JPS60124327A - 電子管陰極構体の接続構造 - Google Patents
電子管陰極構体の接続構造Info
- Publication number
- JPS60124327A JPS60124327A JP58231301A JP23130183A JPS60124327A JP S60124327 A JPS60124327 A JP S60124327A JP 58231301 A JP58231301 A JP 58231301A JP 23130183 A JP23130183 A JP 23130183A JP S60124327 A JPS60124327 A JP S60124327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- end shield
- filament
- junction part
- electron tube
- brazing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/15—Cathodes heated directly by an electric current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/04—Cathodes
- H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子管陰極構体の接続構造に関する。
第１図及び第２図は従来の電子管陰極構体の賛部断面図
である。第五図及び第２図において、ｌは熱電子を放射
するらせん状のフィラメント、２はフィラメントｌの一
端を保持する上部エンドシールド、３はフイラメン）１
の他端を保持する下部エンドシールドで、中空孔３ａ７
Ｊ≦形成されている。今は上部エンドシールド２を支持
しかつフィラメントｌに所定の電力を通電するリードを
兼ねたセンターサポート、５は下部エンドシールド３を
支持しかつツイツタ／）１に所定の電力を通電するリー
ドを兼ねたサイドサポート、第２図において、６はセン
ターサポート４とサイドサポート５、下部エンドシール
ド３とを固定し外部からの振動、衝撃によるセンターサ
ポート４、サイドサポート５の振れを防止し、ひいては
脆いフイラメン）ｌの断線を防ぐ為の絶縁スペーサ、７
は絶縁スペーサ６の落下を防止するためにセンターサポ
ート今に設けた縛４ａに取付けられた金塊金具である。
である。第五図及び第２図において、ｌは熱電子を放射
するらせん状のフィラメント、２はフィラメントｌの一
端を保持する上部エンドシールド、３はフイラメン）１
の他端を保持する下部エンドシールドで、中空孔３ａ７
Ｊ≦形成されている。今は上部エンドシールド２を支持
しかつフィラメントｌに所定の電力を通電するリードを
兼ねたセンターサポート、５は下部エンドシールド３を
支持しかつツイツタ／）１に所定の電力を通電するリー
ドを兼ねたサイドサポート、第２図において、６はセン
ターサポート４とサイドサポート５、下部エンドシール
ド３とを固定し外部からの振動、衝撃によるセンターサ
ポート４、サイドサポート５の振れを防止し、ひいては
脆いフイラメン）ｌの断線を防ぐ為の絶縁スペーサ、７
は絶縁スペーサ６の落下を防止するためにセンターサポ
ート今に設けた縛４ａに取付けられた金塊金具である。
このように構成されたマグネトロン陰憶構体において、
前記フイラメン）１は通常トリウム−タングステン線な
どによ多形成され、また、上部エンドシールド２、下部
エンドシールド３、センターサポート今およびサイドサ
ポート５はモリブデンまたはタングステンなどの尚融点
金属によって形成されている。そして、ツイツタｙ）ｌ
の両端と上部エンドシールド２、下部エンドシールド３
との接合部および上部エンドシールド２とセンターサポ
ート４との接合部は、ルテニウムとモリブデンとの共晶
合金ろう材８により接着されて心気的Ｋｍ続されている
。この場合、この共晶合金ろう材８の組成ｔユ、ルテニ
ウムが約４３重量％、モリブデンが約５７重量％で、融
点＾１ｃｉｑ５°Ｃであるが、ルテニウムが３０〜５０
Ｍ−ａｔ俤の範囲では共晶ろう祠として十分に機能を有
し、またフィラメント！および上、′Ｆ部エンドシール
ド２．３に対する鋪れ性も極めて良好であり、強固な接
続が得られ、極めて優れたろう材である。
前記フイラメン）１は通常トリウム−タングステン線な
どによ多形成され、また、上部エンドシールド２、下部
エンドシールド３、センターサポート今およびサイドサ
ポート５はモリブデンまたはタングステンなどの尚融点
金属によって形成されている。そして、ツイツタｙ）ｌ
の両端と上部エンドシールド２、下部エンドシールド３
との接合部および上部エンドシールド２とセンターサポ
ート４との接合部は、ルテニウムとモリブデンとの共晶
合金ろう材８により接着されて心気的Ｋｍ続されている
。この場合、この共晶合金ろう材８の組成ｔユ、ルテニ
ウムが約４３重量％、モリブデンが約５７重量％で、融
点＾１ｃｉｑ５°Ｃであるが、ルテニウムが３０〜５０
Ｍ−ａｔ俤の範囲では共晶ろう祠として十分に機能を有
し、またフィラメント！および上、′Ｆ部エンドシール
ド２．３に対する鋪れ性も極めて良好であり、強固な接
続が得られ、極めて優れたろう材である。
しかしながら、この共晶ろう材は、最も低い低融点で浴
ける共晶点でも約１９４５°Ｃと高温度であシ、ろう付
の際に用いるタングステンヒータは白金をろう材として
使用したときよりも短寿命となった。また、白金のコス
トに比較すればルテニウムは廉価となるが、ルテニウム
はかなり高価格である。さらには第２図で示すような陰
極構体においては、アルミナセラミックからなる絶縁ス
ペーサ６を用いたものでは、フイラメン）ｌのろう付け
のときにスペーサ６を高温度から検眼するためにセンタ
ーサポート４の下方に点線で示すようにスペーサ６／を
ろう付は部分よシも遠ざけた位置に配置しておく必要が
あシ、ろう付は完了後に下エンドシールド３に嵌合させ
て金具７で固定させていた。
ける共晶点でも約１９４５°Ｃと高温度であシ、ろう付
の際に用いるタングステンヒータは白金をろう材として
使用したときよりも短寿命となった。また、白金のコス
トに比較すればルテニウムは廉価となるが、ルテニウム
はかなり高価格である。さらには第２図で示すような陰
極構体においては、アルミナセラミックからなる絶縁ス
ペーサ６を用いたものでは、フイラメン）ｌのろう付け
のときにスペーサ６を高温度から検眼するためにセンタ
ーサポート４の下方に点線で示すようにスペーサ６／を
ろう付は部分よシも遠ざけた位置に配置しておく必要が
あシ、ろう付は完了後に下エンドシールド３に嵌合させ
て金具７で固定させていた。
このように共晶合金ろう材８の融点か約１９４５・Ｃと
極めて高いことから、 （１） ろう付は時のヒータの使用寿命か短がくなる。
極めて高いことから、 （１） ろう付は時のヒータの使用寿命か短がくなる。
（２）ルテニウムが比較的高価であシ、より廉価なろう
材が賛求されている。
材が賛求されている。
（３） アルミナセラミックの焼結温度が約１７８０°
Ｃで、これを陰極に用いるだめには約１７８０°Ｃ以下
の融点のろう材が必要となる。
Ｃで、これを陰極に用いるだめには約１７８０°Ｃ以下
の融点のろう材が必要となる。
などの問題があった。
本発明の目的は、低融点で各接合部を接続でき、かつコ
ストダウンが図れる電子管陰極構体の接続構造を提供す
ることにある。
ストダウンが図れる電子管陰極構体の接続構造を提供す
ることにある。
本発明は上記目的を達成するために、フィラメント、エ
ンドシールド及びサポートの各嵌合部を接続するろう材
としてＮｉ材を用いたこと１を特徴とする。
ンドシールド及びサポートの各嵌合部を接続するろう材
としてＮｉ材を用いたこと１を特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第３図によシ説明する。なお
、第１図及び第２図と同じ部材には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。フィラメント１と上部エンドシール
ド２との接合部、フィラメント１と下部エンドシールド
３との接合部及び上部エンドシールド２とセンターサポ
ート４との接合部の各接合部には、Ｎｉ粉末に、例えば
カルピトールアセテートやインブチルメタアクリートな
どのバインダーを加えてペースト状にしたろう材９を注
射針などを使用したディスペンサー（図示せず）で塗布
し、乾保後、還元芥囲気中や真空中で加熱して融着同化
させる。この場合、ろう材９はケ１はＮｉの融点（１４
５３°Ｃ）で浴着される。
、第１図及び第２図と同じ部材には同一符号を付し、そ
の説明を省略する。フィラメント１と上部エンドシール
ド２との接合部、フィラメント１と下部エンドシールド
３との接合部及び上部エンドシールド２とセンターサポ
ート４との接合部の各接合部には、Ｎｉ粉末に、例えば
カルピトールアセテートやインブチルメタアクリートな
どのバインダーを加えてペースト状にしたろう材９を注
射針などを使用したディスペンサー（図示せず）で塗布
し、乾保後、還元芥囲気中や真空中で加熱して融着同化
させる。この場合、ろう材９はケ１はＮｉの融点（１４
５３°Ｃ）で浴着される。
ところで、一般にろう材の溶着温間は、融点からみると
、上映は絶縁スペーサ６の材質であるセラミックと同時
加熱し得る１７００’ｃ、下限はフィラメントｌへの通
電によるフィラメントｌそのものの最高温度１８００°
Ｃ程度であるが、エンドシールド２．３部はその時９０
０〜１０００”Ｃであシ、フィラメントｌの活性化や着
炭（エミッション効率をあげるために表面を炭化する工
程）時の通電でもフィラメントｌのピーク温度は２００
０〜２１００°Ｃで、エンドシールド２．３部は約１７
０°Ｃ以下であるので、１４００″Ｃ以上であれば嵐い
。しかし、Ｎｉのろう材９はエンドシールド２．３のＭ
ｏとなじみが良く、融点以上に必要以上にＭｆを上げる
と、Ｎｌで碕れた部分がクレータを生ずることがあり、
外観をそこねるので、作業上は１５００°Ｃ以上に昇温
しない方が良い。
、上映は絶縁スペーサ６の材質であるセラミックと同時
加熱し得る１７００’ｃ、下限はフィラメントｌへの通
電によるフィラメントｌそのものの最高温度１８００°
Ｃ程度であるが、エンドシールド２．３部はその時９０
０〜１０００”Ｃであシ、フィラメントｌの活性化や着
炭（エミッション効率をあげるために表面を炭化する工
程）時の通電でもフィラメントｌのピーク温度は２００
０〜２１００°Ｃで、エンドシールド２．３部は約１７
０°Ｃ以下であるので、１４００″Ｃ以上であれば嵐い
。しかし、Ｎｉのろう材９はエンドシールド２．３のＭ
ｏとなじみが良く、融点以上に必要以上にＭｆを上げる
と、Ｎｌで碕れた部分がクレータを生ずることがあり、
外観をそこねるので、作業上は１５００°Ｃ以上に昇温
しない方が良い。
このように、へｉろう材９を用いて各接合部をう付けす
ることかでき、第２図で説明したようなろう付は時の嶋
温からスペーサ６を保護するために、スペーサ６全上下
に移動させる工程が不要となると共に、スペーサ６を支
持する金具７も不要となる。また上下部エンドシールド
２．３やセンタサポート４ＯＭｏ材やフィラメントｌの
トリウムタングステンに対して極めて濡れ性が良く、真
壁中に放置する場合の保−ρ時Ｋｙ＆賞＜ｒｇ、化など
）〃為ない。また低融点で接続できるので、ろう付は時
に使用するヒータの寿命を長くし、かつ消費電力の低減
、更にＮｉろう材自体か安価で容易に入手できることに
より、コストダウンが図れる。
ることかでき、第２図で説明したようなろう付は時の嶋
温からスペーサ６を保護するために、スペーサ６全上下
に移動させる工程が不要となると共に、スペーサ６を支
持する金具７も不要となる。また上下部エンドシールド
２．３やセンタサポート４ＯＭｏ材やフィラメントｌの
トリウムタングステンに対して極めて濡れ性が良く、真
壁中に放置する場合の保−ρ時Ｋｙ＆賞＜ｒｇ、化など
）〃為ない。また低融点で接続できるので、ろう付は時
に使用するヒータの寿命を長くし、かつ消費電力の低減
、更にＮｉろう材自体か安価で容易に入手できることに
より、コストダウンが図れる。
第４図は本発明の他の実施例を示す。本実施例は、−シ
ート状の消板を打抜いたワッシャー状のろう材１０．Ｉ
ＩＳ １２を用い、上下部エンドシールド２．３には
それぞれろう材１０Ｓ １１を強制圧入し、センターサ
ポート４の先端部には上部エンドシールド２を押えるよ
うにろう材１２を圧入しておき、加熱して各接合部をろ
う付けしてなる。このように５４ ｇしても前記実施例
と同様の効果が得られる。なお、ろう材１０〜１２とし
ては、第５図に示すようにワイヤ状のろう材１３を各接
か、第４図及び第５図に示すように成形体で用いるかは
、電子管陰極構体を組立る際に都合の良い方を選べば良
く、浴着した結果には差かない。しいて差をあけルば、
粉末体ではペースト状で供給するために、接合部に確実
にろう材かまわシ、成形体ではろう材として輩が安定し
てｈると共に、成形体を得る時の加工性も潰れているこ
とかあげられる。また成形体のろう材の場合、電子管陰
極構体の組ｎ僚によってはあえて強制嵌合することなく
、逐次部品を１曵いて行く隙間のあるはめ合いでも勿論
良い。
ート状の消板を打抜いたワッシャー状のろう材１０．Ｉ
ＩＳ １２を用い、上下部エンドシールド２．３には
それぞれろう材１０Ｓ １１を強制圧入し、センターサ
ポート４の先端部には上部エンドシールド２を押えるよ
うにろう材１２を圧入しておき、加熱して各接合部をろ
う付けしてなる。このように５４ ｇしても前記実施例
と同様の効果が得られる。なお、ろう材１０〜１２とし
ては、第５図に示すようにワイヤ状のろう材１３を各接
か、第４図及び第５図に示すように成形体で用いるかは
、電子管陰極構体を組立る際に都合の良い方を選べば良
く、浴着した結果には差かない。しいて差をあけルば、
粉末体ではペースト状で供給するために、接合部に確実
にろう材かまわシ、成形体ではろう材として輩が安定し
てｈると共に、成形体を得る時の加工性も潰れているこ
とかあげられる。また成形体のろう材の場合、電子管陰
極構体の組ｎ僚によってはあえて強制嵌合することなく
、逐次部品を１曵いて行く隙間のあるはめ合いでも勿論
良い。
なお、前記各実施例においては、スペーサ６を設けた場
合について説明したか、第１図に示すようにスペーサ６
かないものにも同様に適用できる。
合について説明したか、第１図に示すようにスペーサ６
かないものにも同様に適用できる。
以上の説明から明らかな如く、本発明によれば、各接合
部の接続にＮｉろう材を用いているので、ルテニウムと
モリブデンとの共晶ろう材よりも１１も融点となり、ろ
う付は時に使用する。ヒータのシャ命か長くなり、かつ
消費電力の低減が図れると共に、ろう材自体が格安であ
り、コストダウンｌ）ｉ図れる。
部の接続にＮｉろう材を用いているので、ルテニウムと
モリブデンとの共晶ろう材よりも１１も融点となり、ろ
う付は時に使用する。ヒータのシャ命か長くなり、かつ
消費電力の低減が図れると共に、ろう材自体が格安であ
り、コストダウンｌ）ｉ図れる。
またセラミックとの同時加熱かできるσ）で、陰極構体
の補強ｈｌ＆造〃ふ容易に得られる。
の補強ｈｌ＆造〃ふ容易に得られる。
第１図及び第２図は従来の電子管陰極構体の要部断面図
、纂３図ｔユ本発明になる電子Ｖ陰極イ背体の一実施例
を示す要部ＰＰｆｒ面図、第４図は本発明の他の実施例
を示す要部断面図、第５図は成形体のろう材の他の実施
例を示す斜視図である。 ｌ・・・・フィラメント、２・・・・土部エンド°イー
ルド、３・・・・下部エンドシールド、今・・・・セン
ターサポート、５・・・・サイドサポート、９〜１３・
・・・Ｎｉろう材。
、纂３図ｔユ本発明になる電子Ｖ陰極イ背体の一実施例
を示す要部ＰＰｆｒ面図、第４図は本発明の他の実施例
を示す要部断面図、第５図は成形体のろう材の他の実施
例を示す斜視図である。 ｌ・・・・フィラメント、２・・・・土部エンド°イー
ルド、３・・・・下部エンドシールド、今・・・・セン
ターサポート、５・・・・サイドサポート、９〜１３・
・・・Ｎｉろう材。
Claims (1)
- 熱電子を放射するフィラメントと、このフィラメントを
保持する高融点金属からなるエンドシールドと、このエ
ンドシールドに所要の電力を通電するサポートとを備え
、前記各部材の各接合部をろう材によって電気的に接続
してなる電子管陰極構体において、前記ろう材ｈ Ｎ
ｉ材よシなることを％徴とする電子管陰極構体の接続構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231301A JPS60124327A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 電子管陰極構体の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231301A JPS60124327A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 電子管陰極構体の接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124327A true JPS60124327A (ja) | 1985-07-03 |
Family
ID=16921470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58231301A Pending JPS60124327A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 電子管陰極構体の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124327A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106531597A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-03-22 | 广东威特真空电子制造有限公司 | 磁控管及其阴极组件以及制造磁控管的阴极组件的方法 |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58231301A patent/JPS60124327A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106531597A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-03-22 | 广东威特真空电子制造有限公司 | 磁控管及其阴极组件以及制造磁控管的阴极组件的方法 |
| CN106531597B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-04-02 | 广东威特真空电子制造有限公司 | 磁控管及其阴极组件以及制造磁控管的阴极组件的方法 |
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