JP2002190451A - 半導体ウェーハ熱処理炉 - Google Patents
半導体ウェーハ熱処理炉Info
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- JP2002190451A JP2002190451A JP2000386655A JP2000386655A JP2002190451A JP 2002190451 A JP2002190451 A JP 2002190451A JP 2000386655 A JP2000386655 A JP 2000386655A JP 2000386655 A JP2000386655 A JP 2000386655A JP 2002190451 A JP2002190451 A JP 2002190451A
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- JP
- Japan
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- gas
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- tube
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 石英管内のガスの分布を均一にし、半導体ウ
ェーハ熱処理工程における歩留まりを向上させることを
目的とする。 【解決手段】 多数の半導体ウェーハ３を並列して収納
した石英管１の外周に当接してガス供給管４とガス排出
管６を備え、石英管１内にガスを供給するガス噴射孔５
とガスを排出するガス排出孔７を石英管１に多数個形成
した。さらに、石英管１の一端から他端に向けてガスを
供給するガス供給口８を設けている。
ェーハ熱処理工程における歩留まりを向上させることを
目的とする。 【解決手段】 多数の半導体ウェーハ３を並列して収納
した石英管１の外周に当接してガス供給管４とガス排出
管６を備え、石英管１内にガスを供給するガス噴射孔５
とガスを排出するガス排出孔７を石英管１に多数個形成
した。さらに、石英管１の一端から他端に向けてガスを
供給するガス供給口８を設けている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多数の半導体ウェ
ーハを石英管に収納して、不活性ガスや不純物ガスを供
給しながら熱処理を行う半導体ウェーハ熱処理炉に関す
る。
ーハを石英管に収納して、不活性ガスや不純物ガスを供
給しながら熱処理を行う半導体ウェーハ熱処理炉に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を製造する際、不純物拡散工
程や保護膜形成工程などで半導体ウェーハを不純物ガス
や不活性ガス雰囲気中で熱処理を行っている。
程や保護膜形成工程などで半導体ウェーハを不純物ガス
や不活性ガス雰囲気中で熱処理を行っている。
【０００３】図３は従来の半導体ウェーハ熱処理炉の概
略図である。横型の石英管１内に載置したボード２上に
多数の半導体ウェーハ３を縦向きに並列して収納してい
る。石英管１の一端には不純物ガスや不活性ガスを供給
するガス供給口８を形成し、ここから石英管１内に向け
てガスを供給している。石英管１の他端に設けられたガ
ス排出管６を通ってガスを排出している。石英管１の近
傍には図示しないヒータを備え、多数の半導体ウェーハ
３をガス雰囲気中で一度に熱処理を行っている。
略図である。横型の石英管１内に載置したボード２上に
多数の半導体ウェーハ３を縦向きに並列して収納してい
る。石英管１の一端には不純物ガスや不活性ガスを供給
するガス供給口８を形成し、ここから石英管１内に向け
てガスを供給している。石英管１の他端に設けられたガ
ス排出管６を通ってガスを排出している。石英管１の近
傍には図示しないヒータを備え、多数の半導体ウェーハ
３をガス雰囲気中で一度に熱処理を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の半
導体ウェーハ熱処理炉においては、ガス供給口から供給
するガスを石英管の奥まで均一に分布させることができ
ないため、石英管内の半導体ウェーハの処理にばらつき
が生じ歩留まりが低下するという問題があった。
導体ウェーハ熱処理炉においては、ガス供給口から供給
するガスを石英管の奥まで均一に分布させることができ
ないため、石英管内の半導体ウェーハの処理にばらつき
が生じ歩留まりが低下するという問題があった。
【０００５】本発明は上記課題を解決するものであり、
石英管内のガスの分布を均一にし、半導体ウェーハ熱処
理工程における歩留まりを向上させることを目的とす
る。
石英管内のガスの分布を均一にし、半導体ウェーハ熱処
理工程における歩留まりを向上させることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明による半導体ウェーハ熱処理炉は、多数の半導体
ウェーハを並列して収納した石英管と、前記石英管の側
面に当接して前記石英管内にガスを供給するガス供給管
とガスを排出するガス排出管を備え、前記石英管の側面
にガス噴射孔とガス排出孔を多数個形成したものであ
る。
本発明による半導体ウェーハ熱処理炉は、多数の半導体
ウェーハを並列して収納した石英管と、前記石英管の側
面に当接して前記石英管内にガスを供給するガス供給管
とガスを排出するガス排出管を備え、前記石英管の側面
にガス噴射孔とガス排出孔を多数個形成したものであ
る。
【０００７】この本発明によれば、石英管内のガスの分
布を均一化することができるため、半導体ウェーハの歩
留まりを向上させることができる。
布を均一化することができるため、半導体ウェーハの歩
留まりを向上させることができる。
【０００８】また本発明は、前記石英管の一端から他端
に向けてガスを供給するガス供給口を設けたものであ
る。
に向けてガスを供給するガス供給口を設けたものであ
る。
【０００９】石英管の側面に形成したガス噴射孔からの
供給だけでは、個々の半導体ウェーハの上下位置によっ
てガスの分布が不均一となることがあったが、ガス供給
口とガス噴射孔とを組み合わせて石英管内にガスを供給
することにより石英管内のガスの噴流が活発となり、個
々の半導体ウェーハの上下位置においてもガスの分布を
均一化させることができる。
供給だけでは、個々の半導体ウェーハの上下位置によっ
てガスの分布が不均一となることがあったが、ガス供給
口とガス噴射孔とを組み合わせて石英管内にガスを供給
することにより石英管内のガスの噴流が活発となり、個
々の半導体ウェーハの上下位置においてもガスの分布を
均一化させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１１】図１は本実施形態による半導体ウェーハ熱
処理炉の概略図、図２はその断面図である。円筒形の石
英管１内には多数の半導体ウェーハ３がボード２上に並
列して収納されている。半導体ウェーハ３の表面にはガ
ラスが塗布されており、酸素ガス雰囲気中で熱処理する
ことによりガラスに含まれる不純物を除去してガラス焼
成する。石英管１の側面上側に当接して取り付けたガス
供給管４を通り、石英管１の側面に形成した多数のガス
噴射孔５から石英管１内にガスを供給している。石英管
１の側面に形成した多数のガス排出孔７から石英管１の
側面下側に当接して取り付けたガス排出管６を通ってガ
スを排出している。
処理炉の概略図、図２はその断面図である。円筒形の石
英管１内には多数の半導体ウェーハ３がボード２上に並
列して収納されている。半導体ウェーハ３の表面にはガ
ラスが塗布されており、酸素ガス雰囲気中で熱処理する
ことによりガラスに含まれる不純物を除去してガラス焼
成する。石英管１の側面上側に当接して取り付けたガス
供給管４を通り、石英管１の側面に形成した多数のガス
噴射孔５から石英管１内にガスを供給している。石英管
１の側面に形成した多数のガス排出孔７から石英管１の
側面下側に当接して取り付けたガス排出管６を通ってガ
スを排出している。
【００１２】石英管１の一端にはガス供給口８を形成
し、石英管１の側面に形成したガス噴射孔５と併せて石
英管１内にガスを供給している。このため、石英管１内
におけるガスの噴流がスムーズに進み、石英管１内の全
域にわたってガスの分布が均一となる。このため、多数
の半導体ウェーハ３に均一な熱処理を行うことができ
る。
し、石英管１の側面に形成したガス噴射孔５と併せて石
英管１内にガスを供給している。このため、石英管１内
におけるガスの噴流がスムーズに進み、石英管１内の全
域にわたってガスの分布が均一となる。このため、多数
の半導体ウェーハ３に均一な熱処理を行うことができ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、石
英管内のガスの分布を均一化することができるため、多
数の半導体ウェーハを一度に熱処理を行うことができ、
歩留まりも向上させることができる。
英管内のガスの分布を均一化することができるため、多
数の半導体ウェーハを一度に熱処理を行うことができ、
歩留まりも向上させることができる。
【図１】本発明の一実施形態による半導体ウェーハ熱処
理炉の概略図
理炉の概略図
【図２】本発明の一実施形態による半導体ウェーハ熱処
理炉の断面図
理炉の断面図
【図３】従来の半導体ウェーハ熱処理炉の概略図
１ 石英管 ２ ボード ３ 半導体ウェーハ ４ ガス供給管 ５ ガス噴射孔 ６ ガス排出管 ７ ガス排出孔 ８ ガス供給口
Claims (2)
- 【請求項１】 多数の半導体ウェーハを並列して収納す
る石英管と、前記石英管の側面に当接して前記石英管内
にガスを供給するガス供給管とガスを排出するガス排出
管を備え、前記石英管の側面にガス噴射孔とガス排出孔
を多数個形成したことを特徴とする半導体ウェーハ熱処
理炉。 - 【請求項２】 前記石英管の一端にガスを供給するガス
供給口を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体
ウェーハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000386655A JP2002190451A (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 半導体ウェーハ熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000386655A JP2002190451A (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 半導体ウェーハ熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190451A true JP2002190451A (ja) | 2002-07-05 |
Family
ID=18853722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000386655A Pending JP2002190451A (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 半導体ウェーハ熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002190451A (ja) |
-
2000
- 2000-12-20 JP JP2000386655A patent/JP2002190451A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040406 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041019 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041102 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050301 |