JPS6035726B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6035726B2 JPS6035726B2 JP12021078A JP12021078A JPS6035726B2 JP S6035726 B2 JPS6035726 B2 JP S6035726B2 JP 12021078 A JP12021078 A JP 12021078A JP 12021078 A JP12021078 A JP 12021078A JP S6035726 B2 JPS6035726 B2 JP S6035726B2
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- Japan
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- polishing
- head
- thin film
- film magnetic
- magnetic head
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造技術に関し、特に多チャ
ンネル型薄膜磁気ヘッドの研磨加工に関するものである
。
ンネル型薄膜磁気ヘッドの研磨加工に関するものである
。
従来、基板上に層設されたパーマロィ等の薄膜磁性体と
銅（Ｃｕ）、アルミニウム（ＡＩ）等の導電体から成る
薄膜磁気ヘッドのヘッド側端面加工に際しては、加工面
の平滑精度を向上させる必要上、研磨テ−プの酒動によ
るラッピング仕上加工が採用されていた。
銅（Ｃｕ）、アルミニウム（ＡＩ）等の導電体から成る
薄膜磁気ヘッドのヘッド側端面加工に際しては、加工面
の平滑精度を向上させる必要上、研磨テ−プの酒動によ
るラッピング仕上加工が採用されていた。
しかしながら研磨テープに薄膜磁気ヘッドの端面を押圧
し、研磨テープを摺動させた場合、研磨テープはこの押
圧作用で弧状の変形を受け、従って薄膜磁気ヘッドの端
面に対してある角度をもって走行することになり、この
ため端面の研磨量が部分的に異なる、いわゆる片減り現
象を呈することとなる。片減り現象をもって製作された
薄膜磁気ヘッドは、ヘッド面が磁気記録媒体である記録
テープ等と摺動する際の記録再生に於いて記録情報の読
み取りに支障をきたす結果となり、またヘッド面の局部
的磨耗を促進する等種々の弊害が発生する。従って従来
より薄膜磁気ヘッドの様面加工に於ける片減り現象を防
止するための種々の試みがなされてきている。以下、研
磨テープを用いたラッピング加工について薄膜磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲ素子と称す）を用いた薄膜磁気抵抗
型ヘッド（以下ＭＲヘッドと称す）を例にとって図面と
ともに説明する。
し、研磨テープを摺動させた場合、研磨テープはこの押
圧作用で弧状の変形を受け、従って薄膜磁気ヘッドの端
面に対してある角度をもって走行することになり、この
ため端面の研磨量が部分的に異なる、いわゆる片減り現
象を呈することとなる。片減り現象をもって製作された
薄膜磁気ヘッドは、ヘッド面が磁気記録媒体である記録
テープ等と摺動する際の記録再生に於いて記録情報の読
み取りに支障をきたす結果となり、またヘッド面の局部
的磨耗を促進する等種々の弊害が発生する。従って従来
より薄膜磁気ヘッドの様面加工に於ける片減り現象を防
止するための種々の試みがなされてきている。以下、研
磨テープを用いたラッピング加工について薄膜磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲ素子と称す）を用いた薄膜磁気抵抗
型ヘッド（以下ＭＲヘッドと称す）を例にとって図面と
ともに説明する。
第１図は研磨加工前に於ける多チャンネル型Ｍ旧ヘッド
の基本的構造を示す平面図である。
の基本的構造を示す平面図である。
また第２図は第１図のＡ一Ａ断面図である。ェレメント
搭載用基板１上にパーマロィ、ニッケル等の磁性体を主
村として成るＭＲ素子２が複数個ストライプ状に層設さ
れ、ＭＲ素子２の両端には給電用の導電層３の一端が接
続されている。
搭載用基板１上にパーマロィ、ニッケル等の磁性体を主
村として成るＭＲ素子２が複数個ストライプ状に層設さ
れ、ＭＲ素子２の両端には給電用の導電層３の一端が接
続されている。
導亀層３の池端は基板１上でそれぞれリード線取り出し
用パッド部４を構成している。導電層３の材質としては
アルミニウム（山）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等が実施
に供される。また基板１は一般的なシリコン（Ｓｉ）、
セラミック等が使用される。第３図は研磨テープとＭ旧
ヘッドのヘッド側端面との接触状態を示す説明図である
。研磨テープ５にＭＲヘッドのヘッド側端面を押圧し、
研磨テープ５を端面上で走行させると研磨テープ５に付
着している微細粒子の作用でＭＲヘッドの端面が順次削
り込まれ、研磨される。
用パッド部４を構成している。導電層３の材質としては
アルミニウム（山）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等が実施
に供される。また基板１は一般的なシリコン（Ｓｉ）、
セラミック等が使用される。第３図は研磨テープとＭ旧
ヘッドのヘッド側端面との接触状態を示す説明図である
。研磨テープ５にＭＲヘッドのヘッド側端面を押圧し、
研磨テープ５を端面上で走行させると研磨テープ５に付
着している微細粒子の作用でＭＲヘッドの端面が順次削
り込まれ、研磨される。
この時研磨テープ５はＭＲヘッドの押圧作用で弧状に変
形しており、従ってＭＲヘッドは研磨テープ５の走行方
向の両端の研磨量が大となり、研磨テープ５の弧状形状
に即して端面は曲面仕上され片減り現象を呈する。図中
の０‘まＭＲ素子２の層方向と研磨テープ５のＭＲ素子
２に対する接触部とのなす接触角である。第３図に示す
状態ではこの接触角のまひく９００となる。ａ＜９０ｏ
で加工仕上された場合、記録再生時に於ける磁気ヘッド
と記録テープの接触状態は極めて不都合となり、また磁
気ヘッドに於ける基板１の端面先端とＭ凪素子２の端面
先端は位置ずれを起こす結果となる。本発明は上研磨テ
ープを用いた薄膜磁気ヘッドの加工に際し、研磨テープ
と薄膜磁気ヘッドのヘッド側端面との研磨角度及び研磨
による削り込み量をモニターしつつ研磨テープを走行さ
せ、接触角８を９００に接近させることにより、薄膜磁
気ヘッドと記録テープとの接触状態を向上させることの
できる新規かつ有用な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することを目的とするものである。以下、本発明の１実
施例についてＭＲヘッドの加工の例をとって図面を参照
しながら詳細に説明する。第４図は本発明の１実施例に
係る研磨加工前のＭ旧ヘッドの構造を示す断面構成図で
ある。
形しており、従ってＭＲヘッドは研磨テープ５の走行方
向の両端の研磨量が大となり、研磨テープ５の弧状形状
に即して端面は曲面仕上され片減り現象を呈する。図中
の０‘まＭＲ素子２の層方向と研磨テープ５のＭＲ素子
２に対する接触部とのなす接触角である。第３図に示す
状態ではこの接触角のまひく９００となる。ａ＜９０ｏ
で加工仕上された場合、記録再生時に於ける磁気ヘッド
と記録テープの接触状態は極めて不都合となり、また磁
気ヘッドに於ける基板１の端面先端とＭ凪素子２の端面
先端は位置ずれを起こす結果となる。本発明は上研磨テ
ープを用いた薄膜磁気ヘッドの加工に際し、研磨テープ
と薄膜磁気ヘッドのヘッド側端面との研磨角度及び研磨
による削り込み量をモニターしつつ研磨テープを走行さ
せ、接触角８を９００に接近させることにより、薄膜磁
気ヘッドと記録テープとの接触状態を向上させることの
できる新規かつ有用な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
することを目的とするものである。以下、本発明の１実
施例についてＭＲヘッドの加工の例をとって図面を参照
しながら詳細に説明する。第４図は本発明の１実施例に
係る研磨加工前のＭ旧ヘッドの構造を示す断面構成図で
ある。
ガラス等から成る透明性基板６上に第１図同様Ｎｉ−企
合金、Ｎｊ−Ｃｏ合金等から成る幅１０〜２０仏肌程度
のＭＲ素子２と層厚３０００〜４０００△程度のＡＩ等
からなる導電層３が配設され、多チャンネル型Ｍ旧ヘッ
ドが構成されている。また基板６の下面側には細い線状
の下部導体線パターン７が研磨面と平行方向に載暦され
かつ垂直方向に複数本配列されている。下部導体線パタ
ーン７の配列形態を第５図に示す。即ち下部導体線パタ
ーン７は基板６の下面上で研磨面側より研磨面と垂直方
向に一定ピッチ間隔で複数本（例えば４〜６本）平行配
列され、その一端は共通パッド部に接続され、池様はそ
れぞれ個別にパッド部と後続されて電流通路を構成して
いる。この下部導体線パターン７には接着剤８を介して
ガラス、フィルム等から成る薄い保護カバー９が被覆さ
れている。基板６の上面側にはＭＲ素子２及び導電層３
とともにＳｉ０２，Ｙ２０３，Ｔｉ０２等から成る透明
性絶縁層１ ０がスパッタリング法あるいは真空蒸着法
等で層設され、ＭＲ素子２及び導電層３はこの絶縁層１
０内に埋設される。絶縁層１０上には下部導体線７と
略々同機な細い線状の水平導体線パターン１１が研磨面
と平行方向に堆積されかつ垂直方向に複数本配列されて
いる。水平導体線パターン１１の配列形態を第６図に示
す。水平導体線パターン１１は絶縁層１０上で研磨面側
より研磨面と垂直方向則ち削り込み方向へ向って２列縦
隊でかつ一定ピッチ間隔で平行配列されている。従って
水平方向へ２組の導体線群が形成され、各組の水平方向
に対応する導体線の各々は研磨面と平行方向に配置され
る。また各組導体線の一方の端部はそれぞれ各組毎に共
通導体と接続され、各組の他方の端部は絹を共有する共
通導体と接続されている。この３本の共通導体は端部で
給電用パッド部を構成し、従って水平導体線パターン１
１は各組毎に電流通路となる。絶縁層１川こは水平導体
線パターン１１とともに接着剤１２を介して基板６と同
程度の厚みを有するガラス等の透明性スベーサ１３が介
設されている。
合金、Ｎｊ−Ｃｏ合金等から成る幅１０〜２０仏肌程度
のＭＲ素子２と層厚３０００〜４０００△程度のＡＩ等
からなる導電層３が配設され、多チャンネル型Ｍ旧ヘッ
ドが構成されている。また基板６の下面側には細い線状
の下部導体線パターン７が研磨面と平行方向に載暦され
かつ垂直方向に複数本配列されている。下部導体線パタ
ーン７の配列形態を第５図に示す。即ち下部導体線パタ
ーン７は基板６の下面上で研磨面側より研磨面と垂直方
向に一定ピッチ間隔で複数本（例えば４〜６本）平行配
列され、その一端は共通パッド部に接続され、池様はそ
れぞれ個別にパッド部と後続されて電流通路を構成して
いる。この下部導体線パターン７には接着剤８を介して
ガラス、フィルム等から成る薄い保護カバー９が被覆さ
れている。基板６の上面側にはＭＲ素子２及び導電層３
とともにＳｉ０２，Ｙ２０３，Ｔｉ０２等から成る透明
性絶縁層１ ０がスパッタリング法あるいは真空蒸着法
等で層設され、ＭＲ素子２及び導電層３はこの絶縁層１
０内に埋設される。絶縁層１０上には下部導体線７と
略々同機な細い線状の水平導体線パターン１１が研磨面
と平行方向に堆積されかつ垂直方向に複数本配列されて
いる。水平導体線パターン１１の配列形態を第６図に示
す。水平導体線パターン１１は絶縁層１０上で研磨面側
より研磨面と垂直方向則ち削り込み方向へ向って２列縦
隊でかつ一定ピッチ間隔で平行配列されている。従って
水平方向へ２組の導体線群が形成され、各組の水平方向
に対応する導体線の各々は研磨面と平行方向に配置され
る。また各組導体線の一方の端部はそれぞれ各組毎に共
通導体と接続され、各組の他方の端部は絹を共有する共
通導体と接続されている。この３本の共通導体は端部で
給電用パッド部を構成し、従って水平導体線パターン１
１は各組毎に電流通路となる。絶縁層１川こは水平導体
線パターン１１とともに接着剤１２を介して基板６と同
程度の厚みを有するガラス等の透明性スベーサ１３が介
設されている。
スベーサ１３の上面には下部導体線パターン７と同機な
上部導体線パターン１４が形成されている。導体線パタ
ーン７，１４は上下対応する位置に配列される。上部導
体線パターン１４には同様に接着剤１５を介して保護カ
バー１６が被覆されている。基板６は上部及び下部導体
線パターン７，１４の対応配置関係を確実ならしめるた
めには相互に透視確認可能な透明基板を選択することが
製作上望ましいが上部及び下部導体線パターン７，１４
を上下同時に位置関係を保ちながら形成する場合には透
明にする必要はなく、シリコン、セラミック等の基板で
も実施可能である。
上部導体線パターン１４が形成されている。導体線パタ
ーン７，１４は上下対応する位置に配列される。上部導
体線パターン１４には同様に接着剤１５を介して保護カ
バー１６が被覆されている。基板６は上部及び下部導体
線パターン７，１４の対応配置関係を確実ならしめるた
めには相互に透視確認可能な透明基板を選択することが
製作上望ましいが上部及び下部導体線パターン７，１４
を上下同時に位置関係を保ちながら形成する場合には透
明にする必要はなく、シリコン、セラミック等の基板で
も実施可能である。
導体線パターン７，１ １，１４はＡＩ，Ｃｕ，Ａｕ，
Ｔｉ−Ｃｕ合金，Ｎ−Ｃｕ合金，Ａｕ−Ｃｒ合金等から
成る金属薄膜で構成され、フオトヱッチング法により幅
５〜１０山凧、ピッチ間隔１０〜２０仏机程度の寸法に
仕上げる。
Ｔｉ−Ｃｕ合金，Ｎ−Ｃｕ合金，Ａｕ−Ｃｒ合金等から
成る金属薄膜で構成され、フオトヱッチング法により幅
５〜１０山凧、ピッチ間隔１０〜２０仏机程度の寸法に
仕上げる。
スベーサ１３も基板６と同様必要に応じて透明材料以外
の材料を選択することができる。
の材料を選択することができる。
スベーサ１３は導電層３の全長の略々１／２程度の幅が
あれば充分である。上記構成から成るＭＲヘッドをダィ
シング等で必要な形状にチップ化し、ヘッド面側を研磨
テープ５に押圧して研磨テープ５を走行ささ、ＭＲ素子
２の端面を露出させるとともに露出した端面を研磨加工
してヘッド面とする。
あれば充分である。上記構成から成るＭＲヘッドをダィ
シング等で必要な形状にチップ化し、ヘッド面側を研磨
テープ５に押圧して研磨テープ５を走行ささ、ＭＲ素子
２の端面を露出させるとともに露出した端面を研磨加工
してヘッド面とする。
研磨テープとＭＲ素子２との接触角のま、スベーサ１３
が介設されているためＭＲ素子２が研磨テープ５のＭＲ
ヘッドとの摺動面の略々中央部に当接し、８≠９０ｏ
の値になる。またこの時上下部導体線パターン７，１４
及び水平導体線パターン１１の各組の各々を通電状態に
設定しておくと、研磨の進行に従ってヘッド面側の導体
線パターン７，１１，１４より順次断線状態となる。こ
の断線状態を検知することにより研磨量を把握すること
ができる。また八位ヘッドの上部と下部の研磨量が同程
度に進行している場合、上部導体線パターン１４と下部
導体線パターン７の断線は同時に進行するが上部または
下部の研磨量が相違して片減り現象が現われている時に
は研磨量の大なる側の導体線パターン７または１４の断
線が早く進行する。更に水平導体線パターン１１に関し
ては研磨方向が平面図的に観察して第６図に示す如く勾
配Ｑをもって加工されている場合、水平方向に研磨量の
相違が生じ、研磨量の大なる組の導体線パターンの断線
状態が早く進行する。このため水平導体線パターン１１
の各組に於いて電気抵抗値が異なる状態が生起する。従
って水平及び垂直２方向の研磨量を常時モニターしなが
らＭＲヘッドを加工することが可能となる。尚、導体線
パターン７，１４の断線状態の検知は電気抵抗値の変化
あるいは個々のパッド部の通蚤の有無等を検知すること
により容易に行なわれる。
が介設されているためＭＲ素子２が研磨テープ５のＭＲ
ヘッドとの摺動面の略々中央部に当接し、８≠９０ｏ
の値になる。またこの時上下部導体線パターン７，１４
及び水平導体線パターン１１の各組の各々を通電状態に
設定しておくと、研磨の進行に従ってヘッド面側の導体
線パターン７，１１，１４より順次断線状態となる。こ
の断線状態を検知することにより研磨量を把握すること
ができる。また八位ヘッドの上部と下部の研磨量が同程
度に進行している場合、上部導体線パターン１４と下部
導体線パターン７の断線は同時に進行するが上部または
下部の研磨量が相違して片減り現象が現われている時に
は研磨量の大なる側の導体線パターン７または１４の断
線が早く進行する。更に水平導体線パターン１１に関し
ては研磨方向が平面図的に観察して第６図に示す如く勾
配Ｑをもって加工されている場合、水平方向に研磨量の
相違が生じ、研磨量の大なる組の導体線パターンの断線
状態が早く進行する。このため水平導体線パターン１１
の各組に於いて電気抵抗値が異なる状態が生起する。従
って水平及び垂直２方向の研磨量を常時モニターしなが
らＭＲヘッドを加工することが可能となる。尚、導体線
パターン７，１４の断線状態の検知は電気抵抗値の変化
あるいは個々のパッド部の通蚤の有無等を検知すること
により容易に行なわれる。
また水平導体線パターン１１は導体線各々に個別の電流
通路を形成せしめる構成とすることも可能である。尚、
上記実施例に於いて、基板６及びスベーサ１３の厚さを
５００仏肌とした場合、導体線パターン７，１４の幅５
山川に対して片減りが発生したとしてもその値は接触角
８を０．が程度変化させるのみであり、このオーダーで
片減りを防止することが可能であるため、非常に高精度
の制御を行なうことができる。
通路を形成せしめる構成とすることも可能である。尚、
上記実施例に於いて、基板６及びスベーサ１３の厚さを
５００仏肌とした場合、導体線パターン７，１４の幅５
山川に対して片減りが発生したとしてもその値は接触角
８を０．が程度変化させるのみであり、このオーダーで
片減りを防止することが可能であるため、非常に高精度
の制御を行なうことができる。
以上詳述した如く、本発明によれば薄膜磁気ヘッドの加
工に際し、研磨角度及び研磨量を常時モニターしながら
研磨テープを情動させることができるため、ヘッド面形
状の良好な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
工に際し、研磨角度及び研磨量を常時モニターしながら
研磨テープを情動させることができるため、ヘッド面形
状の良好な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
第１図はＭ旧ヘッドの基本的構造を示す平面図である。
第２図は第１図のＡ−Ａ断面図である。第３図は研磨テ
ープとＭＲヘッドの接触状態を示す説明図である。第４
図は本発明の１実施例に係る研磨加工前のＭＲヘッドの
構造を示す断面構成図である。第５図及び第６図は導体
線パターンの配列状態を示す平面図である。２・・・・
・・ＭＲ素子、３・・・・・・導電層、５・・・・・・
研磨テープ、６・・・・・・基板、７・・・・・・下部
導体線パターン、１１・・・・・・水平導体線パターン
、１４・・・・・・上部導体線パターン。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
ープとＭＲヘッドの接触状態を示す説明図である。第４
図は本発明の１実施例に係る研磨加工前のＭＲヘッドの
構造を示す断面構成図である。第５図及び第６図は導体
線パターンの配列状態を示す平面図である。２・・・・
・・ＭＲ素子、３・・・・・・導電層、５・・・・・・
研磨テープ、６・・・・・・基板、７・・・・・・下部
導体線パターン、１１・・・・・・水平導体線パターン
、１４・・・・・・上部導体線パターン。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １ 基板上に搭載された磁性体を研磨してヘツド面を加
工する薄膜磁気ヘツドの製造方法に於いて、前記磁性体
の上下方向の略々等距離位置に研磨面側より順次導体線
を配し、かつ前記磁性体の近傍には前記上下方向と略々
直交する方向に研磨面側より順次導体線が配列されて成
る複数組の導体線群を設け、前記導体線とともに前記磁
性体を研磨加工することにより、前記導体線配列部の断
線進行に基いて研磨状態をモニターすることを特徴とす
る薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12021078A JPS6035726B2 (ja) | 1978-09-28 | 1978-09-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12021078A JPS6035726B2 (ja) | 1978-09-28 | 1978-09-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5548826A JPS5548826A (en) | 1980-04-08 |
| JPS6035726B2 true JPS6035726B2 (ja) | 1985-08-16 |
Family
ID=14780617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12021078A Expired JPS6035726B2 (ja) | 1978-09-28 | 1978-09-28 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035726B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4456100A (en) * | 1981-08-04 | 1984-06-26 | Kabushiki Kaisha Daikin Seisakusho | Band brake mechanism for an automatic transmission of an automobile |
| JPS5877015A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造法 |
-
1978
- 1978-09-28 JP JP12021078A patent/JPS6035726B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5548826A (en) | 1980-04-08 |
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