JPH03148113A - 半導体製造用加熱炉 - Google Patents
半導体製造用加熱炉Info
- Publication number
- JPH03148113A JPH03148113A JP28627389A JP28627389A JPH03148113A JP H03148113 A JPH03148113 A JP H03148113A JP 28627389 A JP28627389 A JP 28627389A JP 28627389 A JP28627389 A JP 28627389A JP H03148113 A JPH03148113 A JP H03148113A
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- Japan
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- furnace
- nozzle
- wafers
- oxygen
- wafer
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 36
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 22
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Furnace Details (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程に用いる加熱炉に関し、特にウ
ェーハ入炉時の炉内への酸素巻き込みを防止する為の手
段を備えた半導体製造用加熱炉に関する。
ェーハ入炉時の炉内への酸素巻き込みを防止する為の手
段を備えた半導体製造用加熱炉に関する。
従来、この種の酸素巻き込み防止システムを有する加熱
炉は、第５図（Ａ）、 （Ｂ）の縦断面図に示す様に、
ウェーハ２をセットしたボート３を炉１に出し入れする
際、炉１内にＮ２ノズル７からＮ２ガスを流し込み、炉
内から炉口に向けてＮ２ガスパージするものがある。図
（Ａ）はウェーハの入炉前、図（Ｂ）は入炉後をそれぞ
れ示している。
炉は、第５図（Ａ）、 （Ｂ）の縦断面図に示す様に、
ウェーハ２をセットしたボート３を炉１に出し入れする
際、炉１内にＮ２ノズル７からＮ２ガスを流し込み、炉
内から炉口に向けてＮ２ガスパージするものがある。図
（Ａ）はウェーハの入炉前、図（Ｂ）は入炉後をそれぞ
れ示している。
又は別の方法として、図示していないが炉口付近にてＮ
２ガスカーテンを形威し、酸素巻き込み防止するものが
ある。
２ガスカーテンを形威し、酸素巻き込み防止するものが
ある。
上述した従来の酸素巻き込み防止システムを有する加熱
炉は、ウェーハを出し入れしない状態での炉内への酸素
巻き込みは防止できる。しかし、ウェーハ入炉の際、ウ
ェーハとウェーハの間に漂う残留酸素に対しては、巻き
込み防止効果が小さいという欠点があった。
炉は、ウェーハを出し入れしない状態での炉内への酸素
巻き込みは防止できる。しかし、ウェーハ入炉の際、ウ
ェーハとウェーハの間に漂う残留酸素に対しては、巻き
込み防止効果が小さいという欠点があった。
本発明は、半導体ウェーハを複数枚ウェーハ用ボートに
セットして出し入れさせる半導体製造用加熱炉において
、ウェーハが入炉する直前にウェーハ間に残留する酸素
をＮ２ガスパージするためのＮ２ノズル及び排気ノズル
を前記加熱炉の炉口に設けたことを特徴とする半導体製
造用加熱炉である。
セットして出し入れさせる半導体製造用加熱炉において
、ウェーハが入炉する直前にウェーハ間に残留する酸素
をＮ２ガスパージするためのＮ２ノズル及び排気ノズル
を前記加熱炉の炉口に設けたことを特徴とする半導体製
造用加熱炉である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（Ａ）、 （Ｂ）は、炉口が下にある場合の第１
の実施例の断面図で、図（Ａ）は入炉前、図（Ｂ）は入
炉後の状態を示す。第２図（Ａ）、 （Ｂ）は第１の実
施例のＮ２ノズルの平面図及び正面図である。
の実施例の断面図で、図（Ａ）は入炉前、図（Ｂ）は入
炉後の状態を示す。第２図（Ａ）、 （Ｂ）は第１の実
施例のＮ２ノズルの平面図及び正面図である。
以下、本実施例の機能について説明する。
まず、炉１の中に、ウェーハ２をセットしたボート３を
ゆっくり入炉させる。炉口には％ Ｎｚノズル４が有り
、これは第２図（Ａ）、 （Ｂ）に示す様に、無数の吹
き出し穴がウェーハと同心円状に並んでおり、Ｎ２ガス
が均一に吹き出る様になっている。
ゆっくり入炉させる。炉口には％ Ｎｚノズル４が有り
、これは第２図（Ａ）、 （Ｂ）に示す様に、無数の吹
き出し穴がウェーハと同心円状に並んでおり、Ｎ２ガス
が均一に吹き出る様になっている。
この穴から吹き出したＮ２ガスは、ウェーハ２の直径以
上の範囲で、ボート３にセットされたウェーハ間に流れ
込む。Ｎ２ノズル４の向い側には、酸素を含んだＮ２ガ
スを排気する為の排気ノズル５を有している。又、外気
をＮ２ノズル４付近に近付けない為に遮へい板６を有す
る。
上の範囲で、ボート３にセットされたウェーハ間に流れ
込む。Ｎ２ノズル４の向い側には、酸素を含んだＮ２ガ
スを排気する為の排気ノズル５を有している。又、外気
をＮ２ノズル４付近に近付けない為に遮へい板６を有す
る。
このようにして、ウェーハ２間の残留酸素を入炉させな
がらパージすることができる。又、酸素の巻き込み防止
は、従来のＮ２ノズル７と併用する事によりその効果を
更に向上させることができる。
がらパージすることができる。又、酸素の巻き込み防止
は、従来のＮ２ノズル７と併用する事によりその効果を
更に向上させることができる。
第３図（Ａ）、 （Ｂ）は、炉口が横にある場合の第２
の実施例の縦断面図で、図（ａ）は入炉前、図（ｂ）は
入炉後の状態を示す。第４図（Ａ）、 （Ｂ）は第２の
実施例のＮ、ノズルの正面図及び側面図である。以下、
本実施例の機能について説明する。
の実施例の縦断面図で、図（ａ）は入炉前、図（ｂ）は
入炉後の状態を示す。第４図（Ａ）、 （Ｂ）は第２の
実施例のＮ、ノズルの正面図及び側面図である。以下、
本実施例の機能について説明する。
まず、炉ｌの中にウェーハ２をセットしたボート３をゆ
っくり入炉させる。炉口にはＮ２ノズル４が３段に並ん
でいる。各々のＮ２ノズル４は、第４図（Ａ）、 （Ｂ
）に示す様に、無数の吹き出し穴がウェーハ２と同心円
状に並んでおり、Ｎ２ガスが均一に吹き出る様になって
いる。
っくり入炉させる。炉口にはＮ２ノズル４が３段に並ん
でいる。各々のＮ２ノズル４は、第４図（Ａ）、 （Ｂ
）に示す様に、無数の吹き出し穴がウェーハ２と同心円
状に並んでおり、Ｎ２ガスが均一に吹き出る様になって
いる。
この穴から吹き出たＮ２ガスは、ウェーハの直径以上の
範囲で、ボート３にセットされていたウェーハ間に流れ
込む。本実施例ではＮ２ノズル４を複数個設けてあり、
この場合は％ Ｎ２ノズル４が３段に並んでおり、１段
で置換が不充分であった酸素を２段目で置換し、２段目
で不充分であった酸素を３段目で置換することで、炉内
への酸素巻き込みを極度に減少させようというものであ
る。
範囲で、ボート３にセットされていたウェーハ間に流れ
込む。本実施例ではＮ２ノズル４を複数個設けてあり、
この場合は％ Ｎ２ノズル４が３段に並んでおり、１段
で置換が不充分であった酸素を２段目で置換し、２段目
で不充分であった酸素を３段目で置換することで、炉内
への酸素巻き込みを極度に減少させようというものであ
る。
Ｎ２ノズル４の向い側には、酸素を含んだＮ２ガスを排
気する為の排気ノズル５を有している。酸素の巻き込み
防止は、従来と同様のＮ２ノズル７と併用することによ
り、その効果を更に向上できる。
気する為の排気ノズル５を有している。酸素の巻き込み
防止は、従来と同様のＮ２ノズル７と併用することによ
り、その効果を更に向上できる。
以上説明した様に、本発明は炉内へのウェーハ入炉の際
、ウェーハ間に漂う残留酸素をＮ２ガスで置換すること
により、入炉時の酸素巻き込みを防止できる効果がある
。
、ウェーハ間に漂う残留酸素をＮ２ガスで置換すること
により、入炉時の酸素巻き込みを防止できる効果がある
。
−５−一、
第１図（Ａ）、 （Ｂ）は本発明の第１の実施例の縦断
面図で、図（Ａ）は入炉前、図（Ｂ）は入炉後を示し、
第２図（Ａ）、 （Ｂ）は第１の実施例のＮ２ノズルの
平面図及び正面図、第３図（Ａ）、 （Ｂ）は本発明の
第２の実施例の縦断面図で、図（Ａ）は入炉前、図（Ｂ
）は入炉後を示し、第４図（Ａ）、 （Ｂ）は第２の実
施例のＮ２ノズルの正面図及び側面図、第５図（Ａ）、
（Ｂ）は従来の加熱炉の縦断面図で、図（Ａ）は入炉
前、図（Ｂ）は入炉後を示す。 １・・・・・・炉、２・・・・・・ウェーハ、３・・・
・・・ボート、４・・・・・・Ｎ２ノズル、５・・・・
・・排気ノズル、６・・・・・・遮へい板、７・・・・
・・Ｎ２ノズル。
面図で、図（Ａ）は入炉前、図（Ｂ）は入炉後を示し、
第２図（Ａ）、 （Ｂ）は第１の実施例のＮ２ノズルの
平面図及び正面図、第３図（Ａ）、 （Ｂ）は本発明の
第２の実施例の縦断面図で、図（Ａ）は入炉前、図（Ｂ
）は入炉後を示し、第４図（Ａ）、 （Ｂ）は第２の実
施例のＮ２ノズルの正面図及び側面図、第５図（Ａ）、
（Ｂ）は従来の加熱炉の縦断面図で、図（Ａ）は入炉
前、図（Ｂ）は入炉後を示す。 １・・・・・・炉、２・・・・・・ウェーハ、３・・・
・・・ボート、４・・・・・・Ｎ２ノズル、５・・・・
・・排気ノズル、６・・・・・・遮へい板、７・・・・
・・Ｎ２ノズル。
Claims (1)
- 半導体ウェーハを複数枚ウェーハ用ボートにセットし
て出し入れさせる半導体製造用加熱炉において、ウェー
ハが入炉する直前にウェーハ間に残留する酸素をＮ＿２
ガスパージするためのＮ＿２ノズル及び排気ノズルを前
記加熱炉の炉口に設けたことを特徴とする半導体製造用
加熱炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28627389A JPH03148113A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造用加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28627389A JPH03148113A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造用加熱炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148113A true JPH03148113A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17702232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28627389A Pending JPH03148113A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造用加熱炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148113A (ja) |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28627389A patent/JPH03148113A/ja active Pending
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