JPS60101784U - ハイブリツド集積回路装置 - Google Patents

ハイブリツド集積回路装置

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JPS60101784U
JPS60101784U JP19399583U JP19399583U JPS60101784U JP S60101784 U JPS60101784 U JP S60101784U JP 19399583 U JP19399583 U JP 19399583U JP 19399583 U JP19399583 U JP 19399583U JP S60101784 U JPS60101784 U JP S60101784U
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JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
hybrid integrated
circuit device
outside
functional surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP19399583U
Other languages
English (en)
Inventor
治 古川
柾木　一彰
Original Assignee
ロ−ム株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by ロ−ム株式会社 filed Critical ロ−ム株式会社
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術に係るハイブリッド集積回路装置の一
実施例の一部切欠き分解図であり、第２図は本考案に係
るハイブリッド集積回路装置の一実施例の一部切欠き斜
視図である。 １０・・・基板、２０・・・発光ダイオード、２１・・
・発光タイオードの機能面、３０・・・ホトトランジス
　、夕、３１・・・ホトトランジスタの機能面、４０・
・・υ′−ド端子、５０・・・ケース、５１・・・ケー
スの入口　−７部、５２．５３−・・ケースの開口部、
７ｏ・・・絶縁性　　−。 樹脂コート。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）電気的に外部と接続される端子のほかに外部と作
    用する機能面を有する少なくとも１つの装置を装置した
    基板の前記機能面を除≦全面を絶縁物で被覆したことを
    特徴とするハイブリッド集積回路装置。
  2. （２）前記装置が光半導体装置であることを特徴とする
    実用新案登録請求の範囲第１項記載のハイ゛　　　ブリ
    ッド集積回路装置。
JP19399583U 1983-12-15 1983-12-15 ハイブリツド集積回路装置 Pending JPS60101784U (ja)

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JP19399583U JPS60101784U (ja) 1983-12-15 1983-12-15 ハイブリツド集積回路装置

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JPS60101784U true JPS60101784U (ja) 1985-07-11

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5379267A (en) * 1976-12-24 1978-07-13 Iwaki Denshi Kk Method of packaging hyb ic
JPS5438347U (ja) * 1977-08-22 1979-03-13

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5379267A (en) * 1976-12-24 1978-07-13 Iwaki Denshi Kk Method of packaging hyb ic
JPS5438347U (ja) * 1977-08-22 1979-03-13

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