JPS5990349A - 粒子線測定装置 - Google Patents
粒子線測定装置Info
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- JPS5990349A JPS5990349A JP58181768A JP18176883A JPS5990349A JP S5990349 A JPS5990349 A JP S5990349A JP 58181768 A JP58181768 A JP 58181768A JP 18176883 A JP18176883 A JP 18176883A JP S5990349 A JPS5990349 A JP S5990349A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
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- H01J37/10—Lenses
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
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- H01J49/46—Static spectrometers
- H01J49/48—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter
- H01J49/488—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter with retarding grids
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- H—ELECTRICITY
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2443—Scintillation detectors
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、試料−ヒへの一次粒子の結像のための対物部
と二次粒子の検知のためのスペクトロメータとを有する
粒子線測定装置に関する。
と二次粒子の検知のためのスペクトロメータとを有する
粒子線測定装置に関する。
電子ゾンデによる電位の測定の際、下式により与えられ
る電位分解能が得られる。
る電位分解能が得られる。
ΔＶ＋ｋ ｌ ｐΔｆ ／ ｉ・
この電位分解能は、スペクトロメータ定数ｋ。
断続比ｐおよび帯域幅Δｆが所与であれば、電子ゾンデ
の電流１８が大きいほど良好である。
の電流１８が大きいほど良好である。
電子ゾンデを形成する対物部の通常のレンズ収差のため
に、ゾンデ電流１８はこの通常のレンズ収差に関係する
。近似的にこの関係は下式により与えられている。
に、ゾンデ電流１８はこの通常のレンズ収差に関係する
。近似的にこの関係は下式により与えられている。
ｘ８−１．１３πＲａ′Ｉ（ｄ２−（（２Ｃｐ’Ｕα／
１Ｊ）２＋（ｃδα”／２）’］この式かられかるよう
に、電子ゾンデの直径ｄが所与であり、方向性ビーム値
Ｒが所与であり、開口αが所与であり、かつ電子ゾンデ
のエネルギー幅ΔＵが所与であれば、電子ゾンデの電流
１８は、軸色収差ＣＦと電子ゾンデな形成する対物部の
レンズの開口収差Ｃδとが大きくなるほど、小さくなる
。
１Ｊ）２＋（ｃδα”／２）’］この式かられかるよう
に、電子ゾンデの直径ｄが所与であり、方向性ビーム値
Ｒが所与であり、開口αが所与であり、かつ電子ゾンデ
のエネルギー幅ΔＵが所与であれば、電子ゾンデの電流
１８は、軸色収差ＣＦと電子ゾンデな形成する対物部の
レンズの開口収差Ｃδとが大きくなるほど、小さくなる
。
電子ゾンデの電流１８は、レンズを励磁するレンズ電流
の増大によりレンズ収差が減ぜられれば、女ノ偽Ｉ＋方
広己あイ旦１ １ 清、１１−５１デ ト Ｌ＋Ｉｄ
＋±Ｉ！改）（３） いてこのレンズの焦点距離、従ってまた動作間隔が短く
なるので試料と対物レンズとの間にスペクトロメータ・
検出器配置のための場所がもはや残されなくなる。
の増大によりレンズ収差が減ぜられれば、女ノ偽Ｉ＋方
広己あイ旦１ １ 清、１１−５１デ ト Ｌ＋Ｉｄ
＋±Ｉ！改）（３） いてこのレンズの焦点距離、従ってまた動作間隔が短く
なるので試料と対物レンズとの間にスペクトロメータ・
検出器配置のための場所がもはや残されなくなる。
電位測定はこれまでは通常の走査電子顕微侍４に適合せ
しめら丸た。定量的電位測定のためのスペクトロメータ
は試料と対物レンズとの間に取付けられた（ Ｈ，Ｐ、
Ｆｅｕｅｒｂａｕｍ、 Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃ
ｔｒ −ｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ／ １９７９ ／
Ｉ、２８５−２９６１゜このような公知のスペクトロメ
ータは：らる發小動作問隔を必要とし、それを動・作問
隔が下回ってはならない。そのため、この対物レンズの
焦点距離、従ってまた動作間隔の短縮による対物レンズ
収差の減少は可能でない。
しめら丸た。定量的電位測定のためのスペクトロメータ
は試料と対物レンズとの間に取付けられた（ Ｈ，Ｐ、
Ｆｅｕｅｒｂａｕｍ、 Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃ
ｔｒ −ｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ／ １９７９ ／
Ｉ、２８５−２９６１゜このような公知のスペクトロメ
ータは：らる發小動作問隔を必要とし、それを動・作問
隔が下回ってはならない。そのため、この対物レンズの
焦点距離、従ってまた動作間隔の短縮による対物レンズ
収差の減少は可能でない。
本発明の目的は、胃頓に記載した種類の・装置であって
、ゾンデ電流を有効に高めることができ、かつＣまたは
）電位分解能を改善することができるものを提供するこ
とである。
、ゾンデ電流を有効に高めることができ、かつＣまたは
）電位分解能を改善することができるものを提供するこ
とである。
′Ｉ：ｌ′）刀（二部のりγし骸１勺。 し刀１し宅ｌ
ｔｔ二より１氾力Ｃ二ど（４） １項に記載の装置により達成される。本発明の実施態様
および利点は特許請求の範囲第２項以下の各項、以下の
説明および図面に示されている。
ｔｔ二より１氾力Ｃ二ど（４） １項に記載の装置により達成される。本発明の実施態様
および利点は特許請求の範囲第２項以下の各項、以下の
説明および図面に示されている。
本発明は、一体化されたスペクトロメータ（スペクトロ
メータ対物部）を有する対物レンズ配電であって、対物
レンズ収差が一層短い焦点距離により減ぜられているも
のを可能にする。それにより、同一のゾンデ電流ｉｓに
おいて、位置分解能の改善も電位分解能の改善も達成さ
れる。
メータ対物部）を有する対物レンズ配電であって、対物
レンズ収差が一層短い焦点距離により減ぜられているも
のを可能にする。それにより、同一のゾンデ電流ｉｓに
おいて、位置分解能の改善も電位分解能の改善も達成さ
れる。
スペクトロメータ・検出器の電界と対物レンズの磁界と
の重畳により】つの電子光学的ユニット（°“フィルタ
レンズ”）が得られ、それにより試料で放出された二次
電子がスペクトロメータのフィルタ電極上に結像される
。すなわち、たとえば通常のスペクトロメータ格子が強
度損失なしに絞りにより置換され得る。それζ二より有
害な後方散乱電子を抑制することができ、信号パックグ
ラウンドが小さくなり、また測定精度が改善される。
の重畳により】つの電子光学的ユニット（°“フィルタ
レンズ”）が得られ、それにより試料で放出された二次
電子がスペクトロメータのフィルタ電極上に結像される
。すなわち、たとえば通常のスペクトロメータ格子が強
度損失なしに絞りにより置換され得る。それζ二より有
害な後方散乱電子を抑制することができ、信号パックグ
ラウンドが小さくなり、また測定精度が改善される。
！ｈ定のエイ・ルギーの二次電子のみがフィルタ、絞り
上へのフォーカシングを行なわれ、このフィルタを通過
する。他の二次１子はこのフィルタ絞りにより制止され
る。
上へのフォーカシングを行なわれ、このフィルタを通過
する。他の二次１子はこのフィルタ絞りにより制止され
る。
大発明によれば、スペクトロメータのミノへ、これらの
電極のｉ位、これらの電極と試料との間の間隔、こ）ｔ
らの電極と対物レンズとの間の間隔およびこれらの電極
の相互間の間隔の適当な選定によりスペクトロメータ特
性曲線が改善され、また電位分解能が高めら′ｈ得る。
電極のｉ位、これらの電極と試料との間の間隔、こ）ｔ
らの電極と対物レンズとの間の間隔およびこれらの電極
の相互間の間隔の適当な選定によりスペクトロメータ特
性曲線が改善され、また電位分解能が高めら′ｈ得る。
要約すると、本発明（二よる装置の利点は、スペクトロ
メータ対物部により高いゾンデ′侃流が得られること、
位置分解能が改善されること、また電位分解能が改善さ
れることである。
メータ対物部により高いゾンデ′侃流が得られること、
位置分解能が改善されること、また電位分解能が改善さ
れることである。
本発明の実施例をμ下に図面により詳細に説明する。
第１図には本発明によるスペクトロメータ対物部の原理
が示されている。−吹型子ゾンデＰＥは試料ＰＲ上で低
エネルギーの二次電子ＳＥおよび高エイ、ルギーの後方
散乱電子ＲＥを放出させる。
が示されている。−吹型子ゾンデＰＥは試料ＰＲ上で低
エネルギーの二次電子ＳＥおよび高エイ、ルギーの後方
散乱電子ＲＥを放出させる。
試料Ｐ Ｒは電位Ｕ、にある。試料ＰＲで放出された二
次電子ＳＦは、たとえば格子電極として構成されており
かつ電位Ｕ２にある電極Ｇ１（二より加速され、また電
極Ｇ２にかかつている電位Ｕ３により再び減速される。
次電子ＳＦは、たとえば格子電極として構成されており
かつ電位Ｕ２にある電極Ｇ１（二より加速され、また電
極Ｇ２にかかつている電位Ｕ３により再び減速される。
電極Ｇ２も格子電極として構成されていてよい。電極Ｇ
２を通過した二次電子流は、試料にかかつている電圧す
なわち測定すべき電位Ｕ、の尺度である。
２を通過した二次電子流は、試料にかかつている電圧す
なわち測定すべき電位Ｕ、の尺度である。
磁界レンズの磁界Ｂの重畳により、試料ＰＲで放出され
た二次電子ＳＥは電極Ｇ２上へのフォーカシングを行な
われ得る。強度損失なしに、このフォーカシングによっ
て、電極Ｑｌ、 Ｇ２として通常用いられる格子を微
細絞りにより置換することができ、それにより望ま１−
＜ない後方散乱電子が捕獲され得る。その際、電極Ｇ１
としての絞りは開口絞りとして作用し、また電極Ｇ２と
しての絞りはエネルギー選択の作用をする。
た二次電子ＳＥは電極Ｇ２上へのフォーカシングを行な
われ得る。強度損失なしに、このフォーカシングによっ
て、電極Ｑｌ、 Ｇ２として通常用いられる格子を微
細絞りにより置換することができ、それにより望ま１−
＜ない後方散乱電子が捕獲され得る。その際、電極Ｇ１
としての絞りは開口絞りとして作用し、また電極Ｇ２と
しての絞りはエネルギー選択の作用をする。
電位Ｕ、を有する試料］？Ｒと電位Ｕ２を有する電％
Ｇｉとの間ｌ二は電界Ｅ、が存在する。電位Ｕ２を有す
る電極Ｇ１と電位Ｕ、を有する電極（）２との間（二は
制動１１界Ｅ２が存在する。電界ＥＩは二次電子Ｓｇを
加速する役割をする。試料ＰＲと電極Ｇ１との間には望
ましくない後方散乱電子ＲＥの遮蔽用および軸線付近の
二次電子ＳＥの選択用のシールドＳ１が配置されている
。電極Ｇ１と電極Ｇ２との間には同様の理由から別のシ
ールドＳ２が配置されている。
Ｇｉとの間ｌ二は電界Ｅ、が存在する。電位Ｕ２を有す
る電極Ｇ１と電位Ｕ、を有する電極（）２との間（二は
制動１１界Ｅ２が存在する。電界ＥＩは二次電子Ｓｇを
加速する役割をする。試料ＰＲと電極Ｇ１との間には望
ましくない後方散乱電子ＲＥの遮蔽用および軸線付近の
二次電子ＳＥの選択用のシールドＳ１が配置されている
。電極Ｇ１と電極Ｇ２との間には同様の理由から別のシ
ールドＳ２が配置されている。
第２図および第３図には、通常の走査電子顕微鏡対物部
０１を有する本発明によるスペクトロメータ対物部が示
されている。−吹型子線ＰＥは通常の走査電子顕微鏡対
物部０１のレンズの可変磁界Ｂｌ二より試料ＰＲ上への
フォーカシングを行なわれる。電極Ｇ２上への二次電子
ＳＥのフォーカシングのためには、電極Ｇ２にかけられ
る電圧Ｕ２が適当に設定される。スペクトロメータ配置
の後で二次電子ＳＥは検出器］）Ｔ上の電界を通じて移
適当な検出器はたとえばｐｖｅｒｈａｒｔ −’ｌ’ｈ
ｏｒｎｌｅｙおよびＲｏｂｉｎｓｏｎ検出器、半導体シ
ョットキダイオード、チャネルトロンまたは電流測定用
の簡単な捕集電極である（ ０． Ｃ，Ｗｅｌｌｓ ”
３ｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃ
ｏｐｙ ”、 Ｍｅ Ｇｒａｗ−Ｈｉｌｌ。
０１を有する本発明によるスペクトロメータ対物部が示
されている。−吹型子線ＰＥは通常の走査電子顕微鏡対
物部０１のレンズの可変磁界Ｂｌ二より試料ＰＲ上への
フォーカシングを行なわれる。電極Ｇ２上への二次電子
ＳＥのフォーカシングのためには、電極Ｇ２にかけられ
る電圧Ｕ２が適当に設定される。スペクトロメータ配置
の後で二次電子ＳＥは検出器］）Ｔ上の電界を通じて移
適当な検出器はたとえばｐｖｅｒｈａｒｔ −’ｌ’ｈ
ｏｒｎｌｅｙおよびＲｏｂｉｎｓｏｎ検出器、半導体シ
ョットキダイオード、チャネルトロンまたは電流測定用
の簡単な捕集電極である（ ０． Ｃ，Ｗｅｌｌｓ ”
３ｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃ
ｏｐｙ ”、 Ｍｅ Ｇｒａｗ−Ｈｉｌｌ。
１９７４年またはＬ Ｒｅ ｉｍｅ ｒ他” Ｒａ５ｔ
ｅｒ−Ｅｌ−ｅｋｔｒｏｎｅｎｍｉｋｒｏｓｋｏｐｉｅ
” ＋１第１版、ｌＳｐｒｉ−ｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌ
ａｇ 、 １９７３年を参照）。
ｅｒ−Ｅｌ−ｅｋｔｒｏｎｅｎｍｉｋｒｏｓｋｏｐｉｅ
” ＋１第１版、ｌＳｐｒｉ−ｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌ
ａｇ 、 １９７３年を参照）。
二次電子ＳＥの加速のため電位Ｕ２にある電極Ｇ１は第
２図ないし第５図では格子電極またはシールド（絞り）
付き格子電極として絞りスライダ上に取付けられている
。電極Ｇ２に対してはフィルタ絞りが設けられている。
２図ないし第５図では格子電極またはシールド（絞り）
付き格子電極として絞りスライダ上に取付けられている
。電極Ｇ２に対してはフィルタ絞りが設けられている。
フィルタ絞りとしては、電位Ｕ３がかけられている通常
の開口絞りＡＢが作用する。フィルタを通された二次電
子ＳＦは走査電子顕微鏡対物部０１のレンズの上側で検
出器ＤＴにより検知される。第２図ないし第５図にはそ
れぞれ右側に磁界Ｂの軸線方向分布がの（第２図ないし
第５図で直線１．２により境いされている）磁界Ｂの部
分は電極Ｇ２上への二次電子Ｓ Ｅの結ｒ象のための役
割をする。
の開口絞りＡＢが作用する。フィルタを通された二次電
子ＳＦは走査電子顕微鏡対物部０１のレンズの上側で検
出器ＤＴにより検知される。第２図ないし第５図にはそ
れぞれ右側に磁界Ｂの軸線方向分布がの（第２図ないし
第５図で直線１．２により境いされている）磁界Ｂの部
分は電極Ｇ２上への二次電子Ｓ Ｅの結ｒ象のための役
割をする。
第２図ないし第５図中の検出器Ｔ）Ｔの配置はそれぞれ
対称に図示されている。このような配置は本発明の実施
に最も適している。しかし本発明の範囲内で、第２図な
いし第５図に示されている検出器ＤＴとは一異なる検出
器を用いることもできる。
対称に図示されている。このような配置は本発明の実施
に最も適している。しかし本発明の範囲内で、第２図な
いし第５図に示されている検出器ＤＴとは一異なる検出
器を用いることもできる。
たとえば第２図では光導体Ｔ、 Ｉが光学軸に対して対
称に通常の走査電子顕微鏡対物部０１の内壁に配置され
ている。この光導体ＬＩの光学軸（ｅｌｌｌの表面には
、＋１０ｋＶの電位にあるｉ／ンチレータＳＺが設けら
れている。このシンチレ・−夕ＳＺの前（光学軸側）に
二次電子の後加速のための格子Ｇ３が位置している。第
２図による検出器配置は。
称に通常の走査電子顕微鏡対物部０１の内壁に配置され
ている。この光導体ＬＩの光学軸（ｅｌｌｌの表面には
、＋１０ｋＶの電位にあるｉ／ンチレータＳＺが設けら
れている。このシンチレ・−夕ＳＺの前（光学軸側）に
二次電子の後加速のための格子Ｇ３が位置している。第
２図による検出器配置は。
磁界強度Ｂおよび電界強度Ｅが電極Ｇ２と格子Ｇ３との
間でほぼ平行に延びるように構成され得る。
間でほぼ平行に延びるように構成され得る。
第３図による検出器配置は光学軸に対して対称に光導体
ＬＩを有し、これは走査電子顕微鏡対物部Ｏ１の外側に
試料ＰＲの表面に対して平行に配置されている。この光
導体ＬＩは一次電子ゾンデ１） Ｅに対してシールドＡ
Ｓを設けられている。走査電子顕微鏡対物部０１の内部
空間側に光導体ＬＩの表面にンンチレータＳＺが設けら
れており。
ＬＩを有し、これは走査電子顕微鏡対物部Ｏ１の外側に
試料ＰＲの表面に対して平行に配置されている。この光
導体ＬＩは一次電子ゾンデ１） Ｅに対してシールドＡ
Ｓを設けられている。走査電子顕微鏡対物部０１の内部
空間側に光導体ＬＩの表面にンンチレータＳＺが設けら
れており。
さらにその前（，０１の内部空間側）にもう１つの格子
Ｇ３が配置されている。二次電子ＳＥは、シンチレータ
ＳＺ上に衝突する以前に、格子Ｇ３を通過する。
Ｇ３が配置されている。二次電子ＳＥは、シンチレータ
ＳＺ上に衝突する以前に、格子Ｇ３を通過する。
第２図または第３図による検出器配置を、光学軸に対し
てもはや対称ではないように、または二次電子の軌道が
電極Ｇ２と検出器またはシンチレータ層ＳＺとの間の経
路でそらされるように変形することもできる。本発明に
とって本質的なことは、走査電子顕微鏡対物部０１と試
料ＰＲとの間に電極Ｇ１のみが位置しており、また電極
Ｇ２が走査電子顕微鏡対物部０１の内部に配置されてい
ることにより、動作間隔が減ぜられていることである。
てもはや対称ではないように、または二次電子の軌道が
電極Ｇ２と検出器またはシンチレータ層ＳＺとの間の経
路でそらされるように変形することもできる。本発明に
とって本質的なことは、走査電子顕微鏡対物部０１と試
料ＰＲとの間に電極Ｇ１のみが位置しており、また電極
Ｇ２が走査電子顕微鏡対物部０１の内部に配置されてい
ることにより、動作間隔が減ぜられていることである。
第２図、Ｆ６よび第３囮による配置において、二次電子
をたとえば側方に電界により吸引して検知することもで
きる。
をたとえば側方に電界により吸引して検知することもで
きる。
第４図および第５図には、漏洩磁界・レンズ対物部０２
を有する本発明によるスペクトロメータ対物部が示され
ている。漏洩磁界・レンズ対物部０２では磁界Ｂは壱子
線の形成のためにレンズ対物部の外側に位置している。
を有する本発明によるスペクトロメータ対物部が示され
ている。漏洩磁界・レンズ対物部０２では磁界Ｂは壱子
線の形成のためにレンズ対物部の外側に位置している。
磁界Ｂが強いために、第４図および第５図による配置で
は二次電子ＳＥを側方に電界により吸引して検出器ＤＴ
内で検知することはもはやできない。このことが検出器
の構成にあたって考慮に入れられなければならない。
は二次電子ＳＥを側方に電界により吸引して検出器ＤＴ
内で検知することはもはやできない。このことが検出器
の構成にあたって考慮に入れられなければならない。
第４図および第５図に示されている（第３図による検出
器に相当する）検出器配置ＤＴのかわりに、機能的に第
２図による検出器】〕Ｔに相当する検出器配置を使用す
ることもできる。第４図および第３図による検出器配置
における参照符号およびこれらの検出器配電の機能は、
第１図ないし第３図に強い磁界Ｂの存在を考慮に入れさ
えすれば、他のスペクトロメータ・検出器配置を用いる
ことも原理的に可能がある。スペクトロメータ・検出器
構成に対するスペース的制限は第４図および第５図によ
る配置では実際上存在しない。
器に相当する）検出器配置ＤＴのかわりに、機能的に第
２図による検出器】〕Ｔに相当する検出器配置を使用す
ることもできる。第４図および第３図による検出器配置
における参照符号およびこれらの検出器配電の機能は、
第１図ないし第３図に強い磁界Ｂの存在を考慮に入れさ
えすれば、他のスペクトロメータ・検出器配置を用いる
ことも原理的に可能がある。スペクトロメータ・検出器
構成に対するスペース的制限は第４図および第５図によ
る配置では実際上存在しない。
ｇ１図は本発明によるスペクトロメータ対物部の原理図
、第２図および第３図は通常の走査電子顕微鏡対物部を
有する本発明によるスペクトロメータ対物部の実施例を
示す図、第４図および第５図は漏洩磁界対物部を有する
本発明によるスペクトロメータ対物部の実施例を示す図
である。 ＡＢ・・・開口絞り、・ Ｂ ・・・磁界、 ＤＴ・
・・検出器、 Ｅ、、 Ｅ２ ・・・電界、 ＱＪ、
Ｇ２． Ｇ３・・・格子、 ＬＩ ・・・光導体、
０１，０２ ・・・対物部。 ＰＥ・・・−吹型子、 ＲＥ・・・後方散乱電子、ＳＥ
・・・二次電子、 ＳＪ、Ｓ２・・・シールド。
、第２図および第３図は通常の走査電子顕微鏡対物部を
有する本発明によるスペクトロメータ対物部の実施例を
示す図、第４図および第５図は漏洩磁界対物部を有する
本発明によるスペクトロメータ対物部の実施例を示す図
である。 ＡＢ・・・開口絞り、・ Ｂ ・・・磁界、 ＤＴ・
・・検出器、 Ｅ、、 Ｅ２ ・・・電界、 ＱＪ、
Ｇ２． Ｇ３・・・格子、 ＬＩ ・・・光導体、
０１，０２ ・・・対物部。 ＰＥ・・・−吹型子、 ＲＥ・・・後方散乱電子、ＳＥ
・・・二次電子、 ＳＪ、Ｓ２・・・シールド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）試料（ＰＲ）上への一次粒子（ＰＥ）の結像のため
の対物部（Ｏｊ、０２）と二次粒子（ＳＥ）の検知のた
めのスペクトロメータとを有する粒子線測定装置におい
て、対物部（０１，０２１の磁界の一部分が、エネルギ
ー選択用ｆｆ、極（Ｇ２）上への二次粒子（ＳＥ）のフ
ォーカシングのために用いられていることを特徴とする
粒子線測定装置。 ２）対物部（０１）が通常の走査′暇子、顕微鏡である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装置。 ３】 対物部（０２１が漏洩磁界レンズ対物部であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装置。 ４）スペクトロメータが電位（Ｕ、）ｉニ二次粒子を加
速するための電１ｒＬ（Ｇ １ ）を有するこ ＾「り
とを特徴とする特許請求の範囲第１頃ないし第３項のい
ずれかに記載の装置。 ５）電極ＣＧｉ、Ｇ２）が微細アパーチュアとして構成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第４項のいずれかに記載の装置。 ６）加速を行なう雷１極（Ｇ１）に与えられる電圧（Ｕ
２ ）がエネルギー選択用電極（Ｇ２）上への二次粒子
（ＳＥ）のフォーカシングのために用いられていること
を特徴とする特許請求の範囲第１頃ないし第５項のいず
れかに記載の装置。 ７）エネルギー選択用電極（Ｇ２）の後に、検出器（Ｄ
Ｔ）上への二次粒子（ＳＥ）のトランスレーションのた
めのフィールドが設けられていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の装置
。 ８）検出器（ＤＴ）が後加速用電極（Ｇ３）と−緒（二
、エネルギー選択用電極（Ｇ２）と後加速用電極（Ｇ３
）との閣の磁界および電界強度７ノ１近似的に平行に延
びるように配置されていることを特徴とする特許請求の
範囲第７項記載のイ装置。 ９）検出器（ｒ）Ｔ３が光学軸に対してほぼ対称に形１
戊されていることを特徴とする特許請求の範囲第７項ま
たは第８項記載の装置。 １０）少なくとも１つの電極（Ｇ１． Ｇ２． Ｇ３）
が格子およびシールド（アパーチュア）（Ｓｌ、Ｓ２＞
の組合わせから戊っていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第９項のいずれかに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE32362714 | 1982-09-30 | ||
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990349A true JPS5990349A (ja) | 1984-05-24 |
Family
ID=6174612
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP58181768A Pending JPS5990349A (ja) | 1982-09-30 | 1983-09-29 | 粒子線測定装置 |
Country Status (4)
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| US (1) | US4551625A (ja) |
| EP (1) | EP0105440A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5990349A (ja) |
| DE (1) | DE3236271A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249273A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4864228A (en) * | 1985-03-15 | 1989-09-05 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Electron beam test probe for integrated circuit testing |
| DE3521464A1 (de) * | 1985-06-14 | 1986-12-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Spektrometer-objektiv fuer die elektronenstrahl-messtechnik |
| EP0263942A1 (de) * | 1986-10-10 | 1988-04-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Spektrometer-Detektoranordnung für quantitative Potential-messungen |
| GB2201288B (en) * | 1986-12-12 | 1990-08-22 | Texas Instruments Ltd | Electron beam apparatus |
| EP0274622B1 (de) * | 1986-12-12 | 1990-11-07 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Detektoranordnung mit einem Detektorobjektiv für Korpuskularstrahlgeräte |
| DE3703028A1 (de) * | 1987-02-02 | 1988-09-01 | Siemens Ag | Rastermikroskop |
| DE3888712D1 (de) * | 1987-02-02 | 1994-05-05 | Integrated Circuit Testing | Detektorobjectiv für Rastermikroskope. |
| US4926054A (en) * | 1988-03-17 | 1990-05-15 | Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh | Objective lens for focusing charged particles in an electron microscope |
| GB2229854B (en) * | 1989-03-28 | 1993-10-27 | Robinson Vivian N E | Backscattered electron detector |
| DE3921179C2 (de) * | 1989-06-28 | 2000-04-20 | Advantest Corp | Korpuskularstrahlgerät |
| GB2348048A (en) * | 1999-03-19 | 2000-09-20 | Shimadzu Research Lab | Magnetic immersion lenses |
| DE102010026169B4 (de) * | 2010-07-06 | 2014-09-04 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahlsystem |
| CZ307557B6 (cs) * | 2010-10-07 | 2018-12-05 | Tescan Orsay Holding, A.S. | Scintilační detekční jednotka pro detekci zpětně odražených elektronů pro elektronové nebo iontové mikroskopy |
| DE102010061178A1 (de) * | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Gsi Helmholtzzentrum Für Schwerionenforschung Gmbh | Chromatischer Energiefilter |
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|---|---|---|---|---|
| GB1128107A (en) * | 1965-06-23 | 1968-09-25 | Hitachi Ltd | Scanning electron microscope |
| JPS4936496B1 (ja) * | 1970-04-18 | 1974-10-01 | ||
| US3822382A (en) * | 1971-08-17 | 1974-07-02 | Jeol Ltd | Apparatus for analyzing electron energy |
| DE2223367C3 (de) * | 1972-05-12 | 1978-11-30 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen | Mikrostrahlsonde zur quantitativen Erfassung von geladenen Sekundärteilchen |
| GB1395201A (en) * | 1972-09-04 | 1975-05-21 | Nat Res Dev | Magnetic lenses |
| DE2902495A1 (de) * | 1979-01-23 | 1980-07-31 | Siemens Ag | Einrichtung zur beruehrungslosen potentialmessung |
| JPS5772072A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-06 | Fujitsu Ltd | Voltage measuring device |
-
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- 1983-09-29 JP JP58181768A patent/JPS5990349A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249273A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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