JPS60115930A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60115930A JPS60115930A JP58222186A JP22218683A JPS60115930A JP S60115930 A JPS60115930 A JP S60115930A JP 58222186 A JP58222186 A JP 58222186A JP 22218683 A JP22218683 A JP 22218683A JP S60115930 A JPS60115930 A JP S60115930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist material
- polymer
- formation
- exposed
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はパターン形成方法、特にポジ形レジメトパター
ンの形成方法に係る〇 技術の背景 リソグラフィー技術によシ、基板上にレジストを塗布し
、エネルギー線で選択的に露光し、それ全現像してレゾ
ストのノぐターンを作成し、とのレジス）ノｆターンを
利用して基板に選択的なエッチ造技術その他において広
く用いられている。最近のレジスト材料では、光に代え
て電子ビームで露光しかつドライエツチングが可能でち
ることが重要な要聚になっている。
ンの形成方法に係る〇 技術の背景 リソグラフィー技術によシ、基板上にレジストを塗布し
、エネルギー線で選択的に露光し、それ全現像してレゾ
ストのノぐターンを作成し、とのレジス）ノｆターンを
利用して基板に選択的なエッチ造技術その他において広
く用いられている。最近のレジスト材料では、光に代え
て電子ビームで露光しかつドライエツチングが可能でち
ることが重要な要聚になっている。
従来技術と問題点
単結合の化学結合エネルギー（ｋＪ／ｎｏ Ｉ ）の代
表的な値を示すと、Ｃ−Ｎ（２９１，６）、ｃ−。
表的な値を示すと、Ｃ−Ｎ（２９１，６）、ｃ−。
（３５ｉ、５）、Ｃ−３（２５９，４）、Ｃ−Ｃ（３４
７，７）〔「化学便覧（基礎編）Ｊ１９７５年版、９７
５頁〕であり、この中でＣ−８結合の結合エネルギーが
小さいことがわかる。ベル研究所のＢｏｗｄｅｎおよび
Ｔｏｍｐａｏｎは、この事実に着目し、主鎖にＣ−Ｓ結
合を含む重合体を合成し、これが予想辿ｐ高感度のポジ
形レジストとなること全町らかにした（例えば、” Ｊ
、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ 、 Ｓｏｅ、” Ｖｏｌ。
７，７）〔「化学便覧（基礎編）Ｊ１９７５年版、９７
５頁〕であり、この中でＣ−８結合の結合エネルギーが
小さいことがわかる。ベル研究所のＢｏｗｄｅｎおよび
Ｔｏｍｐａｏｎは、この事実に着目し、主鎖にＣ−Ｓ結
合を含む重合体を合成し、これが予想辿ｐ高感度のポジ
形レジストとなること全町らかにした（例えば、” Ｊ
、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ 、 Ｓｏｅ、” Ｖｏｌ。
１２１ 、 ＮＯ，１２，Ｄｅｃｅｍ、ｐ、１６２１
（１９７４） ；” Ｏｒｇ、ＣｏａｔｅＰｌａｅｔ、
Ｃｈｅｍ＊ ”、 ４３ ｐ、２３６（１９８０））。
（１９７４） ；” Ｏｒｇ、ＣｏａｔｅＰｌａｅｔ、
Ｃｈｅｍ＊ ”、 ４３ ｐ、２３６（１９８０））。
しかし、これらの提案はすべて重合体主鎖にる溶解度差
でパターン形成を行なうものであシ、高感度、高解像力
ではあるが、耐プラズマ性、耐熱性に極めて乏しく、実
用化は困難であり、現在までのところ２層、３層構造に
ょるパターニングに一部用いられているにすぎない。
でパターン形成を行なうものであシ、高感度、高解像力
ではあるが、耐プラズマ性、耐熱性に極めて乏しく、実
用化は困難であり、現在までのところ２層、３層構造に
ょるパターニングに一部用いられているにすぎない。
発明の目的
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、同じくＣ−８結
合の切れ易さを利用しながら、従来とは全く別種のメカ
ニズムによるパターン形成が可能であシ）かつ耐プラズ
マ性、耐熱性に優れたポジ形レジスト材料を提供するこ
とを目的とするａ発明の構成 そして、上記目的を達成する本発明は、次の栴〔式中、
）を−は直鎖を表わし・・・は直接または間接に結合し
ていることを表わし、＊ｃ〈は必ずしも単結合３個ｋｔ
Ｋ味せず、多重結合であってもよい。〕 で表わされる側鎖を有する重合体をレジスト材ｔ１とし
て用いるポジ形パターン形成方法にある。
合の切れ易さを利用しながら、従来とは全く別種のメカ
ニズムによるパターン形成が可能であシ）かつ耐プラズ
マ性、耐熱性に優れたポジ形レジスト材料を提供するこ
とを目的とするａ発明の構成 そして、上記目的を達成する本発明は、次の栴〔式中、
）を−は直鎖を表わし・・・は直接または間接に結合し
ていることを表わし、＊ｃ〈は必ずしも単結合３個ｋｔ
Ｋ味せず、多重結合であってもよい。〕 で表わされる側鎖を有する重合体をレジスト材ｔ１とし
て用いるポジ形パターン形成方法にある。
この重合体の特徴は露光するとＳ０２ヲ発生すると共に
酸（カルボキシル基： −ｃ −０−Ｈ）；ｙ％生１ 成することである。すなわち、露光部の極性が増大する
のでポジ形ｉ４ターン形成が可能になる。しかも、これ
は高感度であり、主鎖の分解（あるいは架橋）が起こら
ないか無視でさる程度の露光１■１において感応する。
酸（カルボキシル基： −ｃ −０−Ｈ）；ｙ％生１ 成することである。すなわち、露光部の極性が増大する
のでポジ形ｉ４ターン形成が可能になる。しかも、これ
は高感度であり、主鎖の分解（あるいは架橋）が起こら
ないか無視でさる程度の露光１■１において感応する。
更に、上記側鎖と主鎖の間に芳香環を導入すれは、分解
形でないので耐プラズマ性、耐熱性は露光によって低下
せず、優れた１まである。
形でないので耐プラズマ性、耐熱性は露光によって低下
せず、優れた１まである。
本発明に依る重合体を例示すると、
以下余白
０
などおよびこれらの誘導体があるが、すべての単１
０
重合体でもよい。共重合体の成分としてはα−メチルス
テン、メタクリル酸、メタクリルアミドなどを用いるこ
とができる。尚、α−位のメチルはエチル等信のアルキ
ル基、芳香泳、ハロゲン元素、アミン基、カルボキシル
基等であってもよく、またＳ０２と結合する炭素側は炭
素数１〜１５４：’）８度の基が好ましい。ただし、重
合詩の収率および、安定性などの点からあまシかさ高い
ものは望ましくない。
テン、メタクリル酸、メタクリルアミドなどを用いるこ
とができる。尚、α−位のメチルはエチル等信のアルキ
ル基、芳香泳、ハロゲン元素、アミン基、カルボキシル
基等であってもよく、またＳ０２と結合する炭素側は炭
素数１〜１５４：’）８度の基が好ましい。ただし、重
合詩の収率および、安定性などの点からあまシかさ高い
ものは望ましくない。
レジスト材料の塗布温媒としてはキシレン、トルエン、
ベンゼン、エチルセルツル！、エチルセルソルブアセテ
ート、メチルセルソルブ、メチルリ水溶液等ヲ用いるこ
とができる。塗布、ベーク、露光、現像等その他の手法
は常法に依ることができる。
ベンゼン、エチルセルツル！、エチルセルソルブアセテ
ート、メチルセルソルブ、メチルリ水溶液等ヲ用いるこ
とができる。塗布、ベーク、露光、現像等その他の手法
は常法に依ることができる。
発明の実施例
例１
ｐ−カルボキシ−α−メチルスチレンとベンゼンスルホ
ニルクロリドとのエステル化反応によシ、次式の如＜ｐ
−ｆロペニル安息香酸ベンゼンスルホニルテ迭−／＋ガ
ーＡ為乙１丁ｌｒＪ貴津１／ｉｒ Ｐ ｈ香公抹ｒ４卜
子量約１２万）を作成した。
ニルクロリドとのエステル化反応によシ、次式の如＜ｐ
−ｆロペニル安息香酸ベンゼンスルホニルテ迭−／＋ガ
ーＡ為乙１丁ｌｒＪ貴津１／ｉｒ Ｐ ｈ香公抹ｒ４卜
子量約１２万）を作成した。
ＣＨ２
０
これをメチルセロソルブアセテートに浴解し、シリコン
ウニへ上に塗布し、窒素雰囲気中８０℃で４０分間ベー
クし、厚さ０．７μｍの膜を形成した。
ウニへ上に塗布し、窒素雰囲気中８０℃で４０分間ベー
クし、厚さ０．７μｍの膜を形成した。
加速電圧２０ ｋａＶにて電子ビームにょるノ？ターニ
ングを行ない、同じくメチルセロソルブアセテートで現
像した。
ングを行ない、同じくメチルセロソルブアセテートで現
像した。
その結果、感度Ｄｏ ＝ ５ Ｘ １Ｏ−５Ｃ／ｃｍ２
で０．５ Ａｍの孤立パターンが得られた。膜減シはな
かった。
で０．５ Ａｍの孤立パターンが得られた。膜減シはな
かった。
次に、円筒形プラズマ装置を用い、ＣＣｔ４ガス、０、
３ Ｔｏｒｒ ％ １５０ Ｗの命件でエツチングを行
ったところ、２５０Ｘ／分のエツチング速度であった。
３ Ｔｏｒｒ ％ １５０ Ｗの命件でエツチングを行
ったところ、２５０Ｘ／分のエツチング速度であった。
同じΦ件でＰＭＭＡ （Ｍｗ ＝ １２万）をエツチン
グしたところ２３００ Ｘ／分のエツチング速度であっ
たので、約１０倍の耐性の差を示している。
グしたところ２３００ Ｘ／分のエツチング速度であっ
たので、約１０倍の耐性の差を示している。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に依り、露光し
てＣ−Ｓ結合を切ると共に酸を生成することによって現
像を可能にする新しいメカニズムに基づくポジ形レジス
トパターンの形成方法が提供される。
てＣ−Ｓ結合を切ると共に酸を生成することによって現
像を可能にする新しいメカニズムに基づくポジ形レジス
トパターンの形成方法が提供される。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 青 木 朗
弁理士 西 舘 和 之
弁理士 内 １）幸 男
弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 側鎖に次の構造を含む重合体をレジスト材料として用い
ることを特徴とするノぐターン形成方法。 １
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222186A JPS60115930A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222186A JPS60115930A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115930A true JPS60115930A (ja) | 1985-06-22 |
Family
ID=16778502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222186A Pending JPS60115930A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60115930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0254853A2 (en) * | 1986-07-28 | 1988-02-03 | International Business Machines Corporation | Lithographic method employing thermally stable photoresists with high sensitivity forming a hydogen-bonded network |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58222186A patent/JPS60115930A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0254853A2 (en) * | 1986-07-28 | 1988-02-03 | International Business Machines Corporation | Lithographic method employing thermally stable photoresists with high sensitivity forming a hydogen-bonded network |
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