JPS5994823A - 紫外線洗浄装置 - Google Patents
紫外線洗浄装置Info
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- JPS5994823A JPS5994823A JP57204571A JP20457182A JPS5994823A JP S5994823 A JPS5994823 A JP S5994823A JP 57204571 A JP57204571 A JP 57204571A JP 20457182 A JP20457182 A JP 20457182A JP S5994823 A JPS5994823 A JP S5994823A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は洗浄効果の優れた紫外Ｓ洗浄装置に関するもの
でおる。
でおる。
紫外線う／プより発生するオゾンを利用して汚染物を分
解洗浄することが従来より行なわれている。例えばシリ
コンウエノ・−に感光１／シストを塗布する際の前処理
として、シリコ／ウエノ・−に付着した大気中の有機汚
染物を塗布直前に追カロ洗浄することにより分解したり
、電子ビームによるスパッタリング蒸着の際に基体に付
着した真空ポンプの油などによる有機汚染物と同じく追
加洗浄すると塗布膜或は蒸着膜の密着性を著しく向上す
ることができることが明らかに力っている０ところで紫
外線ラン六例えは低圧水０ランフ。
解洗浄することが従来より行なわれている。例えばシリ
コンウエノ・−に感光１／シストを塗布する際の前処理
として、シリコ／ウエノ・−に付着した大気中の有機汚
染物を塗布直前に追カロ洗浄することにより分解したり
、電子ビームによるスパッタリング蒸着の際に基体に付
着した真空ポンプの油などによる有機汚染物と同じく追
加洗浄すると塗布膜或は蒸着膜の密着性を著しく向上す
ることができることが明らかに力っている０ところで紫
外線ラン六例えは低圧水０ランフ。
を点灯すると、主として波長が２５４ ｎｍの水銀４（
鴫線の紫外線が外部に放出され、従として１８５ｎｍの
紫外線が、示には他の波長のもの力；わず力・に放出さ
れる。そしてこれらの紫外線によるオン゛／の生成機構
とその洗浄作用は次のように考えられている。
鴫線の紫外線が外部に放出され、従として１８５ｎｍの
紫外線が、示には他の波長のもの力；わず力・に放出さ
れる。そしてこれらの紫外線によるオン゛／の生成機構
とその洗浄作用は次のように考えられている。
ｈν（１８５ｎｍ） ＋ Ｏ，（空気） →ｏ＋ｏ
（１）ｏ ＋ ｏ、 （空気） → ｏ ３
（２）ｈν（２５４ｎｍ）＋ Ｏ，→Ｏ＋Ｏ，（３）０
１に４０ｍＨｎＯ１（有機汚染物） →ｃｏ、 ｃｏ、 、馬０（カス化して飛散）（４）即
ち、波長１８５ｎｍの紫外線によってオゾンが生成し、
次にこのオゾンが波長２５４ｎｍの紫外線により分解さ
れて発生基の酸素が生成し、この発生基の酸素が有機汚
染物を分解してガス状態で飛散させるものである。従っ
て（４）式の反応を効率良く高速度で行せるには（１）
、 （３）式の”（１８５ｎｍ）とｈν（２５４ｎｍ）
の強度が相互に調和のとれたものの方が良いと思われる
。つまり、これらの強ｅをそれぞれ１１□、Ｘ０４とし
たとき、これらの比α−１１８！１／ 工！！１４は紫
外線洗浄の効率上型費な因子と思われる。しかるに、従
来実用化された装置や研究報告によればαの値がいずれ
も小さな、そして限られた範囲のものであり、例えばそ
の値が０．０３（ｒ洗浄設計」 近代編集性 １９８１
年秋季号）であり、−また００５（昭和５７年応用物理
学会報告２８ａ−Ｖ−３）であって、必ずしも広範囲に
わたって調査研究したうえでの最適値とは言い難いこと
が分った。
（１）ｏ ＋ ｏ、 （空気） → ｏ ３
（２）ｈν（２５４ｎｍ）＋ Ｏ，→Ｏ＋Ｏ，（３）０
１に４０ｍＨｎＯ１（有機汚染物） →ｃｏ、 ｃｏ、 、馬０（カス化して飛散）（４）即
ち、波長１８５ｎｍの紫外線によってオゾンが生成し、
次にこのオゾンが波長２５４ｎｍの紫外線により分解さ
れて発生基の酸素が生成し、この発生基の酸素が有機汚
染物を分解してガス状態で飛散させるものである。従っ
て（４）式の反応を効率良く高速度で行せるには（１）
、 （３）式の”（１８５ｎｍ）とｈν（２５４ｎｍ）
の強度が相互に調和のとれたものの方が良いと思われる
。つまり、これらの強ｅをそれぞれ１１□、Ｘ０４とし
たとき、これらの比α−１１８！１／ 工！！１４は紫
外線洗浄の効率上型費な因子と思われる。しかるに、従
来実用化された装置や研究報告によればαの値がいずれ
も小さな、そして限られた範囲のものであり、例えばそ
の値が０．０３（ｒ洗浄設計」 近代編集性 １９８１
年秋季号）であり、−また００５（昭和５７年応用物理
学会報告２８ａ−Ｖ−３）であって、必ずしも広範囲に
わたって調査研究したうえでの最適値とは言い難いこと
が分った。
そこで本発明は、紫外線ランプのブＣでオゾンを発生さ
せ、このオゾンの分解により生成される酸素により物体
の表面に付着した有機汚染物や流体中に浮遊する有機汚
染物などを、消費′電力が少く、かつ著しく効率よく高
速で分解して洗浄することが可能な紫外線洗浄装置を提
供することを目的とし、本発明者らがαの値を従来にな
い広範囲にわたって変化させて鋭意調査研究した結果、
αの最適範囲を見い出して本発明を完成したものである
。
せ、このオゾンの分解により生成される酸素により物体
の表面に付着した有機汚染物や流体中に浮遊する有機汚
染物などを、消費′電力が少く、かつ著しく効率よく高
速で分解して洗浄することが可能な紫外線洗浄装置を提
供することを目的とし、本発明者らがαの値を従来にな
い広範囲にわたって変化させて鋭意調査研究した結果、
αの最適範囲を見い出して本発明を完成したものである
。
そしてその構成は、前述の紫外線洗浄装置においてα＝
Ｌ ８！ ／ ■２５４の値が０．０８から０．３の範
囲に設定された光源系を備えたことを特徴とするもので
ある。なお、α−Ｌｓｓ／Ｉｔｓ４の測定はランプ発光
部の中央点より軸の垂直方向に発光点の１０倍以上離れ
た位置での軸に平行な面上でのエネルギー密度の比で近
似させた。そして１１３５ｎｍの紫外線は空気に吸収さ
れるので真空中か非吸収雰囲気中で測定した。
Ｌ ８！ ／ ■２５４の値が０．０８から０．３の範
囲に設定された光源系を備えたことを特徴とするもので
ある。なお、α−Ｌｓｓ／Ｉｔｓ４の測定はランプ発光
部の中央点より軸の垂直方向に発光点の１０倍以上離れ
た位置での軸に平行な面上でのエネルギー密度の比で近
似させた。そして１１３５ｎｍの紫外線は空気に吸収さ
れるので真空中か非吸収雰囲気中で測定した。
以下に図面により本発明の実施例を具体的に説明する。
図面は本発明の紫外線洗浄装置を簡略化して模式的に示
したものであるが、第１図において箱状の本体１内には
ベルトコンベヤー２が張設され、このコンベヤー２上に
はフィルター６を介して低圧水銀灯の紫外線ラング４が
設置されている。そして入口１ａからコンベヤー２上に
載せられた被洗浄体５はランプ４で照射されて洗浄され
ながら進み、ランプ４の下を通過し終るときには洗浄が
完了して出口１ｂより取り出される。本体１の下方には
吸引ファン６が設けられ、冷却空気やオゾン、更には分
解された気体状の汚染物などが排出される。第２図は被
洗浄体が流体であり、その内に汚染物が浮遊している場
合に用いられる実施例を示したものであり、内部を被洗
浄体が所足速度で流動する管体７には合成石英製の窓孔
７ａが設けられ、その上部にランプ４が設置されて窓孔
７ａを通して紫外線が管体７内に照射される。そして被
洗浄体が窓孔７ａの部分を通過し終ると洗浄が完了する
ようになっている。
したものであるが、第１図において箱状の本体１内には
ベルトコンベヤー２が張設され、このコンベヤー２上に
はフィルター６を介して低圧水銀灯の紫外線ラング４が
設置されている。そして入口１ａからコンベヤー２上に
載せられた被洗浄体５はランプ４で照射されて洗浄され
ながら進み、ランプ４の下を通過し終るときには洗浄が
完了して出口１ｂより取り出される。本体１の下方には
吸引ファン６が設けられ、冷却空気やオゾン、更には分
解された気体状の汚染物などが排出される。第２図は被
洗浄体が流体であり、その内に汚染物が浮遊している場
合に用いられる実施例を示したものであり、内部を被洗
浄体が所足速度で流動する管体７には合成石英製の窓孔
７ａが設けられ、その上部にランプ４が設置されて窓孔
７ａを通して紫外線が管体７内に照射される。そして被
洗浄体が窓孔７ａの部分を通過し終ると洗浄が完了する
ようになっている。
次にαを広範囲にわたって変化させて洗浄効果をρ１査
した結果を説明すると、使用したランプ４は管径２０１
１１Ｉ＋＋１ アーク長１００ｃｒｎの４５０Ｗ低圧水
銀灯であり、αの値は低圧水銀灯の最冷点温度の制御と
フィルター６の波長１８５ｎｍ光の透過率を変えること
により変化させた。被洗浄体５は直径１０悶の石英板で
あり、これをエチルアルコール中で６０分間超音波洗浄
した後に１．（に１６ＭΩσの純水で洗って乾燥し、有
機汚染物として染料（ローダミンＢ）をエチルアルコー
ルで溶かしてこれを石英板上に塗布した。そしてこの被
洗浄体５がランプ４の下を５分間で通過するようにし、
照射の前後における６ ３３ ｎｍ光の透過率の変化を
測定して洗浄効果の代用特性とした。その測定結果を第
１表に示す。ここで、各被洗浄体５の照射前の透過率は
９６％であり、照射後が１００％のものを◎印、約９９
％のものを○印、約９８％のものをΔ印、約９７％のも
のをＸ印で表示した。
した結果を説明すると、使用したランプ４は管径２０１
１１Ｉ＋＋１ アーク長１００ｃｒｎの４５０Ｗ低圧水
銀灯であり、αの値は低圧水銀灯の最冷点温度の制御と
フィルター６の波長１８５ｎｍ光の透過率を変えること
により変化させた。被洗浄体５は直径１０悶の石英板で
あり、これをエチルアルコール中で６０分間超音波洗浄
した後に１．（に１６ＭΩσの純水で洗って乾燥し、有
機汚染物として染料（ローダミンＢ）をエチルアルコー
ルで溶かしてこれを石英板上に塗布した。そしてこの被
洗浄体５がランプ４の下を５分間で通過するようにし、
照射の前後における６ ３３ ｎｍ光の透過率の変化を
測定して洗浄効果の代用特性とした。その測定結果を第
１表に示す。ここで、各被洗浄体５の照射前の透過率は
９６％であり、照射後が１００％のものを◎印、約９９
％のものを○印、約９８％のものをΔ印、約９７％のも
のをＸ印で表示した。
第 １ 表
第１表から明らかな様に、αが０．０８から０５の範囲
では優れた洗浄効果を示し、ことに０１から０２の範囲
ではほとんど完全に洗浄することが出来た。これに対し
てαがα０８未（鈎や０３を越えるところではｈν（１
８５）とｈν（２５４）の調和が崩れて洗浄効果が低下
し、効率が愁い。
では優れた洗浄効果を示し、ことに０１から０２の範囲
ではほとんど完全に洗浄することが出来た。これに対し
てαがα０８未（鈎や０３を越えるところではｈν（１
８５）とｈν（２５４）の調和が崩れて洗浄効果が低下
し、効率が愁い。
従って本発明の紫外線洗浄装置の光源系のαを従来試み
られていない０．０８から０６の範囲に設定することに
より、洗浄効率が優れ、このため消費電力が少く、かつ
高速で処理できる紫外線洗浄装置を提供することができ
る。
られていない０．０８から０６の範囲に設定することに
より、洗浄効率が優れ、このため消費電力が少く、かつ
高速で処理できる紫外線洗浄装置を提供することができ
る。
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図は他の実
施例を示す断面図である。 １・・・本体 ２・・・ベルトコンベヤー ６・・・フ
ィルター４・・・ランプ ５・・・被洗浄体 出願人 ウンオ電機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助
施例を示す断面図である。 １・・・本体 ２・・・ベルトコンベヤー ６・・・フ
ィルター４・・・ランプ ５・・・被洗浄体 出願人 ウンオ電機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助
Claims (1)
- 紫外線ランプを備え、このランプの光でオゾンを発生さ
せ、このオゾンの分解により生成される酸素により物体
の表面に付着する有機汚染物や流体中に浮遊する有機汚
染物などを分解し１洗浄する紫外線洗浄装置であって、
波長が２５４皿および１８５ｎｍの該ランプの出力をそ
れぞれ１□４１ 工１８５とし、この比αをα＝ｘ＋ａ
ｓ／ｘｔ。、とするとき、αが０，０８から０，６の範
囲に設定された光源系を備えたことを特徴とする紫外線
洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57204571A JPS5994823A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 紫外線洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57204571A JPS5994823A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 紫外線洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994823A true JPS5994823A (ja) | 1984-05-31 |
| JPH049373B2 JPH049373B2 (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=16492671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57204571A Granted JPS5994823A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 紫外線洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994823A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62286579A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Toshiba Corp | 基板へのレジスト塗布方法 |
| JPH02284629A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光触媒の再生方法及び光触媒による脱臭装置 |
| JPH02299287A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プリント回路基板の洗浄方法 |
| JPH03254192A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層配線基板 |
| JPH1190370A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-06 | Iwasaki Electric Co Ltd | 表面処理装置及びその処理方法 |
| WO2009088984A1 (en) * | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Newport Corporation | Novel optical filters for use with mercury arc lamp monitoring applications |
| CN110392619A (zh) * | 2017-03-14 | 2019-10-29 | 本田技研工业株式会社 | 激光加工机 |
| CN110523713A (zh) * | 2018-05-24 | 2019-12-03 | 本田技研工业株式会社 | 激光加工机 |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP57204571A patent/JPS5994823A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62286579A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Toshiba Corp | 基板へのレジスト塗布方法 |
| JPH0659453B2 (ja) * | 1986-06-06 | 1994-08-10 | 株式会社東芝 | 基板へのレジスト塗布方法 |
| JPH02284629A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光触媒の再生方法及び光触媒による脱臭装置 |
| JPH0644976B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1994-06-15 | 松下電器産業株式会社 | 光触媒の再生方法及び光触媒による脱臭装置 |
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| JPH03254192A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層配線基板 |
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| CN110392619A (zh) * | 2017-03-14 | 2019-10-29 | 本田技研工业株式会社 | 激光加工机 |
| US11285566B2 (en) | 2017-03-14 | 2022-03-29 | Honda Motor Co., Ltd. | Laser machining apparatus |
| CN110392619B (zh) * | 2017-03-14 | 2022-04-22 | 本田技研工业株式会社 | 激光加工机 |
| CN110523713A (zh) * | 2018-05-24 | 2019-12-03 | 本田技研工业株式会社 | 激光加工机 |
| US11311966B2 (en) | 2018-05-24 | 2022-04-26 | Honda Motor Co., Ltd. | Laser processing machine |
| CN110523713B (zh) * | 2018-05-24 | 2022-08-09 | 本田技研工业株式会社 | 激光加工机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH049373B2 (ja) | 1992-02-20 |
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