位置でａとな
り、それから両位置の中心に向かってｓｉｎカーブで減
少し、最小値はａ−ｂとなる。このａ、ａ−ｂの値は、
イオンビーム２による正電荷と二次電子２２による負電
荷を相殺させるためには理論的にはａ＝ＩB 、ａ−ｂ＝
０で良いが、実際上は種々の要因によって必ずしも理論
どおりに行かない場合もあり、上記値に近い値を選ぶ方
が良い場合もある。
【００１９】そしてこの演算回路５８からの出力信号Ｅ
を前述した差動増幅回路３２の一方の入力部に入力し
て、ディスク電流ＩD に対する設定値とするようにして
いる。この差動増幅回路３２および制御回路３６の動作
は従来例のものと同様である。
を前述した差動増幅回路３２の一方の入力部に入力し
て、ディスク電流ＩD に対する設定値とするようにして
いる。この差動増幅回路３２および制御回路３６の動作
は従来例のものと同様である。
【００２０】上記構成によれば、ディスク電流ＩB を制
御する設定値（即ち演算回路５８から差動増幅回路３２
に与えられる出力信号Ｅの値）が、ウェーハディスク４
の並進位置即ちウェーハ６にイオンビーム２が当たる位
置によって図３に示すようにイオンビーム２の濃淡と逆
の関係になるように変化させられる。即ち、ウェーハ６
にイオンビーム２の淡い部分が当たっている位置ではデ
ィスク電流ＩD の設定値が大になり、濃い部分が当たっ
ている位置ではこの設定値が小になる。
御する設定値（即ち演算回路５８から差動増幅回路３２
に与えられる出力信号Ｅの値）が、ウェーハディスク４
の並進位置即ちウェーハ６にイオンビーム２が当たる位
置によって図３に示すようにイオンビーム２の濃淡と逆
の関係になるように変化させられる。即ち、ウェーハ６
にイオンビーム２の淡い部分が当たっている位置ではデ
ィスク電流ＩD の設定値が大になり、濃い部分が当たっ
ている位置ではこの設定値が小になる。
【００２１】ところが、前述したようにディスク電流測
定抵抗２８に流れるビーム電流ＩB はウェーハディスク
４の位置によらず一定であるから、前述した（１）式か
らも分かるように、ウェーハ６にイオンビーム２の淡い
部分が当たっている位置ではディスク電流測定抵抗２８
に流れる二次電子電流Ｉ2が小さくなるように、即ち二
次電子２２が少なくなるように制御され、逆にウェーハ
６にイオンビーム２の濃い部分が当たっている位置では
二次電子電流Ｉ2 が大きくなるように、即ち二次電子２
２が多くなるように制御される。この制御は、具体的に
は前述したように、差動増幅回路３２からの出力が０に
なるように、制御回路３６によって、フィラメント１８
に流す電流を制御してフィラメント１８から放出する一
次電子２１の量を制御することによって行われる。この
結果、ウェーハ６には二次電子２２が過不足なく供給さ
れるので、ウェーハ６の帯電をより確実に防止すること
ができる。
定抵抗２８に流れるビーム電流ＩB はウェーハディスク
４の位置によらず一定であるから、前述した（１）式か
らも分かるように、ウェーハ６にイオンビーム２の淡い
部分が当たっている位置ではディスク電流測定抵抗２８
に流れる二次電子電流Ｉ2が小さくなるように、即ち二
次電子２２が少なくなるように制御され、逆にウェーハ
６にイオンビーム２の濃い部分が当たっている位置では
二次電子電流Ｉ2 が大きくなるように、即ち二次電子２
２が多くなるように制御される。この制御は、具体的に
は前述したように、差動増幅回路３２からの出力が０に
なるように、制御回路３６によって、フィラメント１８
に流す電流を制御してフィラメント１８から放出する一
次電子２１の量を制御することによって行われる。この
結果、ウェーハ６には二次電子２２が過不足なく供給さ
れるので、ウェーハ６の帯電をより確実に防止すること
ができる。
【００２２】なお、演算回路５８で用いる関数は、イオ
ンビーム２の密度分布に比較的近似しているという意味
で前述したａ−ｂｓｉｎθが好ましいが、これに限定さ
れるものではなく、要は、演算回路５８の出力信号Ｅ
が、ウェーハ６へのイオンビーム２の当たり始めと当た
り終りの位置で大きな値となり両位置の間でそれよりも
小さな値となるような関数であれば良い。
ンビーム２の密度分布に比較的近似しているという意味
で前述したａ−ｂｓｉｎθが好ましいが、これに限定さ
れるものではなく、要は、演算回路５８の出力信号Ｅ
が、ウェーハ６へのイオンビーム２の当たり始めと当た
り終りの位置で大きな値となり両位置の間でそれよりも
小さな値となるような関数であれば良い。
【００２３】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ウェー
ハにイオンビームが当たる位置によって二次電子の量を
変えることができるので、即ちウェーハにイオンビーム
の淡い所が当たっているときは二次電子の量を少なく
し、濃い所が当たっているときには二次電子の量を多く
することができるので、ウェーハの帯電をより確実に防
止することができる。
ハにイオンビームが当たる位置によって二次電子の量を
変えることができるので、即ちウェーハにイオンビーム
の淡い所が当たっているときは二次電子の量を少なく
し、濃い所が当たっているときには二次電子の量を多く
することができるので、ウェーハの帯電をより確実に防
止することができる。
【図１】 この発明の一実施例に係るイオン処理装置を
部分的に示す図である。
部分的に示す図である。
【図２】 図１中の円板および光センサの正面図であ
る。
る。
【図３】 図１中の演算回路からの出力信号の波形の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図４】 従来のイオン処理装置の一例を部分的に示す
図である。
図である。
２ イオンビーム ４ ウェーハディスク ６ ウェーハ １８ フィラメント ２１ 一次電子 ２２ 二次電子 ２４ フィラメント電源 ２８ ディスク電流測定抵抗 ３２ 差動増幅回路 ３６ 制御回路 ４０ 円板 ４４，４６，４８ 光センサ ５０ 遮蔽板 ５２ セットリセット回路 ５４ カウンタ回路 ５６ Ｄ／Ａ変換器 ５８ 演算回路
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内で回転および並進させられる
ウェーハディスクに装着されたウェーハにイオンビーム
を照射して当該ウェーハを処理する装置であって、一次
電子を放出する一次電子放出源と、この一次電子を受け
て二次電子を放出する二次電子放出源とを備え、この二
次電子をイオンビーム照射領域におけるウェーハに供給
するようにしたものにおいて、前記ウェーハディスクに
流れるディスク電流を計測するディスク電流計測回路
と、前記ウェーハディスクの位置を検出してその位置に
応じたパルス信号を発生するディスク位置検出手段と、
ウェーハディスク上のウェーハへのイオンビームの当た
り始めと当たり終りの位置を検出して当たり始めの位置
でセット信号を発生し当たり終りの位置でリセット信号
を発生するセットリセット手段と、前記ディスク位置検
出手段からのパルス信号をカウントするカウンタ回路で
あって前記セットリセット手段からのセット信号によっ
てセットされリセット信号によってリセットされるもの
と、このカウンタ回路からの出力信号をアナログ信号に
変換するＤ／Ａ変換器と、このＤ／Ａ変換器からの出力
信号を用いて、ウェーハディスク上のウェーハへのイオ
ンビームの当たり始めと当たり終りの位置で大きな値と
なり両位置の間でそれよりも小さな値となる出力信号を
発生する演算回路と、この演算回路からの出力信号と前
記ディスク電流計測回路で計測したディスク電流との差
を求める差動増幅回路と、この差動増幅回路で求めた差
が無くなるように前記一次電子放出源を制御してそこか
ら放出する一次電子の量を制御する制御回路とを備える
ことを特徴とするイオン処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159642A JP3052436B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | イオン処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159642A JP3052436B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | イオン処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357657A JPH04357657A (ja) | 1992-12-10 |
| JP3052436B2 true JP3052436B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=15698178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3159642A Expired - Fee Related JP3052436B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | イオン処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3052436B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3163469B2 (ja) * | 1994-05-30 | 2001-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理方法及び成膜処理装置 |
| JP5847745B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2016-01-27 | 株式会社東芝 | イオン注入装置およびイオン注入装置の状態判定方法 |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP3159642A patent/JP3052436B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04357657A (ja) | 1992-12-10 |
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