JPH03148113A - 半導体製造用加熱炉 - Google Patents
半導体製造用加熱炉Info
- Publication number
- JPH03148113A JPH03148113A JP28627389A JP28627389A JPH03148113A JP H03148113 A JPH03148113 A JP H03148113A JP 28627389 A JP28627389 A JP 28627389A JP 28627389 A JP28627389 A JP 28627389A JP H03148113 A JPH03148113 A JP H03148113A
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- Japan
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- furnace
- nozzle
- wafers
- oxygen
- wafer
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 36
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 15
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- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Furnace Details (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程に用いる加熱炉に関し、特にウ
ェーハ入炉時の炉内への酸素巻き込みを防止する為の手
段を備えた半導体製造用加熱炉に関する。
ェーハ入炉時の炉内への酸素巻き込みを防止する為の手
段を備えた半導体製造用加熱炉に関する。
従来、この種の酸素巻き込み防止システムを有する加熱
炉は、第5図(A)、 (B)の縦断面図に示す様に、
ウェーハ2をセットしたボート3を炉1に出し入れする
際、炉1内にN2ノズル7からN2ガスを流し込み、炉
内から炉口に向けてN2ガスパージするものがある。図
(A)はウェーハの入炉前、図(B)は入炉後をそれぞ
れ示している。
炉は、第5図(A)、 (B)の縦断面図に示す様に、
ウェーハ2をセットしたボート3を炉1に出し入れする
際、炉1内にN2ノズル7からN2ガスを流し込み、炉
内から炉口に向けてN2ガスパージするものがある。図
(A)はウェーハの入炉前、図(B)は入炉後をそれぞ
れ示している。
又は別の方法として、図示していないが炉口付近にてN
2ガスカーテンを形威し、酸素巻き込み防止するものが
ある。
2ガスカーテンを形威し、酸素巻き込み防止するものが
ある。
上述した従来の酸素巻き込み防止システムを有する加熱
炉は、ウェーハを出し入れしない状態での炉内への酸素
巻き込みは防止できる。しかし、ウェーハ入炉の際、ウ
ェーハとウェーハの間に漂う残留酸素に対しては、巻き
込み防止効果が小さいという欠点があった。
炉は、ウェーハを出し入れしない状態での炉内への酸素
巻き込みは防止できる。しかし、ウェーハ入炉の際、ウ
ェーハとウェーハの間に漂う残留酸素に対しては、巻き
込み防止効果が小さいという欠点があった。
本発明は、半導体ウェーハを複数枚ウェーハ用ボートに
セットして出し入れさせる半導体製造用加熱炉において
、ウェーハが入炉する直前にウェーハ間に残留する酸素
をN2ガスパージするためのN2ノズル及び排気ノズル
を前記加熱炉の炉口に設けたことを特徴とする半導体製
造用加熱炉である。
セットして出し入れさせる半導体製造用加熱炉において
、ウェーハが入炉する直前にウェーハ間に残留する酸素
をN2ガスパージするためのN2ノズル及び排気ノズル
を前記加熱炉の炉口に設けたことを特徴とする半導体製
造用加熱炉である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(A)、 (B)は、炉口が下にある場合の第1
の実施例の断面図で、図(A)は入炉前、図(B)は入
炉後の状態を示す。第2図(A)、 (B)は第1の実
施例のN2ノズルの平面図及び正面図である。
の実施例の断面図で、図(A)は入炉前、図(B)は入
炉後の状態を示す。第2図(A)、 (B)は第1の実
施例のN2ノズルの平面図及び正面図である。
以下、本実施例の機能について説明する。
まず、炉1の中に、ウェーハ2をセットしたボート3を
ゆっくり入炉させる。炉口には% Nzノズル4が有り
、これは第2図(A)、 (B)に示す様に、無数の吹
き出し穴がウェーハと同心円状に並んでおり、N2ガス
が均一に吹き出る様になっている。
ゆっくり入炉させる。炉口には% Nzノズル4が有り
、これは第2図(A)、 (B)に示す様に、無数の吹
き出し穴がウェーハと同心円状に並んでおり、N2ガス
が均一に吹き出る様になっている。
この穴から吹き出したN2ガスは、ウェーハ2の直径以
上の範囲で、ボート3にセットされたウェーハ間に流れ
込む。N2ノズル4の向い側には、酸素を含んだN2ガ
スを排気する為の排気ノズル5を有している。又、外気
をN2ノズル4付近に近付けない為に遮へい板6を有す
る。
上の範囲で、ボート3にセットされたウェーハ間に流れ
込む。N2ノズル4の向い側には、酸素を含んだN2ガ
スを排気する為の排気ノズル5を有している。又、外気
をN2ノズル4付近に近付けない為に遮へい板6を有す
る。
このようにして、ウェーハ2間の残留酸素を入炉させな
がらパージすることができる。又、酸素の巻き込み防止
は、従来のN2ノズル7と併用する事によりその効果を
更に向上させることができる。
がらパージすることができる。又、酸素の巻き込み防止
は、従来のN2ノズル7と併用する事によりその効果を
更に向上させることができる。
第3図(A)、 (B)は、炉口が横にある場合の第2
の実施例の縦断面図で、図(a)は入炉前、図(b)は
入炉後の状態を示す。第4図(A)、 (B)は第2の
実施例のN、ノズルの正面図及び側面図である。以下、
本実施例の機能について説明する。
の実施例の縦断面図で、図(a)は入炉前、図(b)は
入炉後の状態を示す。第4図(A)、 (B)は第2の
実施例のN、ノズルの正面図及び側面図である。以下、
本実施例の機能について説明する。
まず、炉lの中にウェーハ2をセットしたボート3をゆ
っくり入炉させる。炉口にはN2ノズル4が3段に並ん
でいる。各々のN2ノズル4は、第4図(A)、 (B
)に示す様に、無数の吹き出し穴がウェーハ2と同心円
状に並んでおり、N2ガスが均一に吹き出る様になって
いる。
っくり入炉させる。炉口にはN2ノズル4が3段に並ん
でいる。各々のN2ノズル4は、第4図(A)、 (B
)に示す様に、無数の吹き出し穴がウェーハ2と同心円
状に並んでおり、N2ガスが均一に吹き出る様になって
いる。
この穴から吹き出たN2ガスは、ウェーハの直径以上の
範囲で、ボート3にセットされていたウェーハ間に流れ
込む。本実施例ではN2ノズル4を複数個設けてあり、
この場合は% N2ノズル4が3段に並んでおり、1段
で置換が不充分であった酸素を2段目で置換し、2段目
で不充分であった酸素を3段目で置換することで、炉内
への酸素巻き込みを極度に減少させようというものであ
る。
範囲で、ボート3にセットされていたウェーハ間に流れ
込む。本実施例ではN2ノズル4を複数個設けてあり、
この場合は% N2ノズル4が3段に並んでおり、1段
で置換が不充分であった酸素を2段目で置換し、2段目
で不充分であった酸素を3段目で置換することで、炉内
への酸素巻き込みを極度に減少させようというものであ
る。
N2ノズル4の向い側には、酸素を含んだN2ガスを排
気する為の排気ノズル5を有している。酸素の巻き込み
防止は、従来と同様のN2ノズル7と併用することによ
り、その効果を更に向上できる。
気する為の排気ノズル5を有している。酸素の巻き込み
防止は、従来と同様のN2ノズル7と併用することによ
り、その効果を更に向上できる。
以上説明した様に、本発明は炉内へのウェーハ入炉の際
、ウェーハ間に漂う残留酸素をN2ガスで置換すること
により、入炉時の酸素巻き込みを防止できる効果がある
。
、ウェーハ間に漂う残留酸素をN2ガスで置換すること
により、入炉時の酸素巻き込みを防止できる効果がある
。
−5−一、
第1図(A)、 (B)は本発明の第1の実施例の縦断
面図で、図(A)は入炉前、図(B)は入炉後を示し、
第2図(A)、 (B)は第1の実施例のN2ノズルの
平面図及び正面図、第3図(A)、 (B)は本発明の
第2の実施例の縦断面図で、図(A)は入炉前、図(B
)は入炉後を示し、第4図(A)、 (B)は第2の実
施例のN2ノズルの正面図及び側面図、第5図(A)、
(B)は従来の加熱炉の縦断面図で、図(A)は入炉
前、図(B)は入炉後を示す。 1・・・・・・炉、2・・・・・・ウェーハ、3・・・
・・・ボート、4・・・・・・N2ノズル、5・・・・
・・排気ノズル、6・・・・・・遮へい板、7・・・・
・・N2ノズル。
面図で、図(A)は入炉前、図(B)は入炉後を示し、
第2図(A)、 (B)は第1の実施例のN2ノズルの
平面図及び正面図、第3図(A)、 (B)は本発明の
第2の実施例の縦断面図で、図(A)は入炉前、図(B
)は入炉後を示し、第4図(A)、 (B)は第2の実
施例のN2ノズルの正面図及び側面図、第5図(A)、
(B)は従来の加熱炉の縦断面図で、図(A)は入炉
前、図(B)は入炉後を示す。 1・・・・・・炉、2・・・・・・ウェーハ、3・・・
・・・ボート、4・・・・・・N2ノズル、5・・・・
・・排気ノズル、6・・・・・・遮へい板、7・・・・
・・N2ノズル。
Claims (1)
- 半導体ウェーハを複数枚ウェーハ用ボートにセットし
て出し入れさせる半導体製造用加熱炉において、ウェー
ハが入炉する直前にウェーハ間に残留する酸素をN_2
ガスパージするためのN_2ノズル及び排気ノズルを前
記加熱炉の炉口に設けたことを特徴とする半導体製造用
加熱炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28627389A JPH03148113A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造用加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28627389A JPH03148113A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造用加熱炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03148113A true JPH03148113A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17702232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28627389A Pending JPH03148113A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造用加熱炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03148113A (ja) |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28627389A patent/JPH03148113A/ja active Pending
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