JPS61156757A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61156757A JPS61156757A JP59280676A JP28067684A JPS61156757A JP S61156757 A JPS61156757 A JP S61156757A JP 59280676 A JP59280676 A JP 59280676A JP 28067684 A JP28067684 A JP 28067684A JP S61156757 A JPS61156757 A JP S61156757A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4875—Connection or disconnection of other leads to or from bases or plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体片の両表面に設けられた電極に接触す
る頭部とその頭部に結合されるリード線からなる接続部
材とを備え、少なくとも接続部材の頭部の一部と半導体
片が絶縁物によって包囲された半導体装置に関する。
る頭部とその頭部に結合されるリード線からなる接続部
材とを備え、少なくとも接続部材の頭部の一部と半導体
片が絶縁物によって包囲された半導体装置に関する。
第２図は公知のガラス封止型ダイオードを示し、レフト
１と頭部３はガラス管５によって包囲されている。その
際接続部材２の頭部に結合されているリード線６はガラ
ス管５の外部にあって他の回路部との接続に用いられる
０、接続部材２の頭部３はペレットｌのシリコンあるい
はガラス管５の封着ガラスとの熱膨張係数を合わせるた
め低膨張係数のタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ
）あるいはその合金からなる。従来は頭部３はタングス
テンあるいはモリブデン線を切断して形成し、リード線
６としての銅線を、例えばパーカッション溶接により溶
接していた。しかしこの場合、Ｗ。 ｔｌｏは高融点金属のためＣｕとの溶接が難しく、また
頭部３とリード線６との接触面積が小さいために詰合強
度の弱いものがあり、製造中あるいは使用中に結合部崩
落が発生することがあって結合部の信頼性が低かった。 その上、第３図に示すように頭部３とリード線６の結合
部に溶接のばり７が発生し、ペレット１と頭部３とのろ
う付けの際あるいはガラス管５の封着の際の障害となり
、ダイオードの良品率が低下した。
１と頭部３はガラス管５によって包囲されている。その
際接続部材２の頭部に結合されているリード線６はガラ
ス管５の外部にあって他の回路部との接続に用いられる
０、接続部材２の頭部３はペレットｌのシリコンあるい
はガラス管５の封着ガラスとの熱膨張係数を合わせるた
め低膨張係数のタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ
）あるいはその合金からなる。従来は頭部３はタングス
テンあるいはモリブデン線を切断して形成し、リード線
６としての銅線を、例えばパーカッション溶接により溶
接していた。しかしこの場合、Ｗ。 ｔｌｏは高融点金属のためＣｕとの溶接が難しく、また
頭部３とリード線６との接触面積が小さいために詰合強
度の弱いものがあり、製造中あるいは使用中に結合部崩
落が発生することがあって結合部の信頼性が低かった。 その上、第３図に示すように頭部３とリード線６の結合
部に溶接のばり７が発生し、ペレット１と頭部３とのろ
う付けの際あるいはガラス管５の封着の際の障害となり
、ダイオードの良品率が低下した。
本発明は、上述の欠点を除去してＷ、Ｍｏあるいはその
合金からなる頭部とリード線とが十分な結合強度で確実
に結合され、また結合部にぼりかないことにより半導体
片の電極と頭部との接触あるいは接続部の包囲に支障の
生じない、信顛性が高く製造歩留りの良好な半導体を提
供することを目的とする。
合金からなる頭部とリード線とが十分な結合強度で確実
に結合され、また結合部にぼりかないことにより半導体
片の電極と頭部との接触あるいは接続部の包囲に支障の
生じない、信顛性が高く製造歩留りの良好な半導体を提
供することを目的とする。
本発明によれば、接続部材の頭部はＷ、Ｍｏあるいはそ
の合金の焼結部材で一端面に頭部の直径の鵬ないし％の
深さを有する穴を備え、リード線は硬質銅合金よりなり
、一端が頭部の穴の圧入結合されていることによって上
記の目的を達成する。 すなわち本発明による接続部材は作業性の低い溶接を使
用しないためばりの発生がなく、またＷ。 Ｍｏあるいはその合金の焼結により頭部を作成すること
によりリード線の圧入結合を可能にする穴の形成を容易
にしたものである。
の合金の焼結部材で一端面に頭部の直径の鵬ないし％の
深さを有する穴を備え、リード線は硬質銅合金よりなり
、一端が頭部の穴の圧入結合されていることによって上
記の目的を達成する。 すなわち本発明による接続部材は作業性の低い溶接を使
用しないためばりの発生がなく、またＷ。 Ｍｏあるいはその合金の焼結により頭部を作成すること
によりリード線の圧入結合を可能にする穴の形成を容易
にしたものである。
第１図は本発明の一実施例に用いられる接続部材２を示
し、頭部３はＷの焼結により作られたもので直径１ｍ、
長さ１．５ ｆｉである。この頭部３は一方の端面から
軸方向に深さ０．６ｆｉで直径０．６ｆｌの穴８が明け
られている。この六８は頭部３の焼結の際に同時に形成
することができる。この穴に０．６ｆｉの直径のリード
線６の一端を圧入、結合する。リード線６にはＮｉメッ
キＣｕ −Ｚｒ合金線を用いる。Ｃｕ−Ｚｒ合金は硬質
であるため圧入の際に曲がることなく、容易に結合でき
る。リード線６の直径を六８の直径と等しくするか、あ
るいは０．５ ｍ程度大きくすることにより六８の内面
にリード線６の表面が強く接触し、高い結合強度が得ら
れる。 六８の深さが頭部３の直径の１以上では圧入時に頭部３
に割れが生じ、Ａ以下ではリード線と穴内面との接触面
積が小さいため十分な結合強度が得られない。 本発明による接続部材はさらに次のようなものも含む。 ■）頭部３の材料は、ＭｏあるいはＭｏ、 ＷのＣｕ、
Ｎｉなどとの合金でもよい。 ２）リード［６にはＣｕ −Ｚｒ合金以外の硬質のＣｕ
合金を用いることができる。 ３）！！１部３の六８は断面円形に限らず、リード線６
の端部が塑性変形してなるべく広い面積で接触できるよ
うな形状、例えば６角形であってもよい。 ４）半導体ペレットｌは１枚に限らず、複数の半導体ペ
レットを積層したものでもよい。
し、頭部３はＷの焼結により作られたもので直径１ｍ、
長さ１．５ ｆｉである。この頭部３は一方の端面から
軸方向に深さ０．６ｆｉで直径０．６ｆｌの穴８が明け
られている。この六８は頭部３の焼結の際に同時に形成
することができる。この穴に０．６ｆｉの直径のリード
線６の一端を圧入、結合する。リード線６にはＮｉメッ
キＣｕ −Ｚｒ合金線を用いる。Ｃｕ−Ｚｒ合金は硬質
であるため圧入の際に曲がることなく、容易に結合でき
る。リード線６の直径を六８の直径と等しくするか、あ
るいは０．５ ｍ程度大きくすることにより六８の内面
にリード線６の表面が強く接触し、高い結合強度が得ら
れる。 六８の深さが頭部３の直径の１以上では圧入時に頭部３
に割れが生じ、Ａ以下ではリード線と穴内面との接触面
積が小さいため十分な結合強度が得られない。 本発明による接続部材はさらに次のようなものも含む。 ■）頭部３の材料は、ＭｏあるいはＭｏ、 ＷのＣｕ、
Ｎｉなどとの合金でもよい。 ２）リード［６にはＣｕ −Ｚｒ合金以外の硬質のＣｕ
合金を用いることができる。 ３）！！１部３の六８は断面円形に限らず、リード線６
の端部が塑性変形してなるべく広い面積で接触できるよ
うな形状、例えば６角形であってもよい。 ４）半導体ペレットｌは１枚に限らず、複数の半導体ペ
レットを積層したものでもよい。
本発明は、半導体片の両面の電極に接触する頭部にＷ、
Ｍｏあるいはその合金の焼結部材を用いて穴を設け、そ
の穴に硬質Ｃｕ合金線の端部を圧入。 結合してなる接続部材を用いるもので、溶接によらない
で十分な接触面積をもつ圧入結合により接続部材の結合
部強度が向上し、結合部崩落による機能損失が皆無とな
った。また溶接ぼりかないため半導体装置製造時の良品
率は、例えばガラス封止型ダイオードの場合に従来に比
して１０％向上した。
Ｍｏあるいはその合金の焼結部材を用いて穴を設け、そ
の穴に硬質Ｃｕ合金線の端部を圧入。 結合してなる接続部材を用いるもので、溶接によらない
で十分な接触面積をもつ圧入結合により接続部材の結合
部強度が向上し、結合部崩落による機能損失が皆無とな
った。また溶接ぼりかないため半導体装置製造時の良品
率は、例えばガラス封止型ダイオードの場合に従来に比
して１０％向上した。
第１図は本発明の一実施例における接続部材の断面図、
第２図は本発明の実施できるガラス封止型ダイオードの
断面図、第３図は従来の接続部材の一例の側面図である
。 １：ダイオードペレット、２：接続部材、３：頭部、４
：はんだ、５ニガラス管、６：リード線、８：穴。 才２０ 才３０ 綿
第２図は本発明の実施できるガラス封止型ダイオードの
断面図、第３図は従来の接続部材の一例の側面図である
。 １：ダイオードペレット、２：接続部材、３：頭部、４
：はんだ、５ニガラス管、６：リード線、８：穴。 才２０ 才３０ 綿
Claims (1)
- １）半導体片の両表面に設けられた電極に接触する頭部
と該頭部に結合されるリード線からなる接続部材とを備
え、少なくとも頭部の一部と半導体片が絶縁物によって
包囲されたものにおいて、接続部材の頭部がタングステ
ン、モリブデンあるいはその合金の焼結部材で一端面に
頭部の直径の１／１０ないし７／１０の深さを有する穴
を備え、リード線が硬質銅合金よりなり、一端が前記頭
部の穴に圧入、結合されたことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59280676A JPS61156757A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59280676A JPS61156757A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156757A true JPS61156757A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=17628375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59280676A Pending JPS61156757A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156757A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171041U (ja) * | 1988-05-24 | 1989-12-04 | ||
| US11835122B2 (en) | 2020-03-24 | 2023-12-05 | Gkn Automotive Limited | Final drive |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59280676A patent/JPS61156757A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171041U (ja) * | 1988-05-24 | 1989-12-04 | ||
| US11835122B2 (en) | 2020-03-24 | 2023-12-05 | Gkn Automotive Limited | Final drive |
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