JPS59205743A - 半導体装置用電極リ−ド - Google Patents
半導体装置用電極リ−ドInfo
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- JPS59205743A JPS59205743A JP58080596A JP8059683A JPS59205743A JP S59205743 A JPS59205743 A JP S59205743A JP 58080596 A JP58080596 A JP 58080596A JP 8059683 A JP8059683 A JP 8059683A JP S59205743 A JPS59205743 A JP S59205743A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えばガラスダイオードの組立てに使用される
半導体装置用電極リードに関する。
半導体装置用電極リードに関する。
従来、整流作用を目的とする半導体装置の中でも高性能
、高信頼性を要求されるものについては、第１図のよう
に鋼又は銅合金リード線１′の一端にモリブデン又はタ
ングステンからなるチップ２′を溶接接合してなる電極
リードが使用されることは周知のとおりである。第２図
はこのような電４ リードを使用して組立てられたがラ
スダイオードを示し、３′はシリコンチップ、４′は封
止ガラスである。
、高信頼性を要求されるものについては、第１図のよう
に鋼又は銅合金リード線１′の一端にモリブデン又はタ
ングステンからなるチップ２′を溶接接合してなる電極
リードが使用されることは周知のとおりである。第２図
はこのような電４ リードを使用して組立てられたがラ
スダイオードを示し、３′はシリコンチップ、４′は封
止ガラスである。
ここでモリブデン又はタングステンからなるチップ２′
は、半導体素子（ここではシリコンチップ３′）の支持
室、極材として半導体素子とリート線１′との熱膨張差
による応力の発生を緩和せしめ、もって半導体素子の損
傷を防止するように作用する。
は、半導体素子（ここではシリコンチップ３′）の支持
室、極材として半導体素子とリート線１′との熱膨張差
による応力の発生を緩和せしめ、もって半導体素子の損
傷を防止するように作用する。
また、支持電極材は熱応力の発生を緩和せしめる以外に
半導体素子に発生する熱を外部に逃散させるためにそれ
自身熱、電気の良導体である必要があり、この点からも
好適な材料としてモリブデン又はタングステ／が使用さ
れる。
半導体素子に発生する熱を外部に逃散させるためにそれ
自身熱、電気の良導体である必要があり、この点からも
好適な材料としてモリブデン又はタングステ／が使用さ
れる。
ところでこのようにモリブデン又はタングステンを使用
した電＆ ＩＪ−ドは、モリブデンおよびタングステン
が高価な材料であるから必然的に高価なものとなるため
に、半導体装置のコストダウンを阻害する大きな要因と
なる。さらにモリブデ／およびタングステンは、一般に
銅又は銅合金リード線に対する溶接が比較的困難であり
、良好な接合を得るための溶接条件はきわめて限定され
る。
した電＆ ＩＪ−ドは、モリブデンおよびタングステン
が高価な材料であるから必然的に高価なものとなるため
に、半導体装置のコストダウンを阻害する大きな要因と
なる。さらにモリブデ／およびタングステンは、一般に
銅又は銅合金リード線に対する溶接が比較的困難であり
、良好な接合を得るための溶接条件はきわめて限定され
る。
すなわち、溶接条件のわずかな変動により接合強度が犬
きく変化し、信頼性の高い安定した接合を得ることがき
わめて困難である。
きく変化し、信頼性の高い安定した接合を得ることがき
わめて困難である。
このような状況から、最近半導体装置用の電極リードと
しては、安価で銅又は銅合金リード線との接合部の信頼
性に優れたものが望まれる。
しては、安価で銅又は銅合金リード線との接合部の信頼
性に優れたものが望まれる。
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、安
価で銅又は銅合金リード線との接合部の信頼性に優れた
半導体装置用電極リードを提供することにある。
価で銅又は銅合金リード線との接合部の信頼性に優れた
半導体装置用電極リードを提供することにある。
すなわち、本発明の要旨は、先端部に胴部分を有する銅
又は銅合金線材と、この線材の先端鋼部分の側面全体に
金属学的に接合して設けられたＮ１２５〜５０％、Ｃｏ
Ｏ〜３０壬を含み残部Ｆｅの合金層とからなることを特
徴とする半導体装置用電極り−１にある。
又は銅合金線材と、この線材の先端鋼部分の側面全体に
金属学的に接合して設けられたＮ１２５〜５０％、Ｃｏ
Ｏ〜３０壬を含み残部Ｆｅの合金層とからなることを特
徴とする半導体装置用電極り−１にある。
上記電極り−１の中で先端銅部分とその側面全体に設け
られたＦ ｅ −Ｎ ｉ又はＦ ｅ −Ｎ ｉ −Ｃｏ
合金層とは支持電極材として構成されるところであり、
この支持電極材のうち銅成分は高い熱伝導性を、Ｆｅ−
Ｎｉ又はｐｅ−ＮｉＣｏ合金成分は低熱膨張特性を付与
するものであって、これら２種類の材料の組合せ構造お
よび体積比率により従来のモリブデン、タングステンと
同等の熱膨張特性および熱伝導性を有する支持電極材が
形成される。
られたＦ ｅ −Ｎ ｉ又はＦ ｅ −Ｎ ｉ −Ｃｏ
合金層とは支持電極材として構成されるところであり、
この支持電極材のうち銅成分は高い熱伝導性を、Ｆｅ−
Ｎｉ又はｐｅ−ＮｉＣｏ合金成分は低熱膨張特性を付与
するものであって、これら２種類の材料の組合せ構造お
よび体積比率により従来のモリブデン、タングステンと
同等の熱膨張特性および熱伝導性を有する支持電極材が
形成される。
Ｆ ｅ −’Ｎ ｉ又はＦ ｅ −、Ｎ ｉ −Ｃｏ合
金の組成は、重量百分率でＮｉ２５〜５０％、Ｃｏｄ〜
３０９６．残部Ｆｅとするのが良い。この組成の範囲を
外れると合金の熱膨張係数が大きくなり、銅との組合せ
において複合支持電極材の熱膨張係数を半導体素子のそ
れに整合させることができ々い。
金の組成は、重量百分率でＮｉ２５〜５０％、Ｃｏｄ〜
３０９６．残部Ｆｅとするのが良い。この組成の範囲を
外れると合金の熱膨張係数が大きくなり、銅との組合せ
において複合支持電極材の熱膨張係数を半導体素子のそ
れに整合させることができ々い。
鋼又は銅合金線材によって構成されるリード線としては
、例えば純銅、ジルコニウム入り銅、クロム入り銅、錫
入り銅からなる線、あるいは銅被鋼線、またはかかる線
の表面に銀、ニッケル、錫などをメッキしたものが含ま
れる。
、例えば純銅、ジルコニウム入り銅、クロム入り銅、錫
入り銅からなる線、あるいは銅被鋼線、またはかかる線
の表面に銀、ニッケル、錫などをメッキしたものが含ま
れる。
支持電極材は複合チップの形で用意されることが好まし
く、この場合Ｆ ｅ −Ｎ ｉ又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃ０合
金層の〉める体積比率が６５係以上になると複合チップ
の中心軸方向の熱伝導率がモリブデン、タングステンよ
り小さくなり、この面での特性が劣ることになり、好−
ましくない。
く、この場合Ｆ ｅ −Ｎ ｉ又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃ０合
金層の〉める体積比率が６５係以上になると複合チップ
の中心軸方向の熱伝導率がモリブデン、タングステンよ
り小さくなり、この面での特性が劣ることになり、好−
ましくない。
次に添付図面第３図〜第５図により本発明半導体用電極
リードの実施例を説明する。
リードの実施例を説明する。
実施例１
第３図において、直径０．８＋ｎｍψのジルコニウム入
り鋼線１の先端部に、その軸方向に沿って直径１．２６
ｍｍψの銅線を芯材２とし、その側面全体に全体外径２
．０咽ψ、長さ１ｍｍのＦｅ−２９１Ｎｉ−１８ＴｏＣ
ｏ合金層３を設けた複合チップを支持電極材４として溶
接し、電庫リード５を作製した。
り鋼線１の先端部に、その軸方向に沿って直径１．２６
ｍｍψの銅線を芯材２とし、その側面全体に全体外径２
．０咽ψ、長さ１ｍｍのＦｅ−２９１Ｎｉ−１８ＴｏＣ
ｏ合金層３を設けた複合チップを支持電極材４として溶
接し、電庫リード５を作製した。
第４図はこの電極＋）−）”ｓを使用して組立てられた
ガラスダイオ−１６を示し、７はシリコンチップ、８は
封止ガラスである。
ガラスダイオ−１６を示し、７はシリコンチップ、８は
封止ガラスである。
ここで前記ガラスダイオ−Ｆ′６と、第２図に示される
従来の支持ｔＳ材としてモリブデンを使用したがラスク
イオードとを比較した結果、電気的特性としては同等の
ものが得られその有効性が示された。
従来の支持ｔＳ材としてモリブデンを使用したがラスク
イオードとを比較した結果、電気的特性としては同等の
ものが得られその有効性が示された。
実施例２
第５図において直径０８馴ψのジルコニウム入り銅線ｌ
の先端部に、その軸方向に沿って直径１，２６瓢ψの銅
線を芯材２とし、その側面全体に全体外径２０肺ψ、長
さ１謔のＦｅ−２９％Ｎｉ −１８％Ｃｏ合金層３を設
けさらに全面に約ｌＯμのＮｉメッキ９を施した複合チ
ップを支持電極材ＩＯとして溶接し、電極リード１１を
作製した。
の先端部に、その軸方向に沿って直径１，２６瓢ψの銅
線を芯材２とし、その側面全体に全体外径２０肺ψ、長
さ１謔のＦｅ−２９％Ｎｉ −１８％Ｃｏ合金層３を設
けさらに全面に約ｌＯμのＮｉメッキ９を施した複合チ
ップを支持電極材ＩＯとして溶接し、電極リード１１を
作製した。
ここで、この電極リード１１を使用して組立てられたガ
ラスダイオード（図示せず）と、第２図に示される従来
の支持電極材としてモリブデンを使用したがラスダイオ
−１とを比較した結果、電気的特性としては同等のもの
が得られその有効性が示された。
ラスダイオード（図示せず）と、第２図に示される従来
の支持電極材としてモリブデンを使用したがラスダイオ
−１とを比較した結果、電気的特性としては同等のもの
が得られその有効性が示された。
なお、第４図に示されるガラスダイオード６との比較で
は、本実施例の場合表面にＮ１メッキ９を施したことに
より支持電極材ＩＯの表面が化学的に安定化し、表面酸
化、変色、さび等の発生が少なく、品質的に安定しＣい
ることが認められた。
は、本実施例の場合表面にＮ１メッキ９を施したことに
より支持電極材ＩＯの表面が化学的に安定化し、表面酸
化、変色、さび等の発生が少なく、品質的に安定しＣい
ることが認められた。
実施例１および２において、ジルコニウム入り銅線ｌと
支持電極材４．ｌＯとの接合は、溶接のほかに銀ろうな
どを用いたろう付けでも良い。
支持電極材４．ｌＯとの接合は、溶接のほかに銀ろうな
どを用いたろう付けでも良い。
以上のように本発明半導体装置用電極リードによれば、
先端部に銅部分を有する銅又は銅合金線材の先端銅部分
の側面全体にＮｉ２５〜５０４．ＣｏＯ〜３０チ、残部
Ｆｅからなる合金層を設けだから、熱膨張係数および熱
伝導率において従来のモリブデンおよびタングステンと
同等の特性を示し、したがってこれを従来のモリブデン
およびタングステンに代えて用いることにより非常に安
価な電極リードを得ることができる。
先端部に銅部分を有する銅又は銅合金線材の先端銅部分
の側面全体にＮｉ２５〜５０４．ＣｏＯ〜３０チ、残部
Ｆｅからなる合金層を設けだから、熱膨張係数および熱
伝導率において従来のモリブデンおよびタングステンと
同等の特性を示し、したがってこれを従来のモリブデン
およびタングステンに代えて用いることにより非常に安
価な電極リードを得ることができる。
また、この電極り・−げによれば、銅又は銅合金線材た
るリード線と支持電極材との接合が銅同志で行われるこ
とになり、したがってそれらの接合がきわめて容易であ
ると共に接合部としてきわめて信頼性の高いものを得る
ことができる。
るリード線と支持電極材との接合が銅同志で行われるこ
とになり、したがってそれらの接合がきわめて容易であ
ると共に接合部としてきわめて信頼性の高いものを得る
ことができる。
第１図および第２図は従来例説明図、第３図は本発明の
一実施例に係る電極り−Ｐの部分断面図、第４図は前記
電極リードを用いて組立てられたガラスダイオードの部
分断面図、第５図は本発明の他の実施例に係る電極リー
ドの部分断面図である。 １・・・ジルコニウム入り銅線、２・・・芯材、３・・
・合金層、４．１０・・・支持電極材、５．１１・・・
電！ ’Ｊ−ド、６・・・ガラスダイオード、７・・・
シリコンチップ、８・・・封止ガラス、９・・・Ｎ１メ
ッキ。
一実施例に係る電極り−Ｐの部分断面図、第４図は前記
電極リードを用いて組立てられたガラスダイオードの部
分断面図、第５図は本発明の他の実施例に係る電極リー
ドの部分断面図である。 １・・・ジルコニウム入り銅線、２・・・芯材、３・・
・合金層、４．１０・・・支持電極材、５．１１・・・
電！ ’Ｊ−ド、６・・・ガラスダイオード、７・・・
シリコンチップ、８・・・封止ガラス、９・・・Ｎ１メ
ッキ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 先端部に銅部分を有する銅又は銅合金線材と、こ
の線材の先端胴部分の側面全体に金属学的に接合しＣ設
けられたｒＩＪ１２５〜５０ｔＩ）、Ｃ００〜３０係を
含み残部Ｆｅの合金属とからなることを特徴とする半導
体装置用電極リード。 Ｚ 上記電極リードの表面全体にＮｉメッキが施されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電極
リード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58080596A JPS59205743A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 半導体装置用電極リ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58080596A JPS59205743A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 半導体装置用電極リ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59205743A true JPS59205743A (ja) | 1984-11-21 |
Family
ID=13722707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58080596A Pending JPS59205743A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 半導体装置用電極リ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59205743A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03104883A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-05-01 | Kobe Steel Ltd | ガラス封着用複合線材 |
-
1983
- 1983-05-09 JP JP58080596A patent/JPS59205743A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03104883A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-05-01 | Kobe Steel Ltd | ガラス封着用複合線材 |
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