JPS5996220A - 鉄損の優れた薄物一方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
鉄損の優れた薄物一方向性電磁鋼板の製造方法Info
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- JPS5996220A JPS5996220A JP20583182A JP20583182A JPS5996220A JP S5996220 A JPS5996220 A JP S5996220A JP 20583182 A JP20583182 A JP 20583182A JP 20583182 A JP20583182 A JP 20583182A JP S5996220 A JPS5996220 A JP S5996220A
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- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
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- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発り］は鉄損の低い薄物一方向性電磁鋼板全製造する
ための仕上げ焼鈍方法に関するものである。
ための仕上げ焼鈍方法に関するものである。
一方向性’ｉｌＷ磁鋼板は軟磁性材料として生にトラン
スその他の電気機器の鉄心材料として使用さ九るもので
特に鉄損特性が良好でなくてはならない。
スその他の電気機器の鉄心材料として使用さ九るもので
特に鉄損特性が良好でなくてはならない。
一方向性電磁鋼板の鉄損特性を左右する要因としては結
晶方位の他に結晶粒度、′！１４板の電気抵抗及び′＆
厚等があげられる。
晶方位の他に結晶粒度、′！１４板の電気抵抗及び′＆
厚等があげられる。
従来からこれら要因を理想的な方向に近づけるためのイ
リ（究が行なわれて来ており、現在では板厚０．３０口
で８００ ＡＴ／ｉｎ ＆ておける磁束密度Ｂ８＝ １
．９４（Ｔｌ（テスラー）、１．７（Ｔ）、５０ Ｈｚ
（ヘルツ）における鉄損Ｗ１７１５ｐ ” ０．９７
％％１（ｇａ度のものまで工業的に製造することが可
能になって来ているが、更に鉄損の低い材料？得るには
製品板厚の薄い材料全安定に製造する技術が必要になっ
て来る。
リ（究が行なわれて来ており、現在では板厚０．３０口
で８００ ＡＴ／ｉｎ ＆ておける磁束密度Ｂ８＝ １
．９４（Ｔｌ（テスラー）、１．７（Ｔ）、５０ Ｈｚ
（ヘルツ）における鉄損Ｗ１７１５ｐ ” ０．９７
％％１（ｇａ度のものまで工業的に製造することが可
能になって来ているが、更に鉄損の低い材料？得るには
製品板厚の薄い材料全安定に製造する技術が必要になっ
て来る。
本発明の目的に鉄損の低い薄物一方向性電磁鋼板の製造
方法全提供せんとするものである。
方法全提供せんとするものである。
一方向性電磁鋼板は２次再結晶現象を利用して圧延面に
（１１０’）面、圧延方向に＜００１＞軸をもったいわ
ゆるＧｏｓｓ組織と称される２次再結晶粒を発達させる
ことによって得られる。この２次再結晶粒全発達でせる
ためには仕上げ焼鈍昇温過程の２次再結晶温度域までは
、１次再結晶粒の成長全抑制するいわゆるインヒビター
が必要でおる。
（１１０’）面、圧延方向に＜００１＞軸をもったいわ
ゆるＧｏｓｓ組織と称される２次再結晶粒を発達させる
ことによって得られる。この２次再結晶粒全発達でせる
ためには仕上げ焼鈍昇温過程の２次再結晶温度域までは
、１次再結晶粒の成長全抑制するいわゆるインヒビター
が必要でおる。
現在工業的に利用されているインヒビターとしてはＡｔ
Ｎ 、、ＭｎＳ 、ＭｎＳｅ ％ ＢＮ ’５がある
がこれらインヒビターとしての条件は微細に析出分散し
しがも一定の温度域捷で溶Ｐ斥せずサイズ変化を起さな
い４】が重要である。力ｌえて高温の純化過程に分いて
はこれが分鮮し鋼中から消失する事が大切である。
Ｎ 、、ＭｎＳ 、ＭｎＳｅ ％ ＢＮ ’５がある
がこれらインヒビターとしての条件は微細に析出分散し
しがも一定の温度域捷で溶Ｐ斥せずサイズ変化を起さな
い４】が重要である。力ｌえて高温の純化過程に分いて
はこれが分鮮し鋼中から消失する事が大切である。
この様なインヒビターを得るｖｃは？８８量の成分及び
成分調整にもとより、後工程の条件全厳密に制御するこ
とが１要である。特に仕上げ焼鈍は２次古結晶組織全発
達させる工程であるため昇温速度、雰囲気ガス等のわず
かな変化が磁気特性に大きく影響して来る。こｔ″Ｌｔ
／′ｉ昇温過程において舘」板中のインヒビターの析出
状態に変化をきたすからである。例えばＭｎＳ或いはＡ
ｔＮ ｆインヒビターとした材料を仕上げ畑−鈍する場
合、その雰囲気ガスに■〜Ｉ２とＮ２の混合ガスを使用
するとＮ２の含有量の違いによって窒化（Ｎ２含有量大
）或いは脱窒、脱侃（Ｎ２含有ｊｌ′Ｌ小）現象を起こ
しＡｔＮ 、 ＭｎＳの析出状；ｒ）、ｐ ｖｃ変変化
ケル、ひいては仕上げ焼鈍後の磁気特性が大きく変って
くる。
成分調整にもとより、後工程の条件全厳密に制御するこ
とが１要である。特に仕上げ焼鈍は２次古結晶組織全発
達させる工程であるため昇温速度、雰囲気ガス等のわず
かな変化が磁気特性に大きく影響して来る。こｔ″Ｌｔ
／′ｉ昇温過程において舘」板中のインヒビターの析出
状態に変化をきたすからである。例えばＭｎＳ或いはＡ
ｔＮ ｆインヒビターとした材料を仕上げ畑−鈍する場
合、その雰囲気ガスに■〜Ｉ２とＮ２の混合ガスを使用
するとＮ２の含有量の違いによって窒化（Ｎ２含有量大
）或いは脱窒、脱侃（Ｎ２含有ｊｌ′Ｌ小）現象を起こ
しＡｔＮ 、 ＭｎＳの析出状；ｒ）、ｐ ｖｃ変変化
ケル、ひいては仕上げ焼鈍後の磁気特性が大きく変って
くる。
第１図ばＡＪ−を含む３％珪素鋼板（板厚０．２３＋；
ｎｎ）の仕上げ焼鈍昇温過程における雰囲気ガスの違い
によるＡｔＮの変化を示したものである。図から判る様
にＮ２（２５％）十Ｈ２（７５襲）混合ガスを使用した
（ａ）でｔｒｉ焼鈍温度が高くなるにつれＡｔＮ０量は
増えてくる。この様な場合は２次再結晶粒は安定に発達
するが磁気特性としては好ましい方向ではない。逆に水
垢ガスのみで焼鈍した（ｂｌではＡｔＮが減少してくる
。これは脱窒現象によるもので、この様な場合（１２次
再結晶粒の発達は不安定になってくる。
ｎｎ）の仕上げ焼鈍昇温過程における雰囲気ガスの違い
によるＡｔＮの変化を示したものである。図から判る様
にＮ２（２５％）十Ｈ２（７５襲）混合ガスを使用した
（ａ）でｔｒｉ焼鈍温度が高くなるにつれＡｔＮ０量は
増えてくる。この様な場合は２次再結晶粒は安定に発達
するが磁気特性としては好ましい方向ではない。逆に水
垢ガスのみで焼鈍した（ｂｌではＡｔＮが減少してくる
。これは脱窒現象によるもので、この様な場合（１２次
再結晶粒の発達は不安定になってくる。
ｉｉＭ気的に非色に優れた材料が得られる条件はＡｔＮ
、 ＭｎＳの′ｉ１及び析出サイズが脱炭焼鈍１友と２
次１」１結晶開始近傍の温度とでほとんど変らない状態
にあることである。
、 ＭｎＳの′ｉ１及び析出サイズが脱炭焼鈍１友と２
次１」１結晶開始近傍の温度とでほとんど変らない状態
にあることである。
この様な状態を得るために本発明者等は特開昭５７−４
７８３０号公報においてＮ２ガス中に微酋の０２全添加
する方法を提案した。しかしながら化４反板厚が薄くな
ってくるとこの方法たけでは効果が弱く２次書結晶粒の
発達が悪くなってくる事が判−た。そこで板厚０．２７
５〜Ｏ，Ｊ５ｒｙｍの鋼板についてＮ２＋０２全ベース
に微量のＮ２あるいは微：ｉＪｊ：のＨ２Ｓゑ・単独あ
るいは複合で添加して英検全行なった結果非常に特性の
曖れた一方向性電磁鋼板が安定して得られる事が」」」
−た。
７８３０号公報においてＮ２ガス中に微酋の０２全添加
する方法を提案した。しかしながら化４反板厚が薄くな
ってくるとこの方法たけでは効果が弱く２次書結晶粒の
発達が悪くなってくる事が判−た。そこで板厚０．２７
５〜Ｏ，Ｊ５ｒｙｍの鋼板についてＮ２＋０２全ベース
に微量のＮ２あるいは微：ｉＪｊ：のＨ２Ｓゑ・単独あ
るいは複合で添加して英検全行なった結果非常に特性の
曖れた一方向性電磁鋼板が安定して得られる事が」」」
−た。
以下その詳Ａ、１１について述べる。
本発明の方法はＳ化合物、あるいはＮ化合物全インヒビ
ターとした電ｌｆｉ銅材料ＶＣ逸しているがここでは主
どして八ｔＮ ＋ ＭｎＳ ｆ利用し一回圧延法で処理
される電磁倫材料について述べる。
ターとした電ｌｆｉ銅材料ＶＣ逸しているがここでは主
どして八ｔＮ ＋ ＭｎＳ ｆ利用し一回圧延法で処理
される電磁倫材料について述べる。
不発り」に用いた素材はＳｉ２．５〜４．０％、酸可溶
性Ａ４０．０１０〜０．（］ ５ ％ （７）他［ＣＯ
，０，３５〜０．１００係、Ｍｎ ０．０３０〜０．２
０％、ｓ ｃｉ、ｏ Ｏ５〜０．０５０％全含む珪素鋼
塊あるいは連鋳スラブであり、夫自体公知の方法で熱延
板とした後、１２００℃以下、好ましくは］０００〜］
１５０℃で３０分以内の焼鈍、及び１０５０℃以下、好
ましくは８５０〜１０５０℃からの急冷工程より成る熱
延板焼鈍、急冷工程にかけ、ついで圧下率８０〜９５チ
の冷延工程によシ成品板厚とした彼、自体公知の方法に
より脱炭焼鈍をする。かくして得られた脱炭焼鈍板は、
焼鈍分離剤を塗布後仕上げ焼鈍されるが、この焼鈍にあ
た９次の条件を充すこと全必挟とする。
性Ａ４０．０１０〜０．（］ ５ ％ （７）他［ＣＯ
，０，３５〜０．１００係、Ｍｎ ０．０３０〜０．２
０％、ｓ ｃｉ、ｏ Ｏ５〜０．０５０％全含む珪素鋼
塊あるいは連鋳スラブであり、夫自体公知の方法で熱延
板とした後、１２００℃以下、好ましくは］０００〜］
１５０℃で３０分以内の焼鈍、及び１０５０℃以下、好
ましくは８５０〜１０５０℃からの急冷工程より成る熱
延板焼鈍、急冷工程にかけ、ついで圧下率８０〜９５チ
の冷延工程によシ成品板厚とした彼、自体公知の方法に
より脱炭焼鈍をする。かくして得られた脱炭焼鈍板は、
焼鈍分離剤を塗布後仕上げ焼鈍されるが、この焼鈍にあ
た９次の条件を充すこと全必挟とする。
雰囲気ガスはＮ２ガスに５ （１〜１０００ ｐｐｍの
０２ガスと更Ｋ １〜１０係のＮ２ヲ添加した混合ガス
を使用する。必要に応じてこれにＮ２Ｓ？：１０〜１１
０００ｐｐ添加する。この雰囲気ガスは昇温過程、特に
２次回結晶完了温ＩＪｊｔで必要であり、１］００℃以
上の純化過程に卦いてはＮ２単独あるいはＮ２ ＋ ０
２にする必要がある。
０２ガスと更Ｋ １〜１０係のＮ２ヲ添加した混合ガス
を使用する。必要に応じてこれにＮ２Ｓ？：１０〜１１
０００ｐｐ添加する。この雰囲気ガスは昇温過程、特に
２次回結晶完了温ＩＪｊｔで必要であり、１］００℃以
上の純化過程に卦いてはＮ２単独あるいはＮ２ ＋ ０
２にする必要がある。
なお、焼鈍分ｉ’ｉＩ剤としてはＭｇＯにＴ ｉ Ｏ２
を添加したもの等成に知られたものを用いることができ
る。
を添加したもの等成に知られたものを用いることができ
る。
本発明において上記の如く成分条件、焼鈍条件等を定め
た理由について以下に説明する。
た理由について以下に説明する。
まず出発素材の化学成分であるが、Ｓｔは２．５％より
少ないと電気抵抗が小さく渦電流損失が大きくなり、ま
た４％奢超すと冷間圧延性が劣化するので、２．５〜４
．０係と限定した。
少ないと電気抵抗が小さく渦電流損失が大きくなり、ま
た４％奢超すと冷間圧延性が劣化するので、２．５〜４
．０係と限定した。
Ａｔは釦ｉ中に含まれるＮと結合してＡＡＮの微細析出
物を形成し、強力なインヒビターとして働く。
物を形成し、強力なインヒビターとして働く。
とくに−回圧延性において２１次再結晶粒を十分発迷さ
せるには００１〜０．０５襲の範囲の酸可俗性ＡＡが必
要である。
せるには００１〜０．０５襲の範囲の酸可俗性ＡＡが必
要である。
Ｃは熱延組織を適正なものにし、ひいて（は脱炭も゛を
鈍後の１次再結晶粒４−整粒化し、２次再結晶粒を安定
に発達させるために必要な元累である。このＣ量は製品
板厚が薄くなる程高めていく事が好ましいが適量軛凹は
０．０３５〜０．１００％である。
鈍後の１次再結晶粒４−整粒化し、２次再結晶粒を安定
に発達させるために必要な元累である。このＣ量は製品
板厚が薄くなる程高めていく事が好ましいが適量軛凹は
０．０３５〜０．１００％である。
、Ｍｎ５ＳはＭ、ｎ’Ｓ分散析出相全形成し、インヒビ
ター効果を増進する。
ター効果を増進する。
この他第三元素、例えば９ｔ、量のＣｕ −、Ｓｏｌ
％ Ｃｒ ％ＳｂＸ？ｖｉｏ等の存在も有効である。
％ Ｃｒ ％ＳｂＸ？ｖｉｏ等の存在も有効である。
上記の成分を有する鋼塊あるいは連鋳スラブは熱延によ
シ熱延板とされる。熱延加熱温度ば］２００℃以上で行
なわれるが、望ましくは１２５０℃以上が好ましい。熱
延板は１２００℃以下、好ましくは１０００〜】１５０
℃で３０分以内の焼針金し、次いで８５０〜１０５０℃
から急冷する。上記熱延板焼鈍、急冷処理工程は鋼板ｌ
・焼鈍と急冷処理することによって微λ、田なＡｔＮ析
出物全形成させるために行なわｉする。従って、焼鈍温
度はＡＡＮの析出景全イ１（ｉ保するために１０００〜
１２００℃の温度が必要となる、冷却速度はＡＡＮの適
切な量をぽ保する範囲で行なわれる必要がある。例えば
９５０℃から室温まで冷却するに要する時間は３０〜６
０秒程度が有利である。
シ熱延板とされる。熱延加熱温度ば］２００℃以上で行
なわれるが、望ましくは１２５０℃以上が好ましい。熱
延板は１２００℃以下、好ましくは１０００〜】１５０
℃で３０分以内の焼針金し、次いで８５０〜１０５０℃
から急冷する。上記熱延板焼鈍、急冷処理工程は鋼板ｌ
・焼鈍と急冷処理することによって微λ、田なＡｔＮ析
出物全形成させるために行なわｉする。従って、焼鈍温
度はＡＡＮの析出景全イ１（ｉ保するために１０００〜
１２００℃の温度が必要となる、冷却速度はＡＡＮの適
切な量をぽ保する範囲で行なわれる必要がある。例えば
９５０℃から室温まで冷却するに要する時間は３０〜６
０秒程度が有利である。
前記した急冷処理によって冷却された熱延板は摩洗後、
圧延率８０％以上の強冷延によって成品板厚とさｎる。
圧延率８０％以上の強冷延によって成品板厚とさｎる。
成品板厚とされた銅板に１次男結晶ｋ ３：ｌｔねて脱
炭焼鈍ｅ ｈＧす。脱炭条件は公知のいず）′Ｌの方法
でもよいが通常８００〜９００℃、露点十り０℃〜＋７
０℃ノ湿水垢ガスあるいは水素と窒素の混合ガス中で２
〜３分間焼鈍される。
炭焼鈍ｅ ｈＧす。脱炭条件は公知のいず）′Ｌの方法
でもよいが通常８００〜９００℃、露点十り０℃〜＋７
０℃ノ湿水垢ガスあるいは水素と窒素の混合ガス中で２
〜３分間焼鈍される。
次に本発明の最も重要な構成要件であるところの２次再
結晶と不純物の除去を目的とする仕上げ焼鈍の雰囲気ガ
スについて述べる。前記した様にＭｎＳ及びＡｔＮ ’
ｃ主インヒビターとした電磁材料では、仕上げ焼鈍前の
析出状態を２次回結晶温既域までほとんど変化なく保つ
ような焼鈍条件全採用することによ！ｌｌ優れた磁気特
性を得ることができる。
結晶と不純物の除去を目的とする仕上げ焼鈍の雰囲気ガ
スについて述べる。前記した様にＭｎＳ及びＡｔＮ ’
ｃ主インヒビターとした電磁材料では、仕上げ焼鈍前の
析出状態を２次回結晶温既域までほとんど変化なく保つ
ような焼鈍条件全採用することによ！ｌｌ優れた磁気特
性を得ることができる。
）１２ガス中に微量の０２を添加することはこうした条
件′に得るために有効な方法であるが、銅板の板厚が本
発明が対象とする鋼板の如く薄くなってくると０゜添加
のみでは困難になってくる。
件′に得るために有効な方法であるが、銅板の板厚が本
発明が対象とする鋼板の如く薄くなってくると０゜添加
のみでは困難になってくる。
不発８Ａはかかる困Ω性を排除するために０２のほかに
１〜１０％のＮ２ガス及び必要に応じ゛て１０〜］００
０ｐｐｍのＮ２Ｓ’に添加するものである。この場合０
２の添加量Ｆ１５０〜１０００ ｐｐｍである。
１〜１０％のＮ２ガス及び必要に応じ゛て１０〜］００
０ｐｐｍのＮ２Ｓ’に添加するものである。この場合０
２の添加量Ｆ１５０〜１０００ ｐｐｍである。
第２図は雰囲気ガスと鋼板板厚と２次ＩＩ）結晶発生率
の関係會示したものである。図から判る様にＮ２単独（
ａ）、Ｎ２ ＋０２ （ｂ）の場合は、鋼板板厚が薄く
なる程２次再結晶率は劣化するが、Ｎ２１１ｉ独よｐＯ
２を添加したものの方が２次再結晶の発生率は良くなっ
ている。この０２の効果が現われる量は５０ ｐｐｍ以
上である。また０２が１１０００ｐｐを超えると鋼板表
面層に形成される表面被膜が劣化してぐる。こうした理
由から０２のＬト（は５０〜］ＯＯＯｐｐｍとした。
の関係會示したものである。図から判る様にＮ２単独（
ａ）、Ｎ２ ＋０２ （ｂ）の場合は、鋼板板厚が薄く
なる程２次再結晶率は劣化するが、Ｎ２１１ｉ独よｐＯ
２を添加したものの方が２次再結晶の発生率は良くなっ
ている。この０２の効果が現われる量は５０ ｐｐｍ以
上である。また０２が１１０００ｐｐを超えると鋼板表
面層に形成される表面被膜が劣化してぐる。こうした理
由から０２のＬト（は５０〜］ＯＯＯｐｐｍとした。
第２図（ｃ）は（ｂ）にＮ２：８裂全添加した結果であ
る。
る。
Ｎ２ガス全１〜１０％とした理由は１％未満では２次再
結晶発生への効果が弱く、一方１０％を超すと２次再結
晶は安定するが製品の磁気特性は劣ってくる。Ｎ２の添
加量は銅板板厚によって変える必要がある。つまり板厚
が厚い場合は添加量は少なくてもよいが、板厚が薄くな
ってくるとＮ量全増加してやる必要がある。
結晶発生への効果が弱く、一方１０％を超すと２次再結
晶は安定するが製品の磁気特性は劣ってくる。Ｎ２の添
加量は銅板板厚によって変える必要がある。つまり板厚
が厚い場合は添加量は少なくてもよいが、板厚が薄くな
ってくるとＮ量全増加してやる必要がある。
次にＨ２Ｓであるがこれは結晶の方向性の向上に役立つ
もので、脣に集材成分のＳの含有廿が０．０２５係以下
の材料に適用するとより効果的である。この添加量は］
Ｏｐｐｍ未満では効果がなく一方１１０００ｐｐ？超
える必要はない。Ｈ２Ｓの添加量が溶加すると表面被膜
の面から不利になってくる。
もので、脣に集材成分のＳの含有廿が０．０２５係以下
の材料に適用するとより効果的である。この添加量は］
Ｏｐｐｍ未満では効果がなく一方１１０００ｐｐ？超
える必要はない。Ｈ２Ｓの添加量が溶加すると表面被膜
の面から不利になってくる。
本発明全実施例にもとづいて説明する。
実施例 〕
Ｃ０，０６０％、Ｓｉ３．００％、Ｍｎ ０．０７５％
、８０．０２６％、ｍｏｌ Ａ）−０，０２７襲、ＮＯ
，００８０％を含む電磁鋼連続癖ｊ造スラブ全熱延し、
２．０覇厚みの熱延板とした。この熱延板に１１２０℃
、２分間のハ１？、鈍を施し、次いで冷間圧延７行ない
、０．２３ｉｍＪ！メの冷延＜ｉｎ板に什」二げ、次い
で８５０℃、２分間の脱炭焼鋪全１１２７５飴、Ｎ２２
５条の混合ガス（毅ｉ点（）３℃）雰囲気中で施した。
、８０．０２６％、ｍｏｌ Ａ）−０，０２７襲、ＮＯ
，００８０％を含む電磁鋼連続癖ｊ造スラブ全熱延し、
２．０覇厚みの熱延板とした。この熱延板に１１２０℃
、２分間のハ１？、鈍を施し、次いで冷間圧延７行ない
、０．２３ｉｍＪ！メの冷延＜ｉｎ板に什」二げ、次い
で８５０℃、２分間の脱炭焼鋪全１１２７５飴、Ｎ２２
５条の混合ガス（毅ｉ点（）３℃）雰囲気中で施した。
かくして脱炭焼鈍きれた冷延鋼板に、ＭｇＯ中にＴｉＯ
２５襲添加してなる焼鈍分離剤ｖ、 ｆｆｉ＊布し、次
の３通９の条件で仕上げ焼鈍を施した。
２５襲添加してなる焼鈍分離剤ｖ、 ｆｆｉ＊布し、次
の３通９の条件で仕上げ焼鈍を施した。
なお１２００℃での純化焼鈍はＨ２中で行なった。
これから判るようにｂ）の条件によって得られた製品の
鉄損特性が最も優れている。
鉄損特性が最も優れている。
実施例 ２
Ｃ０，０７２％、Ｓｉ ３．１０％、Ｍｎ ０．０７３
％、８０．０２２係、５ｏ４Ａｚ ０．０２ ｓ％、
ＮＯ，００８５％、ＳｎＯ，ＩＯ飴を含む電磁鋼連続鋳
造スラブ全熱延し、２．０マｊすみの熱延板とし、これ
に】】３０℃、２分間の焼鈍を施し、次いで冷間圧延を
行ない板厚０．２０ｍｍの冷延ｇ（ｌｉ板に仕上げた。
％、８０．０２２係、５ｏ４Ａｚ ０．０２ ｓ％、
ＮＯ，００８５％、ＳｎＯ，ＩＯ飴を含む電磁鋼連続鋳
造スラブ全熱延し、２．０マｊすみの熱延板とし、これ
に】】３０℃、２分間の焼鈍を施し、次いで冷間圧延を
行ない板厚０．２０ｍｍの冷延ｇ（ｌｉ板に仕上げた。
この冷延銀板に８５０℃、２分間の脱炭焼鈍１１１２７
５係、Ｎ２２５チの混合ガス（カー゛θ点６３℃）雰囲
気中で施し、次にＭｇＯ中にＴｉＯ２５”’添加してな
る焼鈍分離剤全酩布して、次の４通りの条件で仕上げ焼
鈍を施した。 □。
５係、Ｎ２２５チの混合ガス（カー゛θ点６３℃）雰囲
気中で施し、次にＭｇＯ中にＴｉＯ２５”’添加してな
る焼鈍分離剤全酩布して、次の４通りの条件で仕上げ焼
鈍を施した。 □。
なお１２００℃での純化焼鈍はｌ−１，中で行なった。
この結果から、ｂ）の条件によって得られた製品の磁気
特性が最も優れているのが判る。
特性が最も優れているのが判る。
第１１：２４はｐ、、ｔ ２含む３俤珪素鋼版（板厚０
．２３ｍｍ）の仕上げ７：ｊ’、３４％ケ（−温過・挨
における零囲、気ガスの違いによるＡｔＮの鋭化を示す
図、第２図は雰囲気ガスと５１Ｊ１版版厚と２次再結晶
発生率の関係を示した図である。 第７図 冬 〒 ミ
．２３ｍｍ）の仕上げ７：ｊ’、３４％ケ（−温過・挨
における零囲、気ガスの違いによるＡｔＮの鋭化を示す
図、第２図は雰囲気ガスと５１Ｊ１版版厚と２次再結晶
発生率の関係を示した図である。 第７図 冬 〒 ミ
Claims (1)
- Ｃ０６０３５〜０．１００％、Ｓｉ ２．５〜４．０％
及び硫化物あるいは窒化物を一次再結晶粒抑制剤として
含有する熱延銅板を、必要に応じて焼鈍し、１１ｉ１２
１以上の冷間圧延で０．２７〜Ｏ，］５’ｍｍの板厚の
冷延鋼板とし、更に該冷延鋼板に脱炭焼鈍と仕上げ焼鈍
を施して（ｊｌｏ）［（１０１〕集合Ｍｉ織を発達させ
るエイ呈において、仕上げ焼鈍の雰囲気ガスとして■１
２中に０２全５０〜１０００ ｐｐｍ添加し、更に１〜
１０％のＮ２あるい（ｒ１１０〜ｌｏ００ｐｐｍのＨ２
ｓ’ｅ単独あるいは複合で添加すること全特徴とする薄
物一方向性電磁鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20583182A JPS5996220A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 鉄損の優れた薄物一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20583182A JPS5996220A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 鉄損の優れた薄物一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996220A true JPS5996220A (ja) | 1984-06-02 |
| JPS6253574B2 JPS6253574B2 (ja) | 1987-11-11 |
Family
ID=16513428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20583182A Granted JPS5996220A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 鉄損の優れた薄物一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5996220A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5547324A (en) * | 1978-10-02 | 1980-04-03 | Nippon Steel Corp | Manufacture of al containing monodirectional silicon steel sheet with extremely high magnetic flux density |
| JPS5747830A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-18 | Nippon Steel Corp | Production of unidirectional electrical steel plate of superior watt loss |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP20583182A patent/JPS5996220A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5547324A (en) * | 1978-10-02 | 1980-04-03 | Nippon Steel Corp | Manufacture of al containing monodirectional silicon steel sheet with extremely high magnetic flux density |
| JPS5747830A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-18 | Nippon Steel Corp | Production of unidirectional electrical steel plate of superior watt loss |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6253574B2 (ja) | 1987-11-11 |
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