JPS60119502A - レ−ザ出力吸収装置 - Google Patents
レ−ザ出力吸収装置Info
- Publication number
- JPS60119502A JPS60119502A JP22881383A JP22881383A JPS60119502A JP S60119502 A JPS60119502 A JP S60119502A JP 22881383 A JP22881383 A JP 22881383A JP 22881383 A JP22881383 A JP 22881383A JP S60119502 A JPS60119502 A JP S60119502A
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- JP
- Japan
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- center line
- reflector
- laser beam
- laser output
- rotation
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
- G02B7/181—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
- G02B7/1815—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation with cooling or heating systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の仮相分野〕
この発明ハ、尚出力レーザの出力エネルギーを吸収する
レーザ出力吸収装置−に関するものである。
レーザ出力吸収装置−に関するものである。
Ut来、この柿の装置としては第1図に示すものが知ら
れている。同図に基づいて従来の装置を説明する。
れている。同図に基づいて従来の装置を説明する。
(1)はレーザビームで必る0(2)はりフレフタであ
り、一端部を、中心線と周側面とのなす角度を45°と
すると共に周11111向を鏡面とする円錐ブ1そ状部
とする円柱体に形成されている。(4)は冷却ジャケッ
トであり、リフレクタ(2)の円柱状部に近接して囲繞
すると共に円錐形状部に対応する内周面にはアブソーバ
(8)を有し、冷却水を伽環する冷却水道入室(8)を
内部に有する構成となっている。
り、一端部を、中心線と周側面とのなす角度を45°と
すると共に周11111向を鏡面とする円錐ブ1そ状部
とする円柱体に形成されている。(4)は冷却ジャケッ
トであり、リフレクタ(2)の円柱状部に近接して囲繞
すると共に円錐形状部に対応する内周面にはアブソーバ
(8)を有し、冷却水を伽環する冷却水道入室(8)を
内部に有する構成となっている。
以上構成の装置においてレーザ覚振器(図示せず)から
放出されたレーザビーム(1)はその連行方向に配設し
た頂角を90°とする円錐状のりフレフタ(2)V(中
心線に沿う方向から入射する。この時入射するレーザビ
ーム(11U上mlリフレクタ(2)の外周鏡面で反射
し、入射方向に対して901屍の角度でリフレクタ(2
)を囲むアブソーバ(8)にこれと直角方向に照射し、
そしてアブソーバ(81にレーザエネルギが吸収される
。このようにアブソーバ(8)に入射したレーザビーム
(1)のレーザ出力エネルギーは、このアブソーバ(8
)に吸収され、かつアブソーバ(8)の外側に設けられ
−Cいる冷却ジャケット(4)内で水と熱父挨される。
放出されたレーザビーム(1)はその連行方向に配設し
た頂角を90°とする円錐状のりフレフタ(2)V(中
心線に沿う方向から入射する。この時入射するレーザビ
ーム(11U上mlリフレクタ(2)の外周鏡面で反射
し、入射方向に対して901屍の角度でリフレクタ(2
)を囲むアブソーバ(8)にこれと直角方向に照射し、
そしてアブソーバ(81にレーザエネルギが吸収される
。このようにアブソーバ(8)に入射したレーザビーム
(1)のレーザ出力エネルギーは、このアブソーバ(8
)に吸収され、かつアブソーバ(8)の外側に設けられ
−Cいる冷却ジャケット(4)内で水と熱父挨される。
尚、第1図において(5)は取付金具であり、アブソー
バ(8)、リフレクタ(2)および冷却ジャケット4を
甜脱可能に一体に結合している。
バ(8)、リフレクタ(2)および冷却ジャケット4を
甜脱可能に一体に結合している。
しかしながら従来のレーザ出力吸収装置は、前述したよ
うに構成されている為、レーザ出力を大出力化すると、
アブソーバ(8)のレーザ出力工不ルギーを吸収する牧
収面ではレーザビーム(1)は、ビーム径に比例してレ
ーザビーム(1)の外周側でノくワー蜜度が犬きくなり
(第6図A参照)、アブソーバ(3)の限界パワー密度
を超えてしまう0その為、レーザ出力の高出力化に伴い
、アブソーバ(81を大型化し、レーザ出力吸収装置全
体の寸法を比例的に大きくする必要性を生じた。例えは
、レーザ出力を2倍にすると、レーザ出力吸収装置の電
量は23=8倍になるといった実用上の大きな欠点があ
った。
うに構成されている為、レーザ出力を大出力化すると、
アブソーバ(8)のレーザ出力工不ルギーを吸収する牧
収面ではレーザビーム(1)は、ビーム径に比例してレ
ーザビーム(1)の外周側でノくワー蜜度が犬きくなり
(第6図A参照)、アブソーバ(3)の限界パワー密度
を超えてしまう0その為、レーザ出力の高出力化に伴い
、アブソーバ(81を大型化し、レーザ出力吸収装置全
体の寸法を比例的に大きくする必要性を生じた。例えは
、レーザ出力を2倍にすると、レーザ出力吸収装置の電
量は23=8倍になるといった実用上の大きな欠点があ
った。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので入射するレーザビームの中心線と
一致する中心線を回転中心線として前記回転中心線に対
し、円錐の中心線分用定角度θだけ傾斜した円錐反射面
を回転体に形成してなるリフレクタをイ藺えたレーザ出
力吸収装置を提供することを目的とする。
ためになされたもので入射するレーザビームの中心線と
一致する中心線を回転中心線として前記回転中心線に対
し、円錐の中心線分用定角度θだけ傾斜した円錐反射面
を回転体に形成してなるリフレクタをイ藺えたレーザ出
力吸収装置を提供することを目的とする。
以下本発明に係る一実施例を第2図に基づいて説明する
。リフレクタ(6)及びモータ(7)以外は従来部分と
同様であるのでその説明を省略する。リフレクタ(6)
は、その中心ipを回転中心として駆動手段たとえばモ
ータ(γ)により回転可能となっていて、前記中心線P
とレーザビーム(1)の中心線とを一致して、冷却ジャ
ケラ) (41K囲繞された取付金具(5)に配置され
、また、その先端部が、円錐の中心線Qと回転中心+v
I!J!PとがPJT足角度0をなす円錐反射面を形成
して、構成される。
。リフレクタ(6)及びモータ(7)以外は従来部分と
同様であるのでその説明を省略する。リフレクタ(6)
は、その中心ipを回転中心として駆動手段たとえばモ
ータ(γ)により回転可能となっていて、前記中心線P
とレーザビーム(1)の中心線とを一致して、冷却ジャ
ケラ) (41K囲繞された取付金具(5)に配置され
、また、その先端部が、円錐の中心線Qと回転中心+v
I!J!PとがPJT足角度0をなす円錐反射面を形成
して、構成される。
本実施例によるレーザ出力吸収装置は、上記のだけ傾い
たりフレフタ(6)及びそれを回転するモータ(7)に
より族1i111放射方向へ反射し、かつ、このとき反
射光はアブソーバ(31の入口から央部lで図示の如く
分能投射される0したがってこのりフレフタ(6)によ
って反射されるレーザビーム(1)の外周側は、エイ、
ルギパワー密度が低減される(第3図B蒙照)こととな
る。そしてこのエネルギーは、アブソーバt8H/c吸
収され冷却ジャケット(4)内部ヲ流れる冷却水を熱交
換される。
たりフレフタ(6)及びそれを回転するモータ(7)に
より族1i111放射方向へ反射し、かつ、このとき反
射光はアブソーバ(31の入口から央部lで図示の如く
分能投射される0したがってこのりフレフタ(6)によ
って反射されるレーザビーム(1)の外周側は、エイ、
ルギパワー密度が低減される(第3図B蒙照)こととな
る。そしてこのエネルギーは、アブソーバt8H/c吸
収され冷却ジャケット(4)内部ヲ流れる冷却水を熱交
換される。
上述のように本実施例のレーザ出力吸収装置によればレ
ーザビーム(1)のエネルギーパワー密度を低減でき、
アブソーバ(8)の受光面積を従来装置の受光面積より
も広く利用出来冷却ジャケット(4)での冷却効果の向
上を図ることができる。尚、上記実施例では、リフレク
タ(6)のレーザビーム(1)の中心線からθの仙ぎの
ものを示したが、傾きθを可変にすることにより史に大
出力のエネルギーであっても吸収することが可能である
。
ーザビーム(1)のエネルギーパワー密度を低減でき、
アブソーバ(8)の受光面積を従来装置の受光面積より
も広く利用出来冷却ジャケット(4)での冷却効果の向
上を図ることができる。尚、上記実施例では、リフレク
タ(6)のレーザビーム(1)の中心線からθの仙ぎの
ものを示したが、傾きθを可変にすることにより史に大
出力のエネルギーであっても吸収することが可能である
。
以上A−発明によれば、レーザビームのエネルギーパワ
ーマ台M紮レーザビームの外周側で平均化できるため、
冷却装置を効果的に利用出来で、装置全小型化すること
が可能となり、しかも安価に製作し得るという効果を奏
する。
ーマ台M紮レーザビームの外周側で平均化できるため、
冷却装置を効果的に利用出来で、装置全小型化すること
が可能となり、しかも安価に製作し得るという効果を奏
する。
第1図は、従来のレーザ出力吸収装置を示す断面図、第
2図は、本発明の一実施例にょるレーザ出力吸収装置を
示す断面図および第3図はレーザ出力とパワー密度との
関係を示すグラフである。 (1)・・レーザビーム 121、(6)・・リフレクタ (3)・・アブソーバ (4)争・冷却ジャケット (5)・@取付金具 (7)の・モータ代理人大岩増雄 第 1 図 第 2 図 第3図 Y(ハ0ワーちL九)
2図は、本発明の一実施例にょるレーザ出力吸収装置を
示す断面図および第3図はレーザ出力とパワー密度との
関係を示すグラフである。 (1)・・レーザビーム 121、(6)・・リフレクタ (3)・・アブソーバ (4)争・冷却ジャケット (5)・@取付金具 (7)の・モータ代理人大岩増雄 第 1 図 第 2 図 第3図 Y(ハ0ワーちL九)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入射するレーザビームを周方向へ反射する円Φ1(。 形状の反射面を有するリフレクタと、前記リフレクタの
反射面に入射し、反射したレーザビームを受光し吸収す
るアブソーバとを備え、前記リフレクタにおける円錐形
状の中心線を、入射するレーザビームの入射方向に対し
てθだけ傾斜させると共に回転中心馳をレーザビームの
入射方向VC一致させて1回転可能にAil記リフレク
タを配置することを%徴とするレーザ出力吸収装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22881383A JPS60119502A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | レ−ザ出力吸収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22881383A JPS60119502A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | レ−ザ出力吸収装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60119502A true JPS60119502A (ja) | 1985-06-27 |
Family
ID=16882258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22881383A Pending JPS60119502A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | レ−ザ出力吸収装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60119502A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2701227A1 (fr) * | 1993-02-08 | 1994-08-12 | Alphatech Ind | Dispositif d'évanouissement d'un faisceau laser. |
WO2016138951A1 (de) * | 2015-03-04 | 2016-09-09 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Strahlfalle, strahlführungseinrichtung, euv-strahlungserzeugungsvorrichtung und verfahren zum absorbieren eines strahls |
CN106785815A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 中国科学院光电研究院 | 一种杂散光收集器 |
-
1983
- 1983-12-01 JP JP22881383A patent/JPS60119502A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2701227A1 (fr) * | 1993-02-08 | 1994-08-12 | Alphatech Ind | Dispositif d'évanouissement d'un faisceau laser. |
WO2016138951A1 (de) * | 2015-03-04 | 2016-09-09 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Strahlfalle, strahlführungseinrichtung, euv-strahlungserzeugungsvorrichtung und verfahren zum absorbieren eines strahls |
US10264660B2 (en) | 2015-03-04 | 2019-04-16 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Beam trap, beam guide device, EUV radiation generating apparatus, and method for absorbing a beam |
CN106785815A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 中国科学院光电研究院 | 一种杂散光收集器 |
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