JPS60113501A - 同軸線路−マイクロストリップ線路変換部 - Google Patents
同軸線路−マイクロストリップ線路変換部Info
- Publication number
- JPS60113501A JPS60113501A JP22071083A JP22071083A JPS60113501A JP S60113501 A JPS60113501 A JP S60113501A JP 22071083 A JP22071083 A JP 22071083A JP 22071083 A JP22071083 A JP 22071083A JP S60113501 A JPS60113501 A JP S60113501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- coaxial
- dielectric
- substrate
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/085—Coaxial-line/strip-line transitions
Landscapes
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分゛野〕
本発明はマイク算波のような超高周波１で使用される同
軸線路−マイクロストリップ線路変換部に関する。特に
両線路が垂直に交わる構造の同軸線路−マイクロストリ
ップ変換部に関する。
軸線路−マイクロストリップ線路変換部に関する。特に
両線路が垂直に交わる構造の同軸線路−マイクロストリ
ップ変換部に関する。
通営、マイクロ波のような超高周波を扱う回路装置は誘
電体基板上のマイク日ス） ＩＪツブ線路で形成される
。このような回路は基板のエツチング等により大量に作
ることができ、マイクロ波集積回路（Ｍｌ：Ｃ）として
広く用いられている。−万、マイクロストリップ線路に
よる回路は、伝送損失が同軸回路や導波管回路に比べて
大きいという欠点があシ、マイクロ波装置にはＩｖｉＩ
Ｃと同軸、４．波管回路が混用されることが多い。この
ため、マイクロストリップ線路と同軸線路または導波管
との接続が必要である。この接続部では単に電気的に接
続が行われればいいわけではなく、接続部においてイン
ピーダンスの不整合が生じないようにする必要があるた
め、その構造が重要となっている。
電体基板上のマイク日ス） ＩＪツブ線路で形成される
。このような回路は基板のエツチング等により大量に作
ることができ、マイクロ波集積回路（Ｍｌ：Ｃ）として
広く用いられている。−万、マイクロストリップ線路に
よる回路は、伝送損失が同軸回路や導波管回路に比べて
大きいという欠点があシ、マイクロ波装置にはＩｖｉＩ
Ｃと同軸、４．波管回路が混用されることが多い。この
ため、マイクロストリップ線路と同軸線路または導波管
との接続が必要である。この接続部では単に電気的に接
続が行われればいいわけではなく、接続部においてイン
ピーダンスの不整合が生じないようにする必要があるた
め、その構造が重要となっている。
一般に同軸線路とマイクロストリップ線路の変換部には
１両線路の軸方向が一致している場合と、垂直な場合が
ある。前者の場合、同軸線路とマイクロストリップ線路
の伝搬モードがどちらもＴＥＭ浦後老後者合、伝搬モー
ドは同じでも、接続部で９０°の曲がりがあるため、接
続部におけるインピーダンスの整合を行い、 Ｖ’ＳＷ
Ｒ（電圧定在波比）を小さくするためには工夫が必要で
ある。特に後者はマイクロ波機器の小型化には欠かせな
いものであシ、従来から種々の方法が試みられてきた。
１両線路の軸方向が一致している場合と、垂直な場合が
ある。前者の場合、同軸線路とマイクロストリップ線路
の伝搬モードがどちらもＴＥＭ浦後老後者合、伝搬モー
ドは同じでも、接続部で９０°の曲がりがあるため、接
続部におけるインピーダンスの整合を行い、 Ｖ’ＳＷ
Ｒ（電圧定在波比）を小さくするためには工夫が必要で
ある。特に後者はマイクロ波機器の小型化には欠かせな
いものであシ、従来から種々の方法が試みられてきた。
第１図、第２図および以下の図面において（ａ）は正面
図、（１））は同断曲図全示すものである。
図、（１））は同断曲図全示すものである。
第１図において金属導体基板１４上に載置されるストリ
ップ線路１１が形成されている誘電体基板１５は、中心
導体１２と誘電体１３とからなる同軸線路１６の誘電体
１３の位置で切シ取られており、同軸線路１６の中心導
体１２は、誘電体基板１５の厚さに相当する長さにわた
って空中に浮いている（図中１８の部分）。このとき中
心導体線１２がむき出しになっている部分１８には同軸
の外導体が存在せず、ｖｓｗＲが劣化する。使用する周
波数が高くなり、１８０部分の長さが波長に比べて無視
できない長さになるにつれ、ＶＳＷＲの劣化は大きくな
る。この劣化は。
ップ線路１１が形成されている誘電体基板１５は、中心
導体１２と誘電体１３とからなる同軸線路１６の誘電体
１３の位置で切シ取られており、同軸線路１６の中心導
体１２は、誘電体基板１５の厚さに相当する長さにわた
って空中に浮いている（図中１８の部分）。このとき中
心導体線１２がむき出しになっている部分１８には同軸
の外導体が存在せず、ｖｓｗＲが劣化する。使用する周
波数が高くなり、１８０部分の長さが波長に比べて無視
できない長さになるにつれ、ＶＳＷＲの劣化は大きくな
る。この劣化は。
ス） ＩＪツブ線路の端面１７の形状を工夫することに
よシある程度改善することができるが、広帯域な特性を
得ることは困難である。
よシある程度改善することができるが、広帯域な特性を
得ることは困難である。
第２図では、誘電体基板２５に、同軸線路１６の中心導
体線１２が貫通している。誘電体基板２５の中では、第
１図の例と同様に同軸線路の外導体が存在しない。しか
し一般に誘電体基板２５の比舖電率は１よシ大きいので
、第１図の例に比べｖｓｗａの劣化が小さい。ところが
、この構造の場合、誘電体基板２５にあけた細い穴に、
同軸線路１６の中心導体線１２を通さなければならない
ため、組み立て時の作業性が悪い。
体線１２が貫通している。誘電体基板２５の中では、第
１図の例と同様に同軸線路の外導体が存在しない。しか
し一般に誘電体基板２５の比舖電率は１よシ大きいので
、第１図の例に比べｖｓｗａの劣化が小さい。ところが
、この構造の場合、誘電体基板２５にあけた細い穴に、
同軸線路１６の中心導体線１２を通さなければならない
ため、組み立て時の作業性が悪い。
本発明はこのような従来技術の欠点を補うことを目的と
してなされたもので、同軸線路とストリップ線路の接続
部におけるＶＳＷＲの劣化が従来に比べて小さく、しか
も組み立て時の作業性の良好な同軸線路−マイクロスト
リップ線路変換器を提供することを目的とする。
してなされたもので、同軸線路とストリップ線路の接続
部におけるＶＳＷＲの劣化が従来に比べて小さく、しか
も組み立て時の作業性の良好な同軸線路−マイクロスト
リップ線路変換器を提供することを目的とする。
ツブ線路が設けられた誘電体基板の上面まで延ばし、さ
らに同軸の外導体を全円周のほぼ半分にわたって基板の
上面まで延ばすことによって従来例に比べて接続部にお
けるｖｓｗｉの劣化を少なくする。また誘電体基板の長
さは同軸の中心導体線の中心線の位置までとして、基板
の端面に、同軸線路の誘電体の径に合う大きさの半円柱
形の凹部を設けて、との凹部と同軸線路の誘電体と嵌合
させることにより位置合わせを容易にする。このとき、
同軸線路の中心導体線は基板の端面に接続されるため、
従来例として示した第２図の例で生じていた作業性の問
題はない。
らに同軸の外導体を全円周のほぼ半分にわたって基板の
上面まで延ばすことによって従来例に比べて接続部にお
けるｖｓｗｉの劣化を少なくする。また誘電体基板の長
さは同軸の中心導体線の中心線の位置までとして、基板
の端面に、同軸線路の誘電体の径に合う大きさの半円柱
形の凹部を設けて、との凹部と同軸線路の誘電体と嵌合
させることにより位置合わせを容易にする。このとき、
同軸線路の中心導体線は基板の端面に接続されるため、
従来例として示した第２図の例で生じていた作業性の問
題はない。
以下、図を用いて本発明の詳細な説明する。
第３図、第４図は本発明の基本例を示すもので、第３図
（ａ）、（ｂ）−第４図は各々正面図、断面図、斜視図
である。図において、同軸の外導体に相当する斜線をｔ
ｌどこした金属部分３４は誘電体基板３５の上面まで延
びておシ、この同軸外導体は、特に第４、図にはっきり
示されているように同軸線路３７の誘電体３３を全円周
のほぼ半分にわたって覆っている。また誘電体あの残り
の半周部分は誘電体基板端面に設けられた半円形の凹部
４９によりて覆われている。
（ａ）、（ｂ）−第４図は各々正面図、断面図、斜視図
である。図において、同軸の外導体に相当する斜線をｔ
ｌどこした金属部分３４は誘電体基板３５の上面まで延
びておシ、この同軸外導体は、特に第４、図にはっきり
示されているように同軸線路３７の誘電体３３を全円周
のほぼ半分にわたって覆っている。また誘電体あの残り
の半周部分は誘電体基板端面に設けられた半円形の凹部
４９によりて覆われている。
このような構造をとることにより、第１に、従来例では
基板の厚みに相当する長さにわたって同軸の外導体が存
在せず、この部分で同軸の中心導体線が大きなインダク
タンスに見えていたのに対し、本発明では基板の上面ま
で延び、同軸の誘電体を半円形に囲む金属部分が存在す
るために、インダクタンスを小さくすることができる。
基板の厚みに相当する長さにわたって同軸の外導体が存
在せず、この部分で同軸の中心導体線が大きなインダク
タンスに見えていたのに対し、本発明では基板の上面ま
で延び、同軸の誘電体を半円形に囲む金属部分が存在す
るために、インダクタンスを小さくすることができる。
このことにより、従来例に比べて広げ減化が可能となる
。
。
また第２図に示した従来例では、誘電体基板に設けられ
た穴に同軸の中心導体線を通さなければならず、作業性
が非常に恕かったのに対し、本発明では、第４図かられ
かるように基板の端面で同軸線路とストリップ線路が嵌
合し接続されるために、位置合せが容易であると共に組
み立て時の作業性も良好である。
た穴に同軸の中心導体線を通さなければならず、作業性
が非常に恕かったのに対し、本発明では、第４図かられ
かるように基板の端面で同軸線路とストリップ線路が嵌
合し接続されるために、位置合せが容易であると共に組
み立て時の作業性も良好である。
第５図の実施例では、導波管−マイクロスト１，１ラグ
線路変換部に本発明の同軸線路−マイクロストリップ線
路変換部が用いられている。本実施例では、金属ボディ
Ｍと同軸中心導体５２および同軸訪電体スリーブ５３か
ら成る導波管−マイクロストリップ線路変換部が導波管
壁（またはシャーシ）６２の上に置かれ、誘電体基板５
５が、導波管−マイクロストリップ線路変換部に設けら
れたフランジ６５の上にのる構造になっている。また本
例では誘電体基板５５は、機械的強度を補強するために
、金属製キャリアプレート６１によって下面の接地導体
面を裏打ちされておシ、基板５５とキャリアプレー）
６１が１体になったものが、ストリップ朦路５１の両側
の２本のネジ６４でシャーシ６２に固定されている。こ
のとき導波管−マイクロストリップ線路変換部のボディ
５４の下面とシャーシ６２の上面、およびフランジ６５
の上面とキャリアプレート６１の下面が強く接触し、良
好な接地が保たれる。導波管−マイクロストリップ線路
変換部の構造は、基本的には第３図、第４図の例と同一
であＪ、ＶＳＷＲ特性が良好な点は変わらない。
線路変換部に本発明の同軸線路−マイクロストリップ線
路変換部が用いられている。本実施例では、金属ボディ
Ｍと同軸中心導体５２および同軸訪電体スリーブ５３か
ら成る導波管−マイクロストリップ線路変換部が導波管
壁（またはシャーシ）６２の上に置かれ、誘電体基板５
５が、導波管−マイクロストリップ線路変換部に設けら
れたフランジ６５の上にのる構造になっている。また本
例では誘電体基板５５は、機械的強度を補強するために
、金属製キャリアプレート６１によって下面の接地導体
面を裏打ちされておシ、基板５５とキャリアプレー）
６１が１体になったものが、ストリップ朦路５１の両側
の２本のネジ６４でシャーシ６２に固定されている。こ
のとき導波管−マイクロストリップ線路変換部のボディ
５４の下面とシャーシ６２の上面、およびフランジ６５
の上面とキャリアプレート６１の下面が強く接触し、良
好な接地が保たれる。導波管−マイクロストリップ線路
変換部の構造は、基本的には第３図、第４図の例と同一
であＪ、ＶＳＷＲ特性が良好な点は変わらない。
以上説明したように、本発明によれば、変換部における
■ＳＷ几の劣化が少なく、シかも組み立て時の作業性に
優れた。同軸線路−マイクロストリップ線路変換部を得
ることができる。
■ＳＷ几の劣化が少なく、シかも組み立て時の作業性に
優れた。同軸線路−マイクロストリップ線路変換部を得
ることができる。
第１図、第２図は従来の同軸線路−マイクロストリップ
線路変換部の構成図、第３図、８ｇ４図は本発明の同軸
線路−マイクロストリップ線路変換部の一実施例に係る
構成図％第５図は本発明を導波管−マイクロストリップ
線路部に応用した一例を示す構成図である。 ３１．５１・・・マイクロストリップ線路３２．５２・
・・中心導体線 ３３．５３・・・誘 電 体 ３４．５４・・・金属導体基板 ３５．５５・・・誘電体基板 ３７・・・同軸線路 ４９・・・凹 部 代理人 弁理士 則 近 息 佑 （ほか１名） 第１図 第２図 第３図 グ５４図
線路変換部の構成図、第３図、８ｇ４図は本発明の同軸
線路−マイクロストリップ線路変換部の一実施例に係る
構成図％第５図は本発明を導波管−マイクロストリップ
線路部に応用した一例を示す構成図である。 ３１．５１・・・マイクロストリップ線路３２．５２・
・・中心導体線 ３３．５３・・・誘 電 体 ３４．５４・・・金属導体基板 ３５．５５・・・誘電体基板 ３７・・・同軸線路 ４９・・・凹 部 代理人 弁理士 則 近 息 佑 （ほか１名） 第１図 第２図 第３図 グ５４図
Claims (1)
- 外導体をなす金属導体基板に垂直に挿入さ牡る円柱形の
誘電体およびこの誘電体の中心を貝通し内導体をなす中
心導体線とからなる同軸線路と、誘電体基板およびこの
誘電体表面に形成されるマイクロストリップ線路とから
なる線路基板とを直交させ前記金属導体基板表面より突
出する前記中心導体線を屈曲させ前記マイクロストリッ
プ線路に接続して形成される同軸線路−マイクロストリ
ップ線路変換部において、前記金属導体基板を該基板表
面よシ前記線路基板の厚み分断段状に切シ欠き前記誘電
体の一部が半円柱形状に露出する如くなすとともに前記
線路基板端部に前記半円柱形状の大きさに等しい半円柱
形状の凹部を設け、この四部が前記露出した半円柱形の
誘電体と嵌合するように前記金属導体基板の前記階段状
の切シ欠き部上に前記線路基板を載置し前記中心線路を
前記マイクロストリップ線路に接続することにょ９形成
されたことを特徴とする同軸線路−マイクロストリップ
線路変換部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22071083A JPS60113501A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 同軸線路−マイクロストリップ線路変換部 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22071083A JPS60113501A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 同軸線路−マイクロストリップ線路変換部 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113501A true JPS60113501A (ja) | 1985-06-20 |
Family
ID=16755286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22071083A Pending JPS60113501A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 同軸線路−マイクロストリップ線路変換部 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113501A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4970477A (en) * | 1988-03-23 | 1990-11-13 | Alcatel N.V. | Microwave adjustment device for a transition between a hollow waveguide and a plane transmission line |
| US6392502B2 (en) * | 1998-12-17 | 2002-05-21 | The Whitaker Corporation | Balun assembly with reliable coaxial connection |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP22071083A patent/JPS60113501A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4970477A (en) * | 1988-03-23 | 1990-11-13 | Alcatel N.V. | Microwave adjustment device for a transition between a hollow waveguide and a plane transmission line |
| US6392502B2 (en) * | 1998-12-17 | 2002-05-21 | The Whitaker Corporation | Balun assembly with reliable coaxial connection |
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