JPH02284629A - 光触媒の再生方法及び光触媒による脱臭装置 - Google Patents

光触媒の再生方法及び光触媒による脱臭装置

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JPH02284629A
JPH02284629A JP1108622A JP10862289A JPH02284629A JP H02284629 A JPH02284629 A JP H02284629A JP 1108622 A JP1108622 A JP 1108622A JP 10862289 A JP10862289 A JP 10862289A JP H02284629 A JPH02284629 A JP H02284629A
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photocatalyst
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ultraviolet
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Shuzo Tokumitsu
修三 徳満
Tomoko Ikeda
知子 池田
Noboru Naruo
成尾 昇
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、家庭やオフィス内の、T臭(調理臭・食品臭
・たばこ臭・体臭・ペットおよびトイレの臭いなど)の
臭気対策のため用いる光触媒の再生方法及び光触媒によ
る脱臭装置に関するものである。
従来の技術 家庭やオフィス内で発生ずる悪臭く調理臭・食品臭・た
ばこ臭・ペットおよびトイレ臭など)の成分は、窒素化
合物(アンモニγ・/’ミン類・インドール・スカトー
ルなど)、硫黄化合物く硫化水素・メチルメルカプタン
・硫化メチル・二硫化メチル・二硫化ジメチル等)、ア
ルデヒド類(ホルムアルデヒド・アセトアルデヒドなど
)、ケトン類(アセトンなど)、アルコール類(メタノ
ール・エタノールなど)、脂肪酸および芳香族化合物な
ど、多種多様である。
従来、このような悪臭を脱臭する方法として1、悪臭物
質と薬剤とを化学反応さぜる方法、芳香剤で悪臭物質を
マスキングする方法、活性炭やゼオライトなどで悪臭物
質を吸着する方法および、これらの方法を組み合わせて
用いる方法があった。
しかし、薬剤及び芳香剤は共に悪臭物質と反応した後に
、再生することは不可能である。また、吸着剤の場合も
吸着容量が飽和すると脱臭性能は著しく低下する。従っ
て、どの場合においても、定期的に新しいものとの交換
が必要になってくる。
このような煩わしい操作の頻度を大幅に減少、あるいは
この操作そのものが必要でなくなる脱臭方法として、酸
化チタン等の半導体に紫外線を照射し、それによって励
起された半導体が有機物などを酸化分解する光触媒の利
用が試みられている。
発明が解決しようとする課題 光触媒を用いた脱臭方法では、一般的によく使用されて
いる活性炭で脱臭が困難な“rモトアルデヒド類および
その他の悪臭物質を効果的に脱臭でき、また、長期間そ
の性能の維持が可能になった。ところが、家庭およびオ
フィス内で発生する悪臭は、ガス成分と共に例えばたば
この煙りの中に含まれる高分子物質にニコチン、その他
°rルカロイド・フェノール類・炭化水素など)や塵埃
が混ざりあって存在する。これら高分子物質や塵埃は悪
臭を発生しないものが多いが、光触媒反応をおこす触媒
である半導体表面に付着し、これを覆ってしまうため、
触媒まで紫外線が達せず、触媒がエネルギーを受けにく
くなり、光触媒反応が低下し反応劣化を引き起こす。
本発明は、このような従来の脱臭装置の有していた課題
を解決するものであり、光触媒反応を起こす半導体表面
に付着した高沸点物質や塵埃を速やかに取り除き、再び
元の脱臭性能を取り戻す光触媒の再生方法を提供するこ
とを第一の目的とし、劣化の少ない光触媒による脱臭装
置を得ることを第二の目的とするものである。
課題を解決するための手段 上記第一の目的を達成するための第一の手段は、大気中
に浮遊する高分子物質や塵埃に汚染された光触媒表面に
、清浄空気をあてながら5mW/C−以上の紫外線を照
射することにより、汚染物質を取り除き光触媒を再生す
るものである。また、第二の目的を達成するための第二
の手段は、半導体からなる光触媒層と、それに対向して
設けられた紫外線灯と、前記光触媒層に臭気を含む空気
を送り込む送風機からなり、光触媒層に照射される紫外
線強度が5mW/cd以上である光触媒による脱臭装置
とするものである。
作  用 本発明者らは、光触媒反応による悪臭分解・無臭化を検
討中であるが、以前より悪臭と共存することの多い高沸
点物質(たばこの煙り中のニコチン、その他のアルカロ
イド・フェノール類・炭化水素など)や塵埃が、触媒表
面上に付着し、紫外線照射が妨げられることによる光触
媒反応の劣化に悩まされていた。
まず、第一の手段である光触媒の再生方法の作用につい
て述べる。高沸点物質などが付着した触媒表面に、5m
W/ci以上の比較的強い紫外線を照射すると、有機物
は徐々に光り分解され除去される。また、一部触媒表面
に出ている半導体も励起され、高分子物質が酸化分解さ
れることを促進する。また、触媒表面に付着している塵
埃は、その結合部分が強い紫外線の照射により開裂分解
し、除去される。
次に!第二の手段の光触媒による脱臭装置の作用につい
て述べる。半導体からなる光触媒層に常に5++W/a
nt以上の強い紫外線を照射していると、少しずつ入っ
てくる高分子物質も連続的に分解することができると共
に、紫外線のエネルギーにより高分子物質や塵埃は脱離
しやすくなるため、触媒表面に付着堆積し触媒を劣化さ
せることはない。万一たくさんの高分子物質や塵埃が、
−時的に入ってきたとしても、通常の高分子物質や塵埃
が少ない状態が続けば、前に述べた作用によって触媒は
復活する。
実施例 (実施例1) 第一の手段である光触媒の再生方法の実施例を、第1図
及び第2図に基づいて説明する。ここで用いる光触媒は
rナターゼ型酸化チタンより成っているが、これは例え
ば次のようにして作る。直径68.3wm、厚さ0.5
m+++の゛rルミナーシリカ質のセラミックベーパに
、チタニアゾルをデイツプして含浸した後、乾燥t*4
oo℃〜700℃で熱処理して酸化チタンを担持し、光
触媒とする。ここでの、酸化チタンの拶持量は300g
/ rlである。また紫外線灯としては、波長253.
7口mの殺菌灯を用いた。ここでまず、上記光触媒1の
初期性能を第1図に示す内容1367!の′アルミニウ
ム製ボックス3内で測定する。光触媒1はステンレス製
の台2に載せて入れ、紫外線灯4からl OOya 離
れた位置に置いた。ここで、紫外線灯4としてIOHの
殺菌灯GL−10(波長253.7旧1紫外線出力1.
8W)を使い、光触媒1の表面では250nmの紫外線
強度が約1.60mW/cJになるように調整した。以
上のような状態にセットした後、紫外線灯4を消灯し、
ボックスを閉めてアセトアルデヒドの飽和ガスをゴj1
栓からなるザンブリングD 6より注入し、ファン5a
・5bで攪拌して濃度を均一にし、初期濃度を約70p
pmに調整する。次に、紫外線灯4を点灯して、各時間
においてボックス3内のガスをサンプリング口6より採
取し、アセトアルデヒド濃度の経時変化を分析し、分解
曲線を得る。このとき、70ppmを示した時間から3
0分間に分解したアセトアルデヒドの量を光触媒1の初
期分解性能とした。なお、”rセト?ルデヒドの濃度分
析はガスクロマトグラフィのF I D検出器で行−)
た。次に上記光触媒1をボックス3と同じ形状の別のボ
ックスに入れ、開時にたばこくセブンスター)の葉0.
18 gをヒータで加熱して燃やす。
ボックスを閉じたまま、ファン5a・5bで攪拌しつつ
、30分放置し光触媒1の表面にたばこの煙を吸着させ
る。この触媒の分解性能を初期1ゴ能と同じ方法で測定
すると、初期性能の40%〜50%である。その後、上
のように加速的な付加で劣化させた触媒1に紫外線を照
射し再生した。第1図に示すように再び光触媒1をステ
ンレス台2に載せ、ボックス3の蓋を開けて触媒に清浄
空気を当てながら紫外線を照射する。この場合、触媒表
面の紫外線の照射強度と照射時間を変えて再生を行うよ
うにした。具体的には、照射強度の調節は紫外線灯4と
光触媒1との距離を変えることと、紫外線灯4の出力と
を変えて行い、紫外線強度の測定は250nmの波長で
行うようにした。このようにして再生した光触媒のアセ
トアルデヒド分解性能を初期性能と比較した。この結果
、100%再生できる紫外線強度上時間の関係を第2図
に示す。この図から明らかなように、紫外線強度が51
11W / Cd以上あれば1時間以内の比較的短い時
間で完全に再生できる。
(実施例2) 第二の手段である光触媒による脱臭装置の実施例を第3
図及び第4図に基づいて説明する。第:3図において、
7は円筒状の光触媒層、8は紫外線灯で、光触媒層7の
中心にあって、光触媒層7に紫外線を照射し、1口持し
である半導体を励起し活性化する。9は送風機であって
、フード10によって光触媒層7の円筒の中に臭気の混
じった空気を送風する。11は全体を固定する架台、1
2は吹き出し1」である。光触媒層7はアナターゼ型酸
化チタンより成っているが、これは円筒形に成型した厚
さ0.5mmのアルミナ−シリカ質のセラミックベーパ
に、実施例1と同じ方法で酸化ブタンを担持する。そし
てこれを金属板に水ガラス等の接着剤ではりつけ、光触
媒1f47とする。本実施例における酸化チタンの担持
量は300g/J、光触媒層7の内径は31.5mm、
長さ300mmで触媒の面債は凹7cJである。一方、
紫外線灯8は15Wの殺菌灯GL−15(紫外線出力3
.2縁、ガラス管の径25.5nv、長さ436mm 
)を使った。すなわち、紫外線灯8のガラス管壁と光触
媒層7の表面の距離は3mmと極めて近く、初期におい
ては光触媒層7のどの場所でも8 m W / cイ以
上の紫外線強度(波長250nmて測定)があり、GL
−15の寿命時間とされる4000時間後で約5 m 
W / cdになるようにした。送風機9によって送ら
れる風の量は、約0.25i /分である。
次に、上記脱臭装置の耐久性についての測定データを説
明する。まず初期性能を測定する9−1−記脱臭装置を
どルミニウムで出来た1−のボックスに入れる。ボック
スを密閉して、注入[」よりアセトアルデヒドの飽和ガ
スを注射器にて注入し、濃度が約10ppmになるよう
にする。初期濃度を分析した後、脱臭装置の送風機9と
紫外線灯8をONする。そして、10分間隔でボックス
の中のアセトアルデヒドの濃度を分析する。分析は、ガ
スクロマトグラフィで、FID検出器を使用した。
このようにして測定した初期の°rセトアルデヒド分解
曲線より、loppmを示した時間から30分間に分解
したアセトアルデヒドの量を初期分解性能とした。次に
、同じようにして、トリメチルアミン、硫化水素の初期
分解性能を各々測定した。濃度分析は、ガスクロマトグ
ラフィで、トリメチルアミンはFID検出器を、硫化水
素はFPD検出器を使用した。初期性能を測定した後、
上記脱臭装置を約8畳の広さの事務所で連続的に使用し
た。この事務所には、事務員が10人おり、このうち2
人が喫煙者で合わせて1日平均約40本喫煙する。この
脱臭装置の性能を、初期性能の測定と同じ方法で、約2
00時間毎に測定した。この性能の変化を初期性能と比
較して第4図に示す。Aはトリメチルアミンの分解性能
の変化を、Bはアセトアルデヒドの分解性能の変化を、
Cは硫化水素の分解性能の変化を示す。この図から明ら
かなように、本実施例の脱臭装置は、初めの200時間
までに紫外線灯8の紫外線出力の低下などの理由で10
%〜15%劣化するが、その後の変化は極めて少なく、
4000時間使用後でも初期の80%〜85%の分解性
能を維持している。また、紫外線灯8を新しいものに交
換すれば、4000時間以降も同じ性能を維持すると予
測できる。
発明の効果 第一の手段の光触媒の再生方法によれば、大気中に浮遊
する高沸点物質や塵埃に汚染された光触媒表面に、清浄
空気を送りながら5 m W / cd以上の紫外線を
照射することにより、高沸点物質や塵埃を分解し、触媒
を再生することができ、光触媒を半永久的に使うことが
できる。
また第二の手段の光触媒による脱臭装置によれば、家庭
またはオフィス内といった一般の住環境で、光触媒によ
る脱臭性能を劣化させることなく、長期にわたりその脱
臭性能を維持することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は第一の手段の一実施例を示す触媒を再生する装
置、あるいは触媒の性能を測定する装置の断面図、第2
図は同装置を使用して100%再生ができる紫外線強度
と時間の関係を示すグラフ、第3図は第二の手段の一実
施例を示す光触媒による脱臭装置の断面図、第4図は同
装置を使用して実使用耐久試験を行った場合の、分解性
能の変化を示すグラフである。 1・・・光触媒、7・・・光触媒層、4・8・・・紫外
線灯、9・・・送風機、 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第1図 /−光触媒 4−一索 クトB丈丁 憲2図 業 タh末腿、殊グE (尻Vv//cmり 第 図 光層様2目 q−−一狐斌職 ″″′″′//

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)大気中に浮遊する高分子物質や塵埃に汚染された
    光触媒表面に、清浄空気をあてながら5mW/cm^2
    以上の紫外線を照射することにより、汚染物質を取り除
    く光触媒の再生方法。
  2. (2)半導体からなる光触媒層と、それに対向して設け
    られた紫外線灯と、前記光触媒層に臭気を含む空気を送
    り込む送風機からなり、光触媒層に照射される紫外線強
    度が5mW/cm^2以上である光触媒による脱臭装置
JP1108622A 1989-04-26 1989-04-26 光触媒の再生方法及び光触媒による脱臭装置 Expired - Lifetime JPH0644976B2 (ja)

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