JPS60111579A - 電荷転送装置の信号電荷検出回路 - Google Patents
電荷転送装置の信号電荷検出回路Info
- Publication number
- JPS60111579A JPS60111579A JP58219015A JP21901583A JPS60111579A JP S60111579 A JPS60111579 A JP S60111579A JP 58219015 A JP58219015 A JP 58219015A JP 21901583 A JP21901583 A JP 21901583A JP S60111579 A JPS60111579 A JP S60111579A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送装置の信号電荷検出回路に関し、特に
２列の電荷転送装置の出力信号を合成する信号電荷検出
回路に関する。
２列の電荷転送装置の出力信号を合成する信号電荷検出
回路に関する。
従来、電荷転送装置を撮像に用いる場合、レジスタの密
度の関係から電荷転送装置を２系列にして用いてきた。
度の関係から電荷転送装置を２系列にして用いてきた。
そｎ故、信号電荷検出回路は２系列の電荷転送装置の出
力信号を合成して一つの撮像信号き得ている。
力信号を合成して一つの撮像信号き得ている。
第１図は従来の電荷転送装置の信号電荷検出回路の一例
の回路図である。
の回路図である。
第１図ＶＣ２いて、Ａ、 Ｂは２系列の電荷転送装置の
レジスタであり、２．１２が出力部拡散層である。出力
部拡散層２，１２にリセット・トランジスタ１．１１が
接続する。次段のトランジスタ３．４，１３．１４及び
その次の段のトランジスタ５． ６． １５． １６は
そ几ぞｎンースフォロワーのバッファ回路である。トラ
ンジスタ９．ｌＯ及び容量Ｃｈはサンプルホールド回路
を構成し。
レジスタであり、２．１２が出力部拡散層である。出力
部拡散層２，１２にリセット・トランジスタ１．１１が
接続する。次段のトランジスタ３．４，１３．１４及び
その次の段のトランジスタ５． ６． １５． １６は
そ几ぞｎンースフォロワーのバッファ回路である。トラ
ンジスタ９．ｌＯ及び容量Ｃｈはサンプルホールド回路
を構成し。
トランジスタ７．８はソースフォロワ−の出力バッファ
回路を構成する。
回路を構成する。
第２図は第１図の回路の動作タイミング図である。
第２図を用いて第１図に示す回路の動作を説明する。時
刻ｔｌ ＶＣｓｐいて、リセット・クロックφＭは高レ
ベル（以下Ｈレベルと記す）となシ。
刻ｔｌ ＶＣｓｐいて、リセット・クロックφＭは高レ
ベル（以下Ｈレベルと記す）となシ。
リセット争トランジスタｌはオンし、レジスタＡの出力
部拡散層２の電位はＶＯＤにセクトさ往る。
部拡散層２の電位はＶＯＤにセクトさ往る。
時刻ｔ２にリセット・クロックＩ２１１Ｌ１は低レベル
（以下Ｌレベルと記す）となシ拡散層２はフｏ−）状態
となる。時刻ｔ３ に転送りロックグ１はＬレベルとな
９、電極２２下に蓄積さＶ、ていたキャリア？七一定電
圧■艶が加えらｎている出力ゲート２１の下のチャネル
を通し、拡散層２に流入させる。この流入キャリアによ
る拡散層２の電位変化が信号電圧となる。この信号電圧
を、時刻ｔ４ において、サンプルホールドパルス−８
Ｈ１１Ｈレベルにすることにより°丈ングルし、時刻ｔ
５ に２いてその信号電圧レベルをホールドする。
（以下Ｌレベルと記す）となシ拡散層２はフｏ−）状態
となる。時刻ｔ３ に転送りロックグ１はＬレベルとな
９、電極２２下に蓄積さＶ、ていたキャリア？七一定電
圧■艶が加えらｎている出力ゲート２１の下のチャネル
を通し、拡散層２に流入させる。この流入キャリアによ
る拡散層２の電位変化が信号電圧となる。この信号電圧
を、時刻ｔ４ において、サンプルホールドパルス−８
Ｈ１１Ｈレベルにすることにより°丈ングルし、時刻ｔ
５ に２いてその信号電圧レベルをホールドする。
以上はレジスタＡよりの信号伝達を説明したが、レジス
タＢよりの信号伝達も同様に、リセット・“クロック−
Ｒｌｓ サンプルオールドパルスＰａＨ１よシ位相が半
週期ずｎたリセット・クロックＧ’Ｒ２１サンプルホー
ルドパルスｌ ｓＨｇを加えることによｐ行わｎｈ時刻
ｔ６ においてレジスタＢよりの信号をサンプルしてい
る。
タＢよりの信号伝達も同様に、リセット・“クロック−
Ｒｌｓ サンプルオールドパルスＰａＨ１よシ位相が半
週期ずｎたリセット・クロックＧ’Ｒ２１サンプルホー
ルドパルスｌ ｓＨｇを加えることによｐ行わｎｈ時刻
ｔ６ においてレジスタＢよりの信号をサンプルしてい
る。
このように２系列の電荷転送装置の出力信号の合成は、
そ【ぞｎの出力電圧を父互にサンプルホールドすること
により可能である。各系列毎にサンプルホールドさｎた
信号電圧は、出力３７７７回路のトランジスタ７のゲー
トに加えら牡、低出力インピーダンスで出力端４８ニジ
出力電圧■０υ丁として取出される。
そ【ぞｎの出力電圧を父互にサンプルホールドすること
により可能である。各系列毎にサンプルホールドさｎた
信号電圧は、出力３７７７回路のトランジスタ７のゲー
トに加えら牡、低出力インピーダンスで出力端４８ニジ
出力電圧■０υ丁として取出される。
ところが従来のこのような合成法においては以下に述べ
る欠点が存在していた。以下そｎＶＣついて説明する。
る欠点が存在していた。以下そｎＶＣついて説明する。
第１図において、リセット・トランジスタ１のゲートと
そのソースが分ｎている節点４１との間には、カップリ
ング容量ＣＯ１が存在している。この容量の存在のため
節点４１の電位はリセット・クロックｇ３ｘｘカＨレベ
ルからＬレベルへｉ化ｆ、６時、２１２１ｍ１だけ電位
変動をうける。こｔ″Ｌをフィードスルーレベルと言う
。よって、この電位変動後のレベル（時刻ｔ２ での電
位レベル）カ、信号″′０”の基準レベルとなる。
そのソースが分ｎている節点４１との間には、カップリ
ング容量ＣＯ１が存在している。この容量の存在のため
節点４１の電位はリセット・クロックｇ３ｘｘカＨレベ
ルからＬレベルへｉ化ｆ、６時、２１２１ｍ１だけ電位
変動をうける。こｔ″Ｌをフィードスルーレベルと言う
。よって、この電位変動後のレベル（時刻ｔ２ での電
位レベル）カ、信号″′０”の基準レベルとなる。
すなわち、正味のレジスタＡＪ：、りの信号レベルＶ８
１は、時刻ｔ２における７−−テイング接合の電位ＶＩ
Ｏｆ） Ｌ’ ヘルＶ １０（ｔ−ｔｘ）ト時刻＊ ｓ
ＶＣオケルＶ ｔ。
１は、時刻ｔ２における７−−テイング接合の電位ＶＩ
Ｏｆ） Ｌ’ ヘルＶ １０（ｔ−ｔｘ）ト時刻＊ ｓ
ＶＣオケルＶ ｔ。
のレベルＶＩＯ（ｔ−１３）との差である。
Ｖ８１：ＶＩＯ（ｔ−１２）−Ｖｌｏ（ｔ−１３）同様
にレジスタＢよりの正味の信号レベルＶａｓｔ；ｊ、、
Ｖｓｚ＝ＶｚＯ（ｔ−１３） Ｖ２Ｏ（ｔ−１４）とな
る。合成さ扛た出力ＶＯＵＴは１例えば第２図に示すよ
うになる。ＶＯＩＪＴの線のすぐ土の破線は黒レベルを
示す。
にレジスタＢよりの正味の信号レベルＶａｓｔ；ｊ、、
Ｖｓｚ＝ＶｚＯ（ｔ−１３） Ｖ２Ｏ（ｔ−１４）とな
る。合成さ扛た出力ＶＯＵＴは１例えば第２図に示すよ
うになる。ＶＯＩＪＴの線のすぐ土の破線は黒レベルを
示す。
ところで、一般には、この電位変動の値は、カップリン
グ容ｔ ＣＯ１参〇ｏ ２の１直のばらつきによりΔ１
３１＝ΔＩ２１Ｒ２は成立しない。従って、Ｖ２ＯとＶ
ＩＯの基準レベルは同一レベルとはならない。このこと
を波形図で以って説明する。
グ容ｔ ＣＯ１参〇ｏ ２の１直のばらつきによりΔ１
３１＝ΔＩ２１Ｒ２は成立しない。従って、Ｖ２ＯとＶ
ＩＯの基準レベルは同一レベルとはならない。このこと
を波形図で以って説明する。
第３図は第１図に示す回路に生ずる偶奇ばらつき現象を
説明するための波形図である。
説明するための波形図である。
第３図に示すように、Δ−Ｒ１とΔＦ２Ｉｎｚとの差に
起因するＶＩＯとＶ２Ｏの基準レベルの差をΔＶとする
。第３図でＶＢは節点４１．４２における黒レベルを示
す。第１図に示す回路に２いてサンプルホールドを行っ
た場合、正味の信号レベルＶａｘ、Ｖｓｚが同じであっ
ても、サンプルホールド後の出カレペルはΔＶだけＡチ
ャネルとＢチャネルの出刃において差が出て来てしまう
。つまり、偶数ビット目の信号と奇数ビット目の信号間
にΔＶだけのバラツキが発生してしまう。こ牡が一般に
ょく言ゎ牡る偶奇のばらつきである。この偶奇のばらつ
きを第３図のｖｏυＴに示す。ＶＯＵＴＯ線のすぐ上の
破線は黒レベルを示す。
起因するＶＩＯとＶ２Ｏの基準レベルの差をΔＶとする
。第３図でＶＢは節点４１．４２における黒レベルを示
す。第１図に示す回路に２いてサンプルホールドを行っ
た場合、正味の信号レベルＶａｘ、Ｖｓｚが同じであっ
ても、サンプルホールド後の出カレペルはΔＶだけＡチ
ャネルとＢチャネルの出刃において差が出て来てしまう
。つまり、偶数ビット目の信号と奇数ビット目の信号間
にΔＶだけのバラツキが発生してしまう。こ牡が一般に
ょく言ゎ牡る偶奇のばらつきである。この偶奇のばらつ
きを第３図のｖｏυＴに示す。ＶＯＵＴＯ線のすぐ上の
破線は黒レベルを示す。
このように、従来の方法で２系列の電荷転送装置の出力
信号を合成した場合には、偶奇のばらつきという好まし
くない現象が生じるという欠点がめった。
信号を合成した場合には、偶奇のばらつきという好まし
くない現象が生じるという欠点がめった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、偶奇の信号レベル
のばらつきをなくシ、電荷転送装置のダイナミック・レ
ンジを増大させることのできる電荷転送装置の信号電荷
検出回路を提供することにある。
のばらつきをなくシ、電荷転送装置のダイナミック・レ
ンジを増大させることのできる電荷転送装置の信号電荷
検出回路を提供することにある。
本発明の電荷転送装置の信号電荷検出回路は。
２系列の電荷転送装置の各系列、各ビット内の基準信号
のレベルをクランプして前記２系列の基準信号のレベル
を同一レベルにするクランプ回路と、前記同一レベルに
クランプさルた基準信号レベルを基準にして前記２系列
の電荷転送装置からの出力信号を合成するサンプルホー
ルド回路とを含んで構成さｎる。
のレベルをクランプして前記２系列の基準信号のレベル
を同一レベルにするクランプ回路と、前記同一レベルに
クランプさルた基準信号レベルを基準にして前記２系列
の電荷転送装置からの出力信号を合成するサンプルホー
ルド回路とを含んで構成さｎる。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
この実施例では、トランジスタ１７と容量Ｃ１及びトラ
ンジスタ１８と容量Ｃ２から成るクランプ回路をサンプ
ルホールド回路の前段に設けている。そ扛以外は第１図
に示す従来例と同じである。
ンジスタ１８と容量Ｃ２から成るクランプ回路をサンプ
ルホールド回路の前段に設けている。そ扛以外は第１図
に示す従来例と同じである。
クランプ回路を設けることによシ２系列の電荷転送装置
の基準レベルを同一にして偶奇のばらつきをなくすので
ある。
の基準レベルを同一にして偶奇のばらつきをなくすので
ある。
次に、この実施例の動作について説明する。
第５図は第４図に示す一実施例の動作タイミング図であ
る。
る。
時刻ｔ１ において、リセット・クロック９３ＢｌがＬ
レベルとなり、リセット・トランジスタｌがオフとなる
とし、このときの節点４３の電位ｖ１１ｔｌ−１Ｖ１１
ｍｌ とする。時刻ｔ２において、クランプノくルス５
ＩＩＯＬＩ がＨレベルとな９、クランプ用トランジス
タ１７のソース電位Ｖ１２はトランジスタ１７がオンと
なるためＶ１２””ＶＯＯとなる。このときｈａｌｌの
電位はＶＩＩＢ＋７）ため、容量Ｃ１にはＱｈ＝ Ｃｉ
（ＶＩＩＢ−Ｖｏｃ）の電荷が蓄積さｎる。時刻ｔ３
においてクランプパルス−〇ＬＩ がＬレベルとなｊ）
、トランジスタ１７はオフとなるが、電荷Ｑ１は蓄積さ
μｆｔままであるので、クランプ容量Ｃ１の両端の電位
差ＶＯＬ ｖｌｉ！１は保持さｎる。時刻ｔ３ におい
て。
レベルとなり、リセット・トランジスタｌがオフとなる
とし、このときの節点４３の電位ｖ１１ｔｌ−１Ｖ１１
ｍｌ とする。時刻ｔ２において、クランプノくルス５
ＩＩＯＬＩ がＨレベルとな９、クランプ用トランジス
タ１７のソース電位Ｖ１２はトランジスタ１７がオンと
なるためＶ１２””ＶＯＯとなる。このときｈａｌｌの
電位はＶＩＩＢ＋７）ため、容量Ｃ１にはＱｈ＝ Ｃｉ
（ＶＩＩＢ−Ｖｏｃ）の電荷が蓄積さｎる。時刻ｔ３
においてクランプパルス−〇ＬＩ がＬレベルとなｊ）
、トランジスタ１７はオフとなるが、電荷Ｑ１は蓄積さ
μｆｔままであるので、クランプ容量Ｃ１の両端の電位
差ＶＯＬ ｖｌｉ！１は保持さｎる。時刻ｔ３ におい
て。
電荷転送装置より流入した電荷によｊ）、Ｖｕの電位は
ＶｌｉＨｌだけ変動する。この節点４３の電位変動ｖｓ
ｉｔｉのため、’ｈ２もクランプ容量Ｃ１に著積さｎた
電荷が保持さｎたままであるのでｖａｉｉｚの変動を受
ける。このようなタイミングで第４図の回路を動作させ
ることにより、レジスタＡよシの信号レベルＶ１ｓＩＩ
′ｉ、ＶｏＬの一定レベルからのレベル変動として次段
のサンプルホールド回路ヘソース７オロワーのバッファ
回路を通り伝達さｎる。同様にレジスタＢの系列におい
ても、クランプ用トランジスタ１８のゲートに、クラン
プノくルス１ｌＩＯＬＩよシも位相が半周期ずしたクラ
ンプノくルスｌ２Ｉｏｘ、ｚを加えることにより、レジ
スタＢよｐの信号レベルＶ２ａはＶＯＬの一定レベルか
らのレベル変動として次段のサンプルホールド回路へノ
くツファ回路を通り伝達さｎる。
ＶｌｉＨｌだけ変動する。この節点４３の電位変動ｖｓ
ｉｔｉのため、’ｈ２もクランプ容量Ｃ１に著積さｎた
電荷が保持さｎたままであるのでｖａｉｉｚの変動を受
ける。このようなタイミングで第４図の回路を動作させ
ることにより、レジスタＡよシの信号レベルＶ１ｓＩＩ
′ｉ、ＶｏＬの一定レベルからのレベル変動として次段
のサンプルホールド回路ヘソース７オロワーのバッファ
回路を通り伝達さｎる。同様にレジスタＢの系列におい
ても、クランプ用トランジスタ１８のゲートに、クラン
プノくルス１ｌＩＯＬＩよシも位相が半周期ずしたクラ
ンプノくルスｌ２Ｉｏｘ、ｚを加えることにより、レジ
スタＢよｐの信号レベルＶ２ａはＶＯＬの一定レベルか
らのレベル変動として次段のサンプルホールド回路へノ
くツファ回路を通り伝達さｎる。
このようにサンプルホールド回路前にクランプ回路を入
ｎることによりす／プルさｎるべき信号レベルが直流的
に定まるため、従来の２系列の出力信号と合成する場合
に発生していた偶奇のばらつきは消滅する。そのため、
電荷転送装置のダイナミックレンジ金増大させ、電荷転
送装置の特性を向上させることができる。
ｎることによりす／プルさｎるべき信号レベルが直流的
に定まるため、従来の２系列の出力信号と合成する場合
に発生していた偶奇のばらつきは消滅する。そのため、
電荷転送装置のダイナミックレンジ金増大させ、電荷転
送装置の特性を向上させることができる。
以上詳細に説明したように１本発明は、テンプルホール
ド回路の前段にクランプ回路を設けたので、２系列の電
荷転送装置の出力信号を合成する場合に発生していた偶
奇のばらつ＠をなくシ、電荷転送装置のダイナミックレ
ンジを増大させ、特性を向上させる効果を有する。
ド回路の前段にクランプ回路を設けたので、２系列の電
荷転送装置の出力信号を合成する場合に発生していた偶
奇のばらつ＠をなくシ、電荷転送装置のダイナミックレ
ンジを増大させ、特性を向上させる効果を有する。
第１図は従来の電荷転送装置の信号電荷検出回路の一例
の回路図、第２図は第１図に示す回路の動作タイミング
図、第３図は第２図に示す回路に生ずる偶奇ばらつき現
象を説明するだめの波形図、第４図は本発明の一実施例
の回路図、第５図は第４図に示す実施例の動作タイミン
グ図である。 １・・・・・・リセット・トランジスタ、２・・・・・
・出力部拡散層、３．４，５．６・・・・・・ノ（ツフ
ァ回路のトランジスタ、７，８・・・−・・出力バッフ
ァ回路のトランジスタ％ ９ｊ １０・・・・・・サン
プルホールド回路のトランジスタ、１１・・・・・・リ
セット・トランジスタ。 １２・・・・・・出力部拡散層、１３，１４．１５・
１６・・・・・・バッファ回路のトランジスタ、１７．
１８・・・・・・り−）／プ用トランジスタ、２１〜２
３．３１〜３３・・・・・・ゲート％ ４１〜４８・・
・・・・節点、Ａ、Ｂ・・・・・・レジスタｓ Ｃ１＊
Ｃ２・・・・−・クランプ用答量ｈ ＣＯ１＋ ＣＯ
２・・・・・・カップリング容量、Ｃｈ・・・・・・ホ
ールド用容量。 ＧＮＤ・・・・・・接表電位、Ｖ、Ｌ・・・・・・クラ
ンプ電圧５ＶＯＤ・・・・・・出力ドレイン電圧、Ｖ、
ｑ・−・・・・出力ゲート電圧。 ｖｏｕ’ｒ・・・・・・出力電圧、１２１１＃ ｌｘ
・・・・・・転送りロック、１ ｏｈｂ ｌ ＯＬ２
＝・…クランプパルス、１ｌＩＲ１，、ｌ’ ８２−０
０．。 リセット争クロック、φ８ＨＩＩ １２Ｉａｎｚ・・・
・・・サンプルホールドパルス 半４回 黛２回 第３図 事夕珂
の回路図、第２図は第１図に示す回路の動作タイミング
図、第３図は第２図に示す回路に生ずる偶奇ばらつき現
象を説明するだめの波形図、第４図は本発明の一実施例
の回路図、第５図は第４図に示す実施例の動作タイミン
グ図である。 １・・・・・・リセット・トランジスタ、２・・・・・
・出力部拡散層、３．４，５．６・・・・・・ノ（ツフ
ァ回路のトランジスタ、７，８・・・−・・出力バッフ
ァ回路のトランジスタ％ ９ｊ １０・・・・・・サン
プルホールド回路のトランジスタ、１１・・・・・・リ
セット・トランジスタ。 １２・・・・・・出力部拡散層、１３，１４．１５・
１６・・・・・・バッファ回路のトランジスタ、１７．
１８・・・・・・り−）／プ用トランジスタ、２１〜２
３．３１〜３３・・・・・・ゲート％ ４１〜４８・・
・・・・節点、Ａ、Ｂ・・・・・・レジスタｓ Ｃ１＊
Ｃ２・・・・−・クランプ用答量ｈ ＣＯ１＋ ＣＯ
２・・・・・・カップリング容量、Ｃｈ・・・・・・ホ
ールド用容量。 ＧＮＤ・・・・・・接表電位、Ｖ、Ｌ・・・・・・クラ
ンプ電圧５ＶＯＤ・・・・・・出力ドレイン電圧、Ｖ、
ｑ・−・・・・出力ゲート電圧。 ｖｏｕ’ｒ・・・・・・出力電圧、１２１１＃ ｌｘ
・・・・・・転送りロック、１ ｏｈｂ ｌ ＯＬ２
＝・…クランプパルス、１ｌＩＲ１，、ｌ’ ８２−０
０．。 リセット争クロック、φ８ＨＩＩ １２Ｉａｎｚ・・・
・・・サンプルホールドパルス 半４回 黛２回 第３図 事夕珂
Claims (1)
- ２系列の電荷転送装置の各系列、各ビット内の基準信号
のレベルをクランプして前記２系列の基準信号のレベル
を同一レベルにするクランプ回路と、前記同一レベルに
クランプさした基準信号レベルを基準にして前記２系列
の電荷転送装置からの出力信号を合成するサンプルホー
ルド回路とを含むことを特徴とする電荷転送装置の信号
電荷検出回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219015A JPS60111579A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 電荷転送装置の信号電荷検出回路 |
| DE8484308063T DE3484122D1 (de) | 1983-11-21 | 1984-11-21 | Schaltung zur feststellung von signalladungen, die in einer ladungsverschiebeschaltung uebertragen werden. |
| US06/673,816 US4700085A (en) | 1983-11-21 | 1984-11-21 | Circuit for detecting signal charges transferred in a charge transfer device |
| EP84308063A EP0143600B1 (en) | 1983-11-21 | 1984-11-21 | A circuit for detecting signal charges transferred in a charge transfer device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219015A JPS60111579A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 電荷転送装置の信号電荷検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60111579A true JPS60111579A (ja) | 1985-06-18 |
| JPH0425757B2 JPH0425757B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=16728914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58219015A Granted JPS60111579A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 電荷転送装置の信号電荷検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60111579A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01122278A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JP2005005554A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116373A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-12 | Fujitsu Ltd | Signal charge detection circuit for line sensor |
| JPS5744376A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-12 | Matsushita Electronics Corp | Solid image pickup device |
| JPS57131180A (en) * | 1980-12-24 | 1982-08-13 | Bosch Gmbh Robert | Method and device for suppressing low frequency noise of output signal of semiconductor sensor |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP58219015A patent/JPS60111579A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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| JPS56116373A (en) * | 1980-02-18 | 1981-09-12 | Fujitsu Ltd | Signal charge detection circuit for line sensor |
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|---|---|---|---|---|
| JPH01122278A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JP2005005554A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP4547871B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2010-09-22 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0425757B2 (ja) | 1992-05-01 |
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