JP4589741B2 - 薄膜磁気ヘッドのウエハ - Google Patents

Description

本発明は薄膜磁気ヘッドのウエハに関し、特にスライダとなるべき部分が多数形成されたバーの研磨に用いる研磨量センサの配置に関する。

高速、大容量、高信頼性、低コストの記録媒体としてハードディスクドライブ（ＨＤＤ）が、デジタル情報の記録に広く用いられている。ＨＤＤは、長年の技術開発により記録密度が１００ギガビット／平方インチを超えつつあり、さらに、新たな用途として、デジタル家電、情報機器、携帯電話などにも用いられつつある。携帯電話に用いられるＨＤＤのディスクの直径は、他の用途より小型の１インチ以下となっている。これと同時にヘッドスライダの小型化も進み、従来用いられていた３０％スライダ（１．０ｍｍ×１．２３５ｍｍ×０．３ｍｍ程度の大きさのスライダ）から２０％スライダ（０．７ｍｍ×０．８５ｍｍ×０．２３ｍｍ程度の大きさのスライダ）へと小型化されつつあり、さらなる小型化も検討されている。ヘッドスライダの小型化は、単に携帯電話用ＨＤＤへの用途のみでなく、薄膜集積工程における高集積化にもつながり、１素子（１ヘッドスライダ）あたりのコスト低減に直結するため、経済性の観点からも望ましい。

スライダを製造するには、まず、素子が２次元状に形成されたウエハを作成し、次に、ウエハを短冊状に切断して、スライダとなる部分が多数形成されたバーを形成する。バーには、スライダとなる部分が形成されたスライダ形成部と、切り代部とが交互に配置されている。切り代部には、ＲＬＧ(Resistance Lapping Guide)、または、ＥＬＧ(Electric Lapping Guide)と呼ばれる、ＡＢＳ形成面の研磨の際に用いられるセンサーが設けられている。

これらのセンサーは、ＡＢＳ形成面に設けられた抵抗膜と、抵抗膜の両端に接続され、ＡＢＳ形成面から垂直に延びる一対のリード線と、各リード線に接続され、積層方向上側に延びる一対のバンプと、各バンプに接続され、積層面上面に形成されるパッドから構成されている。バンプは、通常１０〜２０μｍの厚さを有している。ここで、ＡＢＳ(Air bearing surface)とはスライダの記録媒体対向面のことであり、所定の寸法の書込み素子や読取り素子が形成されている。また、ＡＢＳ形成面とは、後工程の研磨によってＡＢＳが形成される面のことであり、最終的なＡＢＳより若干張り出している。ＡＢＳ形成面が研磨されると抵抗膜も研磨され、断面積の減少による電気抵抗変化をパッドに取り付けたワイヤ等で取出して、研磨量を監視する。

ところで、高集積化のためには、スライダ形成部の面積を小さくするとともに、切り代部の面積を減少させる必要がある。しかし、パッドの大きさは、リード線がパッドにきちんと接触でき、しかも互いに接触することのないように、ある程度の面積を必要とする。このため、切り代部の面積は、パッドの面積に制約される（特許文献１，２参照。）。この問題を解決するため、たとえば一対のパッドを、ＡＢＳから離れたパッドと、隣接するパッドとして構成し、両パッドの互いに対向する縁部をＡＢＳに対して斜めに形成する技術などが開示されている（特許文献２参照。）。

しかし、切り代部の面積は、バンプの配置によって最も制約される。ここで、バンプは、たとえば以下の手順で形成される。まず、リード導体の上にパターニングによってフレーム状のレジストを形成し、フレームの内部に銅めっきをおこないバンプを形成する。次に、バンプの周囲にアルミナ等のオーバーコート層を形成し、全体を研磨した後、バンプ上に平面状のパッドを形成する。読み取り、書込み素子のリード線は、めっき法などの薄膜形成技術により、それぞれの素子の形成前後の工程において適宜形成されている。また、それぞれのバンプは、読み取り、書込み素子およびそのリード線を形成した後に、めっき技術によって形成される。ところが、バンプが厚いため、バンプの周囲にスムーズにオーバーコート層を成膜することが困難となり、バンプの周辺のオーバーコート層にクラックや巣などの欠陥が生じる可能性がある。オーバーコート層は下層の書込み素子等を保護するための保護膜であるが、スライダ形成部と切り代部とを渡って連続的・一体的に形成されるため、欠陥がスライダ形成部側で発生すると、スライダの信頼性に影響が生じる可能性がある。このため、切り代の長さにある程度余裕を持たせ、欠陥がスライダ形成部で発生しないようにする必要がある。

従来例では、バーの長手方向の長さ約６０μｍのバンプの場合、その両側約３０μｍは欠陥が生じやすいため、合計約１２０μｍの切り代幅を設ける必要があった。なお、オーバーコート層の欠陥を防止するために、バンプの外周面にリード導体に向けて裾広がりに拡大するスカート面を設ける技術などが開示されている（特許文献３参照）。
米国特許第５，３６１，５４７号明細書 特開２００２−２４５６０６号公報 特開平９−７３６０９号公報

このように、切り代をさらに縮小するためには、特にバンプの必要スペースを縮小することが重要である。しかし、特許文献３のようにバンプの形状を工夫する場合も、バンプ層の周溝部が必要なためバンプの必要スペースを縮小することはできなかった。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、バーの切り代部の面積を縮小することのできるように研磨量センサが配置されたウエハを提供することを目的とする。

本発明のウエハは、複数の膜が積層されて形成された、スライダとなる部分であるスライダ形成部が、１以上の列をなして搭載されたウエハである。列は、スライダの記録媒体対向面となる面であるＡＢＳ形成面が列の長手方向の側面に現れる向きで配列された複数のスライダ形成部と、スライダ形成部同士の間にそれぞれが設けられた複数の切り代部とを有し、切り代部の少なくともいずれかは、ＡＢＳ形成面に形成され、研磨にしたがい電気抵抗が変化する抵抗膜を有し、抵抗膜を有する切り代部に隣接する両側のスライダ形成部は各々、一端が、一つの同一の抵抗膜との間に設けられた電気的接続手段によって当該一つの同一の抵抗膜と各々電気的に接続され、他端がウエハの積層部上面に向かって積層方向に延びるバンプを有している。一方のスライダ形成部のバンプの他端は当該一つの同一の抵抗膜が設けられた切り代部の積層部上面に設けられた終端パッドに電気的に接続され、他方のスライダ形成部のバンプの他端は、当該一つの同一の抵抗膜が設けられた切り代部とは異なる、上記他方のスライダ形成部と隣接する他の切り代部の、積層部上面に設けられた終端パッドに電気的に接続されており、よって、一つの同一の抵抗膜に電気的に接続される２つの終端パッドが切り代部と他の切り代部とに分散配置されている。

このように、本発明のウエハでは、切り代部にバンプが設けられず、バンプの周囲のオーバーコート層の欠陥がスライダ形成部で生じるおそれがなくなるため、切り代部の面積を設定する際に、欠陥の発生領域に応じた余裕を考慮して必要がなくなる。

電気的接続手段は、抵抗膜の両側端部から、抵抗膜が設けられた切り代部の内部を、隣接する両側のスライダ形成部の内部へ、互いに離れる向きに延びる一対のリード線を有し、バンプの各々は、リード線の各々と接続されるように構成することができる。

さらに、両側のスライダ形成部は各々、積層部上面に形成され、バンプの他端と電気的に接続された中継パッドを有し、中継パッドの各々は、積層部上面に形成され、積層部上面を延びる接続線によって終端パッドの各々と接続されるように構成することができる。

接続線は、スライダ形成部の読込み素子または書込み素子の電気信号を授受する素子用パッドを中継パッドとして、切り代部へ延びるように構成してもよい。

バンプは、スライダ形成部の読込み素子または書込み素子の電気信号を授受する素子用のバンプと共用してもよい。

このように、本発明のウエハでは、抵抗膜の電流を外部に伝えるためのバンプをスライダ形成部に設けたため、切り代部の面積を制約する最大の要因が除去され、切り代部の面積を縮小することが可能となる。この結果、同一サイズのウエハから多くのスライダを製造することができ、生産効率の向上が可能となる。

本発明のウエハの実施形態を図面を用いて説明する。図１（ａ）には、本発明のウエハを、薄膜磁気ヘッド素子の積層方向上側（図中白抜き矢印で示す。）から見た概略外形図を示す。ウエハ１はシリコン等の基板の上に、多数の薄膜磁気ヘッド素子が２次元状に配列されて形成されている。ウエハ１は、まず、ＡＢＳ形成面Ｇに沿ってバー２に切断される。図１（ｂ）は、図１（ａ）と同様に、積層方向上側（図中白抜き矢印で示す。）からみた、バーを切り出したときのバーの斜視図である。また、図１（ｃ）には、バーのＡＢＳ形成面Ｇが上になるように見た、すなわち、バーを図１（ｂ）の回転矢印の向きに回転させた状態におけるバーの斜視図を示す。バー２は、薄膜磁気ヘッド素子を有するスライダが形成されるスライダ形成部３と、切り代部４とが交互に配列されている。切り代部４は、バー２のＡＢＳ形成面Ｇを研磨して、ＡＢＳを形成した後に、バー２を個々のスライダに切断するときに用いられる。

図２には、スライダ形成部と切り代部の部分拡大図を示す。同図は、図１（ｃ）と同じ方向から見たものである。図２では、スライダ形成部と切り代部とを切り離して示しているが、実際には一体化されている。また、図３には、図２の３−３線に沿ったスライダ形成部の断面図を示す。以下、これらの図面を参照して、スライダ形成部３と切り代部４の構造について説明する。

スライダ形成部３は、積層方向下側から順に、基板５、絶縁層６、下部シールド層８、シールドギャップ膜９、ＭＲ素子１０、下部磁極層１２の順に積層され、その上に上部磁極層１４やコイル１５が形成され、全体がオーバーコート層１６で被覆されている。

基板５には、アルティック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料が用いられる。基板５の上に形成される絶縁層６はアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる。下部シールド層８の材料には、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）が用いられる。シールドギャップ膜９の材料には、例えばアルミナが用いられる。シールドギャップ膜９は、下部シールドギャップ膜と上部シールドギャップ膜（ともに図示せず。）とが積層されて形成されている。読込み素子であるＭＲ素子１０が、ＡＢＳ形成面Ｇに面して、下部シールドギャップ膜と上部シールドギャップ膜との間にシールドされて設けられている。ＭＲ素子１０には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、またはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。また、ＭＲ素子１０には、読み取った信号を送る一対のリード線１１が接続されている。リード線１１は導電性材料によって形成され、積層方向に延びるバンプ３０ｂ（または３１ｂ）（図４Ｂ参照）と接続している。

下部磁極層１２は、記録ヘッドの下部磁極層としての機能と、再生ヘッド（ＭＲ素子１０）の上部シールド層としての機能を兼ねており、例えば、パーマロイやＣｏＮｉＦｅ等の、めっき法によって成膜可能な磁性材料が用いられる。

下部磁極層１２と上部磁極層１４との間のＡＢＳ形成面Ｇ側の端面には、下部磁極層１２と上部磁極層１４との間の絶縁のための記録ギャップ１３が設けられている。記録ギャップ１３の材料としては、例えば、ＮｉＰ等のめっき法によって成膜可能な非磁性金属材料が用いられる。

上部磁極層１４と下部磁極層１２は接続部１７によって接続され、全体で１個のＵ字型導体を形成している。上部磁極層１４の材料としては、例えば、パーマロイやＣｏＮｉＦｅ等のめっき法によって成膜可能な磁性材料が用いられ、特に、高飽和磁束密度材料を用いることが好ましい。

上部磁極層１４と下部磁極層１２との間には、接続部１７の周りを巻回するコイル１５が設けられている（なお、図では４つのコイル断面が示されているが、これらは連続した１巻きのコイルの異なる場所の断面である。）。コイル１５は、２段積み以上の多層積み構成でもよい。コイル１５は、絶縁層（図示せず）によって、下部磁極層１２、上部磁極層１４に対して絶縁されている。コイル１５の材料には、銅等の導電性材料が用いられる。

上部磁極層１４，下部磁極層１２，記録ギャップ１３，およびコイル１５は、記録媒体への書込み素子である誘導型磁気変換素子を構成する。誘導型磁気変換素子は、記録媒体の面内方向への記録を行なう水平記録方式と、記録媒体の面外方向への記録を行なう垂直記録方式のいずれでもよい。

コイル１５は、積層方向に延びる導電性のホール１８を介して、外部からの電流信号を受けるリード線１９と接続している。リード線１９も導電性材料によって形成され、上部磁極層１４と同じ材料でもよい。リード線１９はさらに、積層方向に延びるバンプ２８ｂ（または２９ｂ）（図４Ｂ参照）と接続している。

これらの積層部の上方には、オーバーコート層１６が形成されている。オーバーコート層１６の頂面は積層面上面１６１をなす。オーバーコート層１６の材料には、例えばアルミナ等の絶縁材料が用いられる。

積層面上面１６１には書込みパッド２３ｂ，２４ｂと読込みパッド２５ｂ、２６ｂが形成されている。書込みパッド２３ｂ，２４ｂは各々、バンプ２８ｂ，２９ｂを介して、外部との書込み電流の授受をおこなう書込み素子用パッドである。読込みパッド２５ｂ，２６ｂは各々、バンプ３０ｂ，３１ｂを介して、外部との読込み電流の授受をおこなう読込み素子用パッドである。スライダが完成すると、これらのパッド２３ｂ，２４ｂ，２５ｂ，２６ｂには、ヘッドジンバルアセンブリ（図示せず）のスライダが設けられていない反対端部まで延びる配線（図示せず）が接続される。

切り代部４には、スライダ形成部３と異なり、書込みや読込みのための素子は形成されていないが、基本的な膜構成はスライダ形成部３と同様である。図２に示すように、積層方向下側から順に、基板５、絶縁層６、下部シールド層８、シールドギャップ膜９、下部磁極層１２の順に積層され、その上がオーバーコート層１６で被覆されている。切り代部４に特徴的なのは、図２に示すように抵抗膜３２ａが形成されていることである。また、オーバーコート層１６の積層面上面１６１にはセンサー用パッド３３ａが設けられている。

抵抗膜３２ａは、ＲＬＧまたはＥＬＧと呼ばれるセンサーで、スライダ形成部３におけるＭＲ素子１０とほぼ同じ積層方向高さ、すなわちシールドギャップ膜９の間に設けられている。なお、下部シールド層８および下部磁極層１２は、無くてもよい。抵抗膜３２ａはＭＲ素子１０と同一の素子構成でもよいが、NiFe、Cu、NiCr、Au、NiCu等、導電性の金属膜を広く用いることができる。

次に、図４Ａ，４Ｂを参照して、切り代部４ａに設けられた抵抗膜３２ａのパッドへの接続方法を説明する。図４Ａは、オーバーコート層の上面図である。図４Ｂは、抵抗膜と、抵抗膜につながる配線およびパッドだけを抽出して示す斜視図である。両図はバー２の一部を示しており、左からスライダ形成部３ａ，切り代部４ａ，スライダ形成部３ｂ，切り代部４ｂの順に配列されている。また、図４Ａではバーの内部にある配線は破線表示している。

抵抗膜３２ａの左側の端部３２１からは、リード線３５ａが、シールドギャップ膜９の上を、途中で方向を変えながら、隣接するスライダ形成部３ａのバンプ３１ａまで延びている。さらに、バンプ３１ａと接続している読込みパッド２６ａからは、接続線３４ａが、オーバーコート層１６の積層面上面１６１を、切り代部４ａのセンサー用パッド３３ａまで、戻るように延びている。同様にして、抵抗膜３２ａの右側の端部３２２からは、リード線３５ｂが、シールドギャップ膜９の上を、途中で方向を変えながら、隣接するスライダ形成部３ｂのバンプ３１ｂまで延びている。リード線３５ｂは、ＭＲ素子１０およびＭＲ素子１０から延びるリード線１１ａ，１１ｂとの干渉を避けるために、これらの上を跨いでいる。さらに、バンプ３１ｂと接続している読込みパッド２６ｂからは、接続線３４ｂが、オーバーコート層１６の積層面上面１６１を、隣接する切り代部４ｂのセンサー用パッド３３ｂまで延びている。接続線３４ａ，３４ｂ，リード線３５ａ，３５ｂは、銅や金等の導電性材料で作られている。

なお、抵抗膜３２を全ての切り代部４に設けても、測定に用いる抵抗膜３２は、通常２〜５個おきであるので、抵抗膜３２は、実際に測定に用いる場所だけに設けてもよい。

このように抵抗膜３２ａをパッドまで接続する際に、スライダ形成部３ａ，３ｂに設けられたバンプ３１ａ，３１ｂを中継パッドとして利用することによって、抵抗膜３２ａ専用のバンプを切り代部４ａに設ける必要がない。この結果、切り代部４ａのバー２の長手方向の長さは、バンプの必要スペースを考慮して設定する必要はなく、終端パッドであるセンサー用パッド３３ａ、３３ｂの必要スペースや、切断砥石の切断必要幅などの他の要因から設定すればよいことになる。

なお、本実施形態では、一つの抵抗膜３２ａに対応する２つのセンサー用パッド３３ａ、３３ｂを、切り代部４ａ，４ｂに一つずつ分散して配置しているので、切り代部４ａ，４ｂの面積を縮小するためには、より有利な構成となっている。一実施例では、切り代部切り代部４ａ，４ｂのバー２の長手方向の長さを、切断砥石の必要切断幅である５０μｍ程度まで縮めることが可能となり、１つのバーからのスライダの取出し個数は１０％以上向上した。

ここで、ウエハの製造方法について説明する。図３を参照すると、まず、基板５の上に、例えばスパッタリング法によって絶縁層６を形成する。次に、絶縁層６の上に、例えばスパッタリング法またはめっき法によって下部シールド層８を形成する。次に、下部シールド層８の上に、例えばスパッタリング法によってシールドギャップ膜９を形成する。このとき、図４Ｂに示すように、スライダ形成部３には、ＭＲ素子１０およびリード線１１を、シールドギャップ膜９の間に、例えばスパッタリング法によって形成する。ＭＲ素子１０を構成する各層は、パターン化されたレジスト層を用いた一般的なエッチング方法や、リフトオフ法や、これらを併用した方法によってパターニングされる。

切り代部４ａには、抵抗膜３２ａをＭＲ素子１０と同様の方法で形成する。さらに、スライダ形成部３ｂには、リード線３５ｂを、例えばスパッタリング法によってバンプ３１ｂの位置まで形成する。同様に、切り代部４ａには、リード線３５ａを、例えばスパッタリング法によってバンプ３１ａの位置まで形成する。

次に、再び図３を参照し、シールドギャップ膜９の上に、例えばスパッタリング法またはめっき法によって下部磁極層１２を形成する。次に、下部磁極層１２の上に、例えばスパッタリング法によって記録ギャップ１３を形成し、続いて、上部磁極層１４の下部部分とコイル１５をフレームめっき法等によって形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、上部磁極層１４の上部部分を形成し、同時に接続部１７を形成する。読み取り、書込み素子のリード線１１，１９からつながるバンプ２８ｂ，２９ｂ，３０ｂ，３１ｂは、リード線１１，１９の形成後に、電極膜（図示せず）を形成し、めっき法によって形成する。その後、バンプ２８ｂ等をマスクとして電極膜を除去し、スパッタ法等によって、アルミナ等の絶縁材料を上層として積層し、次に、例えば、ポリッシング法によってバンプ２８ｂ等が上面に露出する所望の高さまで絶縁材料をけずり、オーバーコート層１６を形成する。その後、バンプ２８ｂ等の上端部の露出部分に書込みパッド２３ａ、２３ｂ、読み込みパッド２５ｂ、２６ｂを配設する。バンプ３１ａ、読み込みパッド２６ａについても同様である。

次に、バーの研磨方法について説明する。図５には、バーの研磨加工装置の概略構成図を示す。研磨加工装置５１は、バー２を研磨する回転する研磨板５２と、バー２を研磨板５２に押し付ける力を与える荷重発生装置５４と、複数の荷重伝達用治具５５とを有している。

荷重発生装置５４は例えば電磁式や油圧式のアクチュエータが用いられる。荷重発生装置５４は、制御部５８に接続しており、抵抗膜３２の抵抗値に基づき、ＭＲ高さ（ＭＲ素子１０のＡＢＳから垂直に測った高さ）が所定の値に加工されるように、フィードバック制御をおこなう。

荷重伝達用治具５５は、荷重発生装置５４とバー２を支持するホルダ５６との間にあり、荷重発生装置５４で発生した押し付け力をホルダ５６を介してバー２に伝え、バー２のＡＢＳ形成面Ｇを研磨板５２に押し付ける。荷重伝達用治具５５は、ホルダ５６の長手方向に沿って複数個設けられている。ホルダ５６のバー２の取付け面は、荷重伝達用治具５５の接触点毎に溝５７で仕切られており、各荷重伝達用治具５５から伝えられた押し付け力をその周囲だけに及ぼすことができる。

研磨板５２の表面は、例えば、Ｓｎ（スズ）からなる円板の表面にダイヤモンド砥粒を埋め込んで形成されている。研磨板５２には回転軸５３が接続され、動力機構（図示せず）によって回転させられる。

研磨をおこなうには、まず、バー２をホルダ５６に固定し、バー２の長手方向を研磨板５２の半径方向に合わせる。次に、センサー用パッド３３ａ，３３ｂにワイヤ４１ａ，４１ｂ（図４Ａ参照）を取付け、制御部５８と接続するとともに、抵抗膜３２に通電する。ＡＢＳ形成面Ｇが回転する研磨板５２に押し付けられて、ＡＢＳ形成面Ｇが研磨されると、ＡＢＳ形成面Ｇに形成された抵抗膜３２も研磨される。この結果、抵抗膜３２の断面積は徐々に縮小していき、電気抵抗が増加する。電流値は制御部５８に送られ、制御部５８は各抵抗膜３２の電流変化に基づき、バー２の各部の研磨量を検出し、その結果を荷重発生装置５４にフィードバックする。この結果、バー２のＡＢＳ形成面Ｇに、長手方向に均一な所定のＭＲ高さを持ったＡＢＳが形成され、研磨が終了する。なお、このあと、ＡＢＳに凹凸形状が設けられ、洗浄・検査等がおこなわれて、スライダが完成する。

以上、本発明のウエハについて説明したが、本発明のウエハは、上記の実施形態に限定されるものではない。以下に、他の実施形態について、図面を参照して説明する。

図６Ａ，６Ｂは、第２の実施形態のウエハにおける、抵抗膜のパッドへの接続方法の説明図である。図６Ａ，６Ｂは各々、図４Ａ，４Ｂに対応している。本実施形態では、スライダ形成部３ｂにおける予備バンプ３６ｂおよび予備パッド３７ｂを利用している点が異なる。予備バンプ３６ｂおよび予備パッド３７ｂとしては、たとえば、ＭＲ素子１０の周囲にあるシールドギャップ膜９に接続され、ＭＲ素子１０とシールドギャップ膜９との絶縁をチェックするために用いられるバンプおよびパッドが用いられる。しかし、予備バンプ３６ｂおよび予備パッド３７ｂは他の用途のものでもよく、新たに設けたものでもよく、より一般的には、スライダ形成部３ｂに設けられた第５のバンプおよびパッドである。

抵抗膜３２ａの右側の端部３２２からは、リード線３９ｂが、シールドギャップ膜９の上を、予備バンプ３６ｂまで延びている。予備バンプ３６ｂと接続している予備パッド３７ｂからは、接続線３８ｂが、オーバーコート層１６の積層面上面１６１を、読込みパッド２６ｂまで延び、さらに読込みパッド２６ｂから、隣接する切り代部４ｂのセンサー用パッド３３ｂまで、第１の実施形態と同じ接続線３４ｂが延びている。

このように、本実施形態は、読込み（または書込み）用のバンプと共用せずに、スライダ形成部にあるこれ以外のバンプを流用することに特徴がある。これによって、読込み（または書込み）用のバンプとの配線と分離し、構造がシンプルになり、不良率が低減するという効果がある。

図７Ａ，７Ｂは、参考形態のウエハにおける、抵抗膜のパッドへの接続方法の説明図である。図７Ａ，７Ｂは各々、図４Ａ，４Ｂに対応している。本参考形態では、第２の実施形態におけるのと同様な予備バンプおよび予備パッドを設けていることに加え、抵抗膜の設けられた切り代部に２つのパッドを設けている点に特徴がある。

抵抗膜３２ａの右側の端部３２２からは、第２の実施形態と同様のリード線３９ｂが、シールドギャップ膜９の上を、予備バンプ３６ｂまで延びている。予備バンプ３６ｂと接続している予備パッド３７ｂからは、接続線４０ｂが、切り代部４ａのセンサー用パッド３３２ａまで延びている。本参考形態は、スライダのリード線を跨がないため、ＭＲ素子１０や書込み素子のリード線にセンサー用のリード線に起因する浮遊容量を低減することができるという効果がある。

以上の実施形態及び参考形態では、ＲＬＧの代わりに、すなわち抵抗測定の代わりに、他のＥＬＧ、すなわち電気特性測定を用いることもできる。たとえば、ウエハの集積面に平行な絶縁膜を有したＴＭＲ素子を抵抗膜３２に置き換え、リード線３５をそのＴＭＲ素子のウエハ面方向の上下に接続し、抵抗膜３２の抵抗値測定の代わりに、ＴＭＲ素子のウエハ面上下間の電気容量を、ＡＢＳ形成面の研磨時に測定し、その容量変化で研磨量を測定してもよい。

本発明のウエハ、およびウエハを切断したバーの概略外形図である。 図１に示すバーのスライダ形成部と切り代部の部分拡大図である。 図１に示すバーのスライダ形成部の断面図である。 図１に示すバーのオーバーコート層の上面図である。 抵抗膜と、抵抗膜につながる配線およびパッドだけを抽出して示す斜視図である。 バーの研磨加工装置の概略構成図である。 本発明の第２の実施形態のウエハのバーのオーバーコート層の上面図である。 図６Ａに示すウエハの、抵抗膜と、抵抗膜につながる配線およびパッドだけを抽出して示す斜視図である。 本発明の参考形態のウエハのバーのオーバーコート層の上面図である。 図７Ａに示すウエハの、抵抗膜と、抵抗膜につながる配線およびパッドだけを抽出して示す斜視図である。

符号の説明

１ ウエハ
Ｇ ＡＢＳ形成面
２ バー
３，３ａ，３ｂ スライダ形成部
４，４ａ，４ｂ 切り代部
９ シールドギャップ膜
１０ ＭＲ素子
１１ リード線
１６ オーバーコート層
１６１ 積層面上面
２３ｂ，２４ｂ 書込みパッド
２５ｂ，２６ｂ 読込みパッド
２８ｂ，２９ｂ，３０ｂ，３１ａ，３１ｂ バンプ
３２，３２ａ 抵抗膜
３２１，３２２ 端部
３３ａ，３３ｂ，３３１ａ，３３２ａ センサー用パッド
３４ａ，３４ｂ，３８ｂ，４０ｂ 接続線
３５ｂ，３９ｂ リード線
３６ｂ 予備バンプ
３７ｂ 予備パッド

Claims (5)

1. 複数の膜が積層されて形成された、スライダとなる部分であるスライダ形成部が、１以上の列をなして搭載されたウエハであって、
   前記列は、該スライダの記録媒体対向面となる面であるＡＢＳ形成面が該列の長手方向の側面に現れる向きで配列された複数の前記スライダ形成部と、該スライダ形成部同士の間にそれぞれが設けられた複数の切り代部とを有し、
   前記切り代部の少なくともいずれかは、前記ＡＢＳ形成面に形成され、研磨にしたがい電気抵抗が変化する抵抗膜を有し、
   前記抵抗膜を有する前記切り代部に隣接する両側のスライダ形成部は各々、一端が、一つの同一の前記抵抗膜との間に設けられた電気的接続手段によって前記一つの同一の抵抗膜と各々電気的に接続され、他端が前記ウエハの積層部上面に向かって積層方向に延びるバンプを有し、
   一方の前記スライダ形成部の前記バンプの前記他端は、前記一つの同一の抵抗膜が設けられた前記切り代部の前記積層部上面に設けられた終端パッドに電気的に接続され、他方の前記スライダ形成部の前記バンプの前記他端は、前記一つの同一の抵抗膜が設けられた前記切り代部とは異なる、前記他方のスライダ形成部と隣接する他の前記切り代部の、前記積層部上面に設けられた終端パッドに電気的に接続されており、よって、前記一つの同一の抵抗膜に電気的に接続される２つの前記終端パッドが前記切り代部と前記他の切り代部とに分散配置されている、ウエハ。
2. 前記電気的接続手段は、前記抵抗膜の両側端部から、該抵抗膜が設けられた前記切り代部の内部を、隣接する両側の前記スライダ形成部の内部へ、互いに離れる向きに延びる一対のリード線を有し、
   前記バンプの各々は、前記リード線の各々と接続されている、請求項１に記載のウエハ。
3. 前記両側のスライダ形成部は各々、前記積層部上面に形成され、前記バンプの前記他端と電気的に接続された中継パッドを有し、
   前記中継パッドの各々は、前記積層部上面に形成され、前記積層部上面を延びる接続線によって前記終端パッドの各々と接続されている、請求項１または２に記載のウエハ。
4. 前記接続線は、前記スライダ形成部の読込み素子または書込み素子の電気信号を授受する素子用パッドを前記中継パッドとして、前記切り代部へ延びている、請求項３に記載のウエハ。
5. 前記バンプは、前記スライダ形成部の読込み素子または書込み素子の電気信号を授受する素子用のバンプと共用されている、請求項１から４のいずれか１項に記載のウエハ。

Images