JPS5992591A - 低放射角半導体レ−ザおよびその製造方法 - Google Patents
低放射角半導体レ−ザおよびその製造方法Info
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- JPS5992591A JPS5992591A JP20267882A JP20267882A JPS5992591A JP S5992591 A JPS5992591 A JP S5992591A JP 20267882 A JP20267882 A JP 20267882A JP 20267882 A JP20267882 A JP 20267882A JP S5992591 A JPS5992591 A JP S5992591A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は活性層の埋め込まれた放射角の小さい低放射角
半導体レーザおよびその製造方法に関する。一般に、半
導体レーザの放射角を小さくすることはζ光通信システ
ムにおいて半導体レーザと光ファイバの間の結合効率を
高めるためや、集光された光ビームの穴開を高め民生用
機器に利用する等の観点から重要である。この半導体レ
ーザを低放射角とする方法のうち水平方向の低放射角化
に関しては、活性１＠の横幅を大きくすることによリロ
［能である。しかし、この方法では一般に高次モードが
発生しやすいので、光の出射するり開面付近のみの活性
層横幅を大きくすることが考えられていた。しかし、そ
の場合でも高次モードが発生しやすい上に、反射光等の
戻り光が活性層に再注入されやす〈レーザ＠儂が不安定
になるという欠点があった。
半導体レーザおよびその製造方法に関する。一般に、半
導体レーザの放射角を小さくすることはζ光通信システ
ムにおいて半導体レーザと光ファイバの間の結合効率を
高めるためや、集光された光ビームの穴開を高め民生用
機器に利用する等の観点から重要である。この半導体レ
ーザを低放射角とする方法のうち水平方向の低放射角化
に関しては、活性１＠の横幅を大きくすることによリロ
［能である。しかし、この方法では一般に高次モードが
発生しやすいので、光の出射するり開面付近のみの活性
層横幅を大きくすることが考えられていた。しかし、そ
の場合でも高次モードが発生しやすい上に、反射光等の
戻り光が活性層に再注入されやす〈レーザ＠儂が不安定
になるという欠点があった。
本発明の目的は、−このような欠点を解決し、作製が比
較的容易で水平放射角が小さく、シかも閾値ｔｆの小さ
い低放射角半導体レーザおよびその製造方法を提供する
ことにある。
較的容易で水平放射角が小さく、シかも閾値ｔｆの小さ
い低放射角半導体レーザおよびその製造方法を提供する
ことにある。
本発明の構成は、第１の導電型の半導体基板の上に第１
の導電型の第１バッファ層、活性層および第２の導電型
の第２バツツア層を形成し゛たメサ状ストライブと、こ
のメサ状ストライプの上側を除いて形成した第２の導電
型の第１電流ブロック層および第１の導電型の第２の電
流ブロック層と、前記メサ状ストランプの上側および前
記第２電流ブロック層の上側に形成した第２の導電型の
埋め込み層および第２の導′電型のキャップ層とを含む
プレーナ形埋め込み構造の半導体レーザにおいて、前記
メサ状ストライブの幅を出力個装開面近傍で小さくシ、
前記活性層の幅を前記メサ状ストライブの幅よりも小さ
くしたことを特徴とする。
の導電型の第１バッファ層、活性層および第２の導電型
の第２バツツア層を形成し゛たメサ状ストライブと、こ
のメサ状ストライプの上側を除いて形成した第２の導電
型の第１電流ブロック層および第１の導電型の第２の電
流ブロック層と、前記メサ状ストランプの上側および前
記第２電流ブロック層の上側に形成した第２の導電型の
埋め込み層および第２の導′電型のキャップ層とを含む
プレーナ形埋め込み構造の半導体レーザにおいて、前記
メサ状ストライブの幅を出力個装開面近傍で小さくシ、
前記活性層の幅を前記メサ状ストライブの幅よりも小さ
くしたことを特徴とする。
本発明の低放射角半導体レーザの製造方法は、第１の導
電型の半導体基板上に第１の導電型の第１バッファ層、
活性層および第２の導電型の第２バッファ層からなる多
層構造を形成する第１の工程と、ＩＩＩ記多記構層構造
トリソグラフィーと化学エツチングとにより前記基板に
到達する２本の溝をつくり出力襞間面近傍で狭くなった
メサ状ストライブを形成する第２の工程と、前記メサ状
ストライプ中の前記活性層のみを選択エツチングしてそ
の幅を前記メサ状ストライブの幅よりも狭くする第３の
工程と、前記活性ＩＩを高温下で物質移送させて前記第
１および第２バッファ層に包含させる第４の工程と、前
記メサ状ストライブの上部に除いて第２の導電型の第１
′＃を流ブロック層および第ｌの４電型の第２電流ブロ
ック層とを形成する第５の工程と、前記メサ状ストライ
ブの上側および前記＄２電流プロ、り層の上側に第２の
導電型の埋め込み層および第２の導電型のキャップ層を
形成する第６の工程とを含み構成される。
電型の半導体基板上に第１の導電型の第１バッファ層、
活性層および第２の導電型の第２バッファ層からなる多
層構造を形成する第１の工程と、ＩＩＩ記多記構層構造
トリソグラフィーと化学エツチングとにより前記基板に
到達する２本の溝をつくり出力襞間面近傍で狭くなった
メサ状ストライブを形成する第２の工程と、前記メサ状
ストライプ中の前記活性層のみを選択エツチングしてそ
の幅を前記メサ状ストライブの幅よりも狭くする第３の
工程と、前記活性ＩＩを高温下で物質移送させて前記第
１および第２バッファ層に包含させる第４の工程と、前
記メサ状ストライブの上部に除いて第２の導電型の第１
′＃を流ブロック層および第ｌの４電型の第２電流ブロ
ック層とを形成する第５の工程と、前記メサ状ストライ
ブの上側および前記＄２電流プロ、り層の上側に第２の
導電型の埋め込み層および第２の導電型のキャップ層を
形成する第６の工程とを含み構成される。
本発明においては、メサ状ストライプ中の活性層の幅を
出力側襞間向近傍でのみ小さくしているので、出射する
光ビームの水平放射角が小さくなると同時に、襞間面近
傍を除く他の部分でのフィリング７アクタを従来と同様
に大きく保てるので、閾値電流は従来と同等種変に小さ
い。また、出射する光ビームの水平放射角を小さくする
ためにメ５− サ状ストライプ中の活性層の幅を出力個装開面近傍での
み小さくしているので、高次モードが発生しに〈＜、反
射光等の戻り光が活性層に再注入されてレーザ発振が不
安定になるということがない。
出力側襞間向近傍でのみ小さくしているので、出射する
光ビームの水平放射角が小さくなると同時に、襞間面近
傍を除く他の部分でのフィリング７アクタを従来と同様
に大きく保てるので、閾値電流は従来と同等種変に小さ
い。また、出射する光ビームの水平放射角を小さくする
ためにメ５− サ状ストライプ中の活性層の幅を出力個装開面近傍での
み小さくしているので、高次モードが発生しに〈＜、反
射光等の戻り光が活性層に再注入されてレーザ発振が不
安定になるということがない。
また、活性層の幅を小さくする工程として、活性層の含
まれるメサ状ストライブを単に細くするのではなく、メ
サ状ストライブを形成後選択工、チング法により活性層
の幅のみを小さくしているので、作製時の制御性に優れ
ている。さらに、選択エツチング法により幅の小さくな
った活性層を高温下の物質移送（ヒートトランスポート
）現象により第１バッファ層及び第２バッファ層で包含
するので、その後の結晶成長の再現性が良く、その結晶
性も良好になる。
まれるメサ状ストライブを単に細くするのではなく、メ
サ状ストライブを形成後選択工、チング法により活性層
の幅のみを小さくしているので、作製時の制御性に優れ
ている。さらに、選択エツチング法により幅の小さくな
った活性層を高温下の物質移送（ヒートトランスポート
）現象により第１バッファ層及び第２バッファ層で包含
するので、その後の結晶成長の再現性が良く、その結晶
性も良好になる。
次に本発明をＩｎＧＢＡ４Ｐ／ＩＨＰ系半導体レーザを
例に上半導体レーザいて詳細に説明する。
例に上半導体レーザいて詳細に説明する。
第１図はＩｒｔＰを基板とし工ｎｌ−，ｃＧａｘＡＳｙ
Ｐ１−ｙ（０≦ＸＩＶ≦１）を活性層とするｌ ｎＧａ
ｋＢ Ｐ／ Ｉ ｎ Ｐ系の１μｍμｍ溝体レーザの活
性層幅Ｗと水平放射角半値全幅θ、□の関係を計算によ
り求めたグラフで ６− あり、活性層厚ｄがパラメータとなっている。図中、実
線がＷとθ０、の関係、破線が高次モードがカットオフ
になる領域の境界を示す。この図から解る様に水ｆ放射
角θ□１を小さくする領域は活性層幅Ｗが小さい領域と
大きい領域の２つありうるが、単−横モード発振を確保
して水平放射角θ、１を減小させるためには、図中の破
線との交点で示される活性層幅より小さい領域でなけれ
ばならない。１ｎｔｉａＡＳｐＺｔｎｐ系半導体レーザ
の場合には、この値は１〜２μｍ以下となっている。従
って、例えば基本横モード発振を確保しつつ半導体レー
ザの低放射化を図るには、出力個装開面近傍の活性層幅
を１μｍ以下、それ以外のところの活性層幅を１５μｍ
程度とすることが望ましい。
Ｐ１−ｙ（０≦ＸＩＶ≦１）を活性層とするｌ ｎＧａ
ｋＢ Ｐ／ Ｉ ｎ Ｐ系の１μｍμｍ溝体レーザの活
性層幅Ｗと水平放射角半値全幅θ、□の関係を計算によ
り求めたグラフで ６− あり、活性層厚ｄがパラメータとなっている。図中、実
線がＷとθ０、の関係、破線が高次モードがカットオフ
になる領域の境界を示す。この図から解る様に水ｆ放射
角θ□１を小さくする領域は活性層幅Ｗが小さい領域と
大きい領域の２つありうるが、単−横モード発振を確保
して水平放射角θ、１を減小させるためには、図中の破
線との交点で示される活性層幅より小さい領域でなけれ
ばならない。１ｎｔｉａＡＳｐＺｔｎｐ系半導体レーザ
の場合には、この値は１〜２μｍ以下となっている。従
って、例えば基本横モード発振を確保しつつ半導体レー
ザの低放射化を図るには、出力個装開面近傍の活性層幅
を１μｍ以下、それ以外のところの活性層幅を１５μｍ
程度とすることが望ましい。
第２図は本発明の実癩例の出力側襞間面を示す断面１凶
、第３図は第２図の出力側と反対のり開面を示す断面図
である。第４図はこの実施例の活性層平面図、第５図、
第６（９）は製造途中における狭部メサ状ストライプお
よび広部メサ状ストライブの１ｆｒ而図である。この実
施例は、波長１．３ ｔｔ ｍの基本横モード発振低放
射角半導体レーザであハその製造工程は次の様になる。
、第３図は第２図の出力側と反対のり開面を示す断面図
である。第４図はこの実施例の活性層平面図、第５図、
第６（９）は製造途中における狭部メサ状ストライプお
よび広部メサ状ストライブの１ｆｒ而図である。この実
施例は、波長１．３ ｔｔ ｍの基本横モード発振低放
射角半導体レーザであハその製造工程は次の様になる。
まず、ｎ−１ｒ＋ｐウエーハの基板ｌの上に、ｎ−１ｎ
Ｐの第１バッファ層２、発振波長１．３μｍの１１ｏｙ
２Ｇａｏ、２ｓ ＡｓｏＡｔ Ｐｏ５ｅ活性Ｉｌｌ ３
＋ ）’−１１Ｐ の第２バック７層４を順次液相成
長させる。次に、ホトリソグラフィー技術と化学エツチ
ングにより２本の溝を形成し、狭部メサ状ストライブ２
０及び広部メサ状ストライプ３０を作製する。使用した
エツチング溶液はＢ「メタノール混液である。その狭部
メサ状ストライプ２ｏの幅は約１．７μｍ＋広部メサ状
ストライブ３００幅は約２．５μｍである。次に、活性
層３の選択エツチング溶液であるＫ（ＪＨとＫｓＦｅ（
ＯＮ）、の５０：１重量比混液により、メサ状ストライ
プ２０＊３０中の活性層３のみをエツチングし、狭部メ
サ状ストライプ２ｏ中の活性層３の幅を０．８μｍ程度
、広部メサ状ストライプ３０中の活性層３の幅を１．６
μｍ程度とする。
Ｐの第１バッファ層２、発振波長１．３μｍの１１ｏｙ
２Ｇａｏ、２ｓ ＡｓｏＡｔ Ｐｏ５ｅ活性Ｉｌｌ ３
＋ ）’−１１Ｐ の第２バック７層４を順次液相成
長させる。次に、ホトリソグラフィー技術と化学エツチ
ングにより２本の溝を形成し、狭部メサ状ストライブ２
０及び広部メサ状ストライプ３０を作製する。使用した
エツチング溶液はＢ「メタノール混液である。その狭部
メサ状ストライプ２ｏの幅は約１．７μｍ＋広部メサ状
ストライブ３００幅は約２．５μｍである。次に、活性
層３の選択エツチング溶液であるＫ（ＪＨとＫｓＦｅ（
ＯＮ）、の５０：１重量比混液により、メサ状ストライ
プ２０＊３０中の活性層３のみをエツチングし、狭部メ
サ状ストライプ２ｏ中の活性層３の幅を０．８μｍ程度
、広部メサ状ストライプ３０中の活性層３の幅を１．６
μｍ程度とする。
第５図、第６図は選択エツチング終了後のメサ状ストラ
イプ２０＋３０の断面形状を示している。
イプ２０＋３０の断面形状を示している。
次に、ｉ２［ｇ１目の成長工程において第１ブロック！
−５等を成長させるに先だち、ウェーハ１をカーボンス
ライダーに設置しカーボン板で糧った状態で成長炉中に
Ｈ２ガスとＰＨ３ガスを満たし６６０°Ｃで１時間放置
することにより、高温下の物質移送現象を生ぜしめ、メ
サ状ストライプ２０．３０中の活性層３を第１バッファ
層２及び第２バツクアＮＩ３で包含せしめる。その後、
通常の結晶成長に移行しｐ−１ｎＰの第１プロｙり（帽
５、ｎ−１ｎＰの第２ブロック層６＋ｐｌｎＰの埋め込
み層７゜禁止−ｆｉｌ１ｇ波長１．１５μｍのｐ−１１
ｏｎｚＧａｏ、ｘｓＡｇｏ、４゜）’ｏ、ａｏのキャッ
プ層８を液相成長させる。その後第１電極９Ｉ４２電極
１０を形成した後、狭部メサ状ストライブ２０及び広部
メサ状ストライブ３０の位置で襞間して低放射角半導体
レーザを得る。
−５等を成長させるに先だち、ウェーハ１をカーボンス
ライダーに設置しカーボン板で糧った状態で成長炉中に
Ｈ２ガスとＰＨ３ガスを満たし６６０°Ｃで１時間放置
することにより、高温下の物質移送現象を生ぜしめ、メ
サ状ストライプ２０．３０中の活性層３を第１バッファ
層２及び第２バツクアＮＩ３で包含せしめる。その後、
通常の結晶成長に移行しｐ−１ｎＰの第１プロｙり（帽
５、ｎ−１ｎＰの第２ブロック層６＋ｐｌｎＰの埋め込
み層７゜禁止−ｆｉｌ１ｇ波長１．１５μｍのｐ−１１
ｏｎｚＧａｏ、ｘｓＡｇｏ、４゜）’ｏ、ａｏのキャッ
プ層８を液相成長させる。その後第１電極９Ｉ４２電極
１０を形成した後、狭部メサ状ストライブ２０及び広部
メサ状ストライブ３０の位置で襞間して低放射角半導体
レーザを得る。
本発明の実施例における必要条件は次の点にある。
（１） 活性層を含むメサ状ストライプを作製し、そ
のメサ状ストライブの幅を出力側襞間面近 ９− 傍で小さくする。
のメサ状ストライブの幅を出力側襞間面近 ９− 傍で小さくする。
（２）選択エツチング法によりメサ状ストライプ中の活
性層の幅をメサ状ストライブよりさらに小さくする。
性層の幅をメサ状ストライブよりさらに小さくする。
（３）高温下の物質移送現象によりメサ状ストライプ中
の活性層をその上下のクラッド層で包含せしめる。
の活性層をその上下のクラッド層で包含せしめる。
（４）活性層の包含されたメサ状ストライプの作製後、
第１ブロックＩ−１第２ブロック層、埋め込み層、キャ
ップ層を成長させ電流狭９作用を有するプレーナ形半導
体レーザウェーハを形成する。
第１ブロックＩ−１第２ブロック層、埋め込み層、キャ
ップ層を成長させ電流狭９作用を有するプレーナ形半導
体レーザウェーハを形成する。
また、本発明の実施例における望ましい条件は次のとお
りである。
りである。
（１）メサ状ストライプ中に含まれる活性層の幅は大き
いところでも高次モードのカットオフ条件を満たす幅と
する。
いところでも高次モードのカットオフ条件を満たす幅と
する。
（２）狭部メサ状ストライブと広部メサ状ストライブと
の境界の領域は、なめらかに幅が変化するようにする。
の境界の領域は、なめらかに幅が変化するようにする。
１０−
以上、１ｎＧａＡＢＰ／Ｉｙｌ）’系中導体レーザの実
施例により本％明を説明したが、その大要は他の半導体
レーザに対しても適用しうるものであり、その結晶成長
法も液相成長に限定する必要はなく、またエツチング溶
液やエツチング溶液も実施例で用いた方法や溶液に限定
されるものではない。
施例により本％明を説明したが、その大要は他の半導体
レーザに対しても適用しうるものであり、その結晶成長
法も液相成長に限定する必要はなく、またエツチング溶
液やエツチング溶液も実施例で用いた方法や溶液に限定
されるものではない。
第１図は１ｎＧａＡｓ）’／Ｉｎｆ’系のｌ／ｊｍ帯半
導体レーザの活性７！１１１１＠Ｗと水平放射角半値全
幅θ１１の関係を示す特性図、第２図、第３図は本発明
の実施例の出力側およびこの出力と反対側の臂１用向の
各断面図、第４図は本実施例の活性層の平曲図、第５図
、第６図は第３図の製造途中における狭部メサ状ストラ
イブおよび広部メサ状ストライブの各断面図である。図
において、 ｌ・・・・・・ｌｎＰウェーハ、２・・・・・・第１ク
ラッド層、３・・・・・・活性層、４・・・・・・第２
クラッド層、５・・・・・・第１ブロツクノー、６・・
・・・・第２ブロック１−１７・・・・・・埋め込みＬ
−１８・・・・・・キャップＩｌｌ、９１１０・・・・
・・電極、２０・・・・・・狭部メサ状ストライブ、３
０・旧・・広部メサ状ストライブである。 第１閉 μル Ｐル ０／２３４Ｐつ ；８をも眉十昌 （Ｗ） 第４閉 ｊ￥７５１ ￥；６０
導体レーザの活性７！１１１１＠Ｗと水平放射角半値全
幅θ１１の関係を示す特性図、第２図、第３図は本発明
の実施例の出力側およびこの出力と反対側の臂１用向の
各断面図、第４図は本実施例の活性層の平曲図、第５図
、第６図は第３図の製造途中における狭部メサ状ストラ
イブおよび広部メサ状ストライブの各断面図である。図
において、 ｌ・・・・・・ｌｎＰウェーハ、２・・・・・・第１ク
ラッド層、３・・・・・・活性層、４・・・・・・第２
クラッド層、５・・・・・・第１ブロツクノー、６・・
・・・・第２ブロック１−１７・・・・・・埋め込みＬ
−１８・・・・・・キャップＩｌｌ、９１１０・・・・
・・電極、２０・・・・・・狭部メサ状ストライブ、３
０・旧・・広部メサ状ストライブである。 第１閉 μル Ｐル ０／２３４Ｐつ ；８をも眉十昌 （Ｗ） 第４閉 ｊ￥７５１ ￥；６０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）第１の導電型の半導体基板の上に第１の導電型の＄
１バッファ層、活性層および第２の導電型の第２バッフ
ァ層とを形成したメサ状ストライブと、このメサ状スト
ライプの上側を除いて形成した第２の導電型の第１電流
ブロック層および第１の導′醒型の第２電流ブロック層
と、前記メサ状ストライプの上側およびＡｆｔ記第２屯
流ブロック層の上聞に形成した第２の導電型の埋め込み
層および第２の導電戴のキャップ層とを含むブレーナ形
埋め込み構造の半導体レーザにおいて、前記メサ状スト
ライプの幅を出力側襞間面近傍で小さくシ、前記活性１
−の幅を前記メサ状ストライプの幅よりも小さくしたこ
とを特徴とする低放射角半導体レーザ。 ２）第１の導電型の半導体基板上に第１の導電型の第１
バッファ層、活性層および第２の導電型の第２バッファ
層からなる多層構造を形成する第１の工程と、前記多ノ
ー構造をホトリソグラフィーと化学エツチングとにより
前記基板に到達する２本の溝をつくり出力臂開面近傍で
狭くなったメサ状ストライプを形成する第２の工程と、
前記メサ状ストライブ中の前記活性層のみを選択エツチ
ングして、その幅を前記メサ状ストライプの幅よりも挟
くする第３の工程と、前記活性層を高温下で物質移送さ
せて前記第１および第２バツクア層に包含させる第４の
工程と、前記メサ状ストライプの上部を除いて第２の導
電型の第１電流ブロック層および第１の導電型の第２電
流ブロック層とを形成する第５の工程と、前記メサ状ス
トライプの上側および前記第２電流ブロック層の上側に
第２の導電型の埋め込み層および第２の導電型のキャッ
プ層を形成する第６の工程とを含む低放射角半導体レー
ザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20267882A JPS5992591A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 低放射角半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20267882A JPS5992591A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 低放射角半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992591A true JPS5992591A (ja) | 1984-05-28 |
Family
ID=16461338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20267882A Pending JPS5992591A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 低放射角半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992591A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4777148A (en) * | 1985-01-30 | 1988-10-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for making a mesa GaInAsP/InP distributed feedback laser |
| US5082799A (en) * | 1990-09-14 | 1992-01-21 | Gte Laboratories Incorporated | Method for fabricating indium phosphide/indium gallium arsenide phosphide buried heterostructure semiconductor lasers |
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| US5222091A (en) * | 1990-09-14 | 1993-06-22 | Gte Laboratories Incorporated | Structure for indium phosphide/indium gallium arsenide phosphide buried heterostructure semiconductor |
| US5543355A (en) * | 1994-04-18 | 1996-08-06 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor laser device having current blocking layers |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP20267882A patent/JPS5992591A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO1992005576A1 (en) * | 1990-09-14 | 1992-04-02 | Gte Laboratories Incorporated | New structure and method for fabricating indium phosphide/indium gallium arsenide phosphide buried heterostructure semiconductor lasers |
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