JPS60110158A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60110158A JPS60110158A JP21902583A JP21902583A JPS60110158A JP S60110158 A JPS60110158 A JP S60110158A JP 21902583 A JP21902583 A JP 21902583A JP 21902583 A JP21902583 A JP 21902583A JP S60110158 A JPS60110158 A JP S60110158A
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- Japan
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- collector
- transistor
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- Pending
Links
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に係り、特に大電流での電流増幅率
（以後、 ｈＦｌと称す）が大きい横形トランジスタに
関する。
（以後、 ｈＦｌと称す）が大きい横形トランジスタに
関する。
一般に、バイポーラ集積回路（ＩＣ）におけるＮＰＮ
）ランジスタとＰＮＰ ）ランジスタ占の混用は、レベ
ルシフトや位相反転等を容易にし、設計の自由度の増大
１回路構成の簡略化などを可能にするだけでな（ＰＮＰ
）ランジスタＩＮＰＮ）ランジスタの負荷として用いる
ことにより、消費電力の減少、集積度の増大など数多く
の利点をもたらしている。
）ランジスタとＰＮＰ ）ランジスタ占の混用は、レベ
ルシフトや位相反転等を容易にし、設計の自由度の増大
１回路構成の簡略化などを可能にするだけでな（ＰＮＰ
）ランジスタＩＮＰＮ）ランジスタの負荷として用いる
ことにより、消費電力の減少、集積度の増大など数多く
の利点をもたらしている。
さて、容易に導入できるＰＮＰ トランジスタとして横
形ＰＮＰ）ランジスタがある。通常、との゛横形ＰＮＰ
）ランジスタのエミッタとコレクタは、縦形ＮＰＮ）
ランジスタのベース拡散と同時に、横方向に形成される
。したがって、新たな工程を付加する必要がな−という
利５点があるが、ｈｒｇが低いという欠点もある。この
低いｈｒｇの欠点については、縦形ＮＰＩリトランジス
タと組み合わせて相補形回路にすることによりｎうこと
かで断る。
形ＰＮＰ）ランジスタがある。通常、との゛横形ＰＮＰ
）ランジスタのエミッタとコレクタは、縦形ＮＰＮ）
ランジスタのベース拡散と同時に、横方向に形成される
。したがって、新たな工程を付加する必要がな−という
利５点があるが、ｈｒｇが低いという欠点もある。この
低いｈｒｇの欠点については、縦形ＮＰＩリトランジス
タと組み合わせて相補形回路にすることによりｎうこと
かで断る。
しかし、最近のバｔ７− （Ｐｏｗｅｒ） Ｉ Ｃ等で
は、大出力化に伴し葛、出力段のドリイバー用トランジ
スタにおいては、大電流でのｈＦｌつまシミ流の伸びか
要求される。
は、大出力化に伴し葛、出力段のドリイバー用トランジ
スタにおいては、大電流でのｈＦｌつまシミ流の伸びか
要求される。
＠１図は、従来のドライバー用横形ＰＮＰ）ランジスタ
を示す平面図である。同図におし１て、工ミッタ領域１
と、コレクタ領域２とは縦形ＮＰＮトランジスタのペー
スと同時に形成される。さらに、ベースｔｌｊ 域とな
るＮ型エピタキシャル領域３が形■される。葦だ、ベー
ス電極域シ出し用のＮ″′領域４は、縦形Ｎ））Ｎ）ラ
ンジスタのエミッタと同時に形成される。同図の場合で
は電極配線は図示していないが、エミッタ領域１を４．
０ （Ｄｆｉ並列に接続して使用−丈る。この従来のド
ライノ（−用横形ＰＮＰトランジスタでは、要求される
ｈｐＥのコレクタ電流が、例えば２倍となれば素子の占
有面積も約２倍となシ、大電流でのｈｒｇが要求される
場合はコスト的に不利になる。
を示す平面図である。同図におし１て、工ミッタ領域１
と、コレクタ領域２とは縦形ＮＰＮトランジスタのペー
スと同時に形成される。さらに、ベースｔｌｊ 域とな
るＮ型エピタキシャル領域３が形■される。葦だ、ベー
ス電極域シ出し用のＮ″′領域４は、縦形Ｎ））Ｎ）ラ
ンジスタのエミッタと同時に形成される。同図の場合で
は電極配線は図示していないが、エミッタ領域１を４．
０ （Ｄｆｉ並列に接続して使用−丈る。この従来のド
ライノ（−用横形ＰＮＰトランジスタでは、要求される
ｈｐＥのコレクタ電流が、例えば２倍となれば素子の占
有面積も約２倍となシ、大電流でのｈｒｇが要求される
場合はコスト的に不利になる。
本発明の目的は、かかる欠点を解決し、何ら岬造工程を
増加させることなく、大電流での高ｈｐｚが得られる半
導体装置を提供することにある。
増加させることなく、大電流での高ｈｐｚが得られる半
導体装置を提供することにある。
本発明は、−導電型の半導体層と、この半導体層の表面
に島状に形成された逆導電型のエミッタ領域と、前記半
導体層の表面に形成されかつ前記エミッタ領域の四方向
に島状に形成された逆導電型のコレクタ領域とを備えて
いることを特徴とする半導体装置にある。
に島状に形成された逆導電型のエミッタ領域と、前記半
導体層の表面に形成されかつ前記エミッタ領域の四方向
に島状に形成された逆導電型のコレクタ領域とを備えて
いることを特徴とする半導体装置にある。
以下図面を診照しながら本発明を肝乳１に説明する。
第２図は本発明の実施例のドライバー用横形ＰＮＰ１．
ランジスタを示す平面図である。同図（（おいて、エミ
ッタ領域１と、コレクタ領域２と、エミッタ電極配線５
と、コレクタ電極間＃！ｊ！６とが示されている。同図
では説明を簡単にする為に。
ランジスタを示す平面図である。同図（（おいて、エミ
ッタ領域１と、コレクタ領域２と、エミッタ電極配線５
と、コレクタ電極間＃！ｊ！６とが示されている。同図
では説明を簡単にする為に。
エミッタ領域１とコレクタ領域２とを全く同じ大きさの
正方形圧している。本実施例の主な特徴は。
正方形圧している。本実施例の主な特徴は。
任意の１つの領域をエミッタ領域１とした場合。
その四方向の４つの領域がコレクタ領域２になる様に、
またその４つのコレクタ領域２それぞねの四方向の４つ
の領域がエミッタ領域１になる様に。
またその４つのコレクタ領域２それぞねの四方向の４つ
の領域がエミッタ領域１になる様に。
電極配線で接続したととにちる。エミッタとなるべき領
域とコレクタとなるべき領域との間の領域ハベース領域
となるＮ型エピタキシャル領域で、その間隔はベース１
唱である。同図からも明白なように、同じ形状のものを
等間隔に並べている為、面積効率が飛躍的に向上する。
域とコレクタとなるべき領域との間の領域ハベース領域
となるＮ型エピタキシャル領域で、その間隔はベース１
唱である。同図からも明白なように、同じ形状のものを
等間隔に並べている為、面積効率が飛躍的に向上する。
第３図は第１図の従来の横形ＰＮＰ）ランジスタとほぼ
同じ占有面積を有する本発明の実施例の横形ＰＮＰ ）
ランジスタの全体を示す平面図である。同図の横形ＰＮ
Ｐトランジスタは、占有面積が同じにもかかわらず、そ
のエミッタの数は第１図の従来の横形ＰＮＰ ）ランジ
スタのエミッタの数即ち４０個の１．９倍もある。した
がって、約半分の占有面積で、同じ電流の伸びが得られ
る。またエミッタとコレクタとを逆接続しても、はぼ同
じ特性が得られるという利点もある。
同じ占有面積を有する本発明の実施例の横形ＰＮＰ ）
ランジスタの全体を示す平面図である。同図の横形ＰＮ
Ｐトランジスタは、占有面積が同じにもかかわらず、そ
のエミッタの数は第１図の従来の横形ＰＮＰ ）ランジ
スタのエミッタの数即ち４０個の１．９倍もある。した
がって、約半分の占有面積で、同じ電流の伸びが得られ
る。またエミッタとコレクタとを逆接続しても、はぼ同
じ特性が得られるという利点もある。
以上の様に、本発明によれば、何ら製造工程を増加させ
ることなく、電流の伸びが改善される等の効果が得られ
る。
ることなく、電流の伸びが改善される等の効果が得られ
る。
尚、前記実施例では、エミッタ領域とコレクタ領域とを
全く同じ大きさ及び形状としたが、このような大きさや
形状を違えても、また前記実施例ではＰ型半導体基板に
Ｎ型エピタキシャル層を成長させた場合について述べ声
が、逆にＮ型基板にＰＷエピタキシャル層を成長させた
場合であってもよい。
全く同じ大きさ及び形状としたが、このような大きさや
形状を違えても、また前記実施例ではＰ型半導体基板に
Ｎ型エピタキシャル層を成長させた場合について述べ声
が、逆にＮ型基板にＰＷエピタキシャル層を成長させた
場合であってもよい。
第１図は従来の半導体装置の一例を示す平面図、第２図
は本発明の実施例の半導体装置を示す平面図、第３図は
本発明の実施例の半導体装置の全体を示す平面図である
。 同図において、１・・・・・・横形ＰＮＰ ）ランジス
タのエミッタ領域、２・・・・・・横形ＰＮＰ ）ラン
ジスタのコレクタ領域、３・・・・・・Ｎ型エピタキシ
ャル領域。 ４・・・・・・Ｎ゛型ペース電極引き出し領域、５・・
・・・・エミッタ電極配線、６・・・・・・コレクタ電
極配線。 ネ２ ン 第３ 回
は本発明の実施例の半導体装置を示す平面図、第３図は
本発明の実施例の半導体装置の全体を示す平面図である
。 同図において、１・・・・・・横形ＰＮＰ ）ランジス
タのエミッタ領域、２・・・・・・横形ＰＮＰ ）ラン
ジスタのコレクタ領域、３・・・・・・Ｎ型エピタキシ
ャル領域。 ４・・・・・・Ｎ゛型ペース電極引き出し領域、５・・
・・・・エミッタ電極配線、６・・・・・・コレクタ電
極配線。 ネ２ ン 第３ 回
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一導電型の半導体層と、この半導体層の表面に逆 島状に形成された送導電型のエミッタ領域と、前記半導
体ノーの表面に形成されかつ前記エミッタ領域の四方向
に島状に形成された文導電型のコレクタ領域とを倫えて
（ハ）ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21902583A JPS60110158A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21902583A JPS60110158A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60110158A true JPS60110158A (ja) | 1985-06-15 |
Family
ID=16729071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21902583A Pending JPS60110158A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60110158A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271529A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-12 | Fuji Electric Co Ltd | 横形バイポーラトランジスタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2929006A (en) * | 1954-12-02 | 1960-03-15 | Siemens Ag | Junction transistor |
| JPS57100762A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Rohm Co Ltd | Switching element |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP21902583A patent/JPS60110158A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2929006A (en) * | 1954-12-02 | 1960-03-15 | Siemens Ag | Junction transistor |
| JPS57100762A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Rohm Co Ltd | Switching element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271529A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-12 | Fuji Electric Co Ltd | 横形バイポーラトランジスタ |
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