JP3163469B2 - 成膜処理方法及び成膜処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、指向性をもって進む拡
散性の物質またはエネルギを被処理体に向けて放射して
所定の処理を行う方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば半導体デバイス製造のＣＶＤ工
程において成膜速度またはスループットを向上させるた
めには、成膜前駆体（物質）の表面反応確率つまり付着
係数が大きくなるようなプロセス条件を採用することが
肝要である。付着係数を大きくするには、たとえば紫外
線を気相中あるいは被処理体の表面に照射してその部分
の分子を活性化させる方法が有効である。ただし、この
方法を用いると、概して堆積形状（ステップカバレージ
を含む）が悪くなりやすい。この点を解決する技法とし
て、ガスジェット方式が考えられる。この方式は、比較
的高い真空度（たとえば数ｍＴｏｒｒ）に減圧された処
理容器の中でノズル等のガス吹出口より半導体ウエハ
（被処理体）に向けて成膜ガス（成膜材料）を音速に近
い高速度で吹きつけてウエハ上に成膜を行う方法であ
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ガスジェット
方式では、半導体ウエハに入射する成膜粒子の指向性を
大きくするほど、堆積形状が向上する反面、膜厚の均一
性が低下するというトレードオフの問題がある。概し
て、膜厚の不均一性は、ウエハ中心部の膜厚が相対的に
ウエハ周縁部の膜厚よりも大きくなる形で現れる。

【０００４】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
もので、堆積形状の向上および膜厚均一性の向上を同時
に達成できる成膜処理方法および成膜処理装置を提供す
ることを目的とする。

【０００５】本発明の別の目的は、成膜速度の向上、堆
積形状の向上および膜厚均一性の向上を同時に達成でき
る成膜処理方法および装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の成膜処理方法は、処理容器内で放射源よ
りその放射軸の方向に指向性をもって進む拡散性の所定
の成膜材料を前記放射軸と直交する面上に配置された板
状の被処理体に向けて放射せしめ、前記被処理体上に所
定の膜を形成するようにした成膜処理方法であって、前
記被処理体の外に設定された前記放射軸と平行な回転中
心軸の回りで１枚または複数枚の前記被処理体を回転さ
せると同時に、前記回転中心軸が前記放射軸と直交する
直線上で前記放射軸を挟んで第１および第２の位置の間
を移動するように前記被処理体を並進運動させ、前記回
転中心軸が前記第１および第２の各位置に在るときは前
記放射軸が前記被処理体の外に外れた位置に在る方法と
した。

【０００７】本発明の成膜処理装置は、処理容器内で、
一定の方向に指向性をもって進む拡散性の所定の成膜材
料を放射する放射源と１枚または複数枚の板状被処理体
を前記被処理体の外に設定された前記放射源の放射軸と
平行な回転中心軸の回りに載置する回転可能な回転載置
台とを対向させて配置し、前記回転載置台を回転させる
回転駆動手段と、前記回転載置台の回転中心軸が前記放
射源の放射軸と直交する直線上で第１および第２の位置
の間を移動するように前記回転載置台を並進させる駆動
手段とを具備し、前記回転中心軸が前記第１および第２
の各位置に在るときは前記放射軸が前記被処理体の外に
外れた位置に在る構成とした。

【０００８】本発明の成膜処理方法においては、被処理
体の被処理面上の各部で成膜前駆体の供給レートひいて
は成膜速度を一定にするために、好ましくは、前記放射
軸が相対的に前記被処理体の回転する領域を通る間は、
前記放射軸が前記回転中心軸に接近するほど前記並進の
速度を増大させ、前記放射軸が前記回転中心軸から遠ざ
かるほど前記並進の速度を減少させるようにしてよい。

【０００９】さらに、被処理体の被処理面上の各部にお
ける膜厚の平均値からのゆらぎを均一化するために、好
ましくは、前記放射軸が相対的に前記被処理体の回転す
る領域を通る間は、前記放射軸が前記回転中心軸に接近
するほど前記被処理体の回転角速度を増大させ、前記放
射軸が前記回転中心軸から遠ざかるほど前記被処理体の
回転角速度を減少させるようにしてよい。

【００１０】

【００１１】

【００１２】

【実施例】以下、添付図を参照して本発明の一実施例を
説明する。

【００１３】図１は、本発明の一実施例によるＣＶＤ装
置の主要な構成を示す。このＣＶＤ装置は、たとえばア
ルミニウムからなる真空可能な横長の箱形処理容器１０
を有している。容器１０の上面中心部には材料ガスを容
器内に導入するためのガス導入口１０ａが設けられ、こ
のガス導入口１０ａにガス供給管１２が接続されてい
る。容器１０の外に設置されているガス供給源（図示せ
ず）より所定の材料ガスがガス供給管１２を通って送ら
れてきて、ガス導入口１０ａより所定の流量で容器内に
導入（供給）されるようになっている。

【００１４】ガス導入口１０ａの下には、円筒形の光学
窓１４がガス導入口１０ａに対してほぼ同軸に配置され
ている。この円筒形光学窓１４の下端から円板形の光学
窓１６が水平面内で半径方向に広がるように延在し、円
板形光学窓１６の外周縁部より円筒形の光学窓１８が垂
直下方に延在している。これらの光学窓１４，１６，１
８は、ガス導入口１０ａより吐出された材料ガスを容器
１０内の下部の被処理体たとえば半導体ウエハＷに向け
て案内する壁面を形成している。光学窓１４，１６，１
８の後方には、たとえば水銀灯からなる複数のランプ２
０がそれぞれ反射板２２を背にして配置されている。こ
れらのランプ２０より発せられた紫外線の光は、光学窓
１４，１６，１８を通って材料ガスの流路およびウエハ
Ｗの表面（被処理面）に照射されるようになっている。
なお、図１に示すように、ウエハＷの被処理面はガス導
入口１０ａの軸方向と垂直な面となるように設定（配
置）される。

【００１５】容器１０の側壁には適当な間隔を置いて複
数の排気口１０ｂが設けられ、各排気口１０ｂに排気管
２４が接続されている。容器１０の外に設置されている
真空ポンプ（図示せず）により排気管２４を通じて容器
１０内が所定の真空度に減圧されるようになっている。

【００１６】容器１０の底部には円板形のウエハ載置台
２６が配置されている。このウエハ載置台２６は台の中
心部にてたとえばパルスモータからなる回転駆動モータ
２８の回転軸３０に固着支持されている。回転駆動モー
タ２８は、容器１０の下に隣接して設けられている機械
室３２の中で一定方向（矢印Ｘの方向）に延びるボール
ネジ３４に送り部材２９を介して支持され、たとえばパ
ルスモータからなる並進駆動モータ３６によって同方向
に往復駆動されるようになっている。モータ回転軸３０
は、容器１０の底面１０ｃをシール材を介して貫通し、
Ｘ方向で直線移動できるようになっている。機械室３２
内で回転駆動モータ２８および並進駆動モータ３６が同
時に作動することによって、容器１０内で載置台２６が
回転軸３０を中心に回転しながらＸ方向に往復して並進
するようになっている。両駆動モータ２８，３６の回転
方向および回転速度は、外部のコントローラ（図示せ
ず）によって制御される。

【００１７】図２に示すように、載置台２６には、たと
えば３枚までの半導体ウエハＷが円周方向に並べて載置
される。したがって、各半導体ウエハＷは、その外側に
位置するＹ方向の回転軸３０を回転中心軸として載置台
２６と一体に回転しながらＸ方向に往復して並進するよ
うになっている。

【００１８】なお、容器１０の底面１０ｃで密閉性が失
われても容器内の真空度が維持されるように、機械室３
２は真空室として構成されてよい。この実施例では、機
械室３２の側壁に設けられた排気口３２ａに排気管３８
を介して真空ポンプ（図示せず）が接続され、室内が所
定の真空度に減圧されるようになっている。

【００１９】次に、図１〜図４につきこの実施例のＣＶ
Ｄ装置における作用を説明する。

【００２０】容器１０においては、排気管２４を介して
容器内が所定の真空度に減圧された状態で、ガス供給管
１２を介してガス導入口１０ａより容器内に所定の材料
ガスが導入される。ガス導入口１０ａより導入された材
料ガスは、図１の点線ＧＳで示すように、ガス導入口１
０ａを放射源としてガス導入口１０ａおよび円筒形光学
窓１４の軸方向（Ｙ軸方向）に指向性または異方性をも
って拡散しながら、ウエハ載置台２６に吹き付けられ
る。この結果、材料ガスの分解生成物または反応生成物
が各半導体ウエハＷ上に付着して堆積する。この実施例
では、ランプ２０より紫外線光が気相中およびウエハ表
面上に照射されるとともに適当な材料ガスの組合わせが
選択されることにより、成膜前駆体の付着係数Ｓが比較
的大きな値（たとえばＳ＞０．５）となっている。

【００２１】一方、コントローラの制御の下に機械室３
２において回転駆動モータ２８および並進駆動モータ３
６がそれぞれ作動することによって、図３に示すよう
に、容器１０内で載置台２６が回転軸３０を中心に回転
しながらＸ方向に往復して並進し、載置台２６上の各半
導体ウエハＷも回転軸３０を回転中心軸として載置台２
６と一体に回転しながらＸ方向に往復して並進する。

【００２２】図３の（Ａ）はウエハ載置台２６が図１と
対応する位置（右端位置付近）に在る時の状態を示し、
図３の（Ｂ）はウエハ載置台２６がガス導入口１２の真
下を通過する時の状態を示し、図３の（Ｃ）はウエハ載
置台２６が図１と反対側の位置（左端位置付近）に在る
時の状態を示している。

【００２３】図３に示すように、ガス導入口（ガス放射
源）１０ａに対する載置台２６ないし各半導体ウエハＷ
の相対的位置が時間的に変化する。各半導体ウエハＷの
ウエハ表面（被成膜面）上に面内ほぼ均一の膜厚で膜が
形成されるためには、ウエハ表面（被成膜面）上の各部
に対する材料ガスないし成膜前駆体の供給レートひいて
は成膜速度が一定になるようにすればよい。このために
は、載置台２６ないし各半導体ウエハＷの並進運動で次
のような条件が満たされればよい。

【００２４】いま、載置台２６ないし各半導体ウエハＷ
の回転中心点とウエハ導入口１０ａの中心軸との相対的
な水平距離間隔をｒ(t) とすると、各半導体ウエハＷの
ウエハ表面上の各部で材料ガスないし成膜前駆体の供給
レートが一定となるには、次の式が成立すればよい。 ２πｒ(t) ×Δｔｄｒ(t) ／ｄｔ＝Ｋ（定数） ………（１）

【００２５】ここで、ｄｒ(t) ／ｄｔは、Ｘ方向におけ
る載置台２６とガス導入口１０ａとの間の相対速度つま
りＸ方向の並進速度ｖ(t) である。上式（１）の微分方
程式を解くと、ｒ(t) は次の式で表される。 ｒ(t) ＝Ｃ｛±（ｔ−ｔn)｝^1/2 ………（２）

【００２６】ここで、Ｃ，ｔn はそれぞれ定数である。
上式（２）の関数は、図４に示すような移動曲線で表さ
れる。

【００２７】図４において、ｒinはガス導入口１０ａの
中心軸が各半導体ウエハＷの回転中心軸３０に最も近い
部分（縁部）を通る時のｒ(t) の値であり、ｒout はガ
ス導入口１０ａの中心軸が各半導体ウエハＷの回転中心
軸３０から最も遠い部分（縁部）を通る時のｒ(t) の値
である。

【００２８】図４において、ｒin≦ｒ(t) ≦ｒout の領
域は、ガス導入口１０ａの中心軸が相対的に各半導体ウ
エハＷの頭上を通過（スキャン）する範囲である。この
領域（ｒin≦ｒ(t) ≦ｒout ）では、ｒ(t) が増大する
とき（ガス導入口１０ａの中心軸が相対的に回転中心軸
３０から遠ざかるとき）にｒ(t) ＝Ｃ（ｔ−ｔn)^1/2の
関数で表される次第に減速する並進運動が行われ、ｒ
(t) が減少するとき（ガス導入口１０ａの中心軸が相対
的に回転中心軸３０に接近するとき）にｒ(t) ＝Ｃ（ｔ
n −ｔ）^1/2 の関数で表される次第に加速する並進運動
が行われるよう、並進駆動モータ３６の回転速度をコン
トローラによって可変制御すればよい。

【００２９】図４において、ｒ(t) ＜ｒinの領域はガス
導入口１０ａの中心軸が相対的に各半導体ウエハＷより
も内側（回転中心軸３０寄り）に外れた位置に在るとき
であり、ｒout ＜ｒ(t) の領域はガス導入口１０ａの中
心軸が相対的に各半導体ウエハＷよりも外側に外れた位
置に在るときである。これらの領域では、上式（２）の
運動条件に拘束される必要はないので、たとえば一点鎖
線ＰＬ，ＱＬで示すような関数の運動としてよい。な
お、ＱＬのような関数の運動を行わせた場合は、上式
（２）の関数にしたがって運動させるときよりも並進速
度が遅くなるので、実際には、曲線Ｃ（ｔ0 −ｔ）^1/2
と曲線Ｃ（ｔ−ｔ1 ）^1/2 との間隔が拡大する。

【００３０】上記のように、この実施例においては、ガ
ス導入口１０ａの中心軸が相対的に各半導体ウエハＷの
頭上を通過（走査）する間は上式（２）の関数で規定さ
れる並進運動を実行すればよく、その走査領域から外れ
た領域、特に内側（回転中心軸３０寄り）に外れた領域
（ｒ(t) ＜ｒin）では上式（２）の関数に拘束されない
適当な滑らかな関数によって並進運動を行わせること
で、各半導体ウエハＷの表面に面内ほぼ均一な膜厚で膜
を形成することができる。

【００３１】ここで、各半導体ウエハＷから外れた領域
（ｒ(t) ＜ｒin）で上式（２）の関数に拘束されないと
いうことは、本発明の方法を実施するうえで非常に重要
な意味をもつ。つまり、上式（２）の関数にしたがえ
ば、ｒ(t) が零付近のところで曲線の傾き（ｄｒ(t) ／
ｄｔ）が無限大に近づき、並進速度を非常に大きくしな
くてはならず、実施するのが困難ないし不可能である。
したがって、仮に回転中心軸が半導体ウエハＷの内側に
設定されたならば、ガス導入口１０ａの中心軸が相対的
に回転中心軸に近づいたときでも上式（２）の関数で規
定される並進運動が行われなければならないところ、こ
の局面では上記のように並進速度を発散的に大きくしな
くてはならず、これは実際には不可能なことであるた
め、結局は膜厚均一性を達成することが困難となる。こ
の実施例では、載置台２６の回転中心部の回りに半導体
ウエハＷを並べて配置し、回転中心軸３０を半導体ウエ
ハＷの外側に位置させることで、この問題を解決してい
る。

【００３２】上記のように半導体ウエハＷの表面に面内
ほぼ均一な膜厚で膜を形成しようとする場合には、載置
台２６ないし各半導体ウエハＷの並進運動を上記のよう
な条件で可変制御すればよく、載置台２６ないし各半導
体ウエハＷの回転速度（回転軸３０の回転速度）の方は
一定速度としても構わない。

【００３３】しかし、さらに一歩進んで、ウエハ表面の
各部における膜厚の平均値からのゆらぎ（凹凸）まで均
一化することも可能である。このためには、次のような
回転運動条件にしたがって載置台２６ないし各半導体ウ
エハＷの回転速度を可変制御すればよい。

【００３４】上記と同様に載置台２６ないし各半導体ウ
エハＷの回転中心点とガス導入口１０ａの中心軸との相
対的な水平距離間隔をｒ(t) とし、各時点のｒ(t) に対
応する回転軸３０の角速度および回転周期をそれぞれω
(t) ，Ｔ(t) とすると、次の式（３）が成立する。 ω(t) ×Ｔ(t) ＝２π ………（３）

【００３５】次に、ガス導入口１０ａの中心軸が相対的
に載置台２６ないし各半導体ウエハＷの頭上を等間隔ｄ
0 で走査するための条件として次の式が成立する。 ｄｒ(t) ／ｄ(t) ×Ｔ(t) ＝ｄ0 ………（４）

【００３６】これらの式（３），（４）と上式（２）と
から角速度ω(t) について次のような解が得られる。 ω(t) ＝Ｄ／｛±（ｔ−ｔm)｝^1/2 ………（５）

【００３７】ここで、Ｄ，ｔm はそれぞれ定数である。
上式（５）の関数は、図５に示すような速度曲線で表さ
れる。

【００３８】図５において、ωinはガス導入口１０ａの
中心軸が各半導体ウエハＷの回転中心軸３０に最も近い
部分（縁部）を通る時のω(t) の値であり、ωout はガ
ス導入口１０ａの中心軸が各半導体ウエハＷの回転中心
軸３０から最も遠い部分（縁部）を通る時のω(t) の値
である。

【００３９】図５において、ωout ≦ω(t) ≦ωinの速
度領域はガス導入口１０ａの中心軸が相対的に各半導体
ウエハＷの頭上を通過（スキャン）するとき（ｒin≦ｒ
(t)≦ｒout ）の角速度である。このスキャン領域（ｒi
n≦ｒ(t) ≦ｒout ）では、ｒ(t) が増大するとき（ガ
ス導入口１０ａの中心軸が相対的に回転中心軸３０から
遠ざかるとき）にω(t) ＝Ｄ／（ｔ−ｔm)^1/2 の関数で
表される次第に減速する回転運動が行われ、ｒ(t) が減
少するとき（ガス導入口１０ａの中心軸が相対的に回転
中心軸３０に接近するとき）にω(t) ＝Ｄ／（ｔm −
ｔ）^1/2 の関数で表される次第に加速する回転運動が行
われるよう、回転駆動モータ２８の回転速度をコントロ
ーラによって可変制御すればよい。

【００４０】図５において、ω(t) ＞ωinの領域はガス
導入口１０ａの中心軸が相対的に各半導体ウエハＷより
も内側（回転中心軸３０寄り）に外れた位置に在るとき
であり、ωout ＞ω(t) の領域はガス導入口１０ａの中
心軸が相対的に各半導体ウエハＷよりも外側に外れた位
置に在るときである。これらの領域では、上式（５）の
回転運動条件に拘束される必要はないので、たとえば一
点鎖線ＲＬ，ＳＬで示すような関数の運動としてよい。

【００４１】この回転運動条件においても、ガス導入口
１０ａの中心軸が相対的に各半導体ウエハＷの頭上を通
過（走査）する間は上式（５）の関数で規定される回転
運動を行わせればよく、その走査領域から外れた領域、
特に内側（回転中心軸３０寄り）に外れた領域（ｒ(t)
＜ｒin）では上式（５）の関数に拘束されない任意の回
転運動を行わせることで、各半導体ウエハＷの表面各部
における膜厚の平均値からのゆらぎをほぼ均一にするこ
とができる。そして、この場合でも、回転中心軸３０が
半導体ウエハＷと交差しないように外側に位置している
ために、ガス導入口１０ａの中心軸が相対的に回転中心
軸に近づいたときでも回転速度を発散的に大きくする必
要がなく、この技法が実施可能なものとなっている。

【００４２】上記したように、この実施例では、ランプ
２０より紫外線光が気相中およびウエハ表面上に照射さ
れることにより、成膜前駆体の付着係数Ｓが比較的大き
な値となっている。上記の方法および装置は、たとえば
モノシラン（Ｓi Ｈ4 ）、ジシラン（Ｓi2Ｈ6 ）を材料
ガスとして採用した結晶シリコンおよび非晶質シリコン
の成膜プロセスに適用できる。この中でそれぞれの材料
ガスに対して光吸収係数が十分に大きくなるような光源
の波長を選択すると効率的に成膜分子を活性化させるこ
とができ、付着係数Ｓを十分に大きく保つことができる
ようになる。付着係数Ｓをさらに大きくするために、加
熱手段（図示せず）によって載置板２６ないし各半導体
ウエハＷを適当な温度に加熱するようにしてもよい。こ
のように付着係数Ｓを大きくすることで、成膜速度また
はスループットが向上する。

【００４３】また、この実施例では、付着係数Ｓが大き
くても、ガス導入口１０ａより材料ガスないし成膜前駆
体が指向性または異方性をもって各半導体ウエハＷの表
面に供給されるため、堆積形状（ステップカバレージを
含む）も向上している。

【００４４】そして、この実施例では、ガス導入口１０
ａと各半導体ウエハＷとの間に上記のような相対的回転
および並進運動を与えることにより、ウエハ表面上にほ
ぼ均一な膜厚で膜を形成することができる。

【００４５】上記した実施例では、載置台２６上に３枚
までの半導体ウエハＷを並べて載置するようにした。し
たがって、載置台２６上に２枚または１枚だけの半導体
ウエハＷを載せて上記と同様の回転および並進運動を行
わせても同様の作用効果が得られる。また、４枚以上の
半導体ウエハＷを載せられるように載置台２６を構成し
てもよく、図６に示すように台の中心部にダミーウエハ
ＤＷを配置し、その回りに被処理体としての半導体ウエ
ハＷを並べてもよい。

【００４６】上記した実施例では、容器１０の底面１０
ｃにシール材を介してモータ回転軸３０を貫通せしめる
ことによって容器内部の載置台２６と容器外部の駆動機
構とを連結する構造としていた。このような直結構造に
換えて、磁気的連結手段を用いることで、容器１０をほ
ぼ完全密閉なチャンバに構成することも可能である。

【００４７】上記した実施例では１つのガス放射源（ガ
ス導入口１０ａ）より半導体ウエハＷに向けて指向性の
ガス流を供給するようにしたが、図７に示すように載置
台２６の半径方向に多数のノズルＺ0,Ｚ1,Ｚ2,……Ｚn
を並べて、各ノズルＺi から同時にガス流を供給するよ
うにしてもよい。載置台２６の回転速度は一定にしてよ
い。この構成例によれば、各ノズルＺi から吹き出され
る材料ガスの流量を独立に制御することで、１本のノズ
ルを相対的に載置台２６の半径方向に所定の並進運動条
件にしたがって可変速度で並進（走査）させ、各走査位
置で載置台２６ないし各半導体ウエハＷの回転速度を所
定の回転運動条件にしたがって可変速度で回転させる場
合と等価な作用効果が得られる。

【００４８】上記した実施例のＣＶＤ装置では、容器１
０の天井面にガス導入口１０ａを設けるとともに、この
ガス導入口１０ａの下に円筒状の光学窓１４を設けて、
ガス導入口１０ａからその軸方向に指向性を有する材料
ガスを半導体ウエハＷに向けて放射するようにした。こ
のようなガス放射方式は一例であって、種々の変形が可
能であり、たとえばノズルから材料ガスを放射させるよ
うにしてもよい。その場合、ノズルを並進運動させるこ
とで、被処理体側の方で並進運動を行わずに済ませるこ
とも可能である。

【００４９】上記した実施例は半導体ウエハを被処理体
とするＣＶＤ方法および装置に係るものであったが、本
発明はターゲットを放射源とするスパッタ方法および装
置にも適用可能である。

【００５０】以上説明したように、本発明によれば、成
膜処理において堆積形状の向上および膜厚均一性の向上
を同時に達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例によるＣＶＤ装置の主要な構
成を示す略断面図である。

【図２】実施例のＣＶＤ装置におけるウエハ載置台上の
ウエハ配置構成例を示す略平面図である。

【図３】実施例のＣＶＤ装置における回転および並進運
動の作用を説明するための略平面図である。

【図４】実施例のＣＶＤ装置における並進運動の作用を
説明するための移動曲線図である。

【図５】実施例のＣＶＤ装置における回転運動の作用を
説明するための回転速度曲線図である。

【図６】変形例によるウエハ載置台上のウエハ配置構成
例を示す略平面図である。

【図７】変形例による要部の構成を模式的に示す斜視図
である。

【符号の説明】

１０ 処理容器 １０ａ ガス導入口（ガス放射源） １２ ガス供給源 ２０ ランプ ２４ 排気管 ２６ ウエハ載置台 ２８ 回転駆動モータ ３０ 回転軸 ３６ 並進駆動モータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−290448（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−331646（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−242156（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−271195（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−290711（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−145642（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−357657（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/44 H01L 21/203

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内で放射源よりその放射軸の方
   向に指向性をもって進む拡散性の所定の成膜材料を前記
   放射軸と直交する面上に配置された板状の被処理体に向
   けて放射せしめ、前記被処理体上に所定の膜を形成する
   ようにした成膜処理方法であって、 前記被処理体の外に設定された前記放射軸と平行な回転
   中心軸の回りで１枚または複数枚の前記被処理体を回転
   させると同時に、前記回転中心軸が前記放射軸と直交す
   る直線上で前記放射軸を挟んで第１および第２の位置の
   間を移動するように前記被処理体を並進運動させ、 前記回転中心軸が前記第１および第２の各位置に在ると
   きは前記放射軸が前記被処理体の外に外れた位置に在る
   ことを特徴とする成膜処理方法。
2. 【請求項２】 前記放射軸が相対的に前記被処理体の回
   転する領域を通る間は、前記放射軸が前記回転中心軸に
   接近するほど前記並進の速度を増大させ、前記放射軸が
   前記回転中心軸から遠ざかるほど前記並進の速度を減少
   させることを特徴とする請求項１に記載の成膜処理方
   法。
3. 【請求項３】 前記放射軸が相対的に前記被処理体の回
   転する領域を通る間は、前記放射軸が前記回転中心軸に
   接近するほど前記被処理体の回転角速度を増大させ、前
   記放射軸が前記回転中心軸から遠ざかるほど前記被処理
   体の回転角速度を減少させることを特徴とする請求項１
   または２に記載の成膜処理方法。
4. 【請求項４】 処理容器内で、一定の方向に指向性をも
   って進む拡散性の所定の成膜材料を放射する放射源と１
   枚または複数枚の板状被処理体を前記被処理体の外に設
   定された前記放射源の放射軸と平行な回転中心軸の回り
   に載置する回転可能な回転載置台とを対向させて配置
   し、前記回転載置台を回転させる回転駆動手段と、前記
   回転載置台の回転中心軸が前記放射源の放射軸と直交す
   る直線上で第１および第２の位置の間を移動するように
   前記回転載置台を並進させる駆動手段とを具備し、前記
   回転中心軸が前記第１および第２の各位置に在るときは
   前記放射軸が前記被処理体の外に外れた位置に在ること
   を特徴とする成膜処理装置。