JPS5995266A - インドール誘導体およびその製法 - Google Patents

インドール誘導体およびその製法

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JPS5995266A
JPS5995266A JP58201151A JP20115183A JPS5995266A JP S5995266 A JPS5995266 A JP S5995266A JP 58201151 A JP58201151 A JP 58201151A JP 20115183 A JP20115183 A JP 20115183A JP S5995266 A JPS5995266 A JP S5995266A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規インドール誘導体その製法2よびβ−カル
ボリン−およびトリプトファン誘導体の製法に関する。
本発明によれば一般式■: 4 〔式中Rは4位、5位、6位または7位における水素、
ハロゲン原子1f周!fcは21J−1たけ任意の有機
基1個または2個を表わし、几1およびRFi同じが’
Ffcは異なってお9.かつ水素。
〇−原子数1〜3のアルキル、またはアルコキシ部およ
びアルキル部にそれぞれ〇−原子数1〜3を有するアル
コキシアルキルを表わし R3はフェニへ −000ア
ルキル、−PI3(アルキル)2.−802アリール、
−5o2アルキル、ルキル基はそれぞれ〇−原子数1〜
3を有し。
かつAおよびBはそれぞれそれ自体。−原子数1〜3の
アルキルを表わすかまたはNと一緒になってピロリジノ
、ピペリジノ、モルホリノlたけピペラジノ基を表わす
〕のインドール誘導体が得られる。
一般式■のインドール誘導体は一般式■:R14 1 15およ  4 〔式中几、R%RびRは前記のものを表わす〕のβ−カ
ル、dlJン誘導体および一般式V:〔式中Rは前記の
ものを表わす〕のトリプトファン誘導体を製造するため
の有用な中間生成物である。
カルボリン誘導体、特に置換されたβ−カルゼリン誘導
体は最近医薬研究で旨い関心を呼んでいる、それという
のも該誘導体は中枢神経系に対して治療上有用な作用全
発揮するからである。
これらは例えば鎮痙性、不安緩解、および筋肉弛緩並び
に鎮静効果を発現する。
この種の物質群の重要性(1多数の特許出願に反映され
ている(りlえは西ドイツ国特許出願公開第30158
16号、同第3023567号、同第3048318号
明細書および米国特許第3202667号明細寵)。
@換されたトリプトファンは例えば催眠作用を有する化
合物である。トリプトファンは例えば注入溶液、飼料等
の添加剤として広卸に使用されている。
式■、■、■、2よびVに2ける置換基Rは芳香族環の
4位、5位、6位lたは7位であってよく、その際置換
基Ri有する環はモノ置換ブたはジ置換されていてよい
。R1は水素、ハロゲンまたは任意の有機基であってよ
い。
ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭素およびヨウ素
が挙げられる。有機基として有利に0−原子fi1〜4
のアルキル、アルニlキシアルキルおよびアルコキシ基
、メチレンジオキシ、ベンジルオキシ、シアン、アルコ
キシ力ルゼニルおよびアルキル部にそれぞれC−原子数
1〜4を有するジアルキルアミノ基が挙げられる。
文献に記載された、β−カルセリンおよびトリプトファ
ン誘導体の製法は、多工程を介して進行し、かつ収率が
不十分である欠点を持つ〔アブラモヴイッ(R,A、 
Abramovitch )およびスペンサー(J、 
D、 5penser )共著、  ’ Advanc
esin Heterocycl、Ohemistry
 ’ 、第3巻、79頁)。
典型的なカルボリン−およびトリシトファン合成は次の
式によって説明される: /′ / インドール(1)から出発してホルムアルデヒドおよび
第2アミンを用いてグラミンもしくはグラミン類縁化合
′+/1IJ(2)’に製造し、これを塩基接触下にア
セトアミドマロンエステルと反応させてトリプトファン
先駆!IyI質(3)に変える。
すべての保護基の脱離および脱カルダギシル化後うセミ
形のトリプトファン(4)が、かつエステル化後トリシ
トファンエステル(5)が生成し、これからビシュラー
ーナピエラルスキー反応の条件下でアミノ基のアシル化
および環化後3.4−ジヒドロ−β−カルゾリン(6a
)が、かつビクテースペングラーによりテトラヒドロ−
β−カルゾリン(6b)が生成し、これ全脱水Kしてカ
ルボリン(7)に変える◇ 必然的に時間および収欧損失を伴なう多数の台底工程を
別としても特にビシュラーーナビエ率でしか実施可能で
はなく、その際敏感な部分水素化中間生成物が生じ、こ
れが種々の副反応?もたらすことがある。
ジーおよびテトラヒドロカルfリンにおける脱水累代反
応も屡々僅かな収率に終る。
この理由から、例えばデヒドロトリプトファン誘導体で
あるような不飽和インドール先駆物質で閉環反応を実施
できれば、それは方法技術皇 的に特に重要進歩と見なすことができよう、ただしその
際必要なデヒドロトリシトファン誘導口トリプトファン
誘導体におけるこの閉環反応を1.2−デヒドロカルミ
リン誘導体の代わりに芳香族カルボリン系が生じるよう
にして実施し得る場合に得られる。
芳香族力ルヂリンを与えるために円滑な閉環反応を可能
にする不飽和力)レゼリン先駆物質全開発するのが本発
明の課題である。
ところで一般式Iの1新規インド一ル誘導体が一方でデ
ヒドロトリプトファン誘導体としてトリットファンおよ
びトリプトファン類級化合物(1’L’=H,几3 =
OOOアルキル)を製造するための重要な中間生成物で
あることが判明した、それというのも新規インドール誘
導体は接触的水素化、所望により文献公知のキラルのロ
ジウム触媒で不斉水素化によって光学活性のトリシトフ
ァン先駆物質に変えることができ、これはエステルおよ
びアミジン基の加水分解によりトリプトファンもしくは
その類縁体を与えるからである。
更に一般式Iの新規インドール誘導体は他方で環化して
一般式■の所望のβ−カルボリンを得るだめの好適な先
駆物質であジ、その除熱負荷の際にも接触条件下での加
熱の際にも良好な収率で行なわれる。
熱負荷の場合には一般式Iのインドール誘導体を150
〜250℃、有利vc180〜220℃に加熱する。も
う1つの方法はインドール誘椹体を高沸点済剤、例えば
キノリンIたはジフェニルエーテル中で還流下に加熱す
ることである。カルボリン形成はインドール誘導体をキ
ャリヤ、例えばケイ酸上に蒸発容易な症剤、例えばジク
ロルメタンを用いて施し、かつ物質金負荷されたキャリ
ヤ全豹180〜210℃に加熱する場合にも認められ、
これは有利に球管炉中で回転下においても行なうことが
できる。
β−カルボリンにするだめの接触反応とは第一にプロト
ン接触反応と理解される。この反応はインドール誘4体
を例えば有機酸1例えば蟻酸、酢酸、ゾロピオン酸■た
はトリフルオル酢酸中で、ぼたは無機環境、例えばり/
酸、ポリリン酸Iたはオキシ塩化リン等中で加熱するよ
うにして実施される。不活性有機溶剤、例えばトルエン
、酢酸エチル、クオキサン、クメトキシエタン、アセト
ニトリル等も希釈剤として1更用することができる。
本発明による一般式Iのインドール誘導体の製造は1工
程で一般式Il: H 〔式中lLは前記のものt表わす〕のインドールを一般
弐■: 〔式中A′およびB′は前記のA:およびBと同じもの
を表わし、かつ]1.’ 、R’ 、R’ 身よびAお
よびBは前記のもの2表りす〕のアザ−ブタジェンと酸
の存在で畠度O〜50℃で反応させることより行なわれ
る。
溶剤≧よび同時に触媒として特に液状有機酸、例えば蟻
酸、酢肩、プロピオン酸、トリフルオル酢酸等が単独で
または他の不活性溶剤、例えばジクロルメタン、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、61エ
チルエステル、アセトニI−IJルとの混合物で好適で
あるが、しかし不活性溶剤(前記のような)中の接触に
の鉱酸、例えば硫酸、塩酸、ペルクロル識等が使用でき
る。同様に好適な触媒および浴剤はリン酸、ポリリン酸
、またはオギシ塩化リンである。最適な反応温度は選択
される触媒もしくは溶剤に応じて若干異なるが、しかし
一般VCθ〜100℃で1)、)!]フルオル酢醒中で
は列えば0〜50℃、有利に室温である。しかし条件の
選択は使用されるインドール中に尚存在する置換基によ
っても左右される。供与体置模されたインドールは一般
により迅速に反応し、したがって穏和な条件下では受容
体置換されたインドールよシも迅速に反応する。
一般式■のアザシタジエンの製造を次の列で説明する: 1)3−ジメチルアミノ−2−(ジメチルアミノメチレ
ンアミノ)−アクリル酸−エチルエステル(アザジエン
1) a)カントレーナ−他による(’Liebigs An
nOhem、 ’ 344頁(1980年))。
b)新たに蒸溜したグリシン−エチルエステル3.1t
にジメチルホルムアミドジエチルアセタール17.7f
およびカリウム−1−ブチラード0.3ft−加え、か
つ先ず80℃(浴温)で、次いで徐々に160℃(浴温
)に加熱し、その除土じるアルコールおよび他の易揮発
性取分を溶去する。5時間後桟分を高真空中で分別溶去
し、次いで更に1度球管で蒸溜する。収量:3.6S’
(54%);沸点150〜160℃70.05咽H?、
ガスクロマトグラフィーによる純度97%;5 nn  1.5550゜ 2)3−ジメチルアミノ−2−(ジメチルアミノメチレ
ンアミノ−クロトン酸−エチルエステル(アザジエン2
) N−(ジメチルアミノメチレン)−グリシン−エチルエ
ステル(カントレーナ−他による、’Liebigs 
Ann、Ohem、’ 、 1980年、344頁)4
.7f、ジメチルアセトアミドジメチルアセタール8v
およびカリウム−1−ブチラ−)0.4Fの混合物’i
 lb)と同様にして8時間生じるアルコールの溶去下
に加熱し、引続き分別蒸溜する。
3)2−ジメチルアミノ−1−(ジメチルアミノメチレ
ンアミノ)−エテンーホスホン酸−ジエチルエステル(
アザジエン3) アミノメタンホスホン酸ジエチルエステル3.7Fおよ
びt−ブトキシ−N 、 N 、 N’ 、 N’−テ
トラメチルメタンジアミンのアミナールエステル1st
の混合物を6時間約160℃に加熱する。球管中で16
0〜165℃および0.03mmで残分を分別蒸溜の後
タイトルの化合物4.2S’(69%)が得られる。
4)N2−(2−ジメチルアミノ−1−フェニルビニル
> −N1 、 N1−ジメチルホルムアミジン(アザ
ジエン4) カントレーナ−他による’ Liebigs Ann、
 Ohem−“−1980年(344頁)。
次に実施例につき本発明を詳説する。
例1 2−(ジメチルアミノメチレンアミノ)−3−(3−イ
ンドリルクーアクリル酸−エチルエステル a)インドール2.3tおよびアザジエン(1)6.4
tf水冷下にトリフルオル酢酸40m7!とともに溶か
し、かつ室温で48時間攪拌する。
引続き氷水上に注ぎ、炭酸水素す) IJウム溶液で中
和し、かつ酢酸エチルで抽出する。
有機相の濃縮後残分全ケイ酸ゲル力へラムを介して酢酸
エチルを用いてクロマトグラフィー処理し、最後にトル
エンから再結晶させる。融点138℃の生成物2t(3
5%)が得られる。
b)アザジエン(1)1.3fをジクロルメタン10m
1に溶かし、水冷下にトリフルオル酢酸4.5m1.’
i加える。インドール0.47fの添加後0℃で2時間
、次いで室温で72時間攪拌する。
前記のようにして後処理の後融点137℃(トルエン〕
の生成物6507ny(57チ)が得られる。
例2 2−(ジメチルアミノメチレンアミノ)−3−(5−ベ
ンジルオキシ−3−インドリル)−アクリル酸−エチル
エステル 5−ベンジルオキシインドール2.22およびアザジエ
ン(1)3.6f’i氷酢酸17m1.中で24時間5
0℃に加熱する。後処理後融点140℃(トルエン)の
生成物2.5f(65チ)が得られる。
例3 2−(ジメチルアミノメチレンアミノ)−3−(4−シ
アノ−3−インドリル)−アクリル酸−エチルエステル アザジエン(1)320■にトリフルオル酢酸2.5m
Ft加−え、かつ室温で10分攪拌する。次いで4−シ
アノ−インドール1゛40■を添加し、かつ溶液を窒累
下に1時間80℃に加熱する。
後処理後融点159℃(エタノール〕の生成物140m
9(45チ)が得られる。
例4 1−(ジメチルアミノメチレンアミノ)−2−(3−イ
ンドリル)−エテンーホスホン酸−ジエチルエステル 製造は例1bと同様にしてインドールとアザジエン3か
ら行なう。
一般式Iの化合物を使用して一般式■のβ−カルホリン
を製造する方法を以下の操作方法によって説明する: 1)β−カルホリン−3−カルデン酸−エチルエステル a)例1によるインドール誘導体28Srngk球管装
置中で約100關Hfの真空下に1時間200〜210
℃に加熱する。冷却後反応生成物全トルエン/テトラヒ
ドロフラン中に酵かし、かつケイ酸ゲルで濾過し、最後
にアセトニトリルから再結晶させる。融点233〜23
5℃の化合物120即(50%)が得られる。
b)同4mに前記のβ−カルホリンエステルは、インド
ール誘導体(例1)全キノリンに溶かして200℃に6
時間7IO熱する場合に得られる。
C)インドール誘導体(例1)を少鞭のジクロルメタン
に溶71為シ、ケイ酸ゲルに施し、かつこの物質を体管
中で1時間200℃に加熱する際に前記のβ−カルボリ
ンエステルが同様に得られる。
d)インドール誘導体(例1)をトリフルオル酢酸中で
約80℃に加熱する場合に前記のβ−カルチリンエステ
ルが同様に得られる。
e)インドール誘導体(例1)を氷酢酸中で還流加熱す
る場合に前記のβ−カルチリンエステルが同様に得られ
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式I: 〔式中Rは4位、5位、6位または7位にお  2゜け
    る水素、ハロゲン原子1個または2個、lたは任意の有
    機基1個または2個?表わし。 R1およびB、′は同じかまたは異なっており、かつ水
    素、C−原子数1〜3のアルキル、また  3゜はアル
    コキシ部およびアルキル部にそれぞれ0−11Jj子数
    1〜3を有する2ルコキシアルキルに表bLha’はフ
    ェニル、−Cooアルキル。 −P(”)3(アルキル)2、−5o2アリール、−5
    o2を表わし、その際アルキル基はそれぞれ〇−原子数
    1〜3を有し、かつAおよびBはそれぞれそれ自体C−
    原子数1〜3のアルキルを表わすかまたはNと一緒にな
    ってピロリジノ、ピペリジノ、モルホリノまたはピペラ
    ジノ基を表わす〕のインドール誘導体。 2−(ジメチルアミノメチレンアミノ)−3−(3−イ
    ンドリル)゛−アクリル酸エチルエステルである、特許
    請求の範囲第1項記載の化合物。 2−(ジメチルアミノメチレンアミノ)−3−(5−ベ
    ンジルオキシ−3−インドリル)−アクリル酸エチルエ
    ステルである、特許請求の範囲第1項記載の化合物。 4.2−(ジメチルアミノメチレンアミノ)−3−(4
    −シアノ−3−インドリルンーアクリル酸エチルエステ
    ルである。特許請求の範囲第1項記載の化合物。 5.1−(ジメチルアミノメチレンアミノ)−2−(3
    −インドリル)−エテンホスホン酸−ジエヂルエステル
    である。特許請求の範囲第1項記載の化合物。 6一般式I: 、1 〔式中Rは4位、5位、6位Iたけ7位における水素、
    ハロゲン原子1個または2個、またけ任意の有機基1個
    または2個を表わし。 R1およびTL4は同じかまたは異なっており、かつ水
    素、〇−原子数1〜3のアルキル、lたはアルコキシ部
    およびアルキル部[(−れぞれC−原子数1〜3全有す
    るアルコキシアルキルヲ表わL * RId−フェニル
    、−COOアルキル、−p o s (アルキル)2、
    −8O2アリール、−8O2アルを表わし、その際アル
    キル基はそれぞれ〇−原子数1〜3全有し、かつAおよ
    びBはそれぞれそれ自体C−原子数1〜3のアルキルを
    表わすか1だはNと一緒になってピロリジノ、ピペリジ
    ノ、モルホリノまたはピペラジノ基を表わす〕のインド
    ール誘導体を製造するための方法において、一般式■: 〔式中Rは前記のものを表わす〕のインドールを一般式
    ■: A’   B’ \N/ 〔式中A′およびB′は前記のAおよびBと同じものを
    表わし、かつ凡1、R3、R4およびAおよびBは前記
    のものを表わす〕のアザ−シタジエンと酸の存在で温度
    O〜50℃で反応させること全特徴とする、インドール
    誘導体の製法。 2一般式■: 〔式中Rは4位、5位、6位または7位における水素、
    ハロゲン原子1個lたは2個、Iたけ任意の有機基1個
    または2個を表わし、RおよびR4は同じかまたは異な
    っており、かつ水素、〇−原子数1〜3のアルキル、ま
    たはアルコキシ部およびアルキル部にそれぞれ〇−原子
    数1〜3を有するアルコキシアルキルヲ表わし、かつR
    3はフェニル、−000アルキル、−P Os (アル
    キル)2、−802アリール、を表わし、その際アルキ
    ル基はそれぞれC−原子数1〜3を有する〕のβ−カル
    ys IJン誘導体を製造するための方法において、一
    般式: 〔式中几、R1、FL3およびRは前記のものを表わし
    、かりAおよびBはそれぞれそれ自体C−原子数1〜3
    のアルキルを表わすかまたはNと一緒になってピロリジ
    ノ、ピペリジノ。 モルホリノ−1fcはピペラジノ基を表わす〕の化合物
    を使用することを特徴とする、β−カルボリン誘導体の
    製法。 〔式中Rは4位、5位、6位互たは7位における水素、
    ハロゲン原子1個または2個、または任意の有機基1個
    またld2個を表わす〕のトリプトファン誘導体を製造
    するための方法において、一般式に 4 A/\B 〔式中Rは前記のものを表わし、RおよびFL4は同じ
    かIたけ異なっておジ、かつ水素、0−原子数1〜3の
    アルキル、またはアルコキシ部およびアルキル部にそれ
    ぞれC−原子数1〜3全有するアルコキシアルキルを表
    わし、R,5はフェニル、−oooアルキル、−po3
    (アルキル)2、−802アリール、−5o2アルキル
    、ルキル基はそれぞれ〇−原子数1〜3を有し、かつA
    およびBはそれぞれそれ自体〇−原子数1〜3のアルキ
    ルを表わすかIたはNと一緒になってピロリジノ、ピペ
    リジノ、モルホリノまたはピペラジノ基を表わす〕の化
    合物を使用することを特徴とする、トリプトファン誘導
    体の製法。
JP58201151A 1982-10-29 1983-10-28 インドール誘導体およびその製法 Granted JPS5995266A (ja)

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DE3240513.8 1982-10-29

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