JPS5994477A - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
光半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS5994477A JPS5994477A JP57202936A JP20293682A JPS5994477A JP S5994477 A JPS5994477 A JP S5994477A JP 57202936 A JP57202936 A JP 57202936A JP 20293682 A JP20293682 A JP 20293682A JP S5994477 A JPS5994477 A JP S5994477A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L33/52—Encapsulations
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えばエポキシ樹脂等で封止加工されるＬ
ＥＤ等の光半導体装置およびその製造方法に関する。
ＥＤ等の光半導体装置およびその製造方法に関する。
−〔発明の技術的背景〕
Ｌ’Ｆ、Ｄ等の光半導体装置は、樹脂封止工程（キャス
ティング）によって例えば次のようにして製造される。
ティング）によって例えば次のようにして製造される。
第１図に示すようにＬＥＤ７１は半球状のエポキシケー
ス１２と共に構成されるもので、このケース１２は、ま
ず（ａ）図に示すようにキャスティング治具１３に装着
設定する。
ス１２と共に構成されるもので、このケース１２は、ま
ず（ａ）図に示すようにキャスティング治具１３に装着
設定する。
このエポキシケース１２には、エポキシ樹脂１４を注入
充填するもので、この樹脂１゛４の充填完了後に発光素
子がポンディング取シ付けされたリードフレーム１５を
、タイバガイド１６に沿って挿入設定する。そして上記
エポキシ樹脂１４が硬化した後に、リードフレーム１５
をアノードリード１７とカソード１８とに分断して、同
図（ｂ）および（Ｃ）に示すような左右対称形の外囲器
を備えるＬＥ’Ｄを形成している。
充填するもので、この樹脂１゛４の充填完了後に発光素
子がポンディング取シ付けされたリードフレーム１５を
、タイバガイド１６に沿って挿入設定する。そして上記
エポキシ樹脂１４が硬化した後に、リードフレーム１５
をアノードリード１７とカソード１８とに分断して、同
図（ｂ）および（Ｃ）に示すような左右対称形の外囲器
を備えるＬＥ’Ｄを形成している。
また外囲器となるエポキシケース１２を設けない場合は
、第２図の（ａ）および（ｂ）に示すようにキャスティ
ング冶具１３に一体的にケース型２０を設けるもので、
このケース型２θの開口内周面部は、１つの側面部に対
応して平坦部２Ｉを形成し、他の部分は半球筒状面に形
成されているつそしてこのケース型２０の内部にはエポ
キシ樹脂１４を注入充填すると共にリードフレーム１５
を挿入設定する。この場合、リードフレーム１５のカソ
ードリード１８ｔｇ：、対応する部分を、上記平坦部２
１に接触し位置設定する。そして上記エポキシ樹脂１４
が硬化した後に、樹脂１４都とケース型２０とを雛形し
、この離形後に上記リードフレーム１５をアノードリー
ド１７とカソードリード１８とに分断して、第２図（Ｃ
）および（ｄ）に示すように平坦部２１に対応するカソ
ードインデックス２２を有するＬＥＤＩＩを形成してい
る。
、第２図の（ａ）および（ｂ）に示すようにキャスティ
ング冶具１３に一体的にケース型２０を設けるもので、
このケース型２θの開口内周面部は、１つの側面部に対
応して平坦部２Ｉを形成し、他の部分は半球筒状面に形
成されているつそしてこのケース型２０の内部にはエポ
キシ樹脂１４を注入充填すると共にリードフレーム１５
を挿入設定する。この場合、リードフレーム１５のカソ
ードリード１８ｔｇ：、対応する部分を、上記平坦部２
１に接触し位置設定する。そして上記エポキシ樹脂１４
が硬化した後に、樹脂１４都とケース型２０とを雛形し
、この離形後に上記リードフレーム１５をアノードリー
ド１７とカソードリード１８とに分断して、第２図（Ｃ
）および（ｄ）に示すように平坦部２１に対応するカソ
ードインデックス２２を有するＬＥＤＩＩを形成してい
る。
しかしこのような樹脂封止工程で形成されるＬＥＤＩ
１では、エポキシケース１２またはケース型２０に対し
て、発光素子の取り付けられ７’ｃ ！Ｊ −ト７レー
ム１５がそのアノードリード１７およびカソードリード
１８の両側で小さな間隙の存在する状態で挿入される。
１では、エポキシケース１２またはケース型２０に対し
て、発光素子の取り付けられ７’ｃ ！Ｊ −ト７レー
ム１５がそのアノードリード１７およびカソードリード
１８の両側で小さな間隙の存在する状態で挿入される。
このため、このリードフレーム１５の横方向の位置を正
確ＶＣ規制するのは困難であり、発光素子に光軸ずれ不
良が生ずるおそれがある。
確ＶＣ規制するのは困難であり、発光素子に光軸ずれ不
良が生ずるおそれがある。
また、これらのＬＨＤＩＩのアノードリード１７とカソ
ードリード１８とは、それぞれのり−ド１７，１Ｂの長
さの相違が、またはカソードインデックス２２かによっ
て識別されるが、このよりなメ示機能ではアノードリー
ド１７（ＩｌＪおよびカソードリード１８側のそれぞれ
を一見して識別することができない。
ードリード１８とは、それぞれのり−ド１７，１Ｂの長
さの相違が、またはカソードインデックス２２かによっ
て識別されるが、このよりなメ示機能ではアノードリー
ド１７（ＩｌＪおよびカソードリード１８側のそれぞれ
を一見して識別することができない。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、樹脂封止工程（キャスティング）において、
リードフレームを正確に位置設定してケース型中に挿入
し、光軸ずれ等の不良の発生を確実に防止すると共に、
さらにＬＥＤの使用時において、アノードリード側とカ
ソードリード側とを一見して識別することができるよう
になる光半導体装置およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
たもので、樹脂封止工程（キャスティング）において、
リードフレームを正確に位置設定してケース型中に挿入
し、光軸ずれ等の不良の発生を確実に防止すると共に、
さらにＬＥＤの使用時において、アノードリード側とカ
ソードリード側とを一見して識別することができるよう
になる光半導体装置およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
すなわちこの発明に係る光半導体装置は、樹脂封止工程
において用いられるケース型の開口内周面部に、互いに
対向するＣｔでそれぞれ異なる形状のインデックス型を
設けることにより、リードフレームの位置設定を正確に
規制すると共に、ＬＥＤの外囲器に対してそれぞれ異な
る形状のアノードインデックスとカソードインデックス
とが形成されるようにしたものである。
において用いられるケース型の開口内周面部に、互いに
対向するＣｔでそれぞれ異なる形状のインデックス型を
設けることにより、リードフレームの位置設定を正確に
規制すると共に、ＬＥＤの外囲器に対してそれぞれ異な
る形状のアノードインデックスとカソードインデックス
とが形成されるようにしたものである。
〔発明の実施例ｊ
以下図面によシこの発明の一実施列をその製造工程にも
とづき説明する。
とづき説明する。
すなわち第３図に示すようにこの工程ではＬＥＤの外囲
器を形成するための半球筒状のケース型３０が用いられ
る。このケース型３０の開口円周面部には、１つの直径
線に対応してそれぞれ異なる形状、例えば突起状体およ
び平坦面のインデックス型３１ａ、３ｚｂが設けられる
。
器を形成するための半球筒状のケース型３０が用いられ
る。このケース型３０の開口円周面部には、１つの直径
線に対応してそれぞれ異なる形状、例えば突起状体およ
び平坦面のインデックス型３１ａ、３ｚｂが設けられる
。
このケース型３０はその両側でΦヤスティング冶具１３
により支持されている。またこのキャスティング冶具１
３の上面部にはタイバガイド１６が設けられるもので、
このタイバガイド１６には上記インデックスｑ３１ａ、
３１ｂに一致する方向の溝部ｓ２ｙ形成している。
により支持されている。またこのキャスティング冶具１
３の上面部にはタイバガイド１６が設けられるもので、
このタイバガイド１６には上記インデックスｑ３１ａ、
３１ｂに一致する方向の溝部ｓ２ｙ形成している。
そして、上記ケース型３ｏの内部にエポキシ樹脂１４を
注入充填し、次に発光素子がボンディング接続されたリ
ードフレーム１５を挿入スる。このリードフレーム１６
はタイバガイド１６の溝部３２に低め入み位Ｉ！設定す
るものであシ、さらにリードフレーム１５のアノードリ
ード１７、カソードリード１８部に対応してそれぞれ両
側に突設したストッパ部３３ａ、３３ｂを、ケース型３
０に設けられたインデックス型３１ａ、３１ｂの内面に
肖接するように設定し、リードフレーム１５の位置を規
制するようにする。ケース型３０に充填したエポキシ樹
脂Ｉ４が硬化した後に、樹脂１４部とケース型３０とを
離形し、樹脂１４部と一体となったリードフレーム１５
のアノードリード１７とカソードリード１８とを分断す
る。
注入充填し、次に発光素子がボンディング接続されたリ
ードフレーム１５を挿入スる。このリードフレーム１６
はタイバガイド１６の溝部３２に低め入み位Ｉ！設定す
るものであシ、さらにリードフレーム１５のアノードリ
ード１７、カソードリード１８部に対応してそれぞれ両
側に突設したストッパ部３３ａ、３３ｂを、ケース型３
０に設けられたインデックス型３１ａ、３１ｂの内面に
肖接するように設定し、リードフレーム１５の位置を規
制するようにする。ケース型３０に充填したエポキシ樹
脂Ｉ４が硬化した後に、樹脂１４部とケース型３０とを
離形し、樹脂１４部と一体となったリードフレーム１５
のアノードリード１７とカソードリード１８とを分断す
る。
第４図はこのような樹脂対土工程により製造された半球
状のＬＥＤ ３４を示すもので、このＬＥＤ３４の底面
外周部には、前記ケース型３０のインデックス型３１＆
、３１ｂに対応して、互いに対向する位置で、アノード
リード１７およびカソードリード１８のそれぞれに対応
するように、それぞれ異なる形状のアノードインデック
ス３５ａ１ カソードインデックス３５ｂが形成される
。
状のＬＥＤ ３４を示すもので、このＬＥＤ３４の底面
外周部には、前記ケース型３０のインデックス型３１＆
、３１ｂに対応して、互いに対向する位置で、アノード
リード１７およびカソードリード１８のそれぞれに対応
するように、それぞれ異なる形状のアノードインデック
ス３５ａ１ カソードインデックス３５ｂが形成される
。
したがって上記のように樹脂耐重されるＬＥＤ３４によ
れば、発光素子と一体化されたリードフレーム１５は、
ケース型３ｏに設けられたそれぞれのインデックス型３
１ａ、３１ｂおよびタイバガイド１６によって、光軸の
ずれの発生を確実に防止することができる。
れば、発光素子と一体化されたリードフレーム１５は、
ケース型３ｏに設けられたそれぞれのインデックス型３
１ａ、３１ｂおよびタイバガイド１６によって、光軸の
ずれの発生を確実に防止することができる。
以上のようにこの発明によれば、樹脂対土工程において
ケース型に挿入される発光素子と一体化したリードフレ
ームは、正確に位置規制された状態で設定されるように
なるので、透明タイプのＬＥＤおよびデイフユーサタイ
プのＬＥＤ共に光軸ずれ不良が生じることを防止できる
。
ケース型に挿入される発光素子と一体化したリードフレ
ームは、正確に位置規制された状態で設定されるように
なるので、透明タイプのＬＥＤおよびデイフユーサタイ
プのＬＥＤ共に光軸ずれ不良が生じることを防止できる
。
またＬＥＤの外囲器にそれぞれ異なる形状のインデック
ス部が形成されるので、アノードリードおよびカソード
リードの両極性を一見して容易に識別することが可能と
なる。
ス部が形成されるので、アノードリードおよびカソード
リードの両極性を一見して容易に識別することが可能と
なる。
第１図および第２図はそれぞれ従来の光半導体装置およ
びその製造工種を説明する図、第３図はこの発明の一実
施例に係る光半導体装置の製造方法を説明する図、第４
図は上記製造方法で製造された光半導体装置を示す図で
ある。 ３０・・・ケースｌＥＪ、、３１ａ、３１ｂ・・・イン
デックスｑ、３３ａ 、 ：＃３ ｂ・・・リードフレ
ームストッパ部、３４・・・ＬＥＤ、３５ｒｘ・・・ア
ノードインデックス、３５ｂ・・・カソードインデック
ス。 ＊１ （ａ） 矛２ −あ′ （ｂ） 矛３図 （ａ） 、ｌｌａ ｊｌＤ 矛４図 （ａ）
びその製造工種を説明する図、第３図はこの発明の一実
施例に係る光半導体装置の製造方法を説明する図、第４
図は上記製造方法で製造された光半導体装置を示す図で
ある。 ３０・・・ケースｌＥＪ、、３１ａ、３１ｂ・・・イン
デックスｑ、３３ａ 、 ：＃３ ｂ・・・リードフレ
ームストッパ部、３４・・・ＬＥＤ、３５ｒｘ・・・ア
ノードインデックス、３５ｂ・・・カソードインデック
ス。 ＊１ （ａ） 矛２ −あ′ （ｂ） 矛３図 （ａ） 、ｌｌａ ｊｌＤ 矛４図 （ａ）
Claims (2)
- （１）樹脂封止する外囲器ケースのアノード電極および
カソード電極にそれぞれ対応した外周面部に、それぞれ
異なる形状のアノードインデックスとカンードインデッ
クスとを切欠き形成したことを特徴とする光半導体装置
。 - （２）開口部の１つの直径線に対応する対向面に、それ
ぞれ異なる形状のインデックス型を突設した有底面状の
ケース型内に、アノードリードおよびカンードリードの
両側が上記インデックス型相互間に内接するようにして
発光素子に取り付けたリードフレームを挿入設定し、上
記ケース型内には樹脂が充填され硬化されるようにした
ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202936A JPS5994477A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202936A JPS5994477A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994477A true JPS5994477A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16465610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57202936A Pending JPS5994477A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994477A (ja) |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57202936A patent/JPS5994477A/ja active Pending
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