JPS6035727B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JPS6035727B2
JPS6035727B2 JP12021178A JP12021178A JPS6035727B2 JP S6035727 B2 JPS6035727 B2 JP S6035727B2 JP 12021178 A JP12021178 A JP 12021178A JP 12021178 A JP12021178 A JP 12021178A JP S6035727 B2 JPS6035727 B2 JP S6035727B2
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JP
Japan
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head
polishing
thin film
film magnetic
magnetic head
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JP12021178A
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JPS5548827A (en
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眞澄 中道
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPS5548827A publication Critical patent/JPS5548827A/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures

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  • Magnetic Heads (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造技術に関し、特に多チャ
ンネル型薄膜磁気ヘッドの研磨加工に関するものである
従来、基板上に層設されたパーマロィ等の薄膜磁性体と
銅(Cu)、アルミニウム(A夕)等の導電体から成る
薄膜磁気ヘッドのヘッド側端面加工に際しては、加工面
の平滑精度を向上させる必要上、研磨テープの摺動によ
るラッピング仕上加工が採用されていた。
しかしながら研磨テープに薄膜磁気ヘッドの端面を押圧
し、研磨テープを沼動させた場合、研磨テープはこの押
圧作用で弧状の変形を受け、従って薄膜磁気ヘッドの端
面に対してある角度をもって走行することになり、この
ため端面の研磨量が部分的に異なる、いわゆる片減り現
象を呈することとなる。片減り現象を・もって製作され
た薄膜磁気ヘッドは、ヘッド面が磁気記録媒体である記
録テープ等と摺動する際の記録再生に於いて、記録情報
の続み取りに支障をきたす結果となり、またヘッド面の
局部的磨耗を促進する等種々の弊害が発生する。従って
従来より薄膜磁気ヘッドの端面加工に於ける片減り現象
を防止するために種々の試みがなされてきている。以下
、研磨テープを用いたラッピング加工について薄膜磁気
抵抗効果素子(以下MR素子と称す)を用いた薄膜磁気
抵抗型ヘッド(以下MRヘッドと称す)を例にとつて図
面とともに説明する。第1図は研磨加工前に於ける多チ
ャンネル型MRヘッドの基本的構造を示す平面図である
また第2図は第1図のA−A断面図である。ェレメント
搭載用基板1上にパーマロィ、ニッケル等の磁性体を主
材として成るMR素子2が複数個ストライプ状に層設さ
れ、MR素子2の両端には給電用の導電層3の一端が接
続されている。
導電層3の他端は基板1上でそれぞれリード線取り出し
用パッド部4を構成している。導電層3の材質としてア
ルミニウム(Aそ)、金(Au),銅(Cu)等が実施
に供される。また基板1は一般的なシリコン(Si)、
セラミック等が使用される。第3図は研磨テープとMR
ヘッドのヘッド側端面との接触状態を示す説明図である
。研磨テープ5にMRヘッドのヘッド側端面を押圧し、
研磨テープ5を端面上で走行させると研磨テープ5に付
着している微細粒子の作用でMRヘッドの端面が順次削
り込まれ、研磨される。
この時研磨テープ5はMRヘッドの押圧作用で弧状に変
形しており、従ってMRヘッドは研磨テープ5の走行方
向の両端の研磨量が大となり、研磨テープ5の弧状形状
に即して端面は曲面仕上され片減り現象を呈する。図中
のa‘まMR素子2の層方向と研磨テープ5のMR素子
2に対する接触部とのなす接触角である。第3図に示す
状態ではこの接触角8は8<90oとなる。0<900
で加工仕上げされた場合、記録再生時に於ける磁気ヘッ
ドと記録テープの接触状態は極めて不都合となり、また
磁気へッドーこ於ける基板1の端面先端とMR素子2の
端面先端は位置ずれを起きす結果となる。
本発明は上記研磨テープを用いた薄膜磁気ヘッドの加工
に際し、研磨テープと薄膜磁気ヘッドのヘッド側端面と
の研磨角度及び研磨による削り込み量をモニターしつつ
研磨テープを走行させ、接触角8を900に接近させる
ことにより、薄膜磁気ヘッドと記録テープとの接触状態
を向上させることのできる新規かつ有用な薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することを目的とするものである。
以下、本発明の1実施例によいてMRヘッドの加工を例
にとって図面を参照しながな詳細に説明する。第4図は
本発明の1実施例に係る研磨加工前のM旧ヘッドの構造
を示す断面構成図である。
ガラス等から成る透明性基板6上に第1図同様Ni−F
e合金、Ni−Co合金等から成る幅10〜20仏程度
のMR素子2と層厚3000〜4000A程度のAそ等
から成る導電層3が配設され、多チャンネル型MRヘッ
ドが構成されている。また基板6の下面側には細い線状
の下部導体線パターン7が研磨面と平行方向に戦層これ
かつ垂直方向に複数本配列されている。下部導体線パタ
ーン7の配列形態を第5図に示す。即ち下部導体線パタ
ーン7は基板6の下面上で研磨面側より研磨面と垂直方
向に一定ピッチ間隔で複数本(例えば4〜6本)平行配
列され、その一端は共通パッド部に接続され、池端はそ
れぞれ個別にパッド部と接続されて電流通路を構成して
いる。この下部導体線パターン7には接着剤8を介して
ガラス、フィルム等から成る薄い保護カバー9が被覆さ
れている。基板6の上面側にはMR素子2及び導電層3
ともに接着剤10を介して基板6と同程度の厚みを有す
るガラス等の透明性スベーサ11が介設されている。ス
べ−サ11の上面には下部導体線パターン7と同様な上
部導体線パタ−ン12が形成されている。導体線パター
ン7,12は上下対応する位置に配列される。上部導体
線パターン12には同機に接着剤13を介して保護カバ
ー14が被覆されている。基板6は導体線パターン7,
12の対応配置関係を確実ならしめるためには相互に透
視確認可能な透明基板を選択することが製作上望ましい
が導体線パターン7,12を上下同時に位置関係を保ち
ながら形成する場合には透明にする必要はなく、シリコ
ン、セラミック等の基板でも実施可能である。
導体線パターン7,12はA夕,Cu Ti−Cu合,
AクーCu合金,Au−Cr合金等から成る金属薄膜で
構成され、フオトェツチング法により幅10〃m,ピッ
チ間隔20仏m程度の寸法に仕上げる。
スベーサ11も基板6と同様必要に応じて透明材料以外
の材料を選択することができる。スべ−サ11は導電層
3の全長の略々1/2程度の幅があれば充分である。上
誌構造から成るMRヘッドをダィシング等で必要な形状
にチップ化し、ヘッド面側を研磨テープ5に押圧して研
磨テ−ブ5を走行させ、ヘッド面を研磨加工する。
研磨テープとMR素子2との接触角aは、スベーサ11
が介設されているため、MR素子2が研磨テープ5のM
Rヘッドとの沼動面の略々中央部に当接し、8二90o
の値になる。またこの時、上下部導体線パターン7,1
2の各々を通電状態に設定しておくと、研磨の進行に従
ってヘッド面倒の導体線パターン7,12より日頃次断
線状態となる。この断線状態を検知することにより研磨
量を把握することができる。またM旧ヘッドの上部と下
部の研磨量が同種度に進行しいる場合、上部導体線パタ
ーン12と下部導体線パターン7の断線は同時に進行す
るが上部または下部の研磨量が相違して片減り現象が現
われているる時には研磨量の大なる側の導体線パターン
7または12の断線が早く進行する。従って研磨量を常
時モニタ−しながらMRヘッドを加工することが可能と
なる。尚、導体線パターン7,12の断線状態の検知は
電気抵抗値の変化あるいは個々のパッド部の通電の有無
等を検知することにより容易に行なわれる。
尚、上記実施例に於いて、基板6及びスベーサ11の厚
さを500仏mとし場合、導体線パターン7,12の幅
loAmに対して片減りが発生したとしてもその値は接
触角8を0.6o程度変化させるのみであり、充分に実
用に供することができる。
以上詳述した如く、本発明によれば薄膜磁気ヘッドの加
工に際し、研磨角度及び研磨量を常時モニターしながら
研磨テープを摺動させることができるため、ヘッド面形
状の良好な薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はM旧ヘッドの基本的構造を示す平面図である。 第2図は第1図のA−A断面図である。第3図は研磨テ
ープとMRヘッドの接触状態を示す説明図である。第4
図は本発明の1実施例に係る研磨加工前のMRヘッドの
構造を示す断面構成図である。第5図は導体線パターン
の配列状態を示す平面図である。2・・・・・・MR素
子、3・・・・・・導電層、5・・・・・・研磨テープ
、6・・・・・・基板、7・・・・・・下部導体線パタ
ーン、11・・・・・・スべ−サ、12・・…・上部導
体線パターン。 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板上に塔載された磁性体を研磨してヘツド面を加
    工する薄膜磁気ヘツドの製造方法に於いて、前記磁性体
    の上下方向の略々等距離位置に研磨面側より順次導体線
    を配し、該導体線とともに前記磁性体を研磨加工するこ
    とにより、前記導体線の上下部の断線進行に基いて研磨
    状態をモニターすることを特徴とする薄膜磁気ヘツドの
    製造方法。
JP12021178A 1978-09-28 1978-09-28 薄膜磁気ヘツドの製造方法 Expired JPS6035727B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12021178A JPS6035727B2 (ja) 1978-09-28 1978-09-28 薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JP12021178A JPS6035727B2 (ja) 1978-09-28 1978-09-28 薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JPS5548827A JPS5548827A (en) 1980-04-08
JPS6035727B2 true JPS6035727B2 (ja) 1985-08-16

Family

ID=14780640

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JP12021178A Expired JPS6035727B2 (ja) 1978-09-28 1978-09-28 薄膜磁気ヘツドの製造方法

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JP (1) JPS6035727B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08173738A (ja) * 1994-12-28 1996-07-09 Nec Kyushu Ltd 集塵機および集塵方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08173738A (ja) * 1994-12-28 1996-07-09 Nec Kyushu Ltd 集塵機および集塵方法

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JPS5548827A (en) 1980-04-08

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