JPS6010796A - 配線構造体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、熱処理される構造体における機械的および電
気的故障の防止に関するものであり、さらに具体的にい
えば、Ｃｕなどの腐食性材料上でのＣｏとＰを含むコー
ティング層の使用に関するものである。本発明は、通常
の場合ならＣｕ導線に悪い影響を与える恐れのある熱処
理を受ける多層フィルムを含む電子構造体中の、Ｃｕ導
線の保護に主に用いることができる。Ｃｏ　Ｐコーティ
ング層は、またＣｕとＡｕなどの接点金属との間の相互
拡散を防止する働きもする。

〔従来技術〕

導線は銅やその合金などの材料から製造されることが多
く、これらは様々な環境下で腐食しやすい。特に超小型
電子回路パッケージは、基板、少くとも１層の銅導線、
絶縁体の働きをする少くとも１層の有機誘電体（ポリイ
ミドなど）、それに追加的な数層の導線を含むのが普通
である。これらの構造体は有機誘電体を硬化させるため
に熱処理を施さなければならない。硬化サイクル中にこ
れらの有機物は、副生成物として水を放出することが多
い。また、これらの有機誘電体は、硬化させた後も、水
および他の大気汚染物に対して透過性を有する。パッケ
ージに銅または他の何らかの酸化性ないし腐食性金属な
いし合金を組込む場合、時間と共に回路が劣化するのを
防止するため、攻撃を受けやすい金属を保護しなければ
ならない。

多様の保護コーティング材料が考えられるが、適当な材
料の潜在的な数は、電子パッケージの別の要件によって
厳格に制限されている。１つの金属または合金と別のも
のとの間に物理的接触が成立している場合がしばしばあ
る。硬化、はんだ付け、ろう付けなどのパッケージ加工
段階中に構造体はしばしば長時間熱循環にさらされる。

熱循環期間中゛に金属間接触領域の相互拡散を防止しな
い限り、パッケージの電子的特性が変化する。特に金属
間相互拡散は、金属の導電性に悪影響を与える。小さな
寸法の導線では、このことは特に重大な問題である。

従って、酸化を含めて全ゆる種類の化学的攻撃に対して
導線を保護しなければならず、導線が接触する別の金属
との相互拡散に対して保護しなければならない。化学的
攻撃および相互拡散は、導線の導電性を損うだけでなく
、導線の有機誘電体への付着力に悪影響を及ぼすことも
ある。例えば、ポリイミド類は銅によく付着せず、従っ
て銅とポリイミドの間に（Ｃｒなどの）接着層を使用す
ることが先行技術で知られている。銅がポリイミドによ
く付着しないのは、銅表面にゆるく付着する銅酸化物が
形成されるためかもしれない。

化学的攻撃に対する保護、相互拡散に対する保護、およ
び導線の付着を実現するコーティングが無電解めっきで
できる場合には、製造の融通性が得られる。保護コーテ
ィングを電気めっきしなげればならない場合には、めっ
きベースが必要となり、またそれには追加的マスキング
・ステップが必要となる。その上、マスクを通しためつ
きによって導線を保護すると、導線の頂部しか被覆され
ないことになる。無電解めっきは、全面を保護する。電
気めっきの後には接触層を取除くステップが必要となる
。導線は極めて細いことが多いので、電気めっきの場合
に導線に電気接点を設けることは難かしい。ランドを設
けた場合でも、極めて長く細い線ではＩＲ（絶縁抵抗）
の低下が大きく、従ってめっきのために利用できる電流
の量は限られ、しばしばめっきが不良になる。従って無
電解めっきの可能な材料を使用すると、腐食性導線の全
ての露出面を保護するより簡単な方法かもたらされる。

コーテング層の付着に、蒸着やスパッタリングなどの方
法を用いるのは、腐食性材料の３つの露出面全てが保護
されないので不充分である。

先行技術では、Ｃｒ、Ｎｉ、ＮｉＰなどの材料が保護コ
ーティングとして使用されてきた。しかしこれらの材料
は、前記の相互拡散の点で全て不適当であり、また、あ
るもの（Ｃｒなど）は無電解めっきできない。Ｃｒを電
気めっきする場合、めっき液はＣｒイオンへの電子移動
を容易にする触媒を含んでいるが、電流効率は依然とし
て非常に低い。従ってＣｕ導線の全面保護にＣｒを使用
すると、複雑な電着方法を使用しなければならなくなる
。Ｃｒの無電解めっきについては文献ではっきりと触れ
られていないが、この系の電気化学的研究からは、無電
解Ｃｒめつきは実現できないことが示されている。何れ
にせよ、導線の全ての露出面を被覆するために直線的加
工法を使用することが極めて望ましい。

ニッケルはＣｕとの大規模な相互拡散が起こるために、
充分なりラッド材料でないことがわかっている。無電解
めっきされたＮｉＰおよびＮ　ｉ　Ｂ合金は、純粋Ｎｉ
より優れているが、導線の抵抗が大きく増大してしまう
。これらの合金と銅の相４− 互拡散の度合は、合金元素の濃度と直線関係はない。コ
バルトは、ニッケルよりもＣｕとの拡散の度合が小さい
が、それでも化学的攻撃に対して真に効果的な保護をも
たらさず、充分な相互拡散障壁とはならない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従って、下側にある銅、または他の腐食性導線の化学的
攻撃に対して充分な保護をもたらし、銅または他の腐食
性材料とそれと接触する可能性のある金属または合金と
の間の相互拡散を防止する材料を提供することが１本発
明の第１の目的である。

本発明の第２の目的は、腐食性導線への化学的攻撃およ
びこれらの導線と他の接触する金属との間の相互拡散を
防止するにの使用できる、改良されたコーティング材料
を提供することである。

本発明の第３の目的は、銅線をあらゆる種類の化学的攻
撃から保護する、銅線用の改良された保護コーティング
材料を提供することである。

本発明の第４の目的は、銅線を腐食性化学的攻撃から保
護し、銅線と他の金属との間の相互拡散障壁として使用
できる材料を提供することである。

本発明の第５の目的は、無電解めっきできるコーティン
グ層を使用して、銅線を保護することである。

本発明の第６の目的は、薄い層として無電解めっきする
場合に有効な、改良された銅線用コーティング材料を提
供することである。

本発明の第７の目的は、改良された保護材料層によって
金属線が腐食および相互拡散から保護されている、有機
誘電体と金属導線を含む改良された電子パッケージを提
供することである。

本発明の第８の目的は、コーティングが薄い層として付
着することができ、また銅または腐食性材料への化学的
攻撃および銅または他の腐食性材料と他の金属との間の
相互拡散を防止する、銅および他の腐食性材料用の改良
された保護コーティングを提供することである。

本発明の第９の目的はＣｕ線上にＣｏ　Ｐの保護コーテ
ィング層をもたらすことである。

本発明の第１０の目的は、銅と金などの他の金属との間
に使用でき、銅とこれら他の金属との間の相互拡散を防
止する、改良された相互拡散障壁を提供することである
。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の最も広いアスペクトでは、Ｃｕ線または腐食性
材料から構成される他の導線上に導線保護のためにＣｏ
Ｐのコーティングが設けられる。

Ｃｏ　Ｐ層は非常に薄く作ることができ、下側にある導
線を化学的攻撃から保護し、また物理的に接触する他の
材料との間の相互拡散から保護する。

本発明の別のアスペクトでは、基板、銅または他の腐食
性材料から構成される少くとも１つの導線層、少くとも
１つの通常は有機誘電体の絶縁層、および導線上にそれ
と接して付着されたＣｏＰ層を備えた電子パッケージが
もたらされる。この構造体は、銅または他の腐食性材料
への化学的攻撃なしに、硬化、はんだ付け、ろう付けな
どの熱処理を施すことができる。その上、ＣｏＰは導線
と。。Ｐ７□あゎ□１ニオ、ヵ、。□、。　′７− 間の相互拡散障壁として働く。ある具体例では、Ｃｏ　
ＰはＣｕとＡｕの間の相互拡散障壁として働く。

ＣｏＰは、化合物または無定形混合物あるいはＣｏＰと
Ｃｏ　Ｐ化合物の混合物など、様々な形で存在すること
ができる。一般に保護コーティングはＣｏとＰを含み、
Ｐは少くとも約２重量％の量で存在する。−例として２
８％のものは、厚さ約１０００人の適当なコーティング
をもたらす。

ＣｏＰは、電気めっきまたは無電解めっきすることがで
きるが、先に指摘したように無電解めっきが特に有利で
ある。ＣｏＰを保護コーティングとして使用すると、導
線が非常に細い超小型電子構造において非常に重要な効
用がある。例えば、特に重要な構造は、Ｓｉ、セラミッ
ク、ガラスなど機械的支持をもたらす基板に、典型的な
場合では幅６〜５０マイクロメートル、厚さ６〜５０マ
イクロメートルの薄い銅線の層が載っている構造である
。銅線は厚さ約５００人なしいそれ以上のＣｏ　Ｐのコ
ーティングによって保護されている。

８− ＣｏＰコーティングの最小厚さは、連続する薄いフィル
ムをもたらすぎりぎりの厚さであり、最大厚さは、通常
は電子パッケージの必要寸法によって決まる。すなわち
、保護コーティングは連続していなければならず、また
腐食と（必要な場合）相互拡散を防止するだけの厚さで
なければならず、かつ導線の必要寸法を大幅に変えるほ
ど厚くてはならない。本発明の重要な部分を構成するの
は、この超小型電子構造である。

〔実施例〕

本発明の実施に際して、ＣＯとＰを含む保護コーティン
グは、下側にある銅などの腐食性導体への化学的攻撃に
対する非常に効果的な保護をもたらし、また腐食性導体
とその導体と接触する他の金属層との間の有効な相互拡
散障壁をもたらすことがわかった。この保護によって、
硬化、はんだ付け、ろう付けなどの工程段階のた。めに
パッケージに当処理を加えなければならない、有機誘電
体層を含むパッケージ中で、非常に薄く幅の狭い導線を
有効に使用できる、改良された薄膜パツケ一一ジが得ら
れる。

第１図および第２図は化学的攻撃および相互拡散に対す
る保護が必要な典型的構造を示したものである。第１図
において、ガラス、セラミック、シリコンなどの基板１
０には導体１２を含む第１導体レベルが載っている。こ
れらの導体は典型的なものでは、銅、銅合金または銅を
しばしば含む他の材料である。従って導体は腐食性材料
から構成されている。このため導体１２上に薄い保護コ
ーティング層１４ないしクラッドが付着されている。絶
縁層１６は、典型的なものではポリイミドなどの有機誘
電体であるが、保護された導体１２の上に付着されてい
る。多くの多層パッケージでは、別の腐食性導体層１８
が設けられることがあるが、それもＣｏ　Ｐの保護層２
０によって保護されている。それに続いて、第２の絶縁
層２２が付着されるが、それもやはりポリイミドなどの
有機誘電体から構成することができる。最後に、第３の
導体層２４が設けられるが、これは第１図で示される超
小型電子パッケージ全体の中で別の導電機能または接触
機能のために使用される。

第２図は、相互拡散障壁としてやはりＣｏ　Ｐ保護層を
使用した構造を示したものである。第２図において、第
１図の基板１０と類似の基板２６に腐食性導体の層２８
が載っている。この場合も、これらの導体は典型的な場
合、銅または銅合金である。ＣｏＰの薄い保護層が導体
２８に付着されており、化学的攻撃からそれらを保護す
る働きをする。保護層３０は、また導体２８とその上に
ある金属層３２との間の相互拡散障壁として働く。

例えば、導体２８は、銅または銅合金から構成すること
ができ、金属層３２は金など別の導体とすることができ
る。ＣｏＰ保ｍＭは、導体２８と金属層３２の間の相互
拡散を防止する。第３図ないし第７図に関して後で説明
するものなど他の保護層の組成とは違って、Ｃｏ　Ｐは
銅と金の間の非常に有効な相互拡散障壁をもたらす。Ｃ
ｏ　Ｐ保護層によって保護される導体の種類としては、
Ｃｏ　Ｐよりも腐食性の大きい任意の種類の導体があり
、銅または銅合金を含む導体がその具体例である。

１１− 特に本発明は、銅を含む導体の保護が主目的であり、そ
の保護とは任意の種類の腐食的攻撃ならびに他の金属と
の相互拡散に対するものである。

Ｃｏ　Ｐ保護材料は、無定形構造や結晶構造を含めてど
んな構造形をとることもできる。コバルトとリンの化合
物ならびに合金、ＣＯとＣｏ　Ｐ化合物の混合物および
ＣｏとＰを含む混合物が適している。保護層は、保護機
能が実現できるようにピンホールがなく連続したもので
なければならず、その厚さは一般に腐食に対する保護と
導体を別の金属または相互拡散を起こす可能性のある材
料を接触させる場合には、相互拡散に対する保護をもた
らすだけの厚さである。−例としてリンを８％含み残り
はコバルトの合金は、約１０００人の厚さの場合が特に
適している。しかし、約５００人まで厚さが減ったもの
も適当と思われ、またｌ０００Å以上の厚さも使用でき
る。ＣＯＰ保護コーティングを使用する構造に応じて、
厚さの上限は全く任意である。

コーティング中のリンの割合は、かなり広い範１２− 囲に及ぶことができ、一般には約２〜１５重量％である
。これらの割合は、腐食および金など他の金属との相互
拡散から銅を保護しようとする場合に特に有用なことが
わかっている。具体的に言えば、これらの割合は、有機
誘電体と小さな寸法の銅導線を含む多層構造用に特に適
している。本発明の利点は、ＣＯとＰを含む層の保護特
性が、存在するＰの量によって余り影響されないことで
ある。一般に、約４００℃以下の温度では、鋼と接触金
属との間の相互拡散は、結晶粒界拡散によって進行する
。ＣｏＰでクラッドされた銅フィルムを加熱すると、結
晶粒界中で析出するＣ　Ｏ３Ｐの量が増していき、その
ため結晶粒界拡散過程が効果的に防げられる。

Ｃｏ　Ｐ保護層を無電解的に導線の３つの露出面に付着
させることができる。銅への無電解めっきを開始するに
は、まずＰｄ触媒を付着させる。　ＨＣＱＱｐＨ２にし
た常温の０．１ｇ／Ｑ　ＰｄＣＱ２溶液に浸たし、続い
て完全に洗浄すると無電解めっき過程が確実に開始され
る。この処理によつて鋼上に〈０．５μｇ／Ｃｍ”のＰ
ｄ被覆が得られる。この処理法は良好な銅の被覆をもた
らすが、パターン付けされた銅線をめっきする際には間
隔の狭い線の間の有機誘電体に金属が付着することがあ
る。（いわゆる外来被着ないしブリッジング）この外来
被着を減らそうと試みる際に、Ｐｄ活性化段階とＣｏＰ
の無電解めっきの間に洗液を使用することができる。こ
の洗液は、ｐＨ１１，２のＮＨ３水溶液または、ｐＴ−
１７，０の０．２ＭＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸
）溶液（ｏＨハＮａＯＨで調整する）のどちらかである
。

８％のＰを含むＣｏ　Ｐの無電解めっき用の代表的な溶
液は下記の組成である。

Ｃｏ５ｏ４　・７Ｈ２０３５ｇ／Ｑ Ｎ　ａ　Ｈ２Ｐ　Ｏ２・Ｈ２０４０ｇ　／　Ｑクエン酸
三ナトリウム二水和物　３５ｇ／Ｑ（ＮＨ４）２Ｓ○ａ
　７０　ｇ　／　ＱｐＨ（ＮＨ３による）９．５ 温度　８５８Ｃ 穏やかな攪拌速度　２１００人／分 ＣｏＰ合金の電着を記載した参照文献は、米国特許第３
０７３７６２号と第３２０２５９０号である。

次に、第３図ないし第７図を参照しよう。

これらの図は、アニーリング・サイクルの温度一時間間
隔を様々に変えた場合の、保護された銅線と保護されな
い導線の抵抗率を、アニーリング温度の関数としてプロ
ットしたものである。様々なりラッド金属を評価する場
合、クラッドされない線に比べて抵抗率が増していれば
、２つの金属間に相互拡散が存在することになる。アニ
ールの各温度一時間間隔の後に、サンプルを真空中で常
温にまで冷却し、４点プローブを用いて、その面積抵抗
率ρを測定した。抵抗率は、粒子サイズ、密度、不純物
などのためにサンプル毎に異なった。

このため全ての結果を付着サンプルの抵抗率ρ０に対し
て正規化した。これらの図で、銅線の相対抵抗率はρ／
ρ０で与えられ、図の水平軸は、温度（℃）を示し、温
度の下のかっこ内の数字は、お。□−ｒｃｎ工。。、ヶ
オ、アい、。　１１５− また抵抗測定値を用いて、ポリイミド硬化中の酸化によ
る導電性金属の喪失を示した。ポリイミドは、電気電子
パッケージングにおいて一般に使用される有機誘電体で
ある。いくつかのシート・サンプルでは、サンプル中心
部のポリイミドの一部をかき取ってから、標準的４点プ
ローブで測定した。このかき取りはプローブの近くの銅
に損傷を与え、抵抗測定に悪影響を及ぼす恐れがあるの
で、シート・サンプルの抵抗測定にファン・デル・ボウ
（Ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｐａｕｗ）の方法を使用した（Ｐｈ
ｉｌｌｉｐｓＲｅｓ　、　Ｒｅｐ七ｓ、、±３．１，１
９５８）、この方法は、ポリイミドを取り除いてサンプ
ルの周囲に任意に置かれた４つの接点を形成するもので
ある。ポリイミド硬化時の銅線の抵抗増大を４点プロー
ブで測定するためのパターン・サンプルも作成した。

サンプルにポリイミド硬化の際に出合う温度変動をシミ
ュレートした真空アニールを施して、第３図ないし第７
図に示した各種の保護材料と銅線との間の相互拡散を研
究した。金属の相互拡散の効果が酸化による効果によっ
て混乱されるのを防＝１６− 止するため、サンプルを１０’ｔｏｒｒの真空中でアニ
ールした。

銅と評価しようとする各種クラツド材との間の相互拡散
の度合を決定するには、まず銅のアニール挙動を知らね
ばならない。第３図は、保護されていない銅フィルムの
相対抵抗率のアニールに対する関係を示したものである
。サンプルが各温度に留まる時間をかっこ内に示す。サ
ンプルは、２００人のＮｂと１００人の銅からなる蒸着
めっきベースをもつ基板上の２．２μｍの電着銅からな
るものであった。観測された挙動は、付着層が鋼中に拡
散しない場合に期待されるものである。

パッケージング構造は、一般に銅線に誘電体に対する付
着力を与え、銅を腐食から保護するために、Ｃｒを使用
している。従って、第４図ないし第７図に関して説明す
る材料は、やはり第３図に図示したＣｒと比較すべきで
ある。このアニーリング・サイクルの条件下で、Ｃｒに
よってクラッドされた銅の抵抗率は、常に純粋の銅より
も幾分大きい。

ＣｒをＣｕ線の全露出面の保護に使用すると、上述のよ
うな複雑なプロセスの使用が必要となる。

この糸の電気化学的研究によれば、Ｃｒの無電解めっき
は、実現できたとしても非常に困難である。

第４図は、厚さ１０００人のＮｉ層を銅に付着させたと
きの相対抵抗率の変化を示したものである。蒸着Ｎｉと
電着Ｎｉの曲線は、区別できない。

曲線１が得られた後、アニーリング・サイクルがもう一
度室温で始まり、曲線２をもたらした。さらに４００℃
で５時間アニールすると、点３（ρ／ρｏ＝１．３１）
が与えられた。このサンプルの抵抗率の増加は、銅とニ
ッケルの相互拡散が大規模であることを示しており、従
って、ニッケルは保護コーティングとして劣っているこ
とになる。

第５図および第６図は、無電解めっきされたＮ　ｉ　Ｐ
とＮ　ｉ　Ｂの保護コーティングの祝状を図示したもの
である。第６図のフィルムの方が第５図のものよりもＢ
とＰの含有量が多い。これらの無電解Ｎｉ合金は、純粋
なＮｉよりも銅との相互拡散の度合が小さい。Ｐまたは
Ｂの濃度との明確な関係は認められなかった。

第７図はＣＯ保護層および８重量％のＰを含むＣｏＰ保
護層の使用を示したものである。純粋なＧｏは、純粋な
Ｎｉよりも、銅との相互拡散の度合が小さい。第７図は
ＣｏでコーティングしたＣｕのアニーリングで得られた
最もよい結果を示したものである。コバルトは、Ｃｒ（
第３図）よりも抵抗率の上昇度が小さい。しかし、Ｃｏ
をＰと無電解めっきで合金化すると、もっと好都合な挙
動が生じる。明らかなように、第７図の８重量％のＰを
含むＣｏＰの曲線は、第３図の保護されていないＣｕの
曲線とほぼ同じである。アニーリング自体によって（結
晶度などの効果により）銅の抵抗率が減少するので、コ
ーティングの値の基準は、このアニーリング・サイクル
での銅の挙動を示す第３図の下側の曲線である。第３図
と第７図を比較して明らかなように、ＣｏＰのみが事実
上相互拡散のない保護をもたらす。

□７．１２お５、ア、工２ア。−１□、、Ｊｏ、、、イ
、７．′−１９＝ は、抵抗率の上昇をもたらさない。４００　”Ｃでさら
に４時間装置いた後のρ／ρ０は０．８１であった。す
なわち、これらのアニーリングについての研究から、Ｃ
ｏ　Ｐは他の保護クラツド材よりも非常に優れている。

本発明を実施す範に際して、ＣｏとＰを含むフィルムは
、腐食性導体、特に銅を含むものに対する非常に優れた
保護をもたらすことがわかった。

この保護は、電子パッケージを作成するのに使用される
場合のような苛酷なアニーリング・サイクル中でも認め
られた。

本発明をその特定の実施例によって説明してきたが、当
該技術の専門家には自明なごとく、本発明の精神と範囲
から外れることなく、変更を加えることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明によればＣｕ、Ｃｕ合金
等腐食性金属材料上にｃｏおよびＰを含むコーティング
層を被着している。この場合無電解めっきを行うことが
でき、確実にＣｕ、Ｃｕ合２０− 金等の腐食を防止できる。また、このコーティング層を
介してＡｕ等他の金属層を被着した場合、両金属間の相
互拡散を回避でき、電子的特性を安定化することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ＣｏとＰを含む層で保護された少くとも１層
の腐食性導体を含む超小型電子パッケージから構成され
る、本発明が特に有用な種類の代表的構造体の端面図で
ある。 第２図は腐食性導体を保護し、また導体と別の金属との
間の相互拡散を防止するために、ＧｏとＰを含むコーテ
ィングが使用されている、代表的構造体の端面図である
。 第３図は、コーティングされていない軟鋼線とＣｒコー
ティングを備えた軟銅線について様々な時間と温度を示
した、相対抵抗率ρ／ρ０とアニーリング・サイクルの
関係を示した図である。 第４図は、Ｎｉコーティングで保護された銅導体の相対
抵抗率ρ／ρ０とアニーリング・サイクルの関係を示し
た図である。サンプルには、アニ−リング・サイクルを
２回旋した。 第５図は、Ｎ　ｉ　Ｐで被覆された銅導体とＮｉＢで被
覆された銅導体の相対抵抗率ρ／ρ０とアニーリング・
サイクルの関係を示す図である。 第６図は、Ｎ　ｉ　ＰとＮ　ｉ　Ｂの組成がそれに対応
する第５図の保護コーティングの組成とは異なる、Ｎｉ
層で保護された銅導体とＮｉＢ層で保護された銅導体に
ついての、相対抵抗率ρ／ρ０とアニーリング・サイク
ルの関係を示す図である。 第７図は、ＣＯココ−ィングで保護された銅導線と本発
明にもとづ＜ＣｏＰコーティングで保護された銅導線の
相対抵抗率ρ／ρ０とアニーリング・サイクルの関係を
示す図である。纂曇俳如修１２・・・・導体、１４・・
・・保護コーティング層。 ２３− 占 ＋ｖ　ｃＸ！、　Ｃｑ　１７）　６３ −　−　−　−　ｄ　ｃｈｉ ｎ　〜　−−＋Ｉ　＋ ン アメリカ合衆国ニューヨーク州 ゴールデンス・ブリッジ・ボー ルダー・レーン・ボックス１３ ０−６ビ一番地

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 腐食性導体上にコバルトおよびリンからなる保護コーテ
   ィング層を被着したことを特徴とする配線構造体。