KR100315727B1 - 이미드계단량체,이단량체로부터의공중합체수지및이수지를이용한감광막패턴의제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이미드계 포토레지스트 단량체와 이 단량체로부터 합성된 포토레지스트 공중합체 및 공중합체를 이용한 감광막 패턴의 제조방법에 관한 것으로, KrF나 ArF등의 광원을 이용한 미세패턴 형성시 발생하는 감광막 패턴의 거칠어짐 현상 또는 해상력 부족 현상을 방지하도록 피식각층 상부에 형성되는 감광막을 내열성이 강한 이미드(imide)를 포함시킴으로써, 적은 양의 에너지에서도 해상이 가능한 화학증폭형 감광막으로 미세패턴을 형성할 수 있어, 그에 따른 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

이미드계 단량체, 이 단량체로부터의 공중합체수지 및 이 수지를 이용한 감광막 패턴의 제조방법
본 발명은 이미드계 포토레지스트 단량체, 이 단량체로부터 합성되는 포토레지스트 공중합체 및 이 공중합체를 이용한 감광막 패턴의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 내열성이 강한 이미드를 포함한 화학증폭형 레지스트(chemically amplified resist)을 사용함으로써 ArF 광원을 이용하여 0.1㎛ 이하의 미세패턴을 형성하고, 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자의 제조공정에 있어서, 소정 형상의 반도체소자 패턴을 형성하기 위해서는 식각마스크로서 감광막 패턴을 사용하고 있다. 그러나 원하는 감광막 패턴을 얻기 위해서는 반도체기판 상에 감광막을 도포하고, 상기 도포된 감광막을 선택노광한 후, 현상공정을 실시하여 피식각층 상에 감광막 패턴을 형성한다.
종래의 일반적인 실릴레이션 공정(silylation)을 이용하여 감광막 패턴을 제조하는 방법에 있어서, 감광막(도 1의 15 참조)은 감광성 물질과 노볼락 수지로 이루어져 있다. 따라서 노광 후 베이크(bake)를 해주면 노광부에서는 알콜기가 형성된다. 베이크 후 실릴레이션 에이젠트(silylation agent)로 실릴레이션을 시키는데, 이때 사용되는 실릴레이션 에이젼트는 헥사메틸디실라잔(hexamethyldisilazane) 또는 테트라메틸디실라잔 (tetramethyl disilazane) 등 주로 N-Si결합을 갖는 것을 사용한다. 여기서 N-Si 결합은 약하기 때문에 수지의 R-O-H와 반응하여 R-O-Si 결합을 형성한다. 상기 수지와 결합한 실리콘은 O2플라즈마를 이용한 건식 현상(dry develop)에 의해 실리콘 산화막을 형성하게 되고 이 부분의 하단부는 현상후 그대로 남아 패턴을 형성하게 된다. 따라서 이런 방법으로 패턴을 형성하면 노광부위에 실릴레이션이 일어나므로 콘택 홀(contact hole) 형성에 매우 유리하다.
그러나 상기한 종래의 실릴레이션 공정에 의해 감광막 패턴을 형성하는 방법은 KrF 엑시머 레이저를 사용하는 경우 0.1㎛ 이하의 미세패턴 형성이 불가능하고, ArF 광원을 사용하면 ArF 광의 높은 에너지에 의해 노광 장비의 렌즈가 손상되므로 10mJ/㎠ 이하의 낮은 노광에너지로 노광하여야 하지만, 이처럼 낮은 에너지로는 감광막이 충분히 노광되지 않아 패턴을 형성할 수 없다. 또한 실리레이션 공정 자체의 문제점인 패턴의 거칠어짐 현상이 나타나거나 해상력 부족 등에 의해 반도체소자의 고집적화가 저하된다는 등의 문제점이 있다.
따라서 이러한 문제점을 해결하기 위한 시도로서 TSI(top surface image)공정이 제안되었으나, 이 TSI공정을 사용하더라도 기존의 KrF 엑시머 레이져를 사용하여 0.10 ㎛ 이하의 라인/스페이스 패턴 형성은 불가능한 것으로 나타났다.
이에 본 발명자들은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 수 많은 연구와 실험을 거듭한 결과, 감광막의 공중합체 수지내에 내열성이 강한 이미드(imide)를 도입하여 TSI에 수반되는 공정중 온도가 높은 노광후 베이크 공정 (post exposure bake)과 실릴레이션 공정에 견딜 수 있는 내열성을 확보할 수 있고 또한 화학증폭형 감광막을 사용하여 ArF광원의 사용할 때 ArF광에 의해 노광 장비의 렌즈가 손상되지 않고 적은 양의 에너지(10mJ/㎠ 이하)에서도 해상이 가능하다는 놀라운 사실을 밝혀내고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
도 1a 내지 도 1e 는 본 발명에 따른 실릴레이션 공정을 이용한 감광막 패턴의 제조 공정도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
11 : 웨이퍼 13 : 피식각층
15 : 감광막 17 : 노광마스크
19 : 실릴레이션막 21 : 실리콘 산화막
본 발명의 제 1 태양은 하기 화학식 1로 표시되는 TSI 감광막용 이미드계 단량체에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기식에서,
R은 탄소수 1 ~ 10의 1차, 2차 또는 3차 알콜, 탄소수 1 ~ 10의 지방족 화합물, 페닐 또는 페놀을 나타내고, p-페놀, 에탄올 또는 프로판올인 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 태양은 상기 화학식 1의 이미드계 단량체로부터 제조된 하기 화학식 2로 표시되는 포토레지스트 공중합체 관한 것이다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기식에서,
R1은 탄소수 1 ∼ 10의 1차, 2차 또는 3차 알콜, 탄소수 1 ∼ 10의 지방족 화합물, 페닐 또는 페놀이고, 바람직하게는 p-페놀, 에탄올 또는 프로판올이며,
R2는 수소 또는 메틸을 나타내며,
x : y : z는 10-80 mol% : 10-80 mol% : 10-80 mol% 이다.
본 발명의 제 3 태양은 상기 화학식 2의 포토레지스트 공중합체를 사용하는 감광막 패턴의 제조방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 화학식 1의 이미드계 단량체는 p-말레이미드페놀, 2-말레이미드에탄올 또는 3-말레이미드 프로판올을 포함한다.
본 발명에 따른 화학식 1의 이미드계 단량체는 아미노페놀, 에탄올아민 또는 3-아미노프로판올을 말레익안하이드라이드(maleic anhydride)와 반응시킨 후 아세틱안하이드라이드(acetic anhydride)의 존재하에 이미드화시켜 제조할 수 있다.
구체적으로, 아미노 페놀, 에탄올아민 또는 3-아미노프로판올을 정제된 디메틸포름 아마이드(DMF) 용매에 녹인 다음, 말레익 안하이드라이드를 넣고 5 ∼ 10 시간 교반시킨다. 반응완료후 아세틱 안하이드라이드와 소듐 아세테이트를 넣고 70 ∼ 100 ℃에서 20 ∼ 30 시간 반응시켜 이미드화시킨다. 이어서 부산물인 빙초산과 용매를 로타리 증류기(rotary evaporator)로 제거하고, 물과 테트라하이드로퓨란(THF)을 넣어준 후 분액 깔대기를 사용하여 유기층을 분리한다. 상기 유기층에 있는 생성물인 p-말레이미드페닐아세테이트, 2-말레이미드 에틸아세테이트 또는 3-말레이미드프로필아세테이트 등에 5wt% 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액을 넣고 50 ∼ 70 ℃에서 5 ∼ 15시간 반응시킨 다음 분리하여 p-말레이미드페놀, 2-말레이미드에탄올 또는 3-말레이미드-1-프로판올 등을 얻는다.
본 발명에 따른 화학식 2의 포토레지스트 공중합체는 폴리[p-말레이미드페놀/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트], 폴리[p-말레이미드페놀/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트], 폴리[2-말레이미드에탄올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트], 폴리[2-말레이미드에탄올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트], 폴리[3-말레이미드프로판올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트], 또는 폴리[3-말레이미드프로판올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트]를 포함한다.
본 발명에 따른 화학식 2의 포토레지스트 공중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 이미드계 단량체를 t-부틸아크릴레이트 및 2-하이드록시(메트)아크릴레이트와 함께 디메틸포름아미드 혹은 THF 용매중에 녹이고 중합개시제의 존재하에 중합시켜 제조할 수 있다.
구체적으로, p-말레이미드페놀, 2-말레이미드에탄올 또는 3-말레이미드프로판올을 t-부틸 아크릴레이트 및 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트와 함께 디메틸포름아미드(DMF) 또는 THF 용매에 녹인 후, 개시제로 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 넣고 질소 또는 아르곤 분위기에서 60∼80℃ 온도에서 5∼25 시간 반응시킨다. 상기 반응으로 생성된 수지를 에틸에테르 또는 헥산으로 침전 건조시켜 화학식 2의 TSI용 ArF 포토레지스트 공중합체를 얻는다.
본 발명에서는 또한 전술한 본 발명의 포토레지스트 공중합체, 유기용매 및 광산 발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물을 제공한다.
상기 유기용매는 일반적으로 사용되는 유기용매이면 어느 것이나 사용가능하나 메틸 3-메톡시 프로피오네이트인 것이 바람직하다.
또한 상기 광산 발생제는 황화염계 또는 오니움염계 화합물들을 사용할 수 있으며 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 TSI용 ArF 감광막 패턴은 하기 공정(a) 내지 (g)를 거쳐 제조할 수 있다.
(a) 상기 화학식 2로 표시되는 적어도 하나의 포토레지스트 공중합체를 용매에 녹이고 광산발생제와 혼합하여 전술한 포토레지스트 조성물을 형성하는 공정,
(b) 패턴을 형성시키고자 하는 기판상에 피식각층을 형성하는 공정,
(c) 상기 피식각층상에 상기 포토레지스트 조성물을 도포하여 감광막을 형성하는 공정,
(d) 상기 감광막을 노광하되 0.1 ∼ 10 mJ/㎠의 노광에너지로 노광하는 공정,
(e) 상기 노광된 감광막을 선택적으로 실릴레이션시키는 공정,
(f) 상기 감광막을 O2플라즈마로 건식 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 공정, 및
(g) 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 하여 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하는 공정.
본 발명에 따라 실릴레이션 공정을 이용한 감광막패턴의 제조방법을 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 1e에 도시된 바와같이, 먼저 웨이퍼(11) 상부에 패턴을 형성하고자 하는 피식각층(13)을 형성하고, 상기 피식각층(13) 상부에 화학식 2의 TSI용 포토레지스트 공중합체로 이루어진 감광막(15)를 도포한 후, 상기 감광막(15)을 노광마스크(17)를 사용하여 ArF 광원으로 선택 노광시킨 후 (도 1a 참조), 베이크 한다. 이때 상기 감광막(15)의 노광부는 산이 발생되고 비노광부는 발생되지 않는다(도 1b 참조). 광산발생제로는 전술한 바와 같이 황화염계 또는 오니움염계, 바람직하게는 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트를 사용한다.
이어서, 실릴레이션 에이젼트로서 헥사메틸디실라잔 또는 테트라메틸디실라잔을 사용하여 상기 감광막(15)의 노광부분을 실릴레이션시켜 실릴레이션막(19)을 형성한다 (도 1c 참조).
그후, 상기 감광막(15)을 O2플라즈마를 이용한 건식현상(dry development)공정으로 현상하면, 건식현상으로 인해 상기 감광막(15)의 노광부인 실릴레이션막(19)상에는 실리콘 산화막(21)이 형성되어 산소 플라즈마에 내성을 가지게 되고, 상기 감광막(15)의 비노광부는 제거되어 감광막 패턴이 형성된다 (도 1d 참조).
그후, 상기 감광막 패턴을 식각마스크를 사용하여 노출되어 있는피식각층(13)을 식각하여 피식각층 패턴을 형성한다(도 1e 참조).
이하, 실시예에 의거하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 기술적 범위가 이들로 제한되는 것으로 이해해서는 안된다.
실시예 1: p-말레이미드페놀(화학식3)의 합성
[화학식 3]
Figure pat00003
아미노 페놀 54.5g을 정제된 디메틸포름 아마이드(DMF) 200g에 녹인 다음, 말레익 안하이드라이드 49g을 넣고 8 시간 교반시킨다. 반응완료후 아세틱 안하이드라이드 250g과 소듐 아세테이트 15g을 넣고 80 ℃에서 24 시간 반응시켜 이미드화시킨다. 이어서 부산물인 빙초산과 용매를 로타리 증류기로 제거하고, 물과 테트라 하이드로푸란(THF)을 넣어준 후 분액 깔대기를 사용하여 유기층을 분리한다. 상기 유기층에 있는 생성물인 p-말레이미드 페닐아세테이트에 5wt% TMAH 수용액 100g을 넣고, 60℃에서 10 시간 반응시킨 다음 분리하여 p-말레이미드 페놀 47g을 얻었다.(수율 : 50%).
실시예 2: 2-말레이미드에탄올(화학식 4)의 합성
[화학식 4]
Figure pat00004
에탄올아민 31g을 정제된 디메틸포름 아마이드 200g에 녹인 다음, 말레익 안하이드라이드 49g을 넣고 8 시간 교반시킨다. 반응완료후 아세틱 안하이드라이드 250g과 소듐 아세테이트 15 g을 넣고 80 ℃에서 24 시간 반응시켜 이미드화시킨다. 이어서 부산물인 빙초산과 용매를 로타리 증류기로 제거하고, 물과 THF을 넣어준 후 분액 깔대기를 사용하여 유기층을 분리한다. 상기 유기층에 있는 생성물인 2-말레이미드에틸아세테이트에 5wt% TMAH 수용액 100 g을 넣고 60 ℃에서 10 시간 반응시킨 다음 분리하여 2-말레이미드 에탄올(화학식 4) 36g을 얻었다. (수율:52%).
실시예 3: 3-말레이미드프로판올(화학식 5)의 합성
[화학식 5]
Figure pat00005
3-아미노프로판올 38g을 정제된 디메틸포름 아마이드(DMF) 200g에 녹인 다음, 말레익 안하이드라이드 49g을 넣고 8 시간 교반시킨다. 반응완료후 아세틱 안하이드라이드 250g과 소듐 아세테이트 15g을 넣고 80℃에서 24 시간 반응시켜 이미드화시킨다. 이어서 부산물인 빙초산과 용매를 로타리 증류기로 제거하고, 물과 THF을 넣어준 후 분액 깔대기를 사용하여 유기층을 분리한다. 상기 유기층에 있는 생성물인 3-말레이미드 프로필 아세테이트에 5wt% TMAH 수용액 100g을 넣고 60℃에서 10 시간 반응시킨 다음 분리하여 3-말레이미드-1-프로판올(화학식 5) 27g을 얻었다. (수율 : 48%).
실시예 4: 폴리[p-말레이미드페놀/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트] 공중합체 수지 (화학식 6)의 합성
[화학식 6]
Figure pat00006
실시예 1에서 수득된 p-말레이미드페놀 94.5g, t-부틸 아크릴레이트 42g 및 2-하이드록시 에틸아크릴레이트 29g을 DMF 또는 THF 용매에 녹인 후, AIBN 3.2 g을 넣고 질소 또는 아르곤 분위기에서 67 ℃의 온도에서 12 시간 반응시킨다. 상기 반응으로 생성된 수지를 에틸에테르 또는 헥산으로 침전 건조시켜 폴리[p-말레이미드페놀/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트]수지 (화학식 6) 82.5g을 얻었다. (수율:50%).
실시예 5: 폴리[p-말레이미드페놀/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트] 공중합체 수지 (화학식 7)의 합성
[화학식 7]
Figure pat00007
실시예 1에서 수득된 p-말레이미드페놀 94.5g, t-부틸 아크릴레이트 42g 및 2-하이드록시 메타크릴레이트 32.5 g을 DMF 또는 THF 용매에 녹인 후, 실시예 4와 동일한 절차를 수행하여 폴리[p-말레이미드페놀/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시메타크릴레이트]수지 (화학식 7) 110g을 얻었다 (수율:65%).
실시예 6: 폴리[2-말레이미드에탄올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트] 공중합체 수지 (화학식 8)의 합성
[화학식 8]
Figure pat00008
실시예 2에서 수득된 2-말레이미드에탄올 63.5 g, t-부틸 아크릴레이트 42g 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 29 g을 DMF 또는 THF 용매에 녹인 후, 실시예 4와 동일한 절차를 수행하여 폴리[2-말레이미드에탄올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트]수지 (화학식 8) 87g을 얻었다. (수율:65%).
실시예 7: 폴리[2-말레이미드에탄올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트] 공중합체 수지 (화학식 9)의 합성
[화학식 9]
Figure pat00009
실시예 2에서 수득된 2-말레이미드에탄올 63.5 g, t-부틸 아크릴레이트 42g 및 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트 32.5 g을 DMF 또는 THF 용매에 녹인 후, 실시예 4와 동일한 절차를 수행하여 폴리[2-말레이미드에탄올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트]수지 (화학식 9) 92.4g을 얻었다. (수율:67%).
실시예 8: 폴리[3-말레이미드프로판올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트] 공중합체 수지 (화학식 10)의 합성
[화학식 10]
Figure pat00010
실시예 3에서 수득된 3-말레이미드프로판올 70.5g, t-부틸 아크릴레이트 42g 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 29g을 DMF 또는 THF 용매에 녹인 후, 실시예 4와 동일한 절차를 수행하여 폴리[3-말레이미드프로판올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트]수지 (화학식 10) 90g을 얻었다 (수율:64%).
실시예 9: 폴리[3-말레이미드프로판올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트] 공중합체 수지 (화학식 11)의 합성
[화학식 11]
Figure pat00011
실시예 3에서 수득된 3-말레이미드프로판올 70.5 g, t-부틸 아크릴레이트 42g 및 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트 32.5 g을 DMF 용매에 녹인 후, 실시예 4와 동일한 절차를 수행하여 폴리[3-말레이미드프로판올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트]수지 (화학식 11) 94g을 얻었다 (수율:65%).
실시예 10 : 감광막 패턴의 제조
실시예 4 내지 9 에서 수득한 6종류의 포토레지스트 공중합체 각각의 10g씩을 40g의 메틸 3-메톡시 프로피오네이트 용매에 각각 녹인후, 광산발생제로서 트리페닐 설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트 0.4g을 넣고 교반한 다음, 0.10 ㎛ 필터로 여과시켜 6종류의 포토레지스트 조성물을 얻는다.
이어서, 웨이퍼 상부에 패턴 형성을 위한 피식각층을 형성하고, 그 표면에 헥사메틸디실라잔(HMDS)를 분사하여 전처리한다. 여기서, 상기 공정은 고온의 베이크 공정을 통한 건조(dehydration) 공정으로도 가능하지만, 처리효과를 극대화 시키기 위하여 HMDS를 이용하여 피식각층 표면에 Si-O-H 형태의 친수성(hydrophilic)상태를 소수성(hydrophobic) 상태로 바꿔서, 피식각층 표면과 감광막과의 접착력을 향상시키며 감광막 코팅 불량을 방지할 수 있다.
그후, 상기 피식각층 상부에 상기에서 얻은 포토레지스트 조성물 중 하나를 도포하여 감광막을 형성한다. 이때, 상기 감광막은 공중합체용 수지가 이미드를 포함하고 있어 후속공정인 노광 및 베이크 공정에서 견딜 수 있도록 내열성을 가지며, 화학증폭형 공중합체를 사용하므로 0.1∼10mJ/cm2정도의 적은 양의 에너지에서도 해상이 가능하다.
그 다음 상기 감광막은 노광마스크를 사용하여 노광한다. 이때, 상기 노광공정은 ArF, DUV, KrF, E-beam 또는 X선을 사용하여 실시한다.
그후, 상기 감광막을 베이크하고, 실릴레이션 에이젼트로서 헥사메틸디실라잔 또는 테트라메틸디실라잔을 사용하여 상기 감광막의 노광부를 실릴레이션시켜 실릴레이션막을 형성한다. 상기 실릴레이션 에이젼트의 N-Si 결합은 수지의 R-O-H 와 반응하여 R-O-Si 결합을 형성한다.
그 다음 상기 감광막을 O2플라즈마를 이용한 건식현상 공정으로 현상하면, 실릴레이션막 상에는 실리콘 산화막이 형성되어 산소 플라즈마에 내성을 가지며 나머지 부분은 제거되어 감광막 패턴이 형성되고, 그후에, 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 노출되어 있는 상기 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성한다.
이상에서 설명한 바와같이, 본 발명은 ArF 광원을 이용한 미세패턴 형성시 피식각층 상부에 내열성이 강한 이미드를 포함하며, 적은 양의 에너지에서도 해상이 가능한 화학증폭형 감광막을 도포하고, O2플라즈마를 이용한 실릴레이션 공정으로 실리콘 산화막을 형성시킨 후 건식현상법으로 미세패턴을 형성함으로써 습식현상시 발생하는 감광막의 거칠어짐을 방지하고, 적은 양의 에너지에서도 해상이 가능하다. 따라서 본 발명에 따른 공중합체 수지에 의한 감광막을 이용하면 반도체소자의 고집적화가 가능하다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 2로 표시되는 포토레지스트 공중합체.
    Figure pat00012
    상기식에서,
    R1은 탄소수 1 ∼ 10의 1차, 2차 또는 3차 알콜, 탄소수 1 ∼ 10의 지방족 화합물, 페닐 또는 p-페놀을 나타내고,
    R2는 수소 또는 메틸을 나타내며,
    x : y : z 는 10-80 mol% : 10-80 mol% : 10-80 mol% 이다.
  2. 제 3 항에 있어서,
    상기 공중합체는 폴리[p-말레이미드페놀/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트],폴리[p-말레이미드페놀/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트], 폴리[2-말레이미드에탄올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트], 폴리[2-말레이미드에탄올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트], 폴리[3-말레이미드프로판올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트] 및 폴리[3-말레이미드프로판올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트]로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 공중합체.
  3. 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 이미드계 단량체를 t-부틸아크릴레이트 및 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트와 함께 용매중에 녹이는 제1단계와,
    상기 제1단계의 결과물에 중합개시제를 첨가하고 반응시키는 제2단계와,
    상기 제2단계의 결과물을 침전건조하여 하기 화학식 2로 표시되는 포토레지스트 공중합체 형성하는 제3단계를 구비하는 포토레지스트 공중합체의 제조방법.
    [화학식 1]
    Figure pat00013
    [화학식 2]
    Figure pat00014
    상기식에서,
    R 및 R1은 탄소수 1 ~ 10의 1차, 2차 또는 3차 알콜, 탄소수 1 ~ 10의 지방족 화합물, 페닐 또는 p-페놀을 나타내고,
    R2는 수소 또는 메틸을 나타내며,
    x : y : z는 10-80 mol% : 10-80 mol% : 10-80 mol% 이다.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1단계의 용매가 디메틸포름아미드 또는 THF인 포토레지스트 공중합체의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2단계의 중합은 질소 또는 아르곤 분위기에서 60 ∼ 80 ℃의 온도에서 60 ∼ 80시간 수행하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 공중합체의 제조방법.
  6. 제 1 항의 공중합체 포토레지스트 수지와, 광산발생제 및 용매를 함유하는 포토레지스트 조성물.
  7. 제 8 항에 있어서,
    상기 공중합체는 폴리[p-말레이미드페놀/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트], 폴리[p-말레이미드페놀/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트], 폴리[2-말레이미드에탄올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트], 폴리[2-말레이미드에탄올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트], 폴리[3-말레이미드프로판올/t-부틸아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트] 및 폴리[3-말레이미드프로판올/t-부틸 아크릴레이트/2-하이드록시에틸메타크릴레이트]로 이루어진 군으로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 용매가 메틸 3-메톡시 프로피오네이트인 포토레지스트 조성물.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 광산발생제가 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트인 포토레지스트 조성물.
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