JPS5989404A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS5989404A JPS5989404A JP57200844A JP20084482A JPS5989404A JP S5989404 A JPS5989404 A JP S5989404A JP 57200844 A JP57200844 A JP 57200844A JP 20084482 A JP20084482 A JP 20084482A JP S5989404 A JPS5989404 A JP S5989404A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 86
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- VDOQVIASYDAOAG-UHFFFAOYSA-N iron samarium Chemical compound [Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Fe].[Sm].[Sm] VDOQVIASYDAOAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 31
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000612 Sm alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/653—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Fe or Ni
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高密度磁気記録用として好適フZ、基体上に
金属系磁性膜を有する磁気配録媒体とその製造方法に係
わる。
金属系磁性膜を有する磁気配録媒体とその製造方法に係
わる。
通常一般の磁気記録媒体は、支持体としての非磁性フイ
ルノ、上に、磁性粉末とバインダーとを主成分とする磁
性塗料が塗布された磁性層を有して成る。このような磁
気記録媒体は、磁性層中に、非磁性のバインダーが存在
しているために、磁性体の充填密度を充分高めることが
できず、これがため磁束密度を3000〜4000ガウ
ス以上に太き(することは不可能に近い。またその厚さ
が1 tnm以下というような薄い厚さでは、充分高い
SN比がよる磁性層を有する磁気記録媒体は、高密度記
録用磁気記録用媒体として満足し得な(・。
ルノ、上に、磁性粉末とバインダーとを主成分とする磁
性塗料が塗布された磁性層を有して成る。このような磁
気記録媒体は、磁性層中に、非磁性のバインダーが存在
しているために、磁性体の充填密度を充分高めることが
できず、これがため磁束密度を3000〜4000ガウ
ス以上に太き(することは不可能に近い。またその厚さ
が1 tnm以下というような薄い厚さでは、充分高い
SN比がよる磁性層を有する磁気記録媒体は、高密度記
録用磁気記録用媒体として満足し得な(・。
そこで最近、特に飽和磁束密度の高い強磁性金属(合金
を含む)自体の膜を支持フィルム上に被着した磁気記録
媒体が注目されている。この場合の磁性膜の形成方法と
しては、電気メッキ、無電解メッキ、真空蒸着、イオン
プレーゲイング、イオンビーム蒸着、スバ、タリング等
が知られている。
を含む)自体の膜を支持フィルム上に被着した磁気記録
媒体が注目されている。この場合の磁性膜の形成方法と
しては、電気メッキ、無電解メッキ、真空蒸着、イオン
プレーゲイング、イオンビーム蒸着、スバ、タリング等
が知られている。
これらの方法の中で1栗的規模で、均一な長尺の磁気記
録媒体を得る技術としては、真空蒸着法がよく知られて
いる。真空蒸着法によって形成される磁性膜の性能は主
としてその磁気特性によって決定されることは周知の通
りである。とりわけ、高密度記録を実現するためには、
保磁力が高いことが要求される。真空蒸着法において高
い保磁力を有する磁性層を得る方法としては、例えば特
公昭41−19389号公報に開示する如き斜め蒸着法
が興味をもたれ、研究されている。
録媒体を得る技術としては、真空蒸着法がよく知られて
いる。真空蒸着法によって形成される磁性膜の性能は主
としてその磁気特性によって決定されることは周知の通
りである。とりわけ、高密度記録を実現するためには、
保磁力が高いことが要求される。真空蒸着法において高
い保磁力を有する磁性層を得る方法としては、例えば特
公昭41−19389号公報に開示する如き斜め蒸着法
が興味をもたれ、研究されている。
この方法は、真空ポンプ、その他の真空排気系に連なる
処理案内Iffおいて、強磁性材料を蒸着蒸発源として
加熱部に設置して、加熱し、合成樹脂その他の基体を被
蒸着体とし、該被蒸着体が、強磁性材料の蒸発源に対し
て該蒸発源の飛翔軸線に対して傾斜させて基体を設置し
、前記蒸発源からCoどNiからなる磁性材料の粒子を
該支持体の面」二に斜め蒸着させろよう圧したものが多
かった。
処理案内Iffおいて、強磁性材料を蒸着蒸発源として
加熱部に設置して、加熱し、合成樹脂その他の基体を被
蒸着体とし、該被蒸着体が、強磁性材料の蒸発源に対し
て該蒸発源の飛翔軸線に対して傾斜させて基体を設置し
、前記蒸発源からCoどNiからなる磁性材料の粒子を
該支持体の面」二に斜め蒸着させろよう圧したものが多
かった。
このC++とNiを用いた斜め入射蒸着方式による磁気
記録媒体では、磁性U料の粒子から成る蒸気流の入射角
を制御することによって、得られる磁気記録媒体の保磁
力が高いものとすることも可能であるが、この場合斜め
入射角度を特に太き(しなければならず、このため磁性
材料の蒸発源より発生する蒸気流のごく一部しか利用で
きないため、経済的圧も難点であり、さらに斜め入射角
を特に太き(したために蒸着被膜の基体に対する接着強
度が弱まり、被膜の密着性、耐摩耗性が減少するという
欠点がある。
記録媒体では、磁性U料の粒子から成る蒸気流の入射角
を制御することによって、得られる磁気記録媒体の保磁
力が高いものとすることも可能であるが、この場合斜め
入射角度を特に太き(しなければならず、このため磁性
材料の蒸発源より発生する蒸気流のごく一部しか利用で
きないため、経済的圧も難点であり、さらに斜め入射角
を特に太き(したために蒸着被膜の基体に対する接着強
度が弱まり、被膜の密着性、耐摩耗性が減少するという
欠点がある。
又、CoとNiかうなる磁性膜を有する磁気記録媒体で
は飽和磁束密度が低(、十分な出力の磁気記録媒体を得
ようとすると磁性膜の膜厚を十分に薄(することができ
ず、高密度記録には不十分であった。又、基体との密着
性も良くなかった。CO−NiO系では、蒸発源の軸線
と基体の角度が垂直の場合(斜め入射角度が00の場合
)、保磁力が極めて小さな磁気記録媒体しか得られなか
った。
は飽和磁束密度が低(、十分な出力の磁気記録媒体を得
ようとすると磁性膜の膜厚を十分に薄(することができ
ず、高密度記録には不十分であった。又、基体との密着
性も良くなかった。CO−NiO系では、蒸発源の軸線
と基体の角度が垂直の場合(斜め入射角度が00の場合
)、保磁力が極めて小さな磁気記録媒体しか得られなか
った。
本発明者等はかかる現状を鑑み鋭意研究の結果、鉄とサ
マリウムを含有する金属系磁性膜を有する磁気記録媒体
を製造することによ、す、磁気特性が著しく向上するこ
とを見い出し、取り扱いが簡単で、優れた特性を示す磁
気記録媒体の提供とその製造方法を確立した。
マリウムを含有する金属系磁性膜を有する磁気記録媒体
を製造することによ、す、磁気特性が著しく向上するこ
とを見い出し、取り扱いが簡単で、優れた特性を示す磁
気記録媒体の提供とその製造方法を確立した。
本発明の目的は、保磁力並びに飽和磁束密度の優れた磁
気特性を有する磁気記録媒体とその製造方法を提供する
にある。また、制御の容易な蒸着方式等によって、蒸着
被膜の密着性、耐摩耗性の強度が優れた磁気記録媒体で
あり、かかる磁気記録媒体を工業的に有利に製造する製
造方法を提供するものである。
気特性を有する磁気記録媒体とその製造方法を提供する
にある。また、制御の容易な蒸着方式等によって、蒸着
被膜の密着性、耐摩耗性の強度が優れた磁気記録媒体で
あり、かかる磁気記録媒体を工業的に有利に製造する製
造方法を提供するものである。
以上の目的は、基体上に金属系磁性膜を有する磁気記録
媒体におい”〔、前記磁性膜が少なくとも鉄およびサマ
リウムを主成分とすることを特徴とする磁気記録媒体に
よって達成される。前記の磁気記録媒体を製造するには
、真空槽内において鉄とサマリウムを同時に飛翔さすて
基体上に鉄とサマリウムを主成分とする磁性膜を形成す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって達
成される。
媒体におい”〔、前記磁性膜が少なくとも鉄およびサマ
リウムを主成分とすることを特徴とする磁気記録媒体に
よって達成される。前記の磁気記録媒体を製造するには
、真空槽内において鉄とサマリウムを同時に飛翔さすて
基体上に鉄とサマリウムを主成分とする磁性膜を形成す
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によって達
成される。
本発明の好ましい実施態様に従えば、前記基体が前記蒸
発源の軸線に対して直角あるいは斜めに保持されている
ことで゛ある。
発源の軸線に対して直角あるいは斜めに保持されている
ことで゛ある。
以下本発明の詳細な説明1−る。
本発明においては、真空ポンプ、その他の真空排気系に
連なる処理室内に磁性材料の蒸発源と、その磁性材料な
被着する基体とを用意し、該基体に前気磁性材料の被着
膜な形成する。
連なる処理室内に磁性材料の蒸発源と、その磁性材料な
被着する基体とを用意し、該基体に前気磁性材料の被着
膜な形成する。
本発明に用いる基体としては、磁性材料が被着可能な材
料であればいずれでもよく、例えば非磁性材料として、
ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸
セルロース、ポリカーボネ −ト、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリメチルメタクリレートのようなプラスチッ
クの基体の他、ガラス、石英、チタン酸バリウム等の各
種セラミックス、またアルミニウム及びその合金、黄銅
のような金属、鉄、コバルト、ニッケルおよびその合金
、パーマロイのような磁性材料も基体として用いられる
。
料であればいずれでもよく、例えば非磁性材料として、
ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸
セルロース、ポリカーボネ −ト、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリメチルメタクリレートのようなプラスチッ
クの基体の他、ガラス、石英、チタン酸バリウム等の各
種セラミックス、またアルミニウム及びその合金、黄銅
のような金属、鉄、コバルト、ニッケルおよびその合金
、パーマロイのような磁性材料も基体として用いられる
。
前記磁性材料を基体上に被着させる方法として真空蒸着
法(電界蒸着、イオンプレーラング法を含む)、スパッ
タリング法いずれの方法モもよい。
法(電界蒸着、イオンプレーラング法を含む)、スパッ
タリング法いずれの方法モもよい。
基体の形状については、シート、カード、デ・イスク、
ドラムの他、長尺テープ状基体でも良く、基体を固定設
置できるよう1.C支持板に密着支持させて磁性材料を
被着させるか、基体を走行させつつ磁性材料を被着させ
ることにより、本発明の磁気記録媒体を得ることもでき
る。
ドラムの他、長尺テープ状基体でも良く、基体を固定設
置できるよう1.C支持板に密着支持させて磁性材料を
被着させるか、基体を走行させつつ磁性材料を被着させ
ることにより、本発明の磁気記録媒体を得ることもでき
る。
真空蒸着の際加熱手段としては抵抗、高周波または亀子
ビーム等の加熱手段が使用される。少なくとも鉄および
サマリウムを主成分とする磁性膜(以下、鉄−サマリウ
ム膜と称す)を蒸着するための1つの方法としては、2
つの独立な蒸発源が使用でき、その際それぞれの蒸発源
からそれぞれ1つの成分が蒸発する。両方の蒸発源の蒸
発速度を独立に制御することによって、非常に簡単に蒸
着膜の百分率組成を変えることができる。この除法の点
について注意しなければな[己)ない。すなわち蒸発し
た蒸気が良好に混合し、かつ均一1ヨ組成の膜が得られ
るようにするため、両方の蒸発源は、互いに近くに配置
されるようにする。しかし、鉄−サマリウム膜は、蒸着
材料として鉄と′サマリウノ、・T)合金ケ使用−4−
れば、1つの蒸発源からも蒸着できる。この合金は、例
えば電子ビーム銃のるつぼ内で適当な量の”鉄とサマリ
ウムを溶融することによって直接製造でき、その際材料
の異なった蒸気圧を考慮し1よければならず、それによ
り蒸発源の合金組成は、鉄−サマリウム膜の合金組成と
は異ってしまうことがあるが、わずかな実験により、蒸
発源と膜の濃度差を実験的に検出でき適宜、調節ができ
る。
ビーム等の加熱手段が使用される。少なくとも鉄および
サマリウムを主成分とする磁性膜(以下、鉄−サマリウ
ム膜と称す)を蒸着するための1つの方法としては、2
つの独立な蒸発源が使用でき、その際それぞれの蒸発源
からそれぞれ1つの成分が蒸発する。両方の蒸発源の蒸
発速度を独立に制御することによって、非常に簡単に蒸
着膜の百分率組成を変えることができる。この除法の点
について注意しなければな[己)ない。すなわち蒸発し
た蒸気が良好に混合し、かつ均一1ヨ組成の膜が得られ
るようにするため、両方の蒸発源は、互いに近くに配置
されるようにする。しかし、鉄−サマリウム膜は、蒸着
材料として鉄と′サマリウノ、・T)合金ケ使用−4−
れば、1つの蒸発源からも蒸着できる。この合金は、例
えば電子ビーム銃のるつぼ内で適当な量の”鉄とサマリ
ウムを溶融することによって直接製造でき、その際材料
の異なった蒸気圧を考慮し1よければならず、それによ
り蒸発源の合金組成は、鉄−サマリウム膜の合金組成と
は異ってしまうことがあるが、わずかな実験により、蒸
発源と膜の濃度差を実験的に検出でき適宜、調節ができ
る。
蒸発源の加熱手段の出力を変えることによって、鉄−サ
マリウノ、膜は異った蒸着速度で作ることかできる。蒸
着速度および膜厚は、蒸着のあいだ、水晶モニタによっ
て監視できるので、所望の膜厚に達した際に蒸着を停止
することができる。
マリウノ、膜は異った蒸着速度で作ることかできる。蒸
着速度および膜厚は、蒸着のあいだ、水晶モニタによっ
て監視できるので、所望の膜厚に達した際に蒸着を停止
することができる。
なお、真空蒸着法の変形として、クラスタービーム蒸着
法、クラスターイオンビーム蒸着法を用いてもよい。
法、クラスターイオンビーム蒸着法を用いてもよい。
一方スバッタリングの際には直流および高周波スパッタ
リングが適用できる。特に磁界集中によるスパッタリン
グ処理を使用すれば有利である。
リングが適用できる。特に磁界集中によるスパッタリン
グ処理を使用すれば有利である。
なぜならその際スパッタリング処理中の担体の加熱がわ
ずかですむからである。鉄−サマリウム膜の百分率組成
は、スパッタリングの際、鉄ターゲ、ト内に異った大き
さのサマリウム片を挿入することによって変えることが
できる。鉄とサマリウムの合金から成るターゲットを使
用してもよい。
ずかですむからである。鉄−サマリウム膜の百分率組成
は、スパッタリングの際、鉄ターゲ、ト内に異った大き
さのサマリウム片を挿入することによって変えることが
できる。鉄とサマリウムの合金から成るターゲットを使
用してもよい。
本発明ばかがる鉄−サマリウム膜の組成は鉄とサマリウ
ムを主成分(鉄とサマリウムの総和が磁性膜の50重量
%以上、好ましくは80重量%以上である。)どし、鉄
:サマリウムの原子の組成比が(0,7〜0.5 )
: (0,,3〜0.5 ) CFe:Smが7:3〜
5:5であることを表わし、FsがSmに対(−7て1
倍以上、7′3倍以下であることを表わす。〕が好まし
く、l持に好ましくは(0,65〜0.55) :(0
,35〜0.45)である。
ムを主成分(鉄とサマリウムの総和が磁性膜の50重量
%以上、好ましくは80重量%以上である。)どし、鉄
:サマリウムの原子の組成比が(0,7〜0.5 )
: (0,,3〜0.5 ) CFe:Smが7:3〜
5:5であることを表わし、FsがSmに対(−7て1
倍以上、7′3倍以下であることを表わす。〕が好まし
く、l持に好ましくは(0,65〜0.55) :(0
,35〜0.45)である。
基体上に形成された磁性膜は鉄、”す°マリラム以外の
今月、例えばNi 、 Al、 Ti 、 V 、 C
r 、 Mn 。
今月、例えばNi 、 Al、 Ti 、 V 、 C
r 、 Mn 。
(:u、W、Pt、非金机として、窒素、酸素、アルゴ
ンなどを含んでもよいが鉄とサマリウム以外の量ば7%
未満とされることが望ましい。これらの鉄、サマリウム
以外の金属または非金属は前記鉄および/またはサマリ
ウムの蒸発源またはターゲットに含有されても・てもよ
いし、鉄および/またはサマリウム以外の蒸発源または
ターゲ、アトから飛翔させてもよい。
ンなどを含んでもよいが鉄とサマリウム以外の量ば7%
未満とされることが望ましい。これらの鉄、サマリウム
以外の金属または非金属は前記鉄および/またはサマリ
ウムの蒸発源またはターゲットに含有されても・てもよ
いし、鉄および/またはサマリウム以外の蒸発源または
ターゲ、アトから飛翔させてもよい。
以下本発明の具体例について説明する。
第1図は、本発明を実施するための蒸着装置を示してい
る。第1図において、1はベルジャであり、このベルジ
ャ1内には水冷されたハース3゜3′が収納されている
。鉄とサマリウムはそれぞれ異1よる・・−ス3,3′
内に設置さJし、それぞれ電子ビーム5,5′により、
溶解蒸発させられて基体2に被着する。7は基体2に電
圧を印加するための直流電源、8は主バルブである。
る。第1図において、1はベルジャであり、このベルジ
ャ1内には水冷されたハース3゜3′が収納されている
。鉄とサマリウムはそれぞれ異1よる・・−ス3,3′
内に設置さJし、それぞれ電子ビーム5,5′により、
溶解蒸発させられて基体2に被着する。7は基体2に電
圧を印加するための直流電源、8は主バルブである。
まず、ベルジャl内を5 X 10 torrまで排
気する。そして、シャッター9をクローズ状態で鉄6お
よびサマリウム6′に電子ビーム5,5′を照射し、こ
れを予備溶解し、蒸発が安定[−でかも、シャッター9
をオープン状態にして基体2に用いたポリイミド上に、
厚さ4000 Kの鉄−サマリウム膜を膜形成速度10
0 A / seeで形成した。
気する。そして、シャッター9をクローズ状態で鉄6お
よびサマリウム6′に電子ビーム5,5′を照射し、こ
れを予備溶解し、蒸発が安定[−でかも、シャッター9
をオープン状態にして基体2に用いたポリイミド上に、
厚さ4000 Kの鉄−サマリウム膜を膜形成速度10
0 A / seeで形成した。
鉄−サマリウムの組成比及び膜形成速度は、それぞれの
電子ビーム5,5′を発生するエレクトロン・ifン4
,4(図ボせず)の電圧および電流を制御することによ
り行うことが可能である。
電子ビーム5,5′を発生するエレクトロン・ifン4
,4(図ボせず)の電圧および電流を制御することによ
り行うことが可能である。
第3図は磁性膜において製造時の斜め入射角度と磁性膜
の保磁力の関係である。原子吸光法による膜の組成分析
結果では、鉄とサマリウムの原子比が0.55 : 0
.45 であった。実線■で示したものが、磁性蒸気
の入射方向を示す軸(第4図における■)と、基体に垂
直な軸(第4図における■)を含む面に対して■「直な
方向(第4図における■)の結果であり、破線0で示し
たものが前記面に対して平行な方向(第4図における■
)の結果である。一点鎖線θで示したものは、比較のた
めの公知のCo−N1合金の磁性膜を有する磁気記録媒
体を本実施例と同一条件で作成したものについての結果
である。(第4図における■方向と同じ方向の測定結果
を示す。) 本発明による磁気記録媒体は、従来知られているC o
−N 1合金膜と比較して、斜め入射角度の低い領域で
著しく保磁力の高い磁気記録媒体であった。
の保磁力の関係である。原子吸光法による膜の組成分析
結果では、鉄とサマリウムの原子比が0.55 : 0
.45 であった。実線■で示したものが、磁性蒸気
の入射方向を示す軸(第4図における■)と、基体に垂
直な軸(第4図における■)を含む面に対して■「直な
方向(第4図における■)の結果であり、破線0で示し
たものが前記面に対して平行な方向(第4図における■
)の結果である。一点鎖線θで示したものは、比較のた
めの公知のCo−N1合金の磁性膜を有する磁気記録媒
体を本実施例と同一条件で作成したものについての結果
である。(第4図における■方向と同じ方向の測定結果
を示す。) 本発明による磁気記録媒体は、従来知られているC o
−N 1合金膜と比較して、斜め入射角度の低い領域で
著しく保磁力の高い磁気記録媒体であった。
本発明による磁気記録媒体の結果では、垂直方向、平行
方向とも45°附近で極大値を取り垂直方向(第4図に
おける■)で約1000エールステツド、平行方向(第
4図における■)で約700エールステツドであった。
方向とも45°附近で極大値を取り垂直方向(第4図に
おける■)で約1000エールステツド、平行方向(第
4図における■)で約700エールステツドであった。
斜め入射角度は太きすぎると磁気記録媒体の収率が悪く
なり好ましくなく、70°以下であることが好ましく、
さらに好ましくは65°以下である。
なり好ましくなく、70°以下であることが好ましく、
さらに好ましくは65°以下である。
また斜め入射を行なわない場合(斜め入射角度0°)に
は、垂直、平行方向ともほぼ同一の保磁力を示し約35
0エールステツドであった。斜め入射角度を0°にして
も高い保磁力の磁気記録媒体が得られることは本発明の
著しく優れた点である。
は、垂直、平行方向ともほぼ同一の保磁力を示し約35
0エールステツドであった。斜め入射角度を0°にして
も高い保磁力の磁気記録媒体が得られることは本発明の
著しく優れた点である。
この斜め入射角が小さいところ(例えば4f以下、好ま
しくはOoかも40°さら罠好ましくはOoかも3(f
)における高い保磁力を得られることは特に円板状また
はシート状の磁気記録媒体において優れた該媒体が得ら
れ、従来のCo−N1等の磁気記録媒体よりもM(7い
保磁力の点で優れたものである。
しくはOoかも40°さら罠好ましくはOoかも3(f
)における高い保磁力を得られることは特に円板状また
はシート状の磁気記録媒体において優れた該媒体が得ら
れ、従来のCo−N1等の磁気記録媒体よりもM(7い
保磁力の点で優れたものである。
なお、秩−サマリウム膜の膜厚は20.0 X〜571
mであり、200λより薄いとシグナルがとり出しにく
いし、2μmより厚いと厚すぎるために高密度記録には
適さなくなる。好ましくは800八〜3μmである。
mであり、200λより薄いとシグナルがとり出しにく
いし、2μmより厚いと厚すぎるために高密度記録には
適さなくなる。好ましくは800八〜3μmである。
また本発明にかかる磁気記録媒体には、公知の保護層、
下引き層(基体と磁性層の間に設ける。)バッキング層
を設けてもよい。保護層としては、磁性層をおおうよう
にしてウレタン、エポキシ化合物、シリコン化合物1等
の各種化合物をオーバーコートしてもよいし、さらに前
記化合物の層を加゛熱や各種放射線(例えば、電子線、
紫外線)で硬化させてもよい。また保護層としてはフッ
素化合物、フェノール類等の化合物をオーバーコートし
てもよい。さらに5iO1SI02等の無機化合物、A
6等の金属を使用してもよく、この際には、蒸着方法、
スパッタ法、CVD法等も利用できる。下引層、バッキ
ング層(磁性層と反対側の基体上に設ける。)にも前記
保護層と同じ材質を使用してもよい。
下引き層(基体と磁性層の間に設ける。)バッキング層
を設けてもよい。保護層としては、磁性層をおおうよう
にしてウレタン、エポキシ化合物、シリコン化合物1等
の各種化合物をオーバーコートしてもよいし、さらに前
記化合物の層を加゛熱や各種放射線(例えば、電子線、
紫外線)で硬化させてもよい。また保護層としてはフッ
素化合物、フェノール類等の化合物をオーバーコートし
てもよい。さらに5iO1SI02等の無機化合物、A
6等の金属を使用してもよく、この際には、蒸着方法、
スパッタ法、CVD法等も利用できる。下引層、バッキ
ング層(磁性層と反対側の基体上に設ける。)にも前記
保護層と同じ材質を使用してもよい。
また前述の蒸着にお゛いて、基体KO〜−300vの直
流電圧を印加した場合には、さらに保磁力が向上した。
流電圧を印加した場合には、さらに保磁力が向上した。
そしてこの場合、膜の基体との密着性がさらに向上され
る効果も有している。これは電子ビームにより、蒸発し
た鉄およびサマリウムがイオン化しており、イオン化し
た鉄、サマリウムが基体に印加された電圧により加速さ
れるためであり、基体には数mA / crlの電流が
流れる。そして、さらに蒸発源と基体間にグロー放電を
発生させ、鉄とサマリウムのイオン化率をさらに高めた
場合、磁性膜の密着性をさらに向上させることができた
。
る効果も有している。これは電子ビームにより、蒸発し
た鉄およびサマリウムがイオン化しており、イオン化し
た鉄、サマリウムが基体に印加された電圧により加速さ
れるためであり、基体には数mA / crlの電流が
流れる。そして、さらに蒸発源と基体間にグロー放電を
発生させ、鉄とサマリウムのイオン化率をさらに高めた
場合、磁性膜の密着性をさらに向上させることができた
。
グロー放電は、蒸発物の蒸気だけでも発生できるが、普
通、不活性ガスを真空槽内に導入する。例えば、真空槽
内にアルゴンガスを導入する場合、5 X 10 ’
torrでは、密着性のよい膜を作成することができブ
、二。第2図に高周波グロー中で蒸着する装置を示す。
通、不活性ガスを真空槽内に導入する。例えば、真空槽
内にアルゴンガスを導入する場合、5 X 10 ’
torrでは、密着性のよい膜を作成することができブ
、二。第2図に高周波グロー中で蒸着する装置を示す。
第2図において、10はアルゴン導入のための可変リー
クパルプ、11は高周波コイル、12はマツチングボッ
クス、13は高周波電源である。
クパルプ、11は高周波コイル、12はマツチングボッ
クス、13は高周波電源である。
また真空槽内にアルゴンのかわりに窒素ガスを導入1.
てもよく、アルゴンガスおよび/または窒素ガスと他の
気体例えばアンモニアやヘリウムとの混合ガスを導入し
7てもよく、蒸着もしくはそのグロー放電を発生させ鉄
−サマリウム膜を形成した場合、アルゴンガスおよび/
または窒素ガスを導入しないものに比較して著るしい耐
食性の向上があった。
てもよく、アルゴンガスおよび/または窒素ガスと他の
気体例えばアンモニアやヘリウムとの混合ガスを導入し
7てもよく、蒸着もしくはそのグロー放電を発生させ鉄
−サマリウム膜を形成した場合、アルゴンガスおよび/
または窒素ガスを導入しないものに比較して著るしい耐
食性の向上があった。
これら、導入されろガスの圧力はI X 10 to
rr以下で6 X 10 ’ torr以上が好ましく
、I Xl0−3torrより高いと磁性膜が剥離しや
ずくなり、lXl0’torrより低いと効果があまり
認められない。
rr以下で6 X 10 ’ torr以上が好ましく
、I Xl0−3torrより高いと磁性膜が剥離しや
ずくなり、lXl0’torrより低いと効果があまり
認められない。
前記、第3図の入射角度0度での本発明にかかる磁気記
録媒体と、比較のCo−Ni系のもつ出力を比較したと
ころ、次のような結果を得た。(ただし円板状の磁気記
録媒体とした。) なお測定売件はディスク回転数300 r pmで、中
心から125.6 mmのトラックを用い、使用へ、ド
はトラック幅300μm、ギャップ長0.73μm1ギ
ャップ深さ15.8μm、ヘッド浮上fk0.2μm、
記録電流60mAであった。
録媒体と、比較のCo−Ni系のもつ出力を比較したと
ころ、次のような結果を得た。(ただし円板状の磁気記
録媒体とした。) なお測定売件はディスク回転数300 r pmで、中
心から125.6 mmのトラックを用い、使用へ、ド
はトラック幅300μm、ギャップ長0.73μm1ギ
ャップ深さ15.8μm、ヘッド浮上fk0.2μm、
記録電流60mAであった。
出力を有していた。
以上のように、本発明によれば鉄−サマリウムを主成分
と−3−る金属系磁性膜を有する磁気記録媒体は高保磁
力を有し基体との密着性もよく、耐食性にも優れた磁気
記録媒体であり、製造的にも斜め入射角度を小さくでき
る利点を有し、磁気記録媒体およびその製造方法として
従来のものより優れたものであった。
と−3−る金属系磁性膜を有する磁気記録媒体は高保磁
力を有し基体との密着性もよく、耐食性にも優れた磁気
記録媒体であり、製造的にも斜め入射角度を小さくでき
る利点を有し、磁気記録媒体およびその製造方法として
従来のものより優れたものであった。
第1図、第2図はそれぞれ本発明の磁気記録媒体を製造
するための装置の概略図、第3図は本発明の磁気記録媒
体の保磁力と斜め入射角度との関係を示す。図4は、本
発明による記録媒体の磁気特性の測定方向を示す図であ
る。各図において1・・・ベルジャ、 2・・・基体、
3,3・・・ハース、5.5′・・・電子ビーム、
6・・・鉄、 6′・・・サマリウム、7・・・
直流電源、 8・・・主バルブ、9・・・シャッター、
10・・・可変リークバルブ、11・・・高周波コイル
、 12・・・マツチングボックス、13・・・高周波
電源 を表わす。 代理人 桑 原 義 美 δ 馬?巳 手続補正書 ■ 事イ′1の表示 昭和57年特fr願第200844 リ2 発明の名
称 磁気記録媒体およびその製造方法 3 補正をする渚 事(’lとの関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新何1 ’J’ lfl 2
6番2り名 称 (127)小西六25:真工業株式会
拐代表取締役川本信彦 4代理人 〒191 居 所 東京都し目1f市さくり町1 i+r地6、
補正の対象 明細書全文 7、補正の内容 明細書の浄!(内容に変更なし) 特r1山長′1:X 若杉和犬殿 】 事flの表示 昭和57年特許願第 200844 、す2 発明の名
称 磁気記録媒体およびその製造方法 ’l nli +lをする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1 ’J−目26番2す
名 称 (+271小西六写真工業株式会石代表取締役
川 本 信 彦 4代理人 5 補正命令の日イ」 昭和58年2月2日(発送日:昭和58年2月n日)明
細書の1=発明の詳細な説明」の橢 乙 補正の内容 明MB書第8頁の浄11(内容に変更なし)異ってしま
うことがあるが、わずかな実験により、蒸発源と膜の濃
度差を実験的に検出でき適宜、調節ができる。 蒸発源の加熱手段の出力を変えることによって、鉄−サ
マリウム膜は異った蒸着速度で作ることができる。蒸着
速度および膜厚は、蒸着のあいだ、水晶モニタによって
監視できるので、所望の膜厚に達した際に蒸着を停止す
ることができる。 なお、真空蒸着法の変形として、クラスタービーム蒸着
法、クラスターイオンビーム蒸着法を用いてもよい。 一方スバッタリングの際には直流および高周波スパッタ
リングが適用できる。特に磁界集中によるスパッタリン
グ処理を使用すれば有利である。 なぜならその際スパッタリング処理中の担体の加熱がわ
ずかですむからである。鉄−サマリウノ、膜の百分率組
成は、スパッタリングの際、鉄ターゲツト内に異った大
きさのサマリウム片を挿入することによって変えること
ができる。鉄とサマリウムの合金から成るターゲットを
使用してもよい。 本発明にかかる鉄−サマリウム膜の組成は鉄とサマリウ
ム主成分(鉄とサマリウムの総和へ1磁性膜の50重量
%以上、好ましくは80重景%以上である。)とし、鉄
:サマリウムの原子の組成比が(0,7〜0.5 )
! (0,3〜0.5 ) (Fe : Smが7:3
〜5:5であることを表わ
するための装置の概略図、第3図は本発明の磁気記録媒
体の保磁力と斜め入射角度との関係を示す。図4は、本
発明による記録媒体の磁気特性の測定方向を示す図であ
る。各図において1・・・ベルジャ、 2・・・基体、
3,3・・・ハース、5.5′・・・電子ビーム、
6・・・鉄、 6′・・・サマリウム、7・・・
直流電源、 8・・・主バルブ、9・・・シャッター、
10・・・可変リークバルブ、11・・・高周波コイル
、 12・・・マツチングボックス、13・・・高周波
電源 を表わす。 代理人 桑 原 義 美 δ 馬?巳 手続補正書 ■ 事イ′1の表示 昭和57年特fr願第200844 リ2 発明の名
称 磁気記録媒体およびその製造方法 3 補正をする渚 事(’lとの関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新何1 ’J’ lfl 2
6番2り名 称 (127)小西六25:真工業株式会
拐代表取締役川本信彦 4代理人 〒191 居 所 東京都し目1f市さくり町1 i+r地6、
補正の対象 明細書全文 7、補正の内容 明細書の浄!(内容に変更なし) 特r1山長′1:X 若杉和犬殿 】 事flの表示 昭和57年特許願第 200844 、す2 発明の名
称 磁気記録媒体およびその製造方法 ’l nli +lをする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿1 ’J−目26番2す
名 称 (+271小西六写真工業株式会石代表取締役
川 本 信 彦 4代理人 5 補正命令の日イ」 昭和58年2月2日(発送日:昭和58年2月n日)明
細書の1=発明の詳細な説明」の橢 乙 補正の内容 明MB書第8頁の浄11(内容に変更なし)異ってしま
うことがあるが、わずかな実験により、蒸発源と膜の濃
度差を実験的に検出でき適宜、調節ができる。 蒸発源の加熱手段の出力を変えることによって、鉄−サ
マリウム膜は異った蒸着速度で作ることができる。蒸着
速度および膜厚は、蒸着のあいだ、水晶モニタによって
監視できるので、所望の膜厚に達した際に蒸着を停止す
ることができる。 なお、真空蒸着法の変形として、クラスタービーム蒸着
法、クラスターイオンビーム蒸着法を用いてもよい。 一方スバッタリングの際には直流および高周波スパッタ
リングが適用できる。特に磁界集中によるスパッタリン
グ処理を使用すれば有利である。 なぜならその際スパッタリング処理中の担体の加熱がわ
ずかですむからである。鉄−サマリウノ、膜の百分率組
成は、スパッタリングの際、鉄ターゲツト内に異った大
きさのサマリウム片を挿入することによって変えること
ができる。鉄とサマリウムの合金から成るターゲットを
使用してもよい。 本発明にかかる鉄−サマリウム膜の組成は鉄とサマリウ
ム主成分(鉄とサマリウムの総和へ1磁性膜の50重量
%以上、好ましくは80重景%以上である。)とし、鉄
:サマリウムの原子の組成比が(0,7〜0.5 )
! (0,3〜0.5 ) (Fe : Smが7:3
〜5:5であることを表わ
Claims (2)
- (1)基体上に金属系磁性膜を有する磁気記録媒体にお
いて、前記磁性膜が少なくとも銖およびサマリウムを主
成分とすることを特徴とする磁気記録媒体。 - (2) 真空槽内において、鉄とサマリウムを同時に
飛翔させて基体上に鉄とサマリウムを主成分とする磁性
膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57200844A JPS5989404A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57200844A JPS5989404A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5989404A true JPS5989404A (ja) | 1984-05-23 |
Family
ID=16431147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57200844A Pending JPS5989404A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5989404A (ja) |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57200844A patent/JPS5989404A/ja active Pending
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