JPS60100440A - 半導体薄片のろう付け方法 - Google Patents

半導体薄片のろう付け方法

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JPS60100440A
JPS60100440A JP20866084A JP20866084A JPS60100440A JP S60100440 A JPS60100440 A JP S60100440A JP 20866084 A JP20866084 A JP 20866084A JP 20866084 A JP20866084 A JP 20866084A JP S60100440 A JPS60100440 A JP S60100440A
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JP
Japan
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nozzle
stem
semiconductor film
solder
semiconductor thin
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Pending
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JP20866084A
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English (en)
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Ikuo Fujisawa
藤沢　郁夫
Hiroshi Kondo
洋 近藤
Takeo Kikuchi
武夫 菊地
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の八する技術分野〕 本発明は、例えば半導体片を、全屈基板に鉛・すず・は
んだのようなろうにより固着するろう付は方法に関する
。
〔従来技術とその問題点〕
このような固急においては、半導体薄片と金属基板との
間に生ずる中間ろう層の厚さを制御できることが望まし
い。例えば半導体薄片なステム上に軟ろう付する、いわ
ゆるチップマウント工程においては、ろう層すなわちは
んだの厚さをできるだけ薄くしかも一様にすることが、
でき上った半導体素子の特性の均一性の点からも、はん
だ付の信頼性の点からも望ましい。従来、チッフマウン
ト工程において、はんだ層の厚さを制御するには、半導
体薄片上に所定の７Ｉｃｆｌｔの重錘な載せる方法、半
導体薄片とステムの間にそう人するはんだ材の大きさあ
るいは厚さを規定する方法あるいはステムのマウント面
を加工して溝のようなはんだ材のにげ部を設ける方法な
どが採られていた。
しかし重錘を載せる方法には次の欠点がある。
ｆｉ＋はんだ付後重錘を取り外す手数を要する。
（２１Ｍ錘により半導体片の表面を傷つけるおそれがあ
る。
（３）重錘がずれることがある。
またはんだ材の糞を規定する方法には次の欠点がある。
（１）計量したはんだ板あるいははんだ球を予め載せる
工数がかかる。
（２）はんだ付温度、雰囲気あるいははんだの制置によ
って変化するはんだの広がりにはんだ４層の厚さが影響
される。
さらにはんだのにげを設ける方法にも次の欠点がある。
１１）マウントの加工のため高価になる。
（２）はんだの広がりにはんだ層の厚さが影響される。
〔発明の目的〕
本発明は、これらの欠点を解消し、ろう層の厚さを任意
にしかも精度よく制御できる半導体薄片のろう付方法を
提供することを目的とする。
〔発明の要点〕
金属基板上で加熱によりろうが融かされ、半導体薄片が
載置された後ノズルより半導体薄片に向って気体を所定
の圧力で吹き付けると同時に金属基板の半導体薄片とは
反対側からも別のノズルにより金属基板に向って該基板
を冷却するために吹き付けることを特徴とする半導体薄
片のろう付は方法。
〔発明の実施例〕
以下図を引用して本発明を説明する。
第１図は本発明の半導体薄片のろう付は方法において行
われるろう付けすなわちはんだ付けの各工程を示す正面
図で、キャリア１は半導体薄片がはんだ付されるステム
を載せて矢印方向に移動するものである。ステム２１に
おいては、その上面に載せられたはんだ板が図示しない
加熱装置によって融かされ、はんだ層３が形成されてい
る。はんだ層３は、予め行われるはんだ被覆工程により
、ステム２１の上面全体を覆っていてもよい。次の位置
にあるステムｎにおいては、融けたはんだ層３の上に、
はんだ付固着される半導体薄片４が載せられている。半
導体薄片４が小さいときには顕微鏡下で片の載置作業が
行われ、所定の位置に正確に置かれる。次の位置にある
ステム乙においては、半導体薄片４の上面が、その面に
ほぼ垂直なノズル５と対向している。ノズル５からは、
例えば窒素のような不活性ガスの気流が半導体薄片４に
吹付けられる。その状態を拡大して示したのが第２図で
、ノズル５から吹出した気流６が半導体薄片４の上面に
当り、そのノ虱圧により半導体薄片４はステムるに対し
て押付けられる。この結果、融解はんだ層３が図示のよ
うに側方に押出され、薄片４の下面におけるはんだ層の
厚さが薄くなる。この場合、層の厚さはノズル５から吹
出されるガスの量あるいはノズル５の半導体薄片４から
の高さによって調整できる。このノズル５から常温のガ
スが吹出される場合には、冷却のためにも役立ち、調整
された厚さのはんだ層３をその状態で急速に凝固させる
ことができる。ろう層３の温度が高いときあるいはステ
ム、キャリアなどの熱容量が大きいときには、１本のノ
ズルからの気流だけでは凝固のために必要な冷却に不十
分なことがある。
その場合は、ノズルを複数本紀して、最終的に層厚さ′
？副調整て凝固させるノズルの下に半導体薄片が達する
前に予冷しておくことが望ましい。特に、第１図に示す
ようにノズル５と反対側からステム裏面に冷却ガスを吹
付ける冷却だけのためのノズル７を設けることが半導体
薄片の大電流答化に伴なうステムの熱容量の増大に対し
て有効である。さらにノズル１本だけの風圧でははんだ
層３の厚さを十分に薄くできないときには、温度の高い
ガスを吹付けるノズルを設けて凝固時間を引きのばし、
はんだを十分に側方に押出すようにすることもできる。
さらに、ノズルから吹付けるガスとして清浄なガスを用
いれば、はんだ付は部付近に付着している塵埃などを吹
きとばす作用も行って、はんだ付は部の清浄化に役立た
せることもできる。また溶剤ガスの吹付けによって、付
着不純物を溶解除去することも可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明による半導体薄片のろう付
は方法は、単に半導体薄片に気流を吹付けるノズルを備
えるのみで、ろう層の厚さを制御可能にしたものであり
これを半導体薄片のろう付に適用するときは、重錘、ろ
う片の計量あるいはマウント部の加工などを必要とせず
、／待にチ、グマウントの自動化の際には極めて有効で
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例におけるろう何工程を示す正
面図、第２図は鄭１図の工程の一部を拡大図示する断面
図である。 ２１．２２，２３：ステム、３：ろう層、４：半導体薄
片、５：ノズル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属基板上に半導体薄片を加熱により解けたろうの上に
    載置し、その後冷却することにより半導体薄片を金属基
    板に固着させる方法において、金属基板上で加熱により
    ろうが解かされ反動体薄片が載置された後、ノズルによ
    り半導体薄片に向って気体を所定の圧力で吹きつけると
    同時に金属基板を半導体薄片が固着される側の金属基板
    面とは反対側の面からも別のノズルにより金属基板に向
    って該基板を冷却するように吹き付けることを特徴とす
    る半導体薄片のろう付け方法。
JP20866084A 1984-10-04 1984-10-04 半導体薄片のろう付け方法 Pending JPS60100440A (ja)

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