JPS5989449A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS5989449A JPS5989449A JP18498483A JP18498483A JPS5989449A JP S5989449 A JPS5989449 A JP S5989449A JP 18498483 A JP18498483 A JP 18498483A JP 18498483 A JP18498483 A JP 18498483A JP S5989449 A JPS5989449 A JP S5989449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- oscillation
- integrated circuit
- amplifying circuit
- semiconductor integrated
- Prior art date
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- Pending
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はトランスジューサを内蔵する半導体集積回路
装置に関する。
装置に関する。
たとえば、電子時計等の時刻表示装置において、時刻駆
動用の振動子には、従来より第３図に示すように発振増
幅回路等を含むＩＣ（半導体集積回路）に対し外付は部
品となる弾性振動子９を使用するか、又は第４図に示す
ようにＩＣの一部としてＣ，Ｒ，トランジスタによる発
振回路１ｏを構成するのかいずれかの手段が用いられて
いた。このような従来技術によれば、弾性振動子の場合
精度は良いがＩＣと水晶振動子とを同時に要するために
ＩＣ単独の場合より当然高価になり、一方、ＩＣ回路の
みて構成する場合、価格は安くつくが一般にＩＣ発振器
のＱが低いことから例えば第４図の例では製造パラメー
タによって発振周波数が±３０％にばらつき精度が悪い
ことに欠点を有する。
動用の振動子には、従来より第３図に示すように発振増
幅回路等を含むＩＣ（半導体集積回路）に対し外付は部
品となる弾性振動子９を使用するか、又は第４図に示す
ようにＩＣの一部としてＣ，Ｒ，トランジスタによる発
振回路１ｏを構成するのかいずれかの手段が用いられて
いた。このような従来技術によれば、弾性振動子の場合
精度は良いがＩＣと水晶振動子とを同時に要するために
ＩＣ単独の場合より当然高価になり、一方、ＩＣ回路の
みて構成する場合、価格は安くつくが一般にＩＣ発振器
のＱが低いことから例えば第４図の例では製造パラメー
タによって発振周波数が±３０％にばらつき精度が悪い
ことに欠点を有する。
本願発明者は前記欠点は外付は振動子をＩＣに内蔵させ
れば解決できると考え本発明に至った。
れば解決できると考え本発明に至った。
したがって本発明の一つの目的は、トランスジューサと
しての特性にすぐれ、しかも価格的には安いＩＣのみの
トランスジューサ回路を提供することにあり、他の目的
はスペースファクタのよいトランスジューサ回路を提供
することにある。
しての特性にすぐれ、しかも価格的には安いＩＣのみの
トランスジューサ回路を提供することにあり、他の目的
はスペースファクタのよいトランスジューサ回路を提供
することにある。
本願において開示される発明のうち代表的なものの実例
をあげれば、次のとおりである。すなわち、半導体基板
上の一部に圧電振動材の膜体で形成された圧電振動素子
と、・同じ基板上の他部に集積回路として形成され上記
圧電振動素子と電気的に結合する発振用増幅回路とを有
するものである。
をあげれば、次のとおりである。すなわち、半導体基板
上の一部に圧電振動材の膜体で形成された圧電振動素子
と、・同じ基板上の他部に集積回路として形成され上記
圧電振動素子と電気的に結合する発振用増幅回路とを有
するものである。
又、本発明の望ましい実施態様としては上記において、
圧電振動部材は硫化カドミニラをスバッタ手段、蒸着手
段又は印刷手段等により半導体基板面に膜体として形成
することである。
圧電振動部材は硫化カドミニラをスバッタ手段、蒸着手
段又は印刷手段等により半導体基板面に膜体として形成
することである。
以下実施例にそって具体的に説明する。
第１図は半導体ＩＣの一部として形成された圧電振動子
を示し、１は（ｐ型）Ｓｉ半導体基板。
を示し、１は（ｐ型）Ｓｉ半導体基板。
２は基板表面絶縁膜（５１０２）−３，３はｎ＋型型数
散層りなる配線、４はこの配線３．３にオーミック接続
する金属膜端子、５は絶縁膜上にＣｄＳ等をスパッタ、
蒸着又は印刷等によって膜体に形成した圧電振動体で、
前記端子により配線３．３に接続するものであり、６は
上記圧電振動体を覆５ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラ
ス）等から成る保護被膜である。この基板上の他部は図
示されないが発振用増幅回路を含み、前記圧電振動体に
接続する端子３，３の一方を増幅回路の出力端子、他方
を入力端子とするものである。
散層りなる配線、４はこの配線３．３にオーミック接続
する金属膜端子、５は絶縁膜上にＣｄＳ等をスパッタ、
蒸着又は印刷等によって膜体に形成した圧電振動体で、
前記端子により配線３．３に接続するものであり、６は
上記圧電振動体を覆５ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラ
ス）等から成る保護被膜である。この基板上の他部は図
示されないが発振用増幅回路を含み、前記圧電振動体に
接続する端子３，３の一方を増幅回路の出力端子、他方
を入力端子とするものである。
第２図は上記半導体発振回路を等測的に示す回路図で、
７は発振用増幅回路のある部分を示し、電源８により駆
動される。
７は発振用増幅回路のある部分を示し、電源８により駆
動される。
以上の構成を有するこの例によって下記の理由により前
記目的が達成できる。
記目的が達成できる。
（１）圧電振動子（水晶を除く）の機械的振動のＱは（
１０３〜１０６）とＲＣ発振回路のそれ（１０２以下）
に比べると桁違いによいが、水晶のそれよりは悪い。し
たがって水晶とＩＣを用いた発振回路程の周波数精度は
ないがＲＣ発振器等よりは格段すぐれた特性の発振器を
提供できる。しかも、一つの半導体基板上に発振増幅回
路とともに内蔵されてＩＣを構成するものであるから、
ホトレジストプロセス又は印刷プロセスにより一貫製造
が可能であり、水晶発振子の場合のように機械的支持部
品を用いる取付は工程も不要で量産ができるために安価
に提供できる。
１０３〜１０６）とＲＣ発振回路のそれ（１０２以下）
に比べると桁違いによいが、水晶のそれよりは悪い。し
たがって水晶とＩＣを用いた発振回路程の周波数精度は
ないがＲＣ発振器等よりは格段すぐれた特性の発振器を
提供できる。しかも、一つの半導体基板上に発振増幅回
路とともに内蔵されてＩＣを構成するものであるから、
ホトレジストプロセス又は印刷プロセスにより一貫製造
が可能であり、水晶発振子の場合のように機械的支持部
品を用いる取付は工程も不要で量産ができるために安価
に提供できる。
（２）圧電振動体のスペースはごくわずか（１μｍ）で
ありＩＣの全体寸法にほとんど影響を与えず、スペース
ファクターが良く、小形の装置を提供できる。
ありＩＣの全体寸法にほとんど影響を与えず、スペース
ファクターが良く、小形の装置を提供できる。
本発明は前記実施例に限定されるものではなく、これ以
外に種々の形態で実施できる。
外に種々の形態で実施できる。
例えば圧電振動体としてはＣｄＳ以外にＩＩ−ＶＩ族の
化合物、例えばＺｎ、Ｃｄ、ＨｇとＳ、 Ｓｅ、 Ｔｅ
の組合せによる物質を適宜に選んだものを蒸着。
化合物、例えばＺｎ、Ｃｄ、ＨｇとＳ、 Ｓｅ、 Ｔｅ
の組合せによる物質を適宜に選んだものを蒸着。
スパッタ、印刷、あるいは焼結等により膜体な形成する
ことができる。
ことができる。
さらに振動子は前記圧振動材に限らず、電歪のごとく電
気・機械変換できるトランスジューサを膜体として形成
できるものであればなんでもよ（・、本発明の応用でき
る分野は、時計用ＩＣ，カウンタ、電卓用ＩＣ，タイマ
その他である。
気・機械変換できるトランスジューサを膜体として形成
できるものであればなんでもよ（・、本発明の応用でき
る分野は、時計用ＩＣ，カウンタ、電卓用ＩＣ，タイマ
その他である。
第１図は本発明による一実施例のＩＣにおける要部断面
図、第２図は第１図の等測的回路図、第３図及び第４図
は従来の発振装置の例を示す回路図である。 １・・・Ｓｉ半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・拡
散層（配線）、４・・・金属膜端子、５・・・圧電振動
体、６・・・保護被膜、７・・・発振増幅回路、８・・
・電源、９・・・弾性振動子（水晶）、１０・・・発振
回路。
図、第２図は第１図の等測的回路図、第３図及び第４図
は従来の発振装置の例を示す回路図である。 １・・・Ｓｉ半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・拡
散層（配線）、４・・・金属膜端子、５・・・圧電振動
体、６・・・保護被膜、７・・・発振増幅回路、８・・
・電源、９・・・弾性振動子（水晶）、１０・・・発振
回路。
Claims (1)
- １、半導体基板上に絶縁膜を介して膜体で形成されたト
ランスジー−サと、同一基板上に形成された上記素子と
電気的に結合する半導体回路よりなる半導体集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18498483A JPS5989449A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18498483A JPS5989449A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 半導体集積回路装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1923177A Division JPS53105348A (en) | 1977-02-25 | 1977-02-25 | Semiconductor oscillating circuit device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989449A true JPS5989449A (ja) | 1984-05-23 |
Family
ID=16162760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18498483A Pending JPS5989449A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5989449A (ja) |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP18498483A patent/JPS5989449A/ja active Pending
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