JPS5994814A - 半導体の拡散装置 - Google Patents
半導体の拡散装置Info
- Publication number
- JPS5994814A JPS5994814A JP20571782A JP20571782A JPS5994814A JP S5994814 A JPS5994814 A JP S5994814A JP 20571782 A JP20571782 A JP 20571782A JP 20571782 A JP20571782 A JP 20571782A JP S5994814 A JPS5994814 A JP S5994814A
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- JP
- Japan
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- gas
- core tube
- diffusion
- semiconductor
- supplying pipe
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体の拡散装置に関し、特に拡散不純物源に
ガスを用いる拡散装置に関する。
ガスを用いる拡散装置に関する。
従来、半導体ウェーハに不純物を拡散させるのに、不純
物源としてガスを□用いるものが多い。
物源としてガスを□用いるものが多い。
第１図は従来の拡散装置の一例の要部断面図である。
炉心管１は一端に送気管２が設けられ、他端は開放にな
っており、開放端にふた３がかぶせられる。ふた３には
排気管４が取付けられる。ふた３を取外した状態で半導
体ウェーハ５を載置したポート６を入れてふた３をする
。拡散する不純物を含むガスを図の矢印のように送気管
２から供給し、炉心管１内を通し排気管４から排出する
。炉心管１内をガスが通過中に半導体ウェーハ５と接触
して半導体ウェーハ５内に不純物が拡散される。
っており、開放端にふた３がかぶせられる。ふた３には
排気管４が取付けられる。ふた３を取外した状態で半導
体ウェーハ５を載置したポート６を入れてふた３をする
。拡散する不純物を含むガスを図の矢印のように送気管
２から供給し、炉心管１内を通し排気管４から排出する
。炉心管１内をガスが通過中に半導体ウェーハ５と接触
して半導体ウェーハ５内に不純物が拡散される。
このような拡散装置においては、ガスの流入側と流出側
とでガス中の不純物濃度が異なること、半導体ウェーＩ
・５により気流が乱れるのでガスと半導体ウェーハとの
接触の仕方がウエーノ・毎に異なること等があり、不純
物拡散の仕方に大きなばらつきを生じ、それが半導体素
子特性のばらつきの原因となる欠点があった。更に、仁
のばらつきを小さくする必要から同時に処理できるウェ
ーハ枚数も制限されるという欠点があった。
とでガス中の不純物濃度が異なること、半導体ウェーＩ
・５により気流が乱れるのでガスと半導体ウェーハとの
接触の仕方がウエーノ・毎に異なること等があり、不純
物拡散の仕方に大きなばらつきを生じ、それが半導体素
子特性のばらつきの原因となる欠点があった。更に、仁
のばらつきを小さくする必要から同時に処理できるウェ
ーハ枚数も制限されるという欠点があった。
本発明は上記欠点を除去し、半導体ウエーノ・への不純
物拡散のばらつきが小さくなり、かつ同時に処理できる
枚数を増加させることのできる半導体の拡散装置を提供
するものである。
物拡散のばらつきが小さくなり、かつ同時に処理できる
枚数を増加させることのできる半導体の拡散装置を提供
するものである。
本発明の半導体の拡散装置は、両端部に排気管を有する
筒状炉心管と、該炉心管内の上部に軸方向に沿って設け
られ、下面に複数のガス噴出口を有し、かつ両端からガ
スが供給される送気管とを含んで構成される。
筒状炉心管と、該炉心管内の上部に軸方向に沿って設け
られ、下面に複数のガス噴出口を有し、かつ両端からガ
スが供給される送気管とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて駅間する。
第２図は本発明の第１の実施例の断面図である。
炉心管１１は一端に排気管１２を有し、他端に排気管１
５付きのふた１４を有し、両端から排気できるようにな
っている。炉心管１１の内側上部に、かつ炉心管の軸に
平行に送気管１６を通す。
５付きのふた１４を有し、両端から排気できるようにな
っている。炉心管１１の内側上部に、かつ炉心管の軸に
平行に送気管１６を通す。
送気管１６は下面に多数のガス噴出口１７を有す。送気
管１６は、矢印で示すように、両端から不純物含有ガス
を供給できるようになっている。
管１６は、矢印で示すように、両端から不純物含有ガス
を供給できるようになっている。
このような構造にすると、ガスは真下に噴出するので半
導体ウェーハ５にガスは均一に接触し、ウェーハへの不
純物拡散も均一となり、ばらつきが小さくなる。また各
ウェーハへ鉱新鮮なガスが接触するのでガス中の不純物
濃度が異なることはない。更にまた、ガス供給を両端か
ら行うので、ガス噴出量もより均一化される。このよう
に炉心管内の広い範囲に亘ってガスの均一化が計れるの
でウェーハの処理枚数を増すことができる。
導体ウェーハ５にガスは均一に接触し、ウェーハへの不
純物拡散も均一となり、ばらつきが小さくなる。また各
ウェーハへ鉱新鮮なガスが接触するのでガス中の不純物
濃度が異なることはない。更にまた、ガス供給を両端か
ら行うので、ガス噴出量もより均一化される。このよう
に炉心管内の広い範囲に亘ってガスの均一化が計れるの
でウェーハの処理枚数を増すことができる。
第３図は本発明の第２の実施例の断面図である。
この実施例では、送気管１６の両端にループを作って接
続する分岐管１８を設け、ガス源への接続口を１個所に
したものである。その他は第１の実施レリと同じである
。
続する分岐管１８を設け、ガス源への接続口を１個所に
したものである。その他は第１の実施レリと同じである
。
このようにしても送気管の両端からガスが供給されるの
で噴出口１７から噴出するガスは均一化され、しかも給
気口が１個す丁で済むという利点がある。
で噴出口１７から噴出するガスは均一化され、しかも給
気口が１個す丁で済むという利点がある。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体ウ
ェーハに均一に不純物を拡散することができ、作られよ
半導体九子の特性のばらつきを小さくできる半導体の拡
散装置が得られるのでその効果は大きい。
ェーハに均一に不純物を拡散することができ、作られよ
半導体九子の特性のばらつきを小さくできる半導体の拡
散装置が得られるのでその効果は大きい。
第１図は従来の半導体装置の一例の要部断面図、第２図
は本発明の第１の実施例の断面図、第３図は本発明の第
２の実施例の断面図である。 １・・・・・・炉心管、２・・・・・・送気管、３・旧
・・ふた、４・・・・・・排気管、５・・・・・・半導
体ウェーハ、６・・川・ボート、１１・・・・・・炉心
管、１２・旧・・排気管、１４・・団・ふた、１５・・
・・・・排気管、１６・・・・・・送気管、１７・・・
・・・ガス噴出口、１８・・・・・・分岐管。 穿１回 茅２１１ｉｉ１
は本発明の第１の実施例の断面図、第３図は本発明の第
２の実施例の断面図である。 １・・・・・・炉心管、２・・・・・・送気管、３・旧
・・ふた、４・・・・・・排気管、５・・・・・・半導
体ウェーハ、６・・川・ボート、１１・・・・・・炉心
管、１２・旧・・排気管、１４・・団・ふた、１５・・
・・・・排気管、１６・・・・・・送気管、１７・・・
・・・ガス噴出口、１８・・・・・・分岐管。 穿１回 茅２１１ｉｉ１
Claims (1)
- 両端部に排気管を有する筒状炉心管と、該炉心管内の上
部に軸方向に沿って設けられ、下面に複数のガス噴出口
を有しかつ両端からガスが供給される送気管とを含むこ
とを特徴とする半導体の拡散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20571782A JPS5994814A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 半導体の拡散装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20571782A JPS5994814A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 半導体の拡散装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994814A true JPS5994814A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16511519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20571782A Pending JPS5994814A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 半導体の拡散装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0997768A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Nec Kyushu Ltd | 縦型拡散炉 |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP20571782A patent/JPS5994814A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0997768A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Nec Kyushu Ltd | 縦型拡散炉 |
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