JPS5998149A - 半導電性樹脂組成物 - Google Patents

半導電性樹脂組成物

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Publication number
JPS5998149A
JPS5998149A JP20817382A JP20817382A JPS5998149A JP S5998149 A JPS5998149 A JP S5998149A JP 20817382 A JP20817382 A JP 20817382A JP 20817382 A JP20817382 A JP 20817382A JP S5998149 A JPS5998149 A JP S5998149A
Authority
JP
Japan
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copper
resin composition
ethylene
hydroxyphenyl
insulator
Prior art date
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Pending
Application number
JP20817382A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Shiina
椎名 利雄
Kiyoshi Watanabe
清 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導電性樹脂組成物に係り、特に高電圧用ポリ
オレフ1ン(架橋されたものも含む。)絶縁ケーブルの
半導電層などの銅のような金属と接触する個所に用いら
れる半導電性樹脂組成物の改良に関するものである。
ポリオレフィン、例えば、ポリエチレン、架橋ポリオレ
フィン、エチレンープロピレンゴムヲ絶縁体とする高電
圧用絶縁ケーブルにおいては、半導電層としてエチレン
−酢酸ビニルコポリマ、エチレ/−エチルアクリレート
コポリマ、エチレンプロピレンゴムポリエチレン、エチ
レン−ブテンコポリマ、エチレン−ブテンコポリマある
いはこれらの混合物などを母体として、これにカーイン
ブラックを添加して導電性を付与したものが使用されて
いる。
ところが、銅導体あるいは銅テープと直接接触する場合
は、水蒸気架橋のような製造工程中または使用中に浸入
する水分によって銅が変色したり、ひどい場合には腐食
することがある。特に導電性を付与するために添加する
カーインブラックが吸湿しやすく、カーインブラックを
添加し々いものにくらべてこの傾向が著しい。そのため
、防錆剤としてベンゾトリアゾールのような化合物を被
覆する方法が採用されているが、この効果は少ない。
また、汎用の銅害防止剤を半導電性コン・ξランrに添
加する方法も試みられているが、一般に高融点であるた
め分散しにくいという欠点がある。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、接触する銅などの金属を変色させだシ、絶縁
体へ移行してその絶縁体を汚染して電気的特性を悪化さ
せることがない半導体性樹脂組成物を提供することにあ
る。
本発明の特徴は、エチレン系ポリマを母体とする半導電
性コンノミランドに2,2・−オキサアミドビスエチル
−3(3,5−ジ−トリーブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネートを01〜5M量部添加した半導電
性樹脂組成物とした点にある。
エチレン系ポリマーを母体とする半導電性コンノミラン
ドに4,4′−チオビス−(6−ターンヤリジチル−m
−クレゾール)、2,2′−チオジエチルビス−〔3−
(3,5−ジ−ターンヤリブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)−ソロビオネート〕、ペンタエリノリチルーテト
ラキスC3−(3,5−ジ−ターシャリブチル−4−ヒ
ドロキンフェニル)フロビオネート〕のようなフェノー
ル系や含硫黄フェノール系の酸化防止剤を添加しても接
触する銅の変色防止には何隻効果がない。寸だ、これら
にジステアリルチオージプロピオネ−1・のようなチオ
エーテルを併用しても同様である。一方、ポリ−2’+
 2 、4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリンの
ようなアミン系酸化防止剤を添加すると銅変色防止効果
を示すが、絶縁体へ移行して絶縁体を汚染するとともに
浸水課電にする破壊電圧を低下させることが確認でれた
そこで、本発明においては、半導電性コン・ξランドに
2,2t−オキサアミドビスエチル−3(3゜5−ジ〜
1−1)−7’チル−4−ヒl−′ロキシフェニル)プ
ロピオネート〔商品名:ナラガードLX−1(ユニロイ
ヤル化学社製)〕を添加するようにしたが、それの構造
式は、 C112−〇H2 H−N−cr−r2−o−c=。
で、半導電性コンパウンドに添加すると、銅変色防止効
果を示すとともに、絶縁体を汚染することがないことが
実験的に確認された。
ただし、この配合物の添加量を5重量部以上とすると、
半導電性コン・ξランドの物性に影響し、まだ、01重
量部以下にすると、上記した効果が少なくなるので、添
加量を01〜5重量部に限定した。これにより、銅変色
防止効果、絶縁体汚染防止効果を生じ、かつ、浸水課電
後の破壊電圧の低下を少なくすることができた。
なお、酸化防止剤、滑剤、架橋助剤などを添加しても銅
変色防止効果は十分維持される。しかし、絶縁体への移
行により絶縁体を汚染して電気的特性を低下させること
があるので、それらの選択については十分注意する必要
がある。
以下本発明の実施例と比較例について説明する。
実施例1 エチレン−酢酸ヒニルコホリマ(VA、=19%、Ml
−15)100重量部に対してアセチレンブラック70
重量部を加えてなる半導電性コンパランIS″に2.2
1−オキサアミドビスエチル−3(3+、 s −y−
トv−−rチルー4−ヒドロキシフェニル)プロピオネ
ート10重量部、2 、5−)−メルチ−2,5〜7+
−(+−ブチルーツg−オキシ)−へキシン−310重
量部を添加してなる半導電性樹脂組成物。
実施例2 エチレンーエチルアクリレートコポリマ(EA量−18
%、MI= 20 )100重量部に対して実施例1と
同様アセチレンブラックと架橋剤とをそれぞれ同量添加
してなる半導電性コン・ξランドにさらに2,2′−オ
キサアミドビスエチル−3,(:3゜5−)−ト1)−
−1’チル−4−′ヒドロキシフェニル)プロピオネー
トを07重量部添加して々る半導電性樹脂組成物。
比較例1 実施例1において、ナラガードLX−1に代えて4.4
′−チオビス−(6−ターシャリブチル−m=クレゾー
ル)を1.OM量郡部添加たもの。
比較例2 実施例2に対して、ナラガードLX−1に代えてポリ−
2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリンを
07重量部添加したもの。
次に、上記した実施例1,2および比較例1.2に示し
だ半導電性樹脂組成物についての試験方法と試験結果に
ついて説明する。
(1)銅変色試験 半導電性樹脂組成物の厚さ約2■の未架橋ソート間に銅
線をはさみ、架橋剤の分解温度以下の温度で再成形した
後、圧力13に9/crr?−の水蒸気中で15分間架
橋した後、室温〜105℃の間でヒートサイクルを90
サイクル行い、銅の変色状態を目視観察した。
(2)絶縁体への移行による絶縁体汚染試験半導電性樹
脂組成物のシートと架橋ポリエチレン絶縁体シートとを
重ね合せ、両者が密ス・fするすうに荷重をかけ、室温
〜90℃の間でヒートサイクルを90サイクル行い、絶
縁体汚染の有無を目視観察した。
(3)浸水課電後の破壊電圧残率試験 各半導電性拉]脂組成物で半導電層を形成しだ6、6 
K V絶縁ケーブル(銅導体12o−1半導電層厚さ1
■、架橋ポリエチレン絶縁体厚さ35咽)を試作し、架
橋は水蒸気を用いて行い、これを9ocの水中でACI
OKVを印加し、30日後に課電をやめて破壊電圧を測
定し、初期値に対する残率(係)を求めた。
第1表は上記試験における試験結果である。
第  1  表 第1表に示すように、実施例1.2に示す半導電性樹脂
組成物を用いたものは、銅変色、絶縁体の汚染がなく、
しだがって、銅を腐蝕させたり、絶縁体の電気的特性を
悪化させることがない。また、浸水課電後の破壊電圧残
率は100%近くあり、破壊電圧の低下が微小である。
これに対して比較例1.2に示す半導電性樹脂組成を用
いたものは、銅変色、破壊電圧残率が不満足な結果にな
っている。
本発明に係る半導電性樹脂組成中のナラガードLX−1
の効果については、NH基が変色の要因となる銅イオン
と反応してキレート化合物を作って安定化するためと考
えられる。なお、上記した(2)、(3)の試験では、
架橋ポリエチレン絶縁体を用いているが、エチレン−酢
酸ビニルコポリマ、エチレン−エチルアクリレートコポ
リマ、エチレンプロ♂レンゴムなどの絶縁体を用いたケ
ーブルの場合でも同様の効果が得られる。また、ポリエ
チレンなどの架橋しないポリオレフィン絶縁ケーブルの
場合にも同様の効果が得られる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 エチレン系ポリマを母体とする半導電性コンパウンドに
    2,2′−オキサアミドビスエチル−3(3,5−ジ−
    トリーブチル−4−ヒP口キシフェニル)プロピオネー
    トを0.1〜511【置部添加してなることを特徴とす
    る半導電性樹脂組成物。
JP20817382A 1982-11-26 1982-11-26 半導電性樹脂組成物 Pending JPS5998149A (ja)

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JP20817382A JPS5998149A (ja) 1982-11-26 1982-11-26 半導電性樹脂組成物

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Publications (1)

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JPS5998149A true JPS5998149A (ja) 1984-06-06

Family

ID=16551864

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JP20817382A Pending JPS5998149A (ja) 1982-11-26 1982-11-26 半導電性樹脂組成物

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5366425A (en) * 1989-12-26 1994-11-22 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Control system for selecting a retarder mode shifting pattern for a self-propelled motor vehicle

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4145556A (en) * 1977-12-21 1979-03-20 Monsanto Company Oxamide stabilizers for organic materials

Patent Citations (1)

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