JPS60108267A - 薄膜磁気ヘツドの研摩装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの研摩装置Info
- Publication number
- JPS60108267A JPS60108267A JP21744183A JP21744183A JPS60108267A JP S60108267 A JPS60108267 A JP S60108267A JP 21744183 A JP21744183 A JP 21744183A JP 21744183 A JP21744183 A JP 21744183A JP S60108267 A JPS60108267 A JP S60108267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- polishing
- resistance
- magnetic head
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電磁誘導型磁気ヘッド、磁気抵抗。
効果型磁気ヘッド等の薄膜磁気ヘッドの研摩装置に関し
、特にＩＩＩ［Ｍ量検出用のωト摩量モニターの改良に
関するものである。
、特にＩＩＩ［Ｍ量検出用のωト摩量モニターの改良に
関するものである。
一般に、電磁誘導型磁気ヘッド、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド宿の薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッド本俸の薄膜
パターンか形成された第１の基板」二に補強用の第２の
基板を接合し、両基板の記録媒体摺動向となる部分に研
摩加工を施こすことにより実用的に動作する状態となる
。この研摩加工は、記録媒体摺動面を平滑な曲面にする
ことにより記録媒体、たとえはビデオテープ等の磁気テ
ープとの接触状態を良好にし、同時に、研摩量の制御に
より電磁誘導型磁気ヘッドにおけるデプス長あるいｔま
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおけるストラ・ｒプ幅を制
御することを目的として行なわれている。
ッド宿の薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッド本俸の薄膜
パターンか形成された第１の基板」二に補強用の第２の
基板を接合し、両基板の記録媒体摺動向となる部分に研
摩加工を施こすことにより実用的に動作する状態となる
。この研摩加工は、記録媒体摺動面を平滑な曲面にする
ことにより記録媒体、たとえはビデオテープ等の磁気テ
ープとの接触状態を良好にし、同時に、研摩量の制御に
より電磁誘導型磁気ヘッドにおけるデプス長あるいｔま
磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおけるストラ・ｒプ幅を制
御することを目的として行なわれている。
ところで、通常、薄膜磁気ヘッドの製造工程においては
、前述の研摩加工による総ω１摩量は数十〜数巨ｐｍで
あるが、研摩終了時点においては、前記デプス長あるい
はストライプ幅が±１〜数ｐｍの精度で制御されていな
ければならず、このため、１ｖ１岸加工過程（・でおい
ては研摩量を高精度でかつ容易に検知し得る手段、いわ
ゆる研摩量モニターが必要とされる。
、前述の研摩加工による総ω１摩量は数十〜数巨ｐｍで
あるが、研摩終了時点においては、前記デプス長あるい
はストライプ幅が±１〜数ｐｍの精度で制御されていな
ければならず、このため、１ｖ１岸加工過程（・でおい
ては研摩量を高精度でかつ容易に検知し得る手段、いわ
ゆる研摩量モニターが必要とされる。
すなわち、前記研摩量モニターは、薄膜磁気ヘッド本体
が形成された第１の基板上に該磁気ヘッド本体との相対
位置を予め決定した薄膜パターンとして形成され、研摩
加工の進行に伴なうモニターハターンの状態の変化を光
学的あるいは電気的に検出することにより研摩量全制御
するものである。
が形成された第１の基板上に該磁気ヘッド本体との相対
位置を予め決定した薄膜パターンとして形成され、研摩
加工の進行に伴なうモニターハターンの状態の変化を光
学的あるいは電気的に検出することにより研摩量全制御
するものである。
そして、従来の叫ｊＶ装置においては、たとえば、光学
的ｔｒｔＦ摩量モニターとして、第１図および第２図に
示すものか考案されており、第１図の場合、第１の基板
（以下単に基板という）（１）上に該基板は）の１ｉｔ
）摩の進行に伴なって断面か順次大きくなる三角形状の
薄膜パターン（２）が形成され、当該パターン（２）の
断面を研摩面Ｐから顕微鏡等により観察し、パターン（
２）の断面長さｌを測定することにより研摩量を検出す
るものであり、さらに、第２図の場合、基板１１１Ｊ二
の研摩面Ｐからの距離が順次大なる位置に複数個の帯状
薄膜パターン（３］が研摩進行方向に直交する方向に配
列して形成され、研摩面Ｐから見えるパターン（３）の
個数を測定することによシ研摩量を検出するものである
。
的ｔｒｔＦ摩量モニターとして、第１図および第２図に
示すものか考案されており、第１図の場合、第１の基板
（以下単に基板という）（１）上に該基板は）の１ｉｔ
）摩の進行に伴なって断面か順次大きくなる三角形状の
薄膜パターン（２）が形成され、当該パターン（２）の
断面を研摩面Ｐから顕微鏡等により観察し、パターン（
２）の断面長さｌを測定することにより研摩量を検出す
るものであり、さらに、第２図の場合、基板１１１Ｊ二
の研摩面Ｐからの距離が順次大なる位置に複数個の帯状
薄膜パターン（３］が研摩進行方向に直交する方向に配
列して形成され、研摩面Ｐから見えるパターン（３）の
個数を測定することによシ研摩量を検出するものである
。
また、電気的の［摩量モニターとしては、第３図および
第４図に示すものが考案されており、第３図の場合、基
板（１）上に研摩により削除されて抵抗値が変化する薄
膜抵抗体（４）と該抵抗ｉ＊ｆ４＋の抵抗値変化を取り
出す端子（５］とが形成され、さらに、第４図の場合、
基板（１）上に研摩面Ｐに対して平行で研摩面Ｐからの
距離が順次大なる位置に配置された複数個の帯状薄膜抵
抗体（６）と各抵抗体（６）′ｆ：並列接続するととも
に抵抗値変化を取り出す端子（７）とが形成され、それ
ぞれ抵抗値変化を測定することにより研摩量を検出する
ようになっている。なお、第３図（ｂ）および第４図（
ｂ）はそれぞれの研摩量に対する抵抗値の関係を示した
ものである。
第４図に示すものが考案されており、第３図の場合、基
板（１）上に研摩により削除されて抵抗値が変化する薄
膜抵抗体（４）と該抵抗ｉ＊ｆ４＋の抵抗値変化を取り
出す端子（５］とが形成され、さらに、第４図の場合、
基板（１）上に研摩面Ｐに対して平行で研摩面Ｐからの
距離が順次大なる位置に配置された複数個の帯状薄膜抵
抗体（６）と各抵抗体（６）′ｆ：並列接続するととも
に抵抗値変化を取り出す端子（７）とが形成され、それ
ぞれ抵抗値変化を測定することにより研摩量を検出する
ようになっている。なお、第３図（ｂ）および第４図（
ｂ）はそれぞれの研摩量に対する抵抗値の関係を示した
ものである。
ところで、通常、この種研摩装置では研摩の機械化を図
る場合、研摩を進行させながらあるいは少なくとも研犀
機に基板を取υ付けた状態で研摩量を検出することが望
ましく、この点では電気的研摩這モニターが適している
。
る場合、研摩を進行させながらあるいは少なくとも研犀
機に基板を取υ付けた状態で研摩量を検出することが望
ましく、この点では電気的研摩這モニターが適している
。
しかし、前述の電気的研摩量モニターによると、第３図
の場合、６（す定値、すなわち抵抗体（４）の抵抗値が
連続変数であり顕著な変化か得られないため、研摩量と
の対応っけが難しい欠点がある。このことは前記第１図
の光学的研摩量モニターの構成においても同様のことか
言える。首だ、第４図の場合、測定値か不連続変数であ
り顕著な変化が得られるため、研ｌ！ｉ！：量との対応
っけが容易である反面、各薄膜抵抗体（６）か１ｖ目≠
而Ｐに対し平行に順次間隔を介して配置されるため、抵
抗体（６）の配置ピッチにより団ｊ＃量の検出精度が制
限され、ｔｒｒｉ厚量の検出精度に！ｔｒｌｌ約を受け
る欠点かある。
の場合、６（す定値、すなわち抵抗体（４）の抵抗値が
連続変数であり顕著な変化か得られないため、研摩量と
の対応っけが難しい欠点がある。このことは前記第１図
の光学的研摩量モニターの構成においても同様のことか
言える。首だ、第４図の場合、測定値か不連続変数であ
り顕著な変化が得られるため、研ｌ！ｉ！：量との対応
っけが容易である反面、各薄膜抵抗体（６）か１ｖ目≠
而Ｐに対し平行に順次間隔を介して配置されるため、抵
抗体（６）の配置ピッチにより団ｊ＃量の検出精度が制
限され、ｔｒｒｉ厚量の検出精度に！ｔｒｌｌ約を受け
る欠点かある。
さらに、第３図および第４図の構成では、それぞれの山
）図より明らかなように、ω１犀初期における抵抗値変
化か非常に小さいため、研摩初期での研摩精度か非常に
悪い欠点かある。
）図より明らかなように、ω１犀初期における抵抗値変
化か非常に小さいため、研摩初期での研摩精度か非常に
悪い欠点かある。
ところで、従来より、第５図および第６図に示すように
、研摩の進行に伴なって順次断面が大きくなる薄膜抵抗
体（４）および研摩進行方向に順次長さが長くなる複数
個の薄膜抵抗体（６１を設け、それぞれの（１））図に
示すように、研摩量と抵抗値との関係を全体として線型
、すなわち比例線型に近っけ、研摩初期における抵抗値
変化を大きくするようにしだものが考案されている。し
かし、第５図の場合、測定値か連続変数であるため、研
摩量との対応っけが難しく、また、第６図の場合、抵抗
体（６）の配置ピッチにより研摩量の検出精度か制限さ
れてしまい、１」ｉ」述した欠点が依然として解決され
ていない。
、研摩の進行に伴なって順次断面が大きくなる薄膜抵抗
体（４）および研摩進行方向に順次長さが長くなる複数
個の薄膜抵抗体（６１を設け、それぞれの（１））図に
示すように、研摩量と抵抗値との関係を全体として線型
、すなわち比例線型に近っけ、研摩初期における抵抗値
変化を大きくするようにしだものが考案されている。し
かし、第５図の場合、測定値か連続変数であるため、研
摩量との対応っけが難しく、また、第６図の場合、抵抗
体（６）の配置ピッチにより研摩量の検出精度か制限さ
れてしまい、１」ｉ」述した欠点が依然として解決され
ていない。
この発明は、前記の点に留意してなされたものであり、
研１≠加工の機械化、自動化に適した電気的１ｄ［Ｉ＃
蛍モニターを改良し、研摩量検出作業をより容易かつ尚
精度に行なうことを目的とする。
研１≠加工の機械化、自動化に適した電気的１ｄ［Ｉ＃
蛍モニターを改良し、研摩量検出作業をより容易かつ尚
精度に行なうことを目的とする。
Ｃ発ＩＪ／Ｊの構成〕
この発明ｔま、薄膜磁気ヘッド本体が形成された基板上
に、該ノ、（板の１１）１摩而からの距離が順次大なる
位置に配置され［〕１ｊ記基板のω（摩により削除され
て抵抗値が変化し遂には断線する複数個の第１薄膜抵抗
体と、前記各第１薄膜抵抗体とそれぞれ対をなし該各対
の第１薄膜抵抗体の断線により抵抗値が変化することの
ない複数個の第２薄膜抵抗体と、ＯｉＪ記各記名薄膜抵
抗体を短絡し両側に研摩進行方向に長い電極と前記各第
１薄膜抵抗庫間を通る櫛先とケ有し［）す記名対におけ
る第１．第２薄膜抵抗体を直列接続するとともに前記各
第２薄膜抵抗体を並列接続する櫛状薄膜導体とを形成し
たことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの研屋装置である。
に、該ノ、（板の１１）１摩而からの距離が順次大なる
位置に配置され［〕１ｊ記基板のω（摩により削除され
て抵抗値が変化し遂には断線する複数個の第１薄膜抵抗
体と、前記各第１薄膜抵抗体とそれぞれ対をなし該各対
の第１薄膜抵抗体の断線により抵抗値が変化することの
ない複数個の第２薄膜抵抗体と、ＯｉＪ記各記名薄膜抵
抗体を短絡し両側に研摩進行方向に長い電極と前記各第
１薄膜抵抗庫間を通る櫛先とケ有し［）す記名対におけ
る第１．第２薄膜抵抗体を直列接続するとともに前記各
第２薄膜抵抗体を並列接続する櫛状薄膜導体とを形成し
たことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの研屋装置である。
〔発明の効果」
しだかつて、この発明の薄膜磁気ヘッドの研屋装置によ
ると、基板上の各第１薄膜抵抗体と各第２薄膜抵抗体と
櫛状薄膜得体とにより抵抗回路を構成し、各第１薄膜抵
抗体の研摩による断線によりこれと対をなす各第２薄膜
抵抗体が順次回路から切り離されるため、薄膜導体の両
電極間に研１早：に伴なう不連続な大きい抵抗値液化を
得ることかでき、このため、抵抗値と研摩量との対応つ
ｔ）が容易に行なえ、しかも、各第１薄膜抵抗体全研厚
進行方向に対して斜め方向に順次配置することかできる
ため、（１）１削進行方向における第１薄膜抵抗体の配
置ピッチを任意に設定でき、高精度の抵抗値検出、すな
わち研摩量検出が行なえるものであυ、研摩・加工の機
械化、自動化を図り、高精度な（１）［厚情制御が実現
できる。
ると、基板上の各第１薄膜抵抗体と各第２薄膜抵抗体と
櫛状薄膜得体とにより抵抗回路を構成し、各第１薄膜抵
抗体の研摩による断線によりこれと対をなす各第２薄膜
抵抗体が順次回路から切り離されるため、薄膜導体の両
電極間に研１早：に伴なう不連続な大きい抵抗値液化を
得ることかでき、このため、抵抗値と研摩量との対応つ
ｔ）が容易に行なえ、しかも、各第１薄膜抵抗体全研厚
進行方向に対して斜め方向に順次配置することかできる
ため、（１）１削進行方向における第１薄膜抵抗体の配
置ピッチを任意に設定でき、高精度の抵抗値検出、すな
わち研摩量検出が行なえるものであυ、研摩・加工の機
械化、自動化を図り、高精度な（１）［厚情制御が実現
できる。
丑だ、前記電気的研摩量モニターにおいては、各第１メ
′Ｌ１７股抵抗体のみを基板上の薄膜磁気ヘッド本体に
対して精度よく配置することにより高精度の研摩量の検
出が行なえ、各第２薄膜抵抗体にあってはその形状、配
置に関する自由度を大きくすることかでき、前記抵抗回
路の抵抗値変化を任意に設定できるものである。
′Ｌ１７股抵抗体のみを基板上の薄膜磁気ヘッド本体に
対して精度よく配置することにより高精度の研摩量の検
出が行なえ、各第２薄膜抵抗体にあってはその形状、配
置に関する自由度を大きくすることかでき、前記抵抗回
路の抵抗値変化を任意に設定できるものである。
さらに、基板上に形成された薄膜磁気ヘッド本体が磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子層である場合
には、該素子層と同時に第１薄膜抵抗体を成膜、パター
ン化して形成することかでき、このため、両者の相対位
置を高精度に規制できる効果がある。
抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子層である場合
には、該素子層と同時に第１薄膜抵抗体を成膜、パター
ン化して形成することかでき、このため、両者の相対位
置を高精度に規制できる効果がある。
つきにこの発明を、その実施例を示しだ第７図以下の図
「Ｕとともに詳細に説明する。
「Ｕとともに詳細に説明する。
まず、１実施例を示した第７図および第８図について説
明する。
明する。
第７図は、基板の１ｉｌＦＩＩＪ面に対して平行かつ１
列に並ベノζ薄膜磁気ヘッド本体列の両側にそれぞれ形
成さ瓦た電気的ｒｒＪｆ摩量モニターの一方を示し、同
図において、（８８）、Ｃ８ｂ）、Ｃ８０）、＜８ｄ）
、（８ｅ）一基板ノｌｄＦ摩曲Ｐからの距離か順次大な
る位置に配置され６Ｊｆ屡の進行）ｊ向に対して左方に
傾斜した斜めの方向に間隔を介して配列された５個の第
１薄膜抵抗体であり、各抵抗体（８＋１）〜（８ｅ）は
基板−にの薄膜磁気ヘッド本体との相対位置を予め決定
して１０［摩の進行方間に一定ピッチで配置されており
、各抵抗体（８ａ）〜（８ｃ） は基板の研摩とともに
順次削除されてその抵抗値が変化し遂には断線するよう
になっている。
列に並ベノζ薄膜磁気ヘッド本体列の両側にそれぞれ形
成さ瓦た電気的ｒｒＪｆ摩量モニターの一方を示し、同
図において、（８８）、Ｃ８ｂ）、Ｃ８０）、＜８ｄ）
、（８ｅ）一基板ノｌｄＦ摩曲Ｐからの距離か順次大な
る位置に配置され６Ｊｆ屡の進行）ｊ向に対して左方に
傾斜した斜めの方向に間隔を介して配列された５個の第
１薄膜抵抗体であり、各抵抗体（８＋１）〜（８ｅ）は
基板−にの薄膜磁気ヘッド本体との相対位置を予め決定
して１０［摩の進行方間に一定ピッチで配置されており
、各抵抗体（８ａ）〜（８ｃ） は基板の研摩とともに
順次削除されてその抵抗値が変化し遂には断線するよう
になっている。
（９ａ） 、（９の、（９ｃ） 、（９ｄ） 、（９ｅ
）は各第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（ｓｅ）とそれぞれ対
をなす５個の第２薄膜抵抗体であり、各第２薄膜力記抗
体（９ａ）〜（９０） ｕそれぞれ少なくともこれと対
をなす各第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｃ）よりＩＩＩ
Ｆ Ｍ進行方向側に配置され、各対の第１薄膜抵抗体（
８ａ）〜（８Ｃ）の断線により抵抗値か変化することは
ない。
）は各第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（ｓｅ）とそれぞれ対
をなす５個の第２薄膜抵抗体であり、各第２薄膜力記抗
体（９ａ）〜（９０） ｕそれぞれ少なくともこれと対
をなす各第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｃ）よりＩＩＩ
Ｆ Ｍ進行方向側に配置され、各対の第１薄膜抵抗体（
８ａ）〜（８Ｃ）の断線により抵抗値か変化することは
ない。
そして、各第２薄膜抵抗体（９ａ）〜（９ｃ）の抵抗値
をそれぞれルＬ 、 Ｊｉｂ 、 Ｒｃ 、 ｌ（ｄ
、凡ｅとした場合、Ｒａ （几ｂ（ｌＬｃ （助＞ １
．Ｌｅの関係にあり、また、各第１薄膜抵抗体（８Ｉｌ
）〜（３ｅ）の抵抗値は第２薄膜抵抗体（９ａ）〜（９
Ｃ）に比べ非常に小さいものである。
をそれぞれルＬ 、 Ｊｉｂ 、 Ｒｃ 、 ｌ（ｄ
、凡ｅとした場合、Ｒａ （几ｂ（ｌＬｃ （助＞ １
．Ｌｅの関係にあり、また、各第１薄膜抵抗体（８Ｉｌ
）〜（３ｅ）の抵抗値は第２薄膜抵抗体（９ａ）〜（９
Ｃ）に比べ非常に小さいものである。
１０は樹ｊ状薄膜導体であり、各第１薄膜抵抗体（８ａ
）〜（８ｅ）を研摩面Ｐ側で短絡する短絡導体部０］）
と、短絡導体部０υの両側に一体に設けられそれぞれｆ
ｉｌｆ厚進行方向に長く形成された抵抗値取り出し用の
電極（１２Ａ）、（１２Ｂ）と、短絡導体部（１υに一
体に形成され各第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８Ｃ）の右
側よりそれぞれＩ＋１ 削進行方向に延出されるととも
に隣合う各第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）間を短絡
する櫛先導体部（１３ａ） 、（１３＋）） 、（１３
ｃ） 、（ｌａｄ） 、（＋３８）とにより構成され、
各櫛先導体部（１３ａ）〜（１３（３）のそれぞれの先
端部と電極（１２Ｂ）間にはそれぞれ前記第２薄膜抵抗
体（９ａ）〜（９ｅ）が接続され、これにより、各対の
第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）と第２薄膜抵抗体（
９ａ）〜（９Ｃ）とがそれぞれ直列接続されるとともに
、各第２薄膜抵抗体（９ａ）〜（９ｅ）が並列接続され
ている。
）〜（８ｅ）を研摩面Ｐ側で短絡する短絡導体部０］）
と、短絡導体部０υの両側に一体に設けられそれぞれｆ
ｉｌｆ厚進行方向に長く形成された抵抗値取り出し用の
電極（１２Ａ）、（１２Ｂ）と、短絡導体部（１υに一
体に形成され各第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８Ｃ）の右
側よりそれぞれＩ＋１ 削進行方向に延出されるととも
に隣合う各第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）間を短絡
する櫛先導体部（１３ａ） 、（１３＋）） 、（１３
ｃ） 、（ｌａｄ） 、（＋３８）とにより構成され、
各櫛先導体部（１３ａ）〜（１３（３）のそれぞれの先
端部と電極（１２Ｂ）間にはそれぞれ前記第２薄膜抵抗
体（９ａ）〜（９ｅ）が接続され、これにより、各対の
第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）と第２薄膜抵抗体（
９ａ）〜（９Ｃ）とがそれぞれ直列接続されるとともに
、各第２薄膜抵抗体（９ａ）〜（９ｅ）が並列接続され
ている。
なお、（１４）は短絡環体部ＯＤと電極（１２Ｂ）との
連結部における研摩断線位置を示し、該位置０４）が、
研摩面Ｐに対し最も近距離の第１薄膜抵抗体（８ａ）の
断線位置より研摩面Ｐ側に各第１薄膜抵抗体（８ａ）〜
（８ｅ）の配置ピッチ分だけずれた位置に形成されてい
る。
連結部における研摩断線位置を示し、該位置０４）が、
研摩面Ｐに対し最も近距離の第１薄膜抵抗体（８ａ）の
断線位置より研摩面Ｐ側に各第１薄膜抵抗体（８ａ）〜
（８ｅ）の配置ピッチ分だけずれた位置に形成されてい
る。
そして、研摩を開始すると、薄膜導体００の短絡部Ｕυ
における初期の研摩においては、両電極（］ ＋２Ａ
。
における初期の研摩においては、両電極（］ ＋２Ａ
。
（１２Ｂ）間が短絡部＋１１）で短絡されるため、第８
図に示すように、抵抗値は零となり、研厚か第１薄膜抵
抗体（８ａ）に至ると、両電極（１２Ａ）、（１２Ｂ）
間が当該抵抗体（８ａ）を介して接続されることになる
が、この抵抗値は非常に小さいため、抵抗値変化はほと
んどない。
図に示すように、抵抗値は零となり、研厚か第１薄膜抵
抗体（８ａ）に至ると、両電極（１２Ａ）、（１２Ｂ）
間が当該抵抗体（８ａ）を介して接続されることになる
が、この抵抗値は非常に小さいため、抵抗値変化はほと
んどない。
つきに、ｌｊＨ摩が研摩断線位置（１４）に至りこれを
断線すると、両電極間（１２Ａ）、（１２Ｂ）には第１
薄膜抵抗体（＆１１） 、（８ｂ）および櫛先導体部（
１３８）を介して第２薄膜抵抗体（９ａ）が接続される
ことになり、第８図にＸで示すように、抵抗値か上昇す
る。そして、研摩の進行により第１薄膜抵抗体（８ａ）
、（８ｂ）が徐々に削除されるだめ、抵抗値かわずがな
から上昇し、さらに、第１薄膜抵抗体（８ａ）か断線す
ると、これと対をなす第２薄膜抵抗体（９ａ）が抵抗回
路から切り離されるため、今度は、第１薄膜抵抗体（８
ｂ）。
断線すると、両電極間（１２Ａ）、（１２Ｂ）には第１
薄膜抵抗体（＆１１） 、（８ｂ）および櫛先導体部（
１３８）を介して第２薄膜抵抗体（９ａ）が接続される
ことになり、第８図にＸで示すように、抵抗値か上昇す
る。そして、研摩の進行により第１薄膜抵抗体（８ａ）
、（８ｂ）が徐々に削除されるだめ、抵抗値かわずがな
から上昇し、さらに、第１薄膜抵抗体（８ａ）か断線す
ると、これと対をなす第２薄膜抵抗体（９ａ）が抵抗回
路から切り離されるため、今度は、第１薄膜抵抗体（８
ｂ）。
（８Ｃ）および梠先導体部（１３ｂ）を介して第２薄膜
抵抗体（９ｂ）が両電極（＋２Ａ）、（１２Ｂ）間に接
続され、第８図にａで示すように抵抗値が上昇する。
抵抗体（９ｂ）が両電極（＋２Ａ）、（１２Ｂ）間に接
続され、第８図にａで示すように抵抗値が上昇する。
以下同様に、第１薄膜抵抗体（８ｂ）、Ｃ８０） 、（
８ｄ） 、（８ｅ）か断線する毎にそれぞれ第８図にす
、ｃ、ｄ、ｅに示すような抵抗値が得られ、不連続で比
較的大きな抵抗値変化が得られる。
８ｄ） 、（８ｅ）か断線する毎にそれぞれ第８図にす
、ｃ、ｄ、ｅに示すような抵抗値が得られ、不連続で比
較的大きな抵抗値変化が得られる。
したがって、前記実施例によると、基板上の薄膜磁気ヘ
ッドとの相対位置が予め決定されている各ｑ口薄膜抵抗
体（８ａ）〜（８ｅ）の断線にょシ、これとそれぞれ対
をなす各第２薄膜抵抗体（９ａ）〜（９ｃ）全回路から
順次切り離すことができるだめ、研摩量に対し不連続で
比較的大きな抵抗値変化を得ることができ、研ｇ量と抵
抗値との対応づけが極めて容易となり、しかも、各第１
薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）は研摩進行方向に対して
斜めの方向に並べて配置されるため、研摩進行方向に対
する第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）の配置ピッチを
任意に設定することができ、高精度の研摩量検出が実現
できるものである。
ッドとの相対位置が予め決定されている各ｑ口薄膜抵抗
体（８ａ）〜（８ｅ）の断線にょシ、これとそれぞれ対
をなす各第２薄膜抵抗体（９ａ）〜（９ｃ）全回路から
順次切り離すことができるだめ、研摩量に対し不連続で
比較的大きな抵抗値変化を得ることができ、研ｇ量と抵
抗値との対応づけが極めて容易となり、しかも、各第１
薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）は研摩進行方向に対して
斜めの方向に並べて配置されるため、研摩進行方向に対
する第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）の配置ピッチを
任意に設定することができ、高精度の研摩量検出が実現
できるものである。
まだ、各第２薄膜抵抗体（９ａ）〜（９ｅ）は薄膜磁気
ヘッド本体に対する配置、形状に差程制約を受けること
はなく、自由度が大きいため、抵抗回路の不連続な抵抗
値変化を任意に設定できる利点を有し、さらに、第１．
第２薄膜抵抗体（８ａ）〜（８０） 。
ヘッド本体に対する配置、形状に差程制約を受けること
はなく、自由度が大きいため、抵抗回路の不連続な抵抗
値変化を任意に設定できる利点を有し、さらに、第１．
第２薄膜抵抗体（８ａ）〜（８０） 。
（９ａ）〜（９ｅ）を接続する薄膜導体明には櫛状導体
部（１３８）〜（１３ｅ）が段状に配置されるだめ、研
摩面Ｐにおける櫛状導体部（１３８）〜（１３８）の断
面を観察することにより研摩量を検出する光学的研摩量
モニターとしても使用できるものである。
部（１３８）〜（１３ｅ）が段状に配置されるだめ、研
摩面Ｐにおける櫛状導体部（１３８）〜（１３８）の断
面を観察することにより研摩量を検出する光学的研摩量
モニターとしても使用できるものである。
なお、前記実施例において、薄膜磁気ヘッドを磁気抵抗
効果型磁気ヘッドとした場合には、磁気ヘッドの磁気抵
抗効果素子層と同時に第１．第１薄膜抵抗体（８ａ）〜
（８ｅ） 、 （９ａ）〜（９ｅ）を形成するとともに
、磁気ヘッドの通電用導体層と同時に櫛状薄膜導体ｄ（
３を形成すれば、抵抗回路の抵抗値変化の時期を規制す
る第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）の配置と磁気抵抗
効果素子層の配置とを１枚のエツチングマスクのパター
ン精度内で精密に対応づけることができ、研摩によるス
トライプ幅の高精度な制御が可能になるものである。
効果型磁気ヘッドとした場合には、磁気ヘッドの磁気抵
抗効果素子層と同時に第１．第１薄膜抵抗体（８ａ）〜
（８ｅ） 、 （９ａ）〜（９ｅ）を形成するとともに
、磁気ヘッドの通電用導体層と同時に櫛状薄膜導体ｄ（
３を形成すれば、抵抗回路の抵抗値変化の時期を規制す
る第１薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）の配置と磁気抵抗
効果素子層の配置とを１枚のエツチングマスクのパター
ン精度内で精密に対応づけることができ、研摩によるス
トライプ幅の高精度な制御が可能になるものである。
つぎに、他の実施例を示した第°９図以下の図面につい
て説明する。
て説明する。
これらの図面において、前記と同一記号は同一もしくは
対応するものを示すものとし、前記と異なる点は、第１
薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）のそれぞれの研摩面ｌ′
との反対側に該各紙抗体（８ａ）〜（８ｅ）がωＦ摩に
より消滅する以前に断線するよう凹部を形成するととも
に、各第２薄膜抵抗体（９ａ）〜（９ｅ）のパターン形
状を変えてそれぞれの抵抗値を変え、第１Ｏ図に示すよ
うに、研摩量に対する抵抗値を全体として直線状に変化
するようにした点である。
対応するものを示すものとし、前記と異なる点は、第１
薄膜抵抗体（８ａ）〜（８ｅ）のそれぞれの研摩面ｌ′
との反対側に該各紙抗体（８ａ）〜（８ｅ）がωＦ摩に
より消滅する以前に断線するよう凹部を形成するととも
に、各第２薄膜抵抗体（９ａ）〜（９ｅ）のパターン形
状を変えてそれぞれの抵抗値を変え、第１Ｏ図に示すよ
うに、研摩量に対する抵抗値を全体として直線状に変化
するようにした点である。
したがって、前述と同様の効果ケ得ることができるのみ
ならす、第２薄ｊ摸抵抗体（９ａ）〜（９（りのパター
ン形状により抵抗回路の抵抗値変化を任意に設定できる
ことが明らかとなる。
ならす、第２薄ｊ摸抵抗体（９ａ）〜（９（りのパター
ン形状により抵抗回路の抵抗値変化を任意に設定できる
ことが明らかとなる。
第１図ないし第６図はそれぞれ従来の薄膜磁気ヘッドの
研厚装置を示し、第１図および第２図はそれぞれ光学的
（１］１摩量モニターを使用した場合の平面図、第３図
ないし第６図はそれぞれ電気的１ｉｆｔ摩量モニターを
匣用した場合を示し、それぞれの（ａ）は平面図、それ
ぞれのｆｂ）はωト摩量と抵抗値との関１系図、第７図
以下の図面はこの発明の薄膜磁気ヘッドの明摩装置の実
施例を示し、第７図および第８図ｉＩ′ｉ１実施例の狭
部の平面図および（１）ＩＩ！Ｐ：量と抵抗値との関係
図、第９図および第１０図は他の実施例の要部の平面図
および研摩量と抵抗値との関係図である。 （８ａ） 〜（８０）−・第１薄；模抵抗体、（９ａ）
−（９ｅ） 第２薄膜抵抗体、１１０−１１ｉ状薄膜
導体、（＋２Ａ） 、（１２Ｂ）・電極、（１８＋Ｌ）
〜（＋３ｅ）−櫛先導体部、Ｐ＝−ｔｉ［）早゛山１
゜ 代理人 弁理士 藤田龍太部 第５図 （ａ） （ｂ） 第６ 図 （ＣＩ） （１）） Ｐ 何Ｓ量− 第７図 ＠本ｉ□
研厚装置を示し、第１図および第２図はそれぞれ光学的
（１］１摩量モニターを使用した場合の平面図、第３図
ないし第６図はそれぞれ電気的１ｉｆｔ摩量モニターを
匣用した場合を示し、それぞれの（ａ）は平面図、それ
ぞれのｆｂ）はωト摩量と抵抗値との関１系図、第７図
以下の図面はこの発明の薄膜磁気ヘッドの明摩装置の実
施例を示し、第７図および第８図ｉＩ′ｉ１実施例の狭
部の平面図および（１）ＩＩ！Ｐ：量と抵抗値との関係
図、第９図および第１０図は他の実施例の要部の平面図
および研摩量と抵抗値との関係図である。 （８ａ） 〜（８０）−・第１薄；模抵抗体、（９ａ）
−（９ｅ） 第２薄膜抵抗体、１１０−１１ｉ状薄膜
導体、（＋２Ａ） 、（１２Ｂ）・電極、（１８＋Ｌ）
〜（＋３ｅ）−櫛先導体部、Ｐ＝−ｔｉ［）早゛山１
゜ 代理人 弁理士 藤田龍太部 第５図 （ａ） （ｂ） 第６ 図 （ＣＩ） （１）） Ｐ 何Ｓ量− 第７図 ＠本ｉ□
Claims (1)
- ■ 薄膜磁気ヘッド本体が形成された基板上に、該基板
の１ｉｊｌ厚面からの距離が１頃次大なる位置に配置さ
れ１）す記基板の研摩により削除されて抵抗値か変化し
遂には断線する複数個の第１薄膜抵抗体と、前記各第１
薄膜抵抗体とそれぞれ対をなし該各対の第１薄膜抵抗体
の断線により抵抗値か変化することのない複数個の第２
薄膜抵抗体と、前記各第１薄膜抵抗体を短絡し両側に研
摩進行方向に長い電極と１）１１記各第１薄膜抵抗体間
を通る櫛先とを有し１１１」記各対におりる第１．第２
薄膜抵抗体を直列接続するとともに前記各第２薄膜抵抗
体を並列接続する４ｆ！ｉｉ状薄膜導体とを形成したこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの研摩装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21744183A JPS60108267A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 薄膜磁気ヘツドの研摩装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21744183A JPS60108267A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 薄膜磁気ヘツドの研摩装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60108267A true JPS60108267A (ja) | 1985-06-13 |
| JPH044101B2 JPH044101B2 (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=16704276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21744183A Granted JPS60108267A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 薄膜磁気ヘツドの研摩装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60108267A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0235270A1 (en) * | 1985-09-03 | 1987-09-09 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Grinding guide and method for controlling the automatic grinding of objects |
| EP0235269A1 (en) * | 1985-09-03 | 1987-09-09 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Automatic grinding machine |
| EP0304472A1 (en) * | 1987-03-09 | 1989-03-01 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Biased grinding assembly |
| US7874063B2 (en) | 2005-08-23 | 2011-01-25 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head integrated structure |
-
1983
- 1983-11-17 JP JP21744183A patent/JPS60108267A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0235270A1 (en) * | 1985-09-03 | 1987-09-09 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Grinding guide and method for controlling the automatic grinding of objects |
| EP0235269A1 (en) * | 1985-09-03 | 1987-09-09 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Automatic grinding machine |
| EP0304472A1 (en) * | 1987-03-09 | 1989-03-01 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Biased grinding assembly |
| US7874063B2 (en) | 2005-08-23 | 2011-01-25 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head integrated structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH044101B2 (ja) | 1992-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0253460B1 (en) | Method and apparatus for controlling the throat height of batch fabricated thin film magnetic transducers | |
| EP0253461B1 (en) | Electrical lapping guide for controlling batch fabrication of thin film magnetic transducers | |
| JPS5984323A (ja) | 薄膜ヘツドの機械加工方法 | |
| US6623330B2 (en) | Lapping sensor used in fabrication of magnetic head with magnetoresistive effect element and lapping control method using the sensor | |
| US4763534A (en) | Pressure sensing device | |
| KR100422436B1 (ko) | 개선된 전기 랩 가이드 배선 구조 | |
| US4625075A (en) | Patterned conductive ink touch panel | |
| US4559743A (en) | Method for calibrating a machining sensor | |
| JPS60108267A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの研摩装置 | |
| US4739562A (en) | Machining sensor | |
| JPH08304010A (ja) | デプスセンサー | |
| US11340261B2 (en) | Flexible electric probe | |
| US3459929A (en) | Methods of and apparatus for the correlation of variables | |
| KR100256067B1 (ko) | 박막 자기헤드의 갭깊이 가공용 저항패턴 및 이를 이용한 갭깊이 가공방법 | |
| GB2128747A (en) | Gauging the machining of a block using severing of an electrically conducting path | |
| JPS6035726B2 (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS5975607A (ja) | チツプ抵抗器の製造方法 | |
| JPS61243910A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| RU2129741C1 (ru) | Термостабильная тонкопленочная микросхема | |
| JPS63136312A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの磁極ギヤツプ深さ検出法 | |
| KR100234180B1 (ko) | 박막 자기헤드의 갭깊이 가공용 저항패턴 및 갭 깊이 가공방법 | |
| US4167808A (en) | Harness for electromagnetic transducer | |
| JPH0319481B2 (ja) | ||
| JPH05101339A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS61202318A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |